JPH03164716A - 反射型液晶画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、反射型液晶画像表示装置に関するものである
。

従来の技術 従来の反射型液晶画像表示装置は、第３図に示すように
、絶縁基板１上に、絵素のスイッチング素子として、例
えば多結晶シリコン薄膜２．ゲート酸化膜３．ゲート電
極から成るトランジスタが形成され、信号線５と絵素電
極７が層間絶縁膜６で隔てられて同一導電体層で形成さ
れた構造を有していた。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような構成では、光反射絵素電極
が信号線と同一導電体層で形成されるために、絵素電極
は信号線とある距離を隔てて作らねばならずその結果、
絵素電極の面積を太き（とることができなかった。した
がって、絵素中に占める絵素電極の割合である開口率が
低かった。

本発明は上記欠点に鑑み、開口率を大きくし、そのため
に絵素の高密度・高集積化が可能となる反射型液晶画像
表示装置を提供するものである。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の反射型液晶画像表
示装置は、絵素電極が信号線の上方にまで延びて形成さ
れて構成されている。

作用 この構成によって、絵素電極の占める面積が太き（なり
、したがって開口率が向上する。その結果、絵素の高密
度・高集積化が可能となる。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。

第１図は、本発明の第一の実施例における反射型液晶画
像表示装置の模式的断面図を示すものである。

第１図において、１は石英基板、２は多結晶シリコン薄
膜、３はゲート酸化膜、４は多結晶シリコンを用いたゲ
ート電極（走査線）である。このような構成のＭＯ８型
トランジスタを形成後、第一の層間絶縁膜６としてＮＳ
Ｃ膜を積層してトランジスタを覆う。この層間絶縁膜６
を、フッ酸系のウェットエッチによって、トランジスタ
のソース領域及びドレイン領域とのコンタクト窓を形成
して、Ａｅを積層して、ソース領域上に信号線５、ドレ
イン領域上にドレイン電極８をそれぞれ形成する。ここ
で再び第二の層間絶縁膜としてＮＳＣ膜を積層して、信
号線５とドレイン電極８を覆った後、ドレイン電極８上
にのみ、逆スパツタによるコンタクト窓を形成する。こ
の第二の層間絶縁膜上に、Ａｅを積層して絵素電極７を
形成する。この構成では、ソース電極（信号線）５の上
にも第二の層間絶縁膜を介して絵素電極７が形成されて
いる。その結果、絵素に占める絵素電極面積の割合が大
きく取ることが可能となる。

第二の実施例として、Ｐ形シリコン基板２１を用いた例
を第２図に示す。２２はソース、ドレインを形成するｎ
＋領領域あり、２３はチャネルストッパーのｐ中領域で
あり、５ｉ０２層２４によって素子間分離されている。

このような構成のｎチャネルトランジスタ上に、第一の
実施例と同様の２層Ａｅ描成の絵素電極７を形成する。

本実施例では、ｎチャネルトランジスタの例を示したが
、ｎチャネルトランジスタの場合も、同様の効果が期待
できる。

また、ＭＯ８型トランジスタだけでな（、他のスイッチ
ング素子、例えばバイポーラ型トランジスタなどの素子
を用いる場合も、適用できる。

発明の効果 以上のように本発明によれば、絵素電極が絵素中に占め
る面積を大きくすることによって開口率が太き（なり、
その実用的な効果は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例における反射型液晶デイ
スプレィの模式的断面図、第２図は本発明の第２の実施
例における反射型液晶デイスプレィの断面図、第３図は
従来の反射型液晶デイスプレィの断面図である。 ■・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・多結晶シリコ
ン、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・・・・ゲー
ト電極（走査線）、５・・・・・・信号線、６・・・・
・・層間絶縁膜、７・・・・・・絵素電極、８・・・・
・・ドレイン電極、２１・・・・・・Ｐ形シリコン基板
、２２・・・・・・ｎ＋領領域２３・・・・・・ｐ十　
領域、２４・・・・・・５ｉ０２層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光反射用絵素電極、スイッチング素子、走査線及び信号
   線を具備して成る反射型液晶画像表示装置において、前
   記光反射用絵素電極を形成する導電体層が、前記信号線
   の上方にまでのびて形成されていることを特徴とする反
   射型液晶画像表示装置。