JPH03165031A - 純水引き上げ乾燥装置 - Google Patents
純水引き上げ乾燥装置Info
- Publication number
- JPH03165031A JPH03165031A JP1305525A JP30552589A JPH03165031A JP H03165031 A JPH03165031 A JP H03165031A JP 1305525 A JP1305525 A JP 1305525A JP 30552589 A JP30552589 A JP 30552589A JP H03165031 A JPH03165031 A JP H03165031A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drying
- pure water
- substrate
- temperature
- pulling
- Prior art date
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- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は、半導体のシリコン基板、フォトマスク、液晶
パネルのガラス基板、光学レンズ等（以下、単に基板と
いう）の洗浄後の乾燥工程に用いる純水引き上げ乾燥装
置に関する。
パネルのガラス基板、光学レンズ等（以下、単に基板と
いう）の洗浄後の乾燥工程に用いる純水引き上げ乾燥装
置に関する。
［従来の技術］
基板を微低速で純水槽より引き上げることにより、水の
表面張力の高いことを利用して基板に付着する水の膜を
できるだけ均一に薄くし、これを何らかの手段で乾かす
純水引き上げ乾燥方式において、乾燥手段としては従来
第２図に示すように純水槽を加温して基板の熱容量で乾
かすか、成るいは引き上げ後に熱風、遠赤外線等で乾か
すか、いずれも熱による方法が一般的であった。
表面張力の高いことを利用して基板に付着する水の膜を
できるだけ均一に薄くし、これを何らかの手段で乾かす
純水引き上げ乾燥方式において、乾燥手段としては従来
第２図に示すように純水槽を加温して基板の熱容量で乾
かすか、成るいは引き上げ後に熱風、遠赤外線等で乾か
すか、いずれも熱による方法が一般的であった。
しかし、半導体のシリコン基板は、純水槽を加温したり
、引き上げ後に熱をかけたりした場合、温度が高いと自
然酸化膜の形成が進むという問題点を有する。また他の
基板でも、純水槽を加温した場合、液温が高くなると水
質が落ちたり、基板と雰囲気の温度差が大きくなると、
静電気によるゴミの付着が増える等、乾燥品質を落とす
という問題点を有する。
、引き上げ後に熱をかけたりした場合、温度が高いと自
然酸化膜の形成が進むという問題点を有する。また他の
基板でも、純水槽を加温した場合、液温が高くなると水
質が落ちたり、基板と雰囲気の温度差が大きくなると、
静電気によるゴミの付着が増える等、乾燥品質を落とす
という問題点を有する。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、除湿機能をつけ、これ単独成るいは熱との併用で乾
かすことにより、乾燥時間を従来より短縮すると共に、
乾゛燥温度しいては基板の温度を下げることを目的とす
る。
め、除湿機能をつけ、これ単独成るいは熱との併用で乾
かすことにより、乾燥時間を従来より短縮すると共に、
乾゛燥温度しいては基板の温度を下げることを目的とす
る。
本発明の純水引き上げ乾燥装置は、基板を微低速で純水
槽より引き上げて乾かす純水引き上げ乾燥装置において
、除湿手段を有することを特徴とする。
槽より引き上げて乾かす純水引き上げ乾燥装置において
、除湿手段を有することを特徴とする。
また、上記純水引き上げ乾燥装置において、別置の除湿
ユニットと純水引き上げ乾燥装置本体との間に配管等で
閉ループを構成し、エアーを循環・除湿することを特徴
とする。
ユニットと純水引き上げ乾燥装置本体との間に配管等で
閉ループを構成し、エアーを循環・除湿することを特徴
とする。
さらに、上記純水引き上げ乾燥装置において、別置の除
湿ユニットと純水引き上げ乾燥装置本体との間を完全閉
ループとせずに、一部外気を取り込む事により、純水引
き上げ乾燥装置本体の内部を陽圧にすることを特徴とす
る。
湿ユニットと純水引き上げ乾燥装置本体との間を完全閉
ループとせずに、一部外気を取り込む事により、純水引
き上げ乾燥装置本体の内部を陽圧にすることを特徴とす
る。
［作 用〕
上記のように乾燥手段として除湿機能をっけ、熱との併
用で乾かすことにより、熱だけで乾かす場合より乾燥時
間を短縮することができる。また乾燥手段として除湿機
能を主体的に使えば、相対的に熱に顧る比率が下がり、
乾燥温度しいては基板の温度を下げることができる。
用で乾かすことにより、熱だけで乾かす場合より乾燥時
間を短縮することができる。また乾燥手段として除湿機
能を主体的に使えば、相対的に熱に顧る比率が下がり、
乾燥温度しいては基板の温度を下げることができる。
別置の除湿ユニットと純水引き上げ乾燥装置本体との間
に配管等で閉ループを構成し、エアーを循環・除湿する
ことにより、除湿効率が上がり相対湿度も下がるため、
乾燥効果を上げることができる。
に配管等で閉ループを構成し、エアーを循環・除湿する
ことにより、除湿効率が上がり相対湿度も下がるため、
乾燥効果を上げることができる。
別置の除湿ユニットと純水引き上げ乾燥装置本体との間
を完全閉ループとせずに、一部外気を取り込む事により
、純水引き上げ乾燥装置本体の内部を陽圧にすることが
でき、装置内に浮遊するゴミの滞留が無くなるため、装
置内のクリーン度を上げることができる。
を完全閉ループとせずに、一部外気を取り込む事により
、純水引き上げ乾燥装置本体の内部を陽圧にすることが
でき、装置内に浮遊するゴミの滞留が無くなるため、装
置内のクリーン度を上げることができる。
［実 施 例］
第１図は本発明の実施例における概略図であって、純水
引き上げ乾燥装置本体１と、別置の除湿ユニット２で構
成されている。純水引き上げ乾燥装置本体は、純水槽３
．純水加熱ユニット４、遠赤外線乾燥炉５、搬送ロボッ
ト６とクリーンユニット７を備えたクリーンベンチ８か
ら成る。純水引き上げ乾燥装置本体１と除湿ユニット２
は、配管でつなぎ閉ループを組んでいる。除湿ユニット
２は純水引き上げ乾燥装置本体１からエアーを取り込ん
で、クリーンユニット７を通して、クリーンな除湿エア
ーを純水引き上げ乾燥装置本体ｌに戻している。ここで
除湿ユニット２の吸気ファンとクリーンユニット７の送
風ファン９はバランスをとっである。クリーンユニット
７には送風ファン９が２基ついており、１基は除湿エア
ーの循環用、もう１基は外気を取り込んでいる。従って
、装置本体内部は陽圧になり、絶えず取り込んだ外気の
流量分が装置外へ流出しており、装置内はクリーン度が
保たれている。
引き上げ乾燥装置本体１と、別置の除湿ユニット２で構
成されている。純水引き上げ乾燥装置本体は、純水槽３
．純水加熱ユニット４、遠赤外線乾燥炉５、搬送ロボッ
ト６とクリーンユニット７を備えたクリーンベンチ８か
ら成る。純水引き上げ乾燥装置本体１と除湿ユニット２
は、配管でつなぎ閉ループを組んでいる。除湿ユニット
２は純水引き上げ乾燥装置本体１からエアーを取り込ん
で、クリーンユニット７を通して、クリーンな除湿エア
ーを純水引き上げ乾燥装置本体ｌに戻している。ここで
除湿ユニット２の吸気ファンとクリーンユニット７の送
風ファン９はバランスをとっである。クリーンユニット
７には送風ファン９が２基ついており、１基は除湿エア
ーの循環用、もう１基は外気を取り込んでいる。従って
、装置本体内部は陽圧になり、絶えず取り込んだ外気の
流量分が装置外へ流出しており、装置内はクリーン度が
保たれている。
基板ｌＯの入ったカセット１１は、搬送ロボット６によ
り微低速で純水槽３より引き上げられ。
り微低速で純水槽３より引き上げられ。
遠赤外線乾燥炉５で最終乾燥させる。純水槽３の純水は
槽に入いる手前で純水加熱ユニット４で４０℃に加温し
ており、浸漬した基板も４０℃になるため、この基板自
身の熱容量と、炉内温度４０℃に設定された遠赤外乾燥
炉５と、除湿ユニット２より供給される相対湿度３０％
の除湿エアーとの併用で基板を乾燥させる。従って基板
にかかる温度は４０℃以下となっている。乾燥時間は除
湿を行わない場合に比べて半分に短縮された。
槽に入いる手前で純水加熱ユニット４で４０℃に加温し
ており、浸漬した基板も４０℃になるため、この基板自
身の熱容量と、炉内温度４０℃に設定された遠赤外乾燥
炉５と、除湿ユニット２より供給される相対湿度３０％
の除湿エアーとの併用で基板を乾燥させる。従って基板
にかかる温度は４０℃以下となっている。乾燥時間は除
湿を行わない場合に比べて半分に短縮された。
本実施例では、基板は除湿機能と熱との併用で乾燥させ
ているが、半導体のシリコン基板などは自然酸化膜の形
成抑制のために第３図に示すように除湿のみによる乾燥
が望ましい、この場合、純水槽３の液温は室温であり、
１２は保管ステージである。
ているが、半導体のシリコン基板などは自然酸化膜の形
成抑制のために第３図に示すように除湿のみによる乾燥
が望ましい、この場合、純水槽３の液温は室温であり、
１２は保管ステージである。
また、本実施例では外気を取り込んでいるが、クリーン
度が要求されない場合は、外気を取り込まず、単なる循
環のみでも良い。
度が要求されない場合は、外気を取り込まず、単なる循
環のみでも良い。
また、除湿ユニットを別置ではなく、クリーンベンチ内
に設置しても良い。
に設置しても良い。
［発明の効果］
本発明は以上説明したように、除湿手段を有する構成と
したので、装置内のエアーが乾燥し、基板の乾燥が促進
されるため、従来より乾燥時間短縮の効果を有する。ま
た、乾燥手段として除湿手段と熱による手段のうち前者
を主体的に使えば乾燥温度しいては基板の温度を下げる
ことができ、その結果、半導体のシリコン基板では、自
然酸化膜の形成を抑制でき、他の基板でも純水槽の水質
劣化防止や、静電気抑制等による基板の乾燥品質向上に
効果がある。
したので、装置内のエアーが乾燥し、基板の乾燥が促進
されるため、従来より乾燥時間短縮の効果を有する。ま
た、乾燥手段として除湿手段と熱による手段のうち前者
を主体的に使えば乾燥温度しいては基板の温度を下げる
ことができ、その結果、半導体のシリコン基板では、自
然酸化膜の形成を抑制でき、他の基板でも純水槽の水質
劣化防止や、静電気抑制等による基板の乾燥品質向上に
効果がある。
第１図は、本発明の純水引き上げ乾燥装置の概略図。
第２図は、従来の純水引き上げ乾燥装置の概略図、
第３図は、本発明の純水引き上げ乾燥装置を半導体のシ
リコン基板用に適用した場合の概略図。 ・純水引き上げ乾燥装置本体 ・除湿ユニット ・純水槽 ・純水加熱ユニット ・遠赤外線乾燥炉 ・搬送ロボット ・クリーンユニット ・クリーンベンチ ・送風ファン ・基板 ・カセット ・保管ステージ 以
リコン基板用に適用した場合の概略図。 ・純水引き上げ乾燥装置本体 ・除湿ユニット ・純水槽 ・純水加熱ユニット ・遠赤外線乾燥炉 ・搬送ロボット ・クリーンユニット ・クリーンベンチ ・送風ファン ・基板 ・カセット ・保管ステージ 以
Claims (3)
- （１）基板を微低速で純水槽より引き上げて乾かす純水
引き上げ乾燥装置において、除湿手段を有することを特
徴とする純水引き上げ乾燥装置。 - （２）請求項１記載の純水引き上げ乾燥装置において、
別置の除湿ユニットと純水引き上げ乾燥装置本体との間
に配管等で閉ループを構成し、エアーを循環・除湿する
ことを特徴とする純水引き上げ乾燥装置。 - （３）請求項２記載の純水引き上げ乾燥装置において、
別置の除湿ユニットと純水引き上げ乾燥装置本体との間
を完全閉ループとせずに、一部外気を取り込む事により
、純水引き上げ乾燥装置本体の内部を陽圧にすることを
特徴とする純水引き上げ乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305525A JPH03165031A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 純水引き上げ乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305525A JPH03165031A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 純水引き上げ乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03165031A true JPH03165031A (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=17946196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1305525A Pending JPH03165031A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 純水引き上げ乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03165031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08122232A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Nec Corp | 乾燥装置 |
| JP2008041873A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板洗浄方法 |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP1305525A patent/JPH03165031A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08122232A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Nec Corp | 乾燥装置 |
| JP2008041873A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板洗浄方法 |
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