JPH03166228A - 感光性耐熱樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置の多層配線形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の概要〕 感光性耐熱樹脂組成物及びそれを層間絶縁膜として使用
する半導体装置の絶縁膜形威方法に関し、半導体基板表
面を平坦化することができる絶縁膜を形戒することがで
き、かつ紫外線照射により高感度でスルーホールの形戊
が可能な感光性耐熱樹脂組成物を提供することを目的と
し、一般式（Ｉ）： （Ｒ’ＳｉＯｚｚｚ（Ｃｎｌｌｚｎ）　ｌ／２）　ＩＩ
＋　　”・（　１　）（式中、Ｒｌは、５％以上が不飽
和炭化水素基）（式中、Ｒ１は、５％以上が不飽和炭化
水素基）（式中、Ｒ１は、残りは、存在する場合には炭
素数１〜６の低級アルキル基を表し、ｎは１〜６の整数
を表し、そしてｍは１０〜５０００の整数を表す）で表
わされる繰り返し単位を有し、かつ３．０００〜ｓｏｏ
　，　ｏｏｏの重量平均分子量を有する有機珪素重合体
又はこの有機珪素重合体の端部に残存するシラトル基の
水素原子の少なくとも一部トリオルガノシリル基（（Ｒ
”）ｆｆＳｉ−）で置換して戒る有機珪素重合体と、ア
ジド化合物とから感光性耐熱樹脂組成物を構成する．〔
産業上の利用分野〕本発明は、感光性耐熱樹脂組成物及
びそれを層間絶縁膜として使用する半導体装置の絶縁膜
形成方法に関する。

半導体の高集積化に伴い単位素子の微細化、配線の微細
化や多層化などが広く行われているが、本発明に係る感
光性耐熱樹脂はこの多層配線の眉間絶縁膜として特に有
用である。

〔従来の技術〕

半導体の眉間絶縁膜としてポリシルアルキレンシロキサ
ンを用いる方法は知られている（特願平１−１０７７９
７号出願参照）。また、側鎖にビニル基又はアリル基を
もつ樹脂でネガ型のパターン形成方法も知られている。

しかしながら、側鎖にビニル基又はアリル基などの不飽
和二重結合を有するシルアルキレンシロキサンは、パタ
ーン形成を行う際に、Ｄｅｅｐ　−　ＵＶ光に対する感
度が低いため、長時間の露光が必要であるという問題が
あった（感度二数Ｊ／ｃＪ）。

一方、従来から行われている無機膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によ
り基板上に形或する方法では、凹凸を有する半導体基板
表面に絶縁膜を形威した場合には、膜の表面に下地基板
の凹凸がそのまま再現されてしまい、このため、その上
に形威される上層配線の断線や絶縁膜の絶縁不良の原因
となっていた。従って、下地基板の凹凸を平坦化するこ
とができる絶縁膜の開発が不可欠となっているという問
題があった。

そこで、無機膜表面を平坦化する方法として、従来は、
樹脂をスピンコート法により塗布し、平坦面を得た後、
樹脂と無機膜のコントロールエッチングを行って、平坦
な無機膜を得んとするエッチバック法や、無機膜の堆積
と凸部のエッチングを同時に行い、平坦な無機膜を得ん
とするバイアススパッタ法などの検討が行われてきた。

また、樹脂をスピンコート法により塗布し、これを加熱
硬化させて平坦な絶縁膜を得んとする方法も検討されて
いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、前記したいずれの方法を用いても、上下
配線層間を接続するスルーホールを形戒するためには、
絶縁膜上にレジストパターンを形威して絶縁膜をエッチ
ングする必要があり、絶縁膜形或工程として多くのステ
ップを必要とするという問題があった。

このような理由から、従来からパターン形戒可能な耐熱
樹脂材料を半導体の絶縁膜材料として使用する多層配線
の形戒方法の確立が望まれていた．従って、本発明は、
前記した従来技術の問題点を解決し、半導体基板表面を
平坦化し得る絶縁膜材料を形成することができる感光性
耐熱樹脂組成物を提供することを目的とする。

本発明は、また、絶縁膜に上下配線層間を接続するスル
ーホールを、従来のように基板上にレジストを用いてパ
ターンの形戒を行い、更にこれをマスクとして絶縁膜を
エッチングして形成する必要はなく、紫外線照射により
高感度でスルーホールの形或が可能）（式中、Ｒ１は、
しかもそのまま絶縁膜として使用することができる感光
性耐熱樹脂を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

前記課題は、本発明に従えば、式（Ｉ）：（Ｒ’ＳｉＯ
ｚ／ｚ（ＣｎＨｉ）＋ｚｚ）　Ｉｍ　　ｍ　（　Ｉ　）
（式中、Ｒｌは、５％以上が不飽和炭化水素基）（式中
、Ｒ１は、５％以上が不飽和炭化水素基）（式中、Ｒ１
は、残りは、存在する場合には炭素数１〜６の低級アル
キル基を表し、ｎは１〜６の整数を表し、そしてｍは１
０〜５０００の整数を表す）で表わされる繰り返し単位
を有し、かつ３．０００〜５００，０００の重量平均分
子量を有する有機珪素重合体又はこの有機珪素重合体の
端部に残存するシラノール基の水素原子の少なくとも一
部を式（Ｒ”）ｓ　Ｓ　ｆ　−　（式中、Ｒ２はそれぞ
れ独立に炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数６〜１
２の了りール基又は炭素数１〜４のアルキル基で置換さ
れていてもよいエポキシ基を示す）で表わされるトリオ
ルガノシリル基で置換して成る有機珪素重合体と、アジ
ド化合物とを含んで成る感光性耐熱樹脂組成物、並びに
その使用によって達成される。

本発明によれば、半導体デバイス形或にあたって下地段
差を平坦化可能で、しかも遠紫外線露光により高感度で
スルーホールの開口が可能な感光特性の得られる絶縁膜
材料として、前記式（１）テ表わされるシルアルキレン
シロキサン樹脂を使用する。これは、側鎖に不飽和二重
結合を有する置換基と不飽和炭化水素基を有するシルア
ルキレンシロキサン樹脂が、遠紫外線照射により高感度
でネガ型のパターン形戒が可能であるという特性を有す
るためである。

前記式（１）の繰り返し単位を有する有機珪素重合体は
、例えば式（ＩＩ）及び（ＩＩ［）又は式（■），（Ｉ
ＩＩ）及び（■）： Ｘ Ｘ Ｘ Ｘ （式中、Ｒ３は、例えばＣ２〜Ｃ６アルケニル基、ビニ
ル基又はＣ，〜Ｃ４アルキル基で置換されたビニル基な
どの不飽和炭化水素基を示し、Ｒ４はＣ，〜Ｃ　＋　Ｚ
アリール基又はＣ．−Ｃ．アルキル基で置換されていて
もよいアリール基などの不飽和炭化水素基を示し、Ｒ５
はＣ１〜Ｃ，低級アルキル基を示し、Ｘはハロゲン又は
Ｃ，−Ｃ．低級？ルコキシ基を示し、ｎは１〜６の整数
を表す）の珪素化合物を任意の所望の割合で反応させて
加水分解（Ｘ→ＯＨ）　、加熱脱水重合せしめることに
よって製造することができる。

このようにして得られた一般弐Ｎ）の繰り返し単位を有
する有機珪素重合体は、本発明の目的のためには、Ｒｌ
　は不飽和炭化水素基が５％以上、好ましくは７０％以
下、特に好ましくは１０〜４０％）（式中、Ｒ１は、不
飽和炭化水素基が５％以上、好ましくは７０％以下、特
に好ましくは１０〜４０％）（式中、Ｒ１は、残りが低
級アルキル（存在しなくてもよい）である。

この有機珪素重合体の重量平均分子量は３，０００〜５
００，０００　、好ましくは５．０００〜ｔｏｏ，ｏｏ
ｏである。

本発明の第二の態様に従えば、前記一般式（１）の繰り
返し単位を有する有機珪素重合体の端部に残存するシラ
ノール基（−ＳｉＯＨ）の水素原子の一部又は全部を前
記トリオルガノシリル基（Ｒ”）３ｓ　ｔ　−　（式中
、Ｒ２はそれぞれ独立にＣ，〜Ｃ６低級アルキル基、０
６〜ＣＩ■アリール基（フェニル基又はそのアルキルも
しくはアルケニル置換体）又はＣ，〜Ｃ４アルキル基で
置換されていてもよいエボキシ基を示す）で置換してシ
リル化有機珪素重合体とする。

本発明に従えば、前記有機珪素重合体又はシリル化有機
珪素重合体とアジド化合物とから感光性耐熱樹脂組成物
が調製される。

本発明において使用されるアジド化合物としては、例え
ばｐ−アジドベンズアルデヒド、ｐ−アジドアセトフェ
ノン、ｐ−アジドベンゾイツクアシッド、ｐ−アジドベ
ンズアルデヒド−２−スルホン酸ナトリウム、ｐ−アジ
ドアセトフエノンなどのアジド、および４．４′−ジア
ゾカルコン、２．６−ビス（４′−アジドベンザル）シ
クロヘキサノン、２．６−ビス（４′−アジドベンザル
）４−メチルシクロヘキサノン、１．３−ビス（４′ー
アジドベンザル）−２−プロパン、ｐ−アジトベンザル
アセトン、ｐ−アジドベンザルアセトン−２−スルホン
酸ナトリウム、１．３−ビス（４′一アジドシンナモイ
ソデン）−２−プロパン、１３−ビス（４′−アジドベ
ンザル）−２−プロパン２′−スルホン酸、４，４′−
ジアジドスチルベン−２．２−ジスルホン酸、１．３−
ビス（４′−アジドベンザル）−２−プロパン２，２′
−ジスルホン酸、２．６−ビス（４′−アジドベンザル
）シクロへキサノン２’，２’一′ジスルホン酸、２．
６−ビス（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロ
へキサノン−２’，２’　−ジスルホン酸、アジドピレ
ンなどのビスアジドを挙げることができる。

本発明に係る感光性耐熱樹脂組成物における有機珪素重
合体とアジド化合物との配合比には特に限定はないが、
有機珪素重合体に対しアジド化合物を１〜１５重量％配
合することが好ましく、５〜１０重量％配合するのが特
に好ましい。

本発明に従った感光性耐熱樹脂組成物は使用に際し、適
当な溶媒、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン頻、メチルセロソルブ
、アセテート、エチルセロソルブアセテートなどのエチ
レングリコールエーテノレおよびエステノレ、ベンゼン
、トノレエン、キシレンなどの芳香族溶媒中に、例えば
固形分濃度５〜６０重量％、更に好ましくは１５〜３０
重量％に溶解して、常法に従って塗布することができる
。この溶液には更に必要に応じて汎用の感光剤（例えば
前記アジド化合物）を添加することができる。

なお、前記一般式（１）においてＣ　ｎ　Ｈ　ｚ　ｎは
特に限定されないが、実用的にはメチレン、エチレンな
どの低級アルキレンが望ましい。また、分子鎖中のシル
アルキレン結合とシロキサン結合の比は、いずれであっ
てもかまわないが、耐熱性の面から２５％以上のシルア
ルキレン結合を含むことが望ましい。このような材料を
使用して得た有機珪素重合体を層間絶縁膜として使用し
た場合には、驚くべきことに、従来のビニル基やアリル
基などの不飽和二重結合の側鎖を有するシルアルキレン
樹脂を用いた場合に比べて感度が一桁以上向上する。

次に、本発明者等は有機珪素重合体はアルξ配線等の熱
膨張係数の大きな配線材料上で使用することに鑑みて、
上記の有機珪素重合体に柔軟性を付与する方法として、
一般式（Ｉ）で表される有機珪素重合体に残存するシラ
ノール基の水素原子を前記したトリオルガノシリル基（
Ｒ”）ｓｓｉ−で置換した樹脂を使用する．これは、シ
ラノールを置換することにより熱処理後の架橋密度が低
下し、膜の柔軟性が増すからである。

〔作用〕

以上説明したように、本発明によれば、スピンコート法
により基板表面の凹凸や段差を平坦化することができ、
遠紫外綿露光により高感度でスルーホールパターンを形
或可能で、しかも耐熱性、耐クラック性に優れた層間絶
縁膜の形戒が可能となる。これは本発明の有機珪素重合
体は側鎖に不飽和二重結合を有する置換基を有しており
、同時に芳香族化合物を有するシルアルキレン樹脂は紫
外線照射により高感度でネガ型のパターン形戒が可能で
あるので、これを利用してスルーホールを自己形或可能
な絶縁材料として用いることができる。この方法によれ
ば、半導体の多層配線を容易に形或することができる。

即ち、上記有機珪素重合体をＩＣ，　ＬＳＩ等の多層配
線を形威するに際して、例えばスピンコート法で或膜す
ることにより、下地段差を平坦化でき、塗布″及び溶剤
乾燥後Ｄｅｅｐ　−υＶ光照射によりパターン形威して
層間絶縁膜とすることができる。このことによって、従
来のレジストを用いてスルーホールを形戒する方法に比
べて製造工程の簡素化が可能）（式中、Ｒ１は、装置の
信頼性も高めることができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明する
が、本発明の技術的範囲をこれらの実施例に限定するも
のでないことはいうまでもない。

虹 ３００ｃｃの四つ目フラスコに、メチルセロソルブ１０
０ｃｃおよびイオン交換水３０ｃｃを仕込み、これに撹
拌しながらビス（ｐ−ビニルジメトキシシリル）メタン
５ｇとビス（ｐ−フェニルジメトキシシリノレ）メタン
５ｇをテトラヒド口フラン５０ｃｃに？容解した溶液を
滴下した。滴下終了後、この反応混合、物を還流温度ま
で昇温しで３時間反応させた。反応終了後メチルイソブ
チルケトン２００ｃｃを添加して共沸により系から水を
除去した。得られた樹脂溶液は、エチルセロソルブアセ
テートを加えることにより濃度補正を行い、５０００ｒ
ｐｍ，　４５秒の条件で１．５μｍ厚に塗布可能となる
ように調製した。

得られた樹脂の重量平均分子量は３００００であった。

この樹脂液（樹脂濃度２５重量％）に、アジド化合物と
して樹脂液に対し０．　２重量％の２，６−ビス（４′
−アジドベンザル）シクロヘキサノンを、更に溶解して
感光性耐熱樹脂組成物を調製した。

皿主 例１で合成した樹脂に、系円から水を除去した後、ピリ
ジンとジメチルフェニルクロロシランを添加して７０゜
Ｃで２時間反応させることにより反応末端をトリメチル
シリル置換した樹脂を合成した。

得られた樹脂溶液は、水洗した後に樹脂を沈澱回収しベ
ンゼン溶液として凍結乾燥して樹脂粉末を得た。この樹
脂粉末を、メチルイソブチルケトン２０重量％に熔解し
、更にアジド化合物として樹脂液に対し２重量％の２．
６−ビス（４′−アジドヘンザル）シクロヘキサノンを
溶解し、感光性耐熱樹脂組成物を調製した。

班主 半導体素子を形成し第一層目のＰｏｌｙ−Ｓｉ配線を施
したシリコン基Ｆｉ（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ配線の厚さは１μ
ｍ、最小線間隔は１．２μｍ）上にスビンコート法によ
り５０００ｒｐｍ，　４５秒の条件で例ｌで調製した感
光性耐熱樹脂組戒物（Ｓｉ平板上で１．５μｍ厚に塗布
可能）を塗布した。塗布後、８０’Ｃで２０分間熱処理
し、溶剤を乾燥した。次にこの膜にＤｅｅｐ　−　ＩＪ
Ｖ光（２３０〜２６０ｎｍ）を３００ｍＪ／ｃｆＩの露
光量で照射し、有機？容剤（メチノレイソフ゛チノレケ
トンとイソフ゜ロピノレアルコールの混合液）により現
像することにより２μｍ角のスルーホールを形成した。

次いで、これに窒素気流下３５０゜Ｃで１時間の熱処理
を施して絶縁膜を形威した。このとき、基板表面の段差
は、０．２μｍ）（式中、Ｒ１は、配線により生じたＩ
μｍの段差は平坦化されていた。以上のようにして形威
した絶縁膜上にさらに第二層目のＰｏｌｙ−Ｓｉ配線を
施し、順次同様の工程で４層配線を形成した。形成した
多層配線には、クラックの発生は全く認められなかった
。

拠土 例３において、例１で調製した感光性樹脂組戒物に代え
て例２の感光性樹脂組成物を用いて同様の工程で４層配
線を形威した。この半導体装置は、−５０゜Ｃ→３５０
゜Ｃの熱サイクルを５００回繰り返してもクランクの発
生は認められなかった。

尉ｉ 半導体素子を形威し、第一層目のＡｌ配線を施したシリ
コン基板（Ａｌ配線の厚さは１μｍ，最小線間隔は１．
２μｍ）上にスビンコート法により５０００ｒｐｍ　，
　４５秒の条件で例２で調製した感光性樹脂組成物（Ｓ
ｉ平板上で２μｍ厚に塗布可能）を形威した。塗布後、
８０″Ｃで２０分間熱処理し、溶剤を乾燥した。次に、
Ｄｅｅｐ−ＵＶ光（２３０〜２６０ｎＩＩ１）を２５０
ｍＪ／ｃＴＡの露光量で照射し、有機溶剤（メチルイソ
ブチルケトンとイソブロビルアルコールの混合液）によ
り現像することにより２μｍ角のスルーホールを形威し
た。次いで、窒素気流下３５０’Ｃで１時間の熱処理を
施し、絶縁膜を形威した。このとき、基板表面の段差は
、約０．　１μｍ）（式中、Ｒ１は、配線により生じた
１μｍの段差は平坦化されていた。

以上のようにして形威した絶縁膜上にさらに第二層目の
Ａｌ配線を施し、順次同様の工程で４層配線を形成した
。形成した多層配線には、全くクラックの発生はみられ
なかった。また、この半導体装置は、−５０″Ｃ→３５
０″Ｃの熱サイクルを５００回繰り返してもクランクの
発生は認められなかった。

班立 ５００ｃｃの四つロフラスコにメチルセロソルブ１５０
ｃｃおよびイオン交換水５０ｃｃを仕込み、これに攪拌
しながらビス（Ｐ−ビニルジメトキシシリル）メタン５
ｇと、ビス（ｐ−フェニルジメトキシシリル）メタン５
ｇ及びビス（ｐ−メチルジメトキシシリル）メタン５ｇ
をテトラヒドロフラン７０ｃｃに溶解した溶液を滴下し
た。滴下終了後に還流温度まで昇温して４時間反応させ
た。反応終了後メヂルイソブチルケトン２００ｃｃを添
加して共沸により系から水を除去した。得られた樹脂溶
液は、エチルセロソルブアセテートを加えることにより
濃度補正を行い、５０００ｒｐｍ，　３０秒の条件で１
．５μｍ厚に塗布可能となるように調製した。得られた
樹脂の重量平均分子量は３００００であった。この樹脂
液（樹脂濃度２５重景％）にアジド化合物として樹脂液
に対し２重量％の２，６−ビス（４′−アジドベンザル
）シクロヘキサノンを更に溶解して感光性樹脂組戒物を
得た。

拠工 例６で合成した樹脂に、系内から水を除去した後にピリ
ジンとジ冫チルフェニルクロロシランを添加して７０″
Ｃで２時間反応させることにより反応末端をトリメチル
シリル置換した樹脂を合成した．得られた樹脂溶液は、
水洗した後に樹脂を沈澱回収しベンゼン溶液として凍結
乾燥して樹脂粉末を得た。樹脂粉末は、メチルイソブチ
ルケトン２０重量％に溶解し、更にアジド化合物として
樹脂溶液に対し２重量％の２，６−ビス（４′−アジド
ベンザル）シクロヘキサノンを更に溶解して感光性樹脂
組成物を得た。

班主 半導体素子を形成し第一層目のＰｏｌｙ−Ｓｉ配線を施
したシリコン基板（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ配線の厚さは１μｍ
、最小線間隔は１．２μｍ）上にスピンコート法により
５０００ｒｐｍ，　４５秒の条件で例６で調製した感光
性樹脂組成物（Ｓｉ平板上で１．５μｍ厚に塗布可能）
を塗布した。塗布後、８０℃で２０分間熱処理し、溶剤
を乾燥した後、Ｄｅｅｐ　−　ＵＶ光（２３０〜２６０
ｎｍ）を３００＋ａＪ／ｃｉａの露光量で照射し、有機
溶剤（メチルイソブチルケトンとイソプロビルアルコー
ルの混合液）により現像することにより２μｍ角のスル
ーホールを形成した。次いで、これを、窒素気流下３５
０゜Ｃで１時間熱処理して絶縁膜を形成した。このとき
、基板表面の段差は、約０．１μｍ）（式中、Ｒ１は、
配線により生じた１μｍの段差は平坦化されていた。

以上のようにして形威した絶縁膜上にさらに第二層目の
Ｐｏｌｙ−Ｓｔ配線を施し、順次同様の工程で４層配線
を形成した。形威した多層配線には、クラックの発生は
全く認められなかった。

班エ 例８において、例６で調製した感光性樹脂ｍ戒物に代え
て、例７の感光性樹脂組戒物を用いて同様の工程で４層
配線を形威した。この半導体装置は、−５０’Ｃ→３５
０℃の熱サイクルをｓｏｏ向繰り返してもクランクの発
生は全く認められなかった。

聞則 半導体素子を形威し第一層目のＡＩ２配線を施したシリ
コン基板（Ａｎ配線の厚さは１μｍ、最小線間隔は１．
２μｍ）上にスピンコート法により５０００ｒｐｍ　，
　４５秒の条件で例７で調製した感光性樹脂組成物（Ｓ
ｔ平根上で２μｍ厚に塗布可能）を塗布した。塗布後、
８０゜Ｃで２０分間熱処理し、溶剤を乾燥した後、Ｄｅ
ｅｐ−ＵＶ光（２３０〜２６０ｎｍ）を２５０ｍＪ／ｃ
Ｊの露光量で照射し、有機溶剤（メチルイソブチルケト
ンとイソプロビルアルコールの混合液）により現像する
ことにより２μｍ角のスルーホールを形威した。次いで
、これを、窒素気流下３５０℃で１時間熱処理し、絶縁
膜を形威した。このとき、基板表面の段差は、約０．　
１μｍ）（式中、Ｒ１は、配線により生じた１μｍの段
差は平坦化されていた。

以上のようにして形威した絶縁膜上にさらに第二層目の
Ａｌ配線を施し、順次同様の工程で４層配線を形威した
。形成した多層配線には、クラックの発生は全く認めら
れなかった。また、この半導体装置は、−５０℃→３５
０“Ｃの熱サイクルを５００回繰り返してもクラックの
発生は認められなかった。

〔発明の効果〕

本発明による感光性耐熱樹脂組成物を用いて半導体装置
の眉間絶縁膜を形戒すると、樹脂の持つ平坦化機能、遠
紫外線照射による高感度なスルーホールパターン形成機
能、高耐熱性などを利用して絶縁膜の形成が可能となる
。また、形成した絶縁膜は、その後の熱処理によりクラ
ンクを生じることなく使用できる。これにより、半導体
の多層配線形威工程の簡略化が可能）（式中、Ｒ１は、
製造コストの低減もはかれる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ）： 〔Ｒ＾１ＳｉＯ＿２＿／＿２（ＣｎＨ＿２ｎ）＿１＿／
   ＿２〕＿ｍ・・・（ I ）（式中、Ｒ＾１は、５％以上
   が不飽和炭化水素基であり、５％以上が芳香族化合物残
   基であり、残りは、存在する場合には低級アルキル基を
   表し、ｎは１〜６の整数を表し、そしてｍは１０〜５０
   ００の整数を表す）で表わされる繰り返し単位を有し、
   かつ３，０００〜５００，０００の重量平均分子量を有
   する有機珪素重合体。 ２、請求項１に記載の有機珪素重合体及びアジド化合物
   を含んで成る感光性耐熱樹脂組成物。 ３、請求項１に記載の有機珪素重合体の端部に残存する
   シラノール基の水素原子の少なくとも一部を式（Ｒ＾２
   ）＿３Ｓｉ−（式中、Ｒ＾２はそれぞれ独立に炭素数１
   〜６の低級アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又
   は炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいエ
   ポキシ基を示す）で表わされるトリオルガノシリル基で
   置換して成る有機　珪素重合体とアジド化合物とを含ん
   で成る感光性耐熱樹脂組成物。 ４、請求項２又は３に記載の感光性耐熱樹脂組成物を半
   導体装置の多層配置層間絶縁膜として用いることを特徴
   とする半導体装置の絶縁膜形成方法。