JPH03164712A - 液晶表示装置及びその製造法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造法Info
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- JPH03164712A JPH03164712A JP1305442A JP30544289A JPH03164712A JP H03164712 A JPH03164712 A JP H03164712A JP 1305442 A JP1305442 A JP 1305442A JP 30544289 A JP30544289 A JP 30544289A JP H03164712 A JPH03164712 A JP H03164712A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（表 液晶表示素子用の透明絶縁基板の表面に斜
方蒸着により積層される液晶配向膜を用いた液晶表示装
置及びその製造法に関すも従来の技術 液晶配向処理法にはいくつかあり、その中で傾斜配向処
理に関しては斜方蒸着法が知られている。
方蒸着により積層される液晶配向膜を用いた液晶表示装
置及びその製造法に関すも従来の技術 液晶配向処理法にはいくつかあり、その中で傾斜配向処
理に関しては斜方蒸着法が知られている。
この斜方蒸着法（友 液晶分子の傾斜角度を設定出来る
唯一のものである。即５ ＳｉＯを被蒸発物質として
選び、基板面に該蒸発物質の蒸気流を斜めの角度から導
きいれるものである。該斜方蒸着法でζ友 入射角θを
大きく （一般的にはθ＞７０度であることが知られて
いる。）すると傾斜したコラムが形成され 液晶分子の
長軸が該コラム方向に沿しく ある一定の傾斜角をもっ
て液晶分子は傾斜配向す４ そして該ＳｉＯの蒸気流を得る方法として、ＳｉＯを石
英ルツペ タンタルルツボ等の蒸発源内に充填させ適当
な加熱手段を使って該ＳｉＯの蒸気流を得てい九 発明が解決しようとする課題 しかＬＳｉＯが被蒸発物質として選択され このＳｉＯ
に適当な加熱手段を使ってＳｉＯの蒸気流を得ようとし
だへ 次の様な問題が生じてい九被蒸発物質としのＳｉ
Ｏの形態が粉末もしくは塊状であり、しかもＳｉＯが昇
華性の性質を呈しているために バルクの状態で該Ｓｉ
Ｏが突沸する現象が発生し 被蒸発物質としのＳｉＯが
真空装置内に飛散してその一部が基板上に直撃するケー
スがあった さらに 基板上に積層される薄膜はＳｉＯ
ｚ （但Ｌ１≦２≦ ２）で表示されるものであり、酸
素の数は不定であり九 これらの問題の発生にともなｔ＼ 基板内での均一な膜
厚制御ならびに欠陥がなくしかも再現性のある傾斜配向
膜を得ることができなかっ九さら＆へ 従来の方法によ
る傾斜配向ＳｉＯ＋膜は基板に対する付着強度が弱かっ
たために 液晶パネルを組み立てる時に機械的な衝撃が
加わった際該傾斜配向ＳｉＯ−膜の一部が破壊された配
向膜でありへ しかｋ 複数枚の基板や大面積の基板上に該傾斜配向層
を処理しようとした際 上記の問題がより顕著に発生す
るためく 従来の方法では生産性及び実用性にそして信
頼性にとぼしかった本発明は上記した事情に鑑へ 斜方
蒸着法による傾斜配向処理において、基板内での均一な
膜厚制御並びに欠陥問題が大幅に改善され再現性のある
傾斜配向層を形成させることにより生産性そして実用性
を向上させ、基板に対する付着強度を強くすることによ
り信頼性を改善した液晶配向膜を用いた液晶表示装置及
びその製造法を提供するのを目的とする。
唯一のものである。即５ ＳｉＯを被蒸発物質として
選び、基板面に該蒸発物質の蒸気流を斜めの角度から導
きいれるものである。該斜方蒸着法でζ友 入射角θを
大きく （一般的にはθ＞７０度であることが知られて
いる。）すると傾斜したコラムが形成され 液晶分子の
長軸が該コラム方向に沿しく ある一定の傾斜角をもっ
て液晶分子は傾斜配向す４ そして該ＳｉＯの蒸気流を得る方法として、ＳｉＯを石
英ルツペ タンタルルツボ等の蒸発源内に充填させ適当
な加熱手段を使って該ＳｉＯの蒸気流を得てい九 発明が解決しようとする課題 しかＬＳｉＯが被蒸発物質として選択され このＳｉＯ
に適当な加熱手段を使ってＳｉＯの蒸気流を得ようとし
だへ 次の様な問題が生じてい九被蒸発物質としのＳｉ
Ｏの形態が粉末もしくは塊状であり、しかもＳｉＯが昇
華性の性質を呈しているために バルクの状態で該Ｓｉ
Ｏが突沸する現象が発生し 被蒸発物質としのＳｉＯが
真空装置内に飛散してその一部が基板上に直撃するケー
スがあった さらに 基板上に積層される薄膜はＳｉＯ
ｚ （但Ｌ１≦２≦ ２）で表示されるものであり、酸
素の数は不定であり九 これらの問題の発生にともなｔ＼ 基板内での均一な膜
厚制御ならびに欠陥がなくしかも再現性のある傾斜配向
膜を得ることができなかっ九さら＆へ 従来の方法によ
る傾斜配向ＳｉＯ＋膜は基板に対する付着強度が弱かっ
たために 液晶パネルを組み立てる時に機械的な衝撃が
加わった際該傾斜配向ＳｉＯ−膜の一部が破壊された配
向膜でありへ しかｋ 複数枚の基板や大面積の基板上に該傾斜配向層
を処理しようとした際 上記の問題がより顕著に発生す
るためく 従来の方法では生産性及び実用性にそして信
頼性にとぼしかった本発明は上記した事情に鑑へ 斜方
蒸着法による傾斜配向処理において、基板内での均一な
膜厚制御並びに欠陥問題が大幅に改善され再現性のある
傾斜配向層を形成させることにより生産性そして実用性
を向上させ、基板に対する付着強度を強くすることによ
り信頼性を改善した液晶配向膜を用いた液晶表示装置及
びその製造法を提供するのを目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために 本発明ではＸ及びｙを０．
０２＜ｘ＜０．４、ｌ≦ｙ＜２として斜方蒸着により形
成したＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ膜を配向膜としている。そして
この配向膜の製造法として、透明絶縁基板側に少なくと
も開口窓を有した反応槽を真空装置内の下部に配設させ
、該反応槽内に蒸発源並びに酸素を主成分としたガスを
噴出させるガス噴出口を設ｊす、前記蒸発源内にＳｉと
Ｃを充填させて咳ＳｉとＣを加熱蒸発させ、前記反応槽
内でＳｉとＣとを酸素と反応させ、 ０．０２＜ｘ＜０
．４． ｌ≦ｙく２としてＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙを生成さ
せ、前記反応槽中の開口窓から咳Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸
気流を放出させ、該Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流とは０度
と異なった入射角に傾斜させた透明絶縁基板の表面に咳
Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ蒸気流を暴露させてＳｉ−ＣＸＯｙ膜
を形成させる製造法を用いている。
０２＜ｘ＜０．４、ｌ≦ｙ＜２として斜方蒸着により形
成したＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ膜を配向膜としている。そして
この配向膜の製造法として、透明絶縁基板側に少なくと
も開口窓を有した反応槽を真空装置内の下部に配設させ
、該反応槽内に蒸発源並びに酸素を主成分としたガスを
噴出させるガス噴出口を設ｊす、前記蒸発源内にＳｉと
Ｃを充填させて咳ＳｉとＣを加熱蒸発させ、前記反応槽
内でＳｉとＣとを酸素と反応させ、 ０．０２＜ｘ＜０
．４． ｌ≦ｙく２としてＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙを生成さ
せ、前記反応槽中の開口窓から咳Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸
気流を放出させ、該Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流とは０度
と異なった入射角に傾斜させた透明絶縁基板の表面に咳
Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ蒸気流を暴露させてＳｉ−ＣＸＯｙ膜
を形成させる製造法を用いている。
作 用
上記のようにＸ及びｙが０．０２＜ｘ＜０．４、ｌ≦ｙ
≦２として、酸素雰囲気内での反応生成物を斜方蒸着し
て形成されたＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ膜ζよ 適度な酸化度及
び分楓 しかも活性な表面性状を呈しているために こ
の配向膜を適用した液晶表示装置では欠陥問題及び機械
的な付着力にかんする問題が改善される。しかも蒸発源
内に充填させたＳｉ元素及びＣ元素は持続して安定に溶
解することそして反応槽内において、Ｓｉ及びＣに加え
る加熱エネルギーの大きさやガスの流量を制御すること
によって０．０２＜ｘ＜０，４． １≦ｙ＜２であるＳ
ｉ −Ｃｘ−Ｏｙを生成させ、前記反応槽中の開口窓か
ら該Ｓｉ−Ｃｘ−○ｙの蒸気流を放出させ、咳Ｓｉ〜Ｃ
ｘ −Ｏｙの蒸気流とは０度と異なった入射角に傾斜さ
せ制御された速度で搬送されている透明絶縁基板の表面
に咳Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ蒸気流を暴露させてＳｉ−Ｃｘ−
Ｏｙ膜を形成させた製造法であるために 均一な膜厚制
御が可能であり、しかも再現性のある配向膜を得ること
ができる。
≦２として、酸素雰囲気内での反応生成物を斜方蒸着し
て形成されたＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ膜ζよ 適度な酸化度及
び分楓 しかも活性な表面性状を呈しているために こ
の配向膜を適用した液晶表示装置では欠陥問題及び機械
的な付着力にかんする問題が改善される。しかも蒸発源
内に充填させたＳｉ元素及びＣ元素は持続して安定に溶
解することそして反応槽内において、Ｓｉ及びＣに加え
る加熱エネルギーの大きさやガスの流量を制御すること
によって０．０２＜ｘ＜０，４． １≦ｙ＜２であるＳ
ｉ −Ｃｘ−Ｏｙを生成させ、前記反応槽中の開口窓か
ら該Ｓｉ−Ｃｘ−○ｙの蒸気流を放出させ、咳Ｓｉ〜Ｃ
ｘ −Ｏｙの蒸気流とは０度と異なった入射角に傾斜さ
せ制御された速度で搬送されている透明絶縁基板の表面
に咳Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ蒸気流を暴露させてＳｉ−Ｃｘ−
Ｏｙ膜を形成させた製造法であるために 均一な膜厚制
御が可能であり、しかも再現性のある配向膜を得ること
ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例における液晶表示装置及びその
製造法について、第１図並びに第２図を参照しながら説
明する。第１図は本実施例に用いた製造装置の概要をし
めす平面図であり、第２図は第１図の一部を拡大した斜
視図である。
製造法について、第１図並びに第２図を参照しながら説
明する。第１図は本実施例に用いた製造装置の概要をし
めす平面図であり、第２図は第１図の一部を拡大した斜
視図である。
高真空ポンプｌを備えた真空装置２が設けられ高真空ポ
ンプｌは真空装置２の上部２ａに接続されていａ′真空
装置２の下部２ｂに（よ 透明絶縁基板側に少なくとも
開口窓を有した反応槽４が配設されていも 反応槽４内
に蒸発源３並びに酸素を主成分としたガスを噴出させる
ガス噴出口を設けたガス導入系２１が配設されている。
ンプｌは真空装置２の上部２ａに接続されていａ′真空
装置２の下部２ｂに（よ 透明絶縁基板側に少なくとも
開口窓を有した反応槽４が配設されていも 反応槽４内
に蒸発源３並びに酸素を主成分としたガスを噴出させる
ガス噴出口を設けたガス導入系２１が配設されている。
ガス導入系２１（よ 大気中に配設され酸素を主成分と
したガスを充填しているボンベ２１Ｖと前記真空装置２
とを連結させた外部バイブ系２１ａと、前記真空装置２
の内部で前記外部パイプ系２１ａと連結して前記反応槽
４内の前記蒸発源３の近傍に延長されその先端で矢印２
１ｂの様に前記ガスを噴出させる口を設けた内部パイプ
系２１ｃから構成されている。同図中の２１ｄｌ友
バイブ系２１内に流れる前記ガスの流量を調整するバル
ブである。
したガスを充填しているボンベ２１Ｖと前記真空装置２
とを連結させた外部バイブ系２１ａと、前記真空装置２
の内部で前記外部パイプ系２１ａと連結して前記反応槽
４内の前記蒸発源３の近傍に延長されその先端で矢印２
１ｂの様に前記ガスを噴出させる口を設けた内部パイプ
系２１ｃから構成されている。同図中の２１ｄｌ友
バイブ系２１内に流れる前記ガスの流量を調整するバル
ブである。
前記蒸発源３内にはＳｉ元素及びＣ元素３ａが充填され
も 該ＳＬ及びＣ元素３ａに加えられる加熱エネルギー
を持続的に制御できる電子ビームもしくはレーザーから
なる加熱手段によって前記Ｓｉ及びＣの蒸気流が得られ
るのが望ましし−矢印３ｂは偏向タイプの電子ビーム蒸
発源に於ける電子の軌跡を示している。
も 該ＳＬ及びＣ元素３ａに加えられる加熱エネルギー
を持続的に制御できる電子ビームもしくはレーザーから
なる加熱手段によって前記Ｓｉ及びＣの蒸気流が得られ
るのが望ましし−矢印３ｂは偏向タイプの電子ビーム蒸
発源に於ける電子の軌跡を示している。
Ｓｉ及びＣに加える加熱エネルギーの大きさやガスの流
量を制御することによって反応槽４内でＳｉ及びＣの蒸
気流と酸素ガスとの反応で生成され ０゜０２＜ｘ＜０
．４． １≦ｙく２としてＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙを生成させ
、前記反応槽４中の開口窓４ａから該Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ
の蒸気流が放出されも ５（よ 前記反応槽４の上部に
配設されたシャッターであり、前記反応槽４の開口窓４
ａから放出されるＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流を随時遮断
するのに用いられる。
量を制御することによって反応槽４内でＳｉ及びＣの蒸
気流と酸素ガスとの反応で生成され ０゜０２＜ｘ＜０
．４． １≦ｙく２としてＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙを生成させ
、前記反応槽４中の開口窓４ａから該Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ
の蒸気流が放出されも ５（よ 前記反応槽４の上部に
配設されたシャッターであり、前記反応槽４の開口窓４
ａから放出されるＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流を随時遮断
するのに用いられる。
そして前記シャッター５が開いている時鳳 前記Ｓｉ−
Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流に対して０度と異なる入射角θ（一
般的にはθ〉７０度であることが知られている。）に傾
斜された透明絶縁基板６力丈咳シャッター５の上部に配
設され 該透明絶縁基板６の表面に該Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ
の蒸気流が曝されことによってＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ傾斜配
向層が形成される。
Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流に対して０度と異なる入射角θ（一
般的にはθ〉７０度であることが知られている。）に傾
斜された透明絶縁基板６力丈咳シャッター５の上部に配
設され 該透明絶縁基板６の表面に該Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ
の蒸気流が曝されことによってＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ傾斜配
向層が形成される。
同図では詳細に記載されていないが本実施例で（表 前
記透明絶縁基板６を連続的もしくは間欠的に移動させる
手段を具備していも 基板供給場所６ａに位置した透明
絶縁基板６は所定の速度で所定の角度に傾けられ 基板
置き場所６ｂまで移動する間（矢印６ｄは移動する方向
の一例を示していも）前記Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流に
曝されも 同図中の６ｃｆ＆ 該透明絶縁基板６が前
記Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流に曝される場所を限定する
のに用いられる暴露限定窓である。な抵 咳暴露限定窓
６ｃと前記シャッター５の間には絞り窓５ｂが配設され
前記反応槽４の開口窓４ａから放出されかつ前記透明絶
縁基板６に入射するＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流を限定す
るのに用いられている。
記透明絶縁基板６を連続的もしくは間欠的に移動させる
手段を具備していも 基板供給場所６ａに位置した透明
絶縁基板６は所定の速度で所定の角度に傾けられ 基板
置き場所６ｂまで移動する間（矢印６ｄは移動する方向
の一例を示していも）前記Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流に
曝されも 同図中の６ｃｆ＆ 該透明絶縁基板６が前
記Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流に曝される場所を限定する
のに用いられる暴露限定窓である。な抵 咳暴露限定窓
６ｃと前記シャッター５の間には絞り窓５ｂが配設され
前記反応槽４の開口窓４ａから放出されかつ前記透明絶
縁基板６に入射するＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流を限定す
るのに用いられている。
同図中の２０は保持板であり、前記蒸発源３、反応槽４
、シャッター５、絞り窓５′ｏ、透明絶縁基板６等を真
空装置２内で保持並びに移動させるのに用いられも 真
空計器２ｄ及び２ｅは各々真空装置２内の上部２ａ並び
に下部２ｂに於ける真空度を測定するのに用いられも 前記蒸発源３内に充填されるＳｉ及びＣ元素は予めＳｉ
−Ｃｘのような化合物として構成させ該化合物と酸素ガ
スとの反応生成物を傾斜配向層として処理することが出
来る。また 複数の蒸発源を構成させて、個々の蒸発源
に各々Ｓｉ、 Ｃを充填させ、Ｓｉ及びＣに加える加熱
エネルギーの大きさを個々に制御することによって反応
槽４内でＳｉ及びＣの蒸気流と酸素ガスとの反応で生成
させることができる。
、シャッター５、絞り窓５′ｏ、透明絶縁基板６等を真
空装置２内で保持並びに移動させるのに用いられも 真
空計器２ｄ及び２ｅは各々真空装置２内の上部２ａ並び
に下部２ｂに於ける真空度を測定するのに用いられも 前記蒸発源３内に充填されるＳｉ及びＣ元素は予めＳｉ
−Ｃｘのような化合物として構成させ該化合物と酸素ガ
スとの反応生成物を傾斜配向層として処理することが出
来る。また 複数の蒸発源を構成させて、個々の蒸発源
に各々Ｓｉ、 Ｃを充填させ、Ｓｉ及びＣに加える加熱
エネルギーの大きさを個々に制御することによって反応
槽４内でＳｉ及びＣの蒸気流と酸素ガスとの反応で生成
させることができる。
第３図は上記の方法で成膜されたＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ傾斜
配向膜を透明絶縁基板の表面に形成させた液晶表示装置
の欠陥発生に関するデータの一例である。ｙ＝ｔ、ｓの
場合の例であり、横軸にＣ量が示され 縦軸に欠陥発生
率Ｒが示されていも ここで使用されている欠陥発生率
Ｒと（よ パネル全体の面積にしめる欠陥を含む部分の
面積比率αをまず求Ａｘ＝Ｏの場合の光値α（０）で規
格したものを表している。Ｃの添加とともに欠陥発生率
Ｒは減少しはじＷｌ ｘ＝０．０２付近で欠陥発生率
Ｒは約０．５となる。その後も減少を示したあと、 ｘ
＝ 、０ 、１−０ 。
配向膜を透明絶縁基板の表面に形成させた液晶表示装置
の欠陥発生に関するデータの一例である。ｙ＝ｔ、ｓの
場合の例であり、横軸にＣ量が示され 縦軸に欠陥発生
率Ｒが示されていも ここで使用されている欠陥発生率
Ｒと（よ パネル全体の面積にしめる欠陥を含む部分の
面積比率αをまず求Ａｘ＝Ｏの場合の光値α（０）で規
格したものを表している。Ｃの添加とともに欠陥発生率
Ｒは減少しはじＷｌ ｘ＝０．０２付近で欠陥発生率
Ｒは約０．５となる。その後も減少を示したあと、 ｘ
＝ 、０ 、１−０ 。
３の範囲では一定値０．１をしめす。その後Ｃ量の増加
とともに欠陥発生率Ｒはゆるやかに増加を示しｘ＝０．
４付近では欠陥発生率Ｒ（ヨ 約０．５をしめしたあ
と急激に増加すも １≦ｙ≦２の範囲にある他のｙ値に
ついても上記と概ね同一の傾向が見られ九 上記に示したＣの役割について今のとこへ 実験的には
明確に判明していな（〜 しかＵ 次のような推測は可
能であ７． Ｓｉ−０の結合はイオン結合性が強（〜
しかも上記の様に酸素ガス雰囲気内による反応性蒸着法
で成膜されたＳｉ−０系薄膜は活性であるためく 耕法
蒸着法を適用して積層されたＳｉ−〇系薄膜の傾斜コラ
ムの表面では液晶分子と強い相互作用を行う。一方Ｓｉ
−Ｃの結合は共有結合性の強い結合であるためく 上述
の液晶分子との相互作用を緩和させる作用が予測される
。しかし膜中に於けるＳｉ−Ｃの結合が多くなると、逆
にＳｉ −０結合による作用が弱まも 従って、上記の製法で構成されたＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ系薄
膜の傾斜コラムの表面ではＸ及びｙを選択してやれば適
度なイオン結合性及び共有結合性を有した表面が構成さ
れム 即板 適度な酸化度及び分極及び活性状態を呈し
た表面となるためへ 該表面における液晶分子との相互
作用にＬ 適度な相互作用が行われも このような微視的な挙動が上記の欠陥と関わっているも
のと予想される。
とともに欠陥発生率Ｒはゆるやかに増加を示しｘ＝０．
４付近では欠陥発生率Ｒ（ヨ 約０．５をしめしたあ
と急激に増加すも １≦ｙ≦２の範囲にある他のｙ値に
ついても上記と概ね同一の傾向が見られ九 上記に示したＣの役割について今のとこへ 実験的には
明確に判明していな（〜 しかＵ 次のような推測は可
能であ７． Ｓｉ−０の結合はイオン結合性が強（〜
しかも上記の様に酸素ガス雰囲気内による反応性蒸着法
で成膜されたＳｉ−０系薄膜は活性であるためく 耕法
蒸着法を適用して積層されたＳｉ−〇系薄膜の傾斜コラ
ムの表面では液晶分子と強い相互作用を行う。一方Ｓｉ
−Ｃの結合は共有結合性の強い結合であるためく 上述
の液晶分子との相互作用を緩和させる作用が予測される
。しかし膜中に於けるＳｉ−Ｃの結合が多くなると、逆
にＳｉ −０結合による作用が弱まも 従って、上記の製法で構成されたＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ系薄
膜の傾斜コラムの表面ではＸ及びｙを選択してやれば適
度なイオン結合性及び共有結合性を有した表面が構成さ
れム 即板 適度な酸化度及び分極及び活性状態を呈し
た表面となるためへ 該表面における液晶分子との相互
作用にＬ 適度な相互作用が行われも このような微視的な挙動が上記の欠陥と関わっているも
のと予想される。
な飄 上記の説明では傾斜配向される基板として透明絶
縁基板を例にしているがプラスティックの様なフレキシ
ブルな透明絶縁基板ｋ 本発明の主旨を十分活かすこと
ができも 発明の効果 本発明は以上説明した様に構成されているので以下に記
載される様な効果を奏すも 上記のようにＸ及びｙを０
．０２＜ｘ＜０．４、ｌ≦ｙ≦２として、酸素雰囲気内
での反応生成物を斜方蒸着して形成されたＳｉ−Ｃｘ−
Ｏｙ膜ζよ 適度な酸化度及び分極しかも活性な表面性
状を呈しているために 当配向膜を適用した液晶表示装
置では欠陥問題及び機械的な付着力に関する問題が改善
される。
縁基板を例にしているがプラスティックの様なフレキシ
ブルな透明絶縁基板ｋ 本発明の主旨を十分活かすこと
ができも 発明の効果 本発明は以上説明した様に構成されているので以下に記
載される様な効果を奏すも 上記のようにＸ及びｙを０
．０２＜ｘ＜０．４、ｌ≦ｙ≦２として、酸素雰囲気内
での反応生成物を斜方蒸着して形成されたＳｉ−Ｃｘ−
Ｏｙ膜ζよ 適度な酸化度及び分極しかも活性な表面性
状を呈しているために 当配向膜を適用した液晶表示装
置では欠陥問題及び機械的な付着力に関する問題が改善
される。
しかも蒸発源内に充填させたＳＬ元素及びＣ元素は持続
して安定に溶解することそして反応槽内において、Ｓｉ
及びＣに加える加熱エネルギーの大きさやガスの流量を
制御することによって０．０２＜ｘ＜０．４． １≦ｙ
く２であるＳｉ−ＣｘＯｙを生成させ、前記反応槽中の
開口窓から該Ｓｉ −Ｃｘ −Ｏｙの蒸気流を放出させ
、該Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流とは０度と異なった入射
角に傾斜させ制御された速度で搬送されている透明絶縁
基板の表面に咳Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ蒸気流を暴露させてＳ
ｉ −Ｃｘ −Ｏｙ膜を形成させた製造法であるため圏
均一な膜厚制御が可能であａ そして、上記の製法に適用される成膜条件は制御が十分
可能であるために再現性のある配向膜を得ることができ
る。従って、本発明ｃヨ 複数枚の基板や大面積の基
板上に該傾斜配向層を処理できる生産性及び実用性を改
善させ、そして傾斜配向層の信頼性を改善した液晶表示
装置及びその製造法といえる。
して安定に溶解することそして反応槽内において、Ｓｉ
及びＣに加える加熱エネルギーの大きさやガスの流量を
制御することによって０．０２＜ｘ＜０．４． １≦ｙ
く２であるＳｉ−ＣｘＯｙを生成させ、前記反応槽中の
開口窓から該Ｓｉ −Ｃｘ −Ｏｙの蒸気流を放出させ
、該Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流とは０度と異なった入射
角に傾斜させ制御された速度で搬送されている透明絶縁
基板の表面に咳Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ蒸気流を暴露させてＳ
ｉ −Ｃｘ −Ｏｙ膜を形成させた製造法であるため圏
均一な膜厚制御が可能であａ そして、上記の製法に適用される成膜条件は制御が十分
可能であるために再現性のある配向膜を得ることができ
る。従って、本発明ｃヨ 複数枚の基板や大面積の基
板上に該傾斜配向層を処理できる生産性及び実用性を改
善させ、そして傾斜配向層の信頼性を改善した液晶表示
装置及びその製造法といえる。
Claims (2)
- （１）一対の電極部を含む透明絶縁基板と該透明絶縁基
板の表面に形成された配向膜と前記透明絶縁基板に挟持
された液晶とを備えた液晶表示装置に於て、ｘ及びｙを
０．０２＜Ｘ＜０．４、１≦ｙ≦２として、酸素ガス雰
囲気内での反応生成物を斜方蒸着して形成されたＳｉ−
Ｃｘ−Ｏｙ膜を配向膜としたことを特徴とする液晶表示
装置。 - （２）電極部を含む透明絶縁基板側に少なくとも開口窓
を有した反応槽を真空装置内の下部に配設させ、該反応
槽内に蒸発源並びに酸素を主成分としたガスを噴出させ
るガス噴出口を設置け、前記蒸発源内にＳｉとＣを充填
して加熱蒸発させ、前記反応槽内でＳｉとＣとを酸素と
反応させて０．０２＜ｘ＜０．４、１≦ｙ≦２としてＳ
ｉ−Ｃｘ−Ｏｙを生成させ、前記反応槽中の開口窓から
Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙの蒸気流を放出させ、Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏ
ｙの蒸気流とは０度と異なった入射角に傾斜させた透明
絶縁基板の表面にＳｉ−Ｃｘ−Ｏｙ蒸気流を暴露させて
Ｓｉ−Ｃｘ−Ｏｙ膜を形成させ、液晶配向膜とすること
を特徴とする液晶表示装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305442A JPH03164712A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 液晶表示装置及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305442A JPH03164712A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 液晶表示装置及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03164712A true JPH03164712A (ja) | 1991-07-16 |
Family
ID=17945190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1305442A Pending JPH03164712A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 液晶表示装置及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03164712A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006330656A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-12-07 | Showa Shinku:Kk | 液晶配向膜用真空蒸着装置およびその成膜方法 |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP1305442A patent/JPH03164712A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006330656A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-12-07 | Showa Shinku:Kk | 液晶配向膜用真空蒸着装置およびその成膜方法 |
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