JPH0316690B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

１ 産業上の利用分野 本発明は磁気テープ、磁気デイスク等の磁気記
録媒体の製造方法に関するものである。 ２ 従来技術 従来、この種の磁気記録媒体は、ビデオ、オー
デイオ、デイジタル等の各種電気信号の記録に幅
広く利用されている。これらは、基体上の被着形
成された磁性層（磁気記録層）の面内長手方向に
おける磁化を用いる方式として発達してきた。と
ころが、近年、磁気記録の高密度化に伴ない、面
内長手方向の磁化を用いる記録方式では、記録信
号が短波長になるにつれ、媒体内の反磁界が増し
て残留磁化の減衰と回転が生じ、再生出力が著し
く減少する。このため、記録波長をサブミクロン
以下にすることは極めて困難である。 一方、磁気記録媒体の磁性層の厚さ方向の磁化
（いわゆる垂直磁化）を用いる垂直磁化記録方式
が、最近になつて提案されている（例えば、「日
経エレクトロニクス」1978年８月７日号No.192）。
この記録方式によれば、記録波長が短かくなるに
伴なつて媒体内の残留磁化に作用する反磁界が減
少するので、高密度化にとつて好ましい特性を有
し、本質的に高密度記録に適した方式であると考
えられる。 ところで、このような垂直記録を能率良く行な
うには、磁気記録媒体の記録層が垂直方向（磁性
層の厚さ方向）に磁化容易軸を有していなければ
ならない。こうした磁気記録媒体としては、基体
（支持体）上に、磁性粉末とバインダーとを主成
分とする磁性塗料を塗布し、磁性層の垂直方向に
磁化容易軸が向くように配向させた塗布型の媒体
が知られている。この塗布型媒体には、Co、
Fe₃O₄、γ−Fe₂O₃、Co添加Fe₃O₄、Co添加γ−
Fe₂O₃、六方晶フエライト（例えばバリウムフエ
ライト）、MnBi等が磁性粉末として用いられる
（特開昭52−46803号、同53−67406号、同52−
78403号、同55−86103号、同54−87202号各公
報）。しかしながら、これらの塗布型媒体は、磁
性層中に非磁性のバインダーが存在しているため
に、磁性粉末の充填密度を高めることには限界が
あり、従つてＳ／Ｎ比を充分高くすることができ
ない。しかも、記録される信号の大きさは磁性粒
子の寸法で制限される等、磁性塗膜からなる磁性
層を有する媒体は垂直磁化記録用としては不適当
である。 そこで、垂直磁化する磁性層を、例えばバイン
ダーを用いることなく磁性体を支持体上に連続的
に避着したもので形成した連続薄膜型磁気記録媒
体が、高密度記録に適したものとして注目されて
いる。 この連続薄膜型の垂直磁化記録用記録媒体は、
例えば特公昭57−17282号に開示されているよう
に、コバルトとクロムとの合金膜からなる磁気記
録層を有していて、特にクロム含有量は５〜25重
量％のCo−Cr合金膜が優れているとしている。
また、Co−Cr合金膜に30重量％以下のロジウム
を添加してなる磁性層を有する磁気記録体が特開
昭55−111110号公報に開示され、更にコバルト−
バナジウム合金膜（例えば米国電気電子通信学
会：略称IEEE刊行の学会誌“Transaction on
Magnetism”1982年第18巻No.６、1116頁）やコ
バルト−ルテニウム合金膜（例えば1982年３月開
催の第18回東北大通研シンポジウム「垂直磁気記
録」論文集）を用いた磁気記録媒体が知られてい
る。このうち、Co−Cr系合金膜は、垂直磁化用
としては有望視はされているが、次の如き欠点を
有していることが判明した。 (1) 磁性層の面に垂直に磁化容易軸を配向させる
には、特に10^-7Torr以上の高真空中で磁性層
を作成する必要があり、かつ基体の高度な洗浄
処理、低スパツタ速度等の如き条件を要し、垂
直方向の制御要因が非常に複雑となる。 (2) 信号の記録、再生においては、磁気記録媒体
と垂直記録／再生用ヘツドとを相対的に躍動さ
せるために、ヘツドと媒体との間の界面状態が
悪く、媒体にきずが発生し易く、ヘツドも破損
等生じる。 (3) 磁性層が硬いために、可撓性のある基体上に
磁性層を設けた場合に亀裂が入り易い。 (4) 磁気記録媒体としての耐蝕性が充分でなく、
従つて表面に保護膜を設ける必要がある。 そこで、本出願人は、これらの欠点をことごと
く解消した垂直磁気記録媒体を特願昭53−23042
号として既に提案した。この先願に係る発明は、
磁性層が (a) 酸化鉄を主成分とする連続磁性層でること。 (b) 磁性層の面内方向での残留磁化（M_H）と、
磁性層の面に対し垂直方向での残留磁化（M_V）
との比（M_V／M_H）が0.5以上であること。 (c) 前記酸化鉄の特定の結晶軸が磁性層の面内方
向に対しほぼ位置方向に向いていること。 を夫々構成として具備することを特徴とするもの
である。 この先願に係る発明によれば、磁性層が酸化鉄
を主成分としているから、酸化物に由来する特有
の優れた特性（既ち機械的強度及び化学的安定性
等）が得られ、従来の合金薄膜に必要であつた表
面保護膜は不要となる。この結果、磁気ヘツドと
媒体との間隔を小さくし得て高密度記録が可能に
なると共に、材料面からみても低コスト化が可能
となる。 しかも、酸化鉄を主成分とする磁性層の面内方
向と垂直方向とでの残留磁化化（M_V／M_H）を
0.5以上としているので、酸化鉄磁性体の磁気モ
ーメントは面内方向に対し30度以上垂直方向側へ
立ち上つており、垂直磁化を充分に実現できる構
造となつている。上記残留磁化量M_V、M_Hは、例
えば試料振動型磁力計（東英工業社製）で測定可
能である。即ち、M_V／M_Hが0.5未満であれば垂
直磁化に適した磁気モーメントが得られ難い。 更に、重要なことは、上記酸化鉄の特定の結晶
軸が磁性層の面内方向に対しほぼ垂直方向に配向
しているので、上記の垂直磁化特性を充分かつ再
現性良く得ることができる構造となつていること
である。特に酸化鉄としてFe₃O₄を用いる場合、
例えばその結晶軸の〔111〕方向が面に対し垂直
方向に向いていること（特にスピネル型構造とな
つていること）が極めて重要である。上記酸化鉄
がスピネル型の結晶構造を有していると、飽和磁
化量が大きく、記録信号の再生時に残留磁束密度
が大きくて再生感度が極めて良好となる。一般
に、磁性を示す酸化鉄には、菱面体晶形の寄生強
磁性を有するγ−Fe₂O₃；スピネル構造でフエリ
磁性を示すFe₃O₄、γ−Fe₂O₃又はこれらのベル
トライド化合物；六方晶型の鉄酸化物であるBa
系フエライト又はSrフエライト、Pbフエライト
又はその誘導体；ガーネツト構造の希土類ガーネ
ット型フエライトがある。これらの酸化鉄のう
ち、その磁気特性の重要な１つである飽和磁化量
は、α−Fe₂O₃では2.0Gauss、Baフエライト、
Srフエライト、Pbフエライトでは最大でも
380Gauss程度、更にガーネツト型フエライトで
は最大でも140Gaussである。これに対し、本発
明で好ましく使用するスピンネル型フエライトの
飽和磁化量は480Gaussを示し、酸化鉄の中で最
も大きい。このような大きな飽和磁化量は、記録
した信号を再生する場合、残留磁束密度の大きさ
を充分にし、再生感度が良好となるために、極め
て有効なものである。一方、スピネル型フエライ
トに類似した飽和磁束密度を示すものとしてBa
フエライト、Srフエライトがあるが、これらの
連続薄膜型の磁性層を形成するには、例えば後述
のスパツタ装置において基体の温度を500℃と高
温に保持しなければならず、このために基体の種
類等が制約される（例えば耐熱性の乏しいプラス
チツクス基体は使用不可能）等、作成条件に問題
があり、不適当である。好ましく使用されるスピ
ネル型酸化鉄では室温〜300℃と低温で製膜が可
能であり、基体材料の制約を受けることがない。 ここで、磁性層は、従来の塗布型磁性層とは根
本的に異なり、バインダーを使用せずに酸化鉄
（例えばFe₃O₄、γ−Fe₂O₃、又はこれらの中間組
成の非化学量論的組成からなるベルトライド化合
物）自体が連続的に連なつた薄膜からなつてい
る。この磁性層においては、鉄と酸素の両元素の
総和は磁性層の50重量％以上であるのがよく、70
重量％以上であるのが望ましい。また、鉄と酸素
との比は、酸素の原子数／鉄の原子数＝１〜３で
あるのがよく、４／３〜２であるのが更によく、
上記に例示した酸化鉄が適当である。但、磁性層
には、鉄及び酸素以外の金属又はその酸化物、或
いは非金属、半金属又はその化合物等を添加し、
これによつて磁性層の磁気特性（例えば保磁力、
飽和磁化量、残留磁化量）及びその結晶性、結晶
の特定軸方向への配向性の向上等を図ることがで
きる。こうした添加元素又は化合物としてはAl、
Co、Co−Mn、Zn、Co−Zn、Li、Cr、Ti、Li−
Cr、Mg、Mg−Ni、Mn−Zn、Ni、Ni−Al、Ni
−Zn、Cu、Cu−Mn、Cu−Zn、Ｖ等が挙げられ
るが、希土類元素以外であることが望ましい。 また、磁気記録媒体に使用可能な基体材料は、
磁性材料が被着可能なものであれば種々のものが
採用可能である。例えば、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポ
リカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ
メチルメチクリレートの如きプラスチツクス、ガ
ラス等のセラミツクス等が使用可能である。さら
に、Mg、Al、Si、Ti、Ｖ、Cr、Mn、Fe、CO、
Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Te、
Ta、Ｗなどの金属、半金属およびその合金等も
使用可能である。基体の形状はシート、カード、
デイスク、ドラムの他、長尺テープ状でもよい。 この磁気記録媒体を作成するには、基体を固定
板に密着支持し、或いは基体を走行させつつ磁性
材料を被着させることができる。このためには、
真空ポンプ等の真空排気系に接続した処理室内
で、磁性材料のターゲツトをスパツタするか、或
いは磁性材料の蒸発源から同材料を蒸発させ、基
体上に被着するスパツタ法、蒸着法等が適用可能
である。いずれの場合も、磁性層を構成する元素
を飛翔させて、基体上にその連続薄膜を形成す
る。 本発明者は、上記の先願に係る発明を検討した
結果、更に垂直磁気記録特性の向上した媒体を見
出し、本発明に到達した。 ３ 発明の目的 本発明の目的は、上記の先願に係る発明が奏す
る作用効果に加えて、連続磁性層を構成する酸化
鉄に特定範囲の量でコバルトを含有せしめること
によつて、保磁力（Hc）を保持しかつ減磁を生
ぜしめることなく垂直磁気異方性及び垂直配向性
を向上せしめた磁気記録媒体を提供することにあ
る。 ４ 発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、コバルトを0.05〜10atomic％
含有する鉄をターゲツト材として用いた対向ター
ゲツトスパツタ法により、不活性ガスと酸素との
混合ガス圧を10^-4〜10^-2Torrとし、かつ、その
分圧比（酸素／不活性ガス）を２〜90％として、
基体上に、 (a) 面内方向での残留磁比（M_H）と、その面に
対し垂直方向での残留磁比（M_V）との比
（M_V／M_H）が1.0以上であり、 (b) コバルトを0.05〜10atomic％含み、Fe₃O₄、
γ−Fe₂O₃又はこれらの中間組成を酸化鉄を主
成分とする 連続磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方法
に係るものである。 本発明によれば、上述した先願に係る発明と同
様にM_V／M_Hが1.0以上を示す酸化鉄系磁性層を
形成しているので、先願に係る発明について述べ
たと同様の作用効果を奏し、高密度の垂直磁気記
録に適し、機械的強度や化学的安定性等に優れた
磁気記録媒体を得ることができる。 しかも、上記酸化鉄を主成分とする連続磁性薄
膜中にコバルトを0.05〜10atomic％（原子数の百
分率）を含有せしめるように連続磁性薄膜を形成
しているので、後述するデータから明らかなよう
にHcを高くし、垂直磁気異方性及び配向性を顕
著に向上させることができる。これに反し、コバ
ルトが0.05atomic％未満ではHcが低下し、垂直
磁気異方性及び配向性が極端に悪くなり、また
10atomic％を越えるとHcは大きくなるが、加圧
減磁や加熱減磁が生じてしまう。上記のコバルト
含有量は更に0.5〜5atomic％とするのが望まし
い。 なお、本発明に使用する酸化鉄の種類及び組
成、基体材料、製膜方法等は、上述した先願に係
る発明のもとの同じであつてよい。 ５ 実施例 以下、本発明を図面参照下に更に詳細に説明す
る。 本発明で使用する磁性材料を基体上に被着させ
る手段として、対向ターゲツトスパツタ法を用い
る。 第１図は、高周波放電型対向ターゲツトスパツ
タ装置を示すものである。 図面において、１は真空槽、２は真空槽１を排
気する真空ポンプ等からなる排気系、３は真空槽
１内に所定のガスを導入してガス圧力を10^-1〜
10^-4Torr程度に設定するガス導入系である。タ
ーゲツト電極は、ターゲツトホルダー４により一
対のターゲツトT₁，T₂を互いに隔てて平行に対
向配置した対向ターゲツト電極として構成されて
る。これらのターゲツト間には、磁界発生手段
（図示せず）による磁界が形成される。一方、磁
性薄膜を形成すべき基体６は、基体ホルダー５に
よつて、上記対向ターゲツト間の側方に垂直に配
置される。 このような構成されたスパツタ装置において、
平行に対向し合つた両ターゲツトT₁，T₂の各表
面と垂直方向に磁界を形成し、この磁界により陰
極降下部（即ち、ターゲツトT₁−T₂間に発生し
たプラズマ雰囲気と各ターゲツトT₁及びT₂との
間の領域）での電界で加速されたスパツタガスイ
オンのターゲツト表面に対する衝撃で放出された
γ電子をターゲツト間の空間にとじ込め、対向し
た他方のターゲツト方向へ移動させる。他方のタ
ーゲツト表面へ移動したγ電子は、その近傍の陰
極降下部で反射される。こうして、γ電子はター
ゲツトT₁−T₂間において磁界に束縛されながら
往復運動を繰返すことになる。この往復運動の間
に、γ電子は中性の雰囲気ガスと衝突して雰囲気
ガスのイオンと電子とを生成させ、これらの生成
物がターゲツトからのγ電子の放出と雰囲気ガス
のイオン化を促進させる。従つて、ターゲツト
T₁−T₂間の空間には高密度のプラズマが形成さ
れ、これに伴なつてターゲツト物質が充分にスパ
ツタされ、側方の基体６上に磁性材料として堆積
してゆくことになる。 この対向ターゲツトスパツタ装置は、他の飛翔
手段に比べて、高速スパツタによる高堆積速度の
製膜が可能であり、また基体がプラズマに直接曝
されることがなく、低い基体温度での製膜が可能
である等のことから、垂直磁化膜を形成するのに
有利である。しかも、対向ターゲツトスパツタ装
置によつて飛翔した磁性膜材料の基体への入射エ
ネルギーは、通常のスパツタ装置のものよりも小
さいので、材料が所望の方向へ方向性を以つて堆
積し易く、垂直磁化記録に適した構造の膜を得易
くなる。 次に、上記のスパツタ装置を用いて磁気記録媒
体を作成する具体例を説明する。 この作成条件は以下の通りであつた。 ターゲツト材 鉄（Coを0.05〜
10atomic％含有） 基 体 ガラス 対向ターゲツト間隔 100mm スパツタ空間の磁界 150Oe ターゲツト形状 100mm直径の円盤
（５mm厚） 基体とターゲツト端との間隔 40mm 真空槽内の背圧 ８×10^-7Torr 導入ガス Ar＋O₂ 導入ガス圧 ４×10^-3Torr（Ar3×
10^-3TorrO₂1×10^-3Torr） スパツタ投入電力 500W（高周波13.56M
Hz） このようにして、第２図に示す如く、ペースフ
イルム６上に所定量（0.05〜10atomic％）のCo
を含有したFe₃O₄からなる酸化鉄系の磁性層１０
を有する磁気記録媒体が得られた。この媒体につ
いて、磁性層の厚みは例えば1500Å（解針式の膜
厚計：タリステツプ、ランクテーラーホブソン社
製による）であり、その特性評価は、Ｘ線マイク
ロアナライザー（XMA）による組成の同定、Ｘ
線回折法による酸化鉄の状態、試料振動型磁力計
による磁気特性によつて行なつた。得られた磁気
記録媒体の特性は次の如くであつた。 まず、面内方向での残留磁化量（M_H）と面に
垂直方向での残留磁化量（M_V）との比はM_V／
M_H≧1.0であつた。即ち、第３図に例示するよう
に、破線で示す面内方向での磁化時のヒステリシ
ス曲線と、実線で示す垂直方向での磁化時のヒス
テリシス曲線とが夫々得られるが、印加磁界がゼ
ロのときの各磁化量をM_H、M_Vとした。これによ
れば、前者のヒステリシス曲線は後者のヒステリ
シス曲線よりも小さく、M_V≧1.0M_H（即ちM_V／
M_H≒1.6）となつていることが明らかであり、垂
直磁化にとつて好適な磁性層が形成されているこ
とが分る。また、保磁力は垂直方向では920エル
ステツド、面内方向では750エルステツドであつ
た。これは酸化鉄系の磁性層においては驚くべき
事実である。 上記した実験と比較するために、上記作成条件
において、ターゲツト材を純鉄（Co含有せず）
として同様にスパツタした結果、得られた磁性薄
膜のM_V／M_Hは0.5未満、保磁力は垂直方向で600
エルステツド、面内方向で500エルステツドであ
つた。 また、この磁気記録媒体の組成をXMA（Ｘ線
マイクロアナライザ：日立製作所製「Ｘ−556」
KEVEX−7000型）で測定したところ、Feが主ピ
ークであり、Coが所定量含まれていることが分
つた。更に、酸化鉄の状態を調べるために、Ｘ線
回折装置（日本電子社製「JDX−10RA」：CuKα
の管球使用）を用いて測定したところ、第４図の
如きＸ線回折スペクトルが得られた（但、スパツ
タ時の基体温度は270℃、磁性膜厚は1500Å、Ar
ガス圧は３×10^-3Torr、酸素ガス圧は１×
10^-3Torrにして、1atomic％のコバルトを含む
Fe₃O₄を製膜）。これによれば、Fe₃O₄の磁化容易
軸が磁性層の面内方向に対し垂直方向側へ立ち上
つていること、特にその結晶軸の〔111〕方向が
面に垂直方向に向いていることが分る。 また、上記したガス圧（10^-1〜10^-4Torr）で
作成した磁性層につき、Ｘ線回折装置（日本電子
社製「JDX−10RA」）によつて膜の組成と配向
度とを測定した。この結果、第５図に示す如く、
Fe₃O₄とγFe₂O₃の反射ピークが観測された。これ
によれば、Fe₃O₄の（111）面及びその高次の面
での反射ピークは、上記ガス圧（Ar＋O₂）が
10^-2〜10^-4Torr（特に10^-2〜10^-3Torr）のときに
大きく、〔111〕方向にFe₃O₄が実質的に配向した
構造を得ることが可能である。 第６図は、Fe₃O₄の（111）面での反射強度化
（第５図の縦軸に対応）と磁性層の垂直磁化配向
度（M_V／M_H）との関係について得られたデータ
である。これによれば、反射強度化（但し、
（111）面のピーク値の最大値を100％とする。）が
50％程度以上のときには、M_V／M_H≧1.0が得ら
れ、垂直磁化が可能が磁性層となることが分る。
これに対応し、第５図において、反射強度が50％
程度以上のものを得るにはガス圧を10^-2Torrよ
り低くすべきことが分る。 従つて、この事実から、本発明による垂直磁化
用の磁性層を形成するには、スパツタ時のAr＋
O₂の混合ガス圧は10^-4〜10^-2Torrとすべきであ
るが、10^-4Torrより低ガス圧では却つてプラズ
マが不安定となるためにガス圧の下限を
10^-4Torrとし、また10^-2Torrより高ガス圧では
反射強度比（即ち垂直配向度）が小さくなつて
M_V／M_H≧1.0の要件を満たし得なくなる。 更に、Ar＋O₂の混合ガスの混合比も重要であ
つて、第７図に示す如く、O₂／Arの分圧比に応
じてM_V／M_Hが変化し、特にその分圧比が２％未
満ではM_V／M_Hが1.0未満となることが分つた。
また、その分圧比はあまり高すぎて90％を越える
と、逆に放電が不安定となるから、上記分圧比は
２〜90％とすべきであり、特に10〜80％とするの
が望ましい。 なお、スパツタ用のガスは上記のAr以外にも、
Kr、Ne、He等があるが、このスパツタ用ガス
は単独で導入してよい（但、この場合のターゲツ
トは酸化鉄）し、上記のO₂やN₂、H₂O等との混
合ガスを用いてもよい。 また、スパツタ前の予備排気は真空度が５×
10^-5Torr以下となるように行なうのが望ましい。 なお、前記の各種形成条件（例えばガス圧等）
を変えることにより、先の例（第３図）とは磁気
特性の異なつた本発明にかかる磁気記録媒体を得
ることができる。この媒体も良好な垂直磁化特性
を示す。 次に、上記の如くに形成したCo含有Fe₃O₄膜の
異方性について検討した。 例えば、ターゲツトとして、コバルトを
0atomic％、0.05atomic％、1atomic％、
2atomic％、3atomic％含有する５種類のFe円板
（純度99.9％、100mmφ）を用い、Ar＋O₂混合ガ
ス中での反応スパツタによつて、厚さ1650Åの磁
化膜を夫々形成した。これらについて、抵抗率を
２端子法で、垂直異方性Ku（＝Ｋ⊥＋2πMs²）を
トルクメータ（Ha＝10KOe）で、保磁力Hc及び
飽和磁化Msは試料振動型磁力計（最大印加磁場
＝10KOe）により夫々求めた。これらの結果を
以下に示す。 まず、Fe₃O₄膜の抵抗率ρはその酸化度（ター
ゲツトへの印加電圧に対応）に強く依存する。そ
して、第８図に、ρに対する垂直及び面内方向の
保磁力Hc⊥（実線）、Hc（破線）の変化を示
したが、ρが１〜10Ω−cm付近でHc⊥は最大値
を示し、この付近で垂直異方性が誘起されてい
た。また、Hc⊥の値は、Coの含有量によつて左
右され、ノンドープのものよりCoドープの方が
高いHc⊥を示し、本発明の範囲（Co含有量
0.05atomic％以上）で垂直異方性が高くなること
が分る。 第９図には、垂直異方性Kuの4πMs依存性
（at10KOe）を示したが、4πMsが2.5〜4.5KGの
範囲でKuが大きな値を示し、また垂直異方性磁
界Hk⊥も大きくなることが分る。特に、Coドー
プの場合（≧0.05atomic％）ではKuがずつて向
上している。 次に、垂直異方性磁界Hk⊥の（111）面配向性
（111）に対する依存性について調べた。但、
（111）は次式で表わされる。 （111）＝P⁽¹¹¹⁾−Po₍₁₁₁₎／１−Po₍₁₁₁₎ （但、

【式】

である。I（hkl）、Io（hkl）は夫々膜試料及
び粉末試料の回折強度であり、この値は完全
な面配向の場合に１、無秩序の場合に０、他
の面が配向している場合に負となるが、ここ
では負の値はすべて０とした。） また、この（111）は磁性膜の作成条件、即
ち、圧力（Ar、O₂）、放電パワー、基板温度でコ
ントロール可能である。特に、圧力を10^-1〜
10^-4Torr、100V以下の放電電圧、500℃以下の基
板温度で良い結果（M_V／M_H≧0.5）が得られる。
第１０図に、Hk⊥の（111）依存性を示したが、
これによれば、Coノンドープの場合にはHk⊥を
良くする（０以上）には（111）≧0.8とするのが
よいが、Coドープ（≧0.05atomic％）では
（111）は更に小さくしてよく、Coドープ量が
3atomic％では（111）は0.3以上にすればよい。 以上のように、本例のスパツタ法で作成された
膜は、Fe₃O₄相において比較的大きな垂直異方性
を示し、Hk⊥として4KOeにも達する膜が得ら
れることも確認されている（特にCoドープ量を
≧0.05atomic％、更には１〜5atomic％とした場
合）。 第１１図には、Hk⊥の熱処理温度Taの依存性
を示したが、Ta＝200℃付近でHk⊥は最大量を
示し、350℃付近で消滅する（このときの結晶構
造はγ−Fe₂O₃）ことが分る。またこれによれ
ば、Coノンドープの場合には、Hk⊥を出すには
室温≦Ta≦300℃とすべきであるが、Coドープ
するとTaの上限を拡大できることが分る。例え
ば、Coドープ量が１〜5atomic％では、室温≦
Ta≦400℃にまで範囲を広げられることが示唆さ
れている。また、Hk⊥を1.5以上とすれば非常に
良好な垂直異方性となるが、これを得るには、
Coドープによるしかなく、ドープ量を増やすと
Hk⊥≧1.5を可能にするTaの範囲をより広くと
れることが分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであつて、第１図
は対向ターゲツトスパツタ装置の概略断面図、第
２図は磁気記録媒体の断面図、第３図は磁気記録
媒体のヒステリシス曲線図、第４図はＸ線回折ス
ペクトル図、第５図はガス圧と反射強度比との関
係を示すグラフ、第６図は反射強度比と垂直配向
度との関係を示すグラフ、第７図はガス分圧比と
垂直配向度との関係を示すグラフ、第８図は保磁
力の抵抗率依存性を示すグラフ、第９図は垂直磁
気異方性の4πMs依存性を示すグラフ、第１０図
は垂直異方性磁界の（111）面配向性依存性を示
すグラフ、第１１図は垂直異方性磁界の熱処理依
存性を示すグラフである。 なお、図面に示された符号において、１……真
空槽、２……排気系、３……ガス導入系、４，５
……ホルダー、６……基体、１０……磁性層、
T₁，T₂……ターゲツトである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ コバルトを0.05〜10atomic％含有する鉄をタ
   ーゲツト材として用いた対向ターゲツトスパツタ
   法により、不活性ガスと酸素との混合ガス圧を
   10^-4〜10^-2Torrとし、かつ、その分圧比（酸
   素／不活性ガス）を２〜90％として、基体上に、 (a) 面内方向での残留磁比（M_H）と、その面に
   対し垂直方向での残留磁比（M_V）との比
   （M_V／M_H）が1.0以上であり、 (b) コバルトを0.05〜10atomic％含み、Fe₃O₄、
   γ−Fe₂O₃又はこれらの中間組成の酸化鉄を主
   成分とする 連続磁性薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方
   法。