JPH0311531B2 - - Google Patents
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- JPH0311531B2 JPH0311531B2 JP58036652A JP3665283A JPH0311531B2 JP H0311531 B2 JPH0311531 B2 JP H0311531B2 JP 58036652 A JP58036652 A JP 58036652A JP 3665283 A JP3665283 A JP 3665283A JP H0311531 B2 JPH0311531 B2 JP H0311531B2
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- base material
- composition
- thin film
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜面に磁化が垂直に立つ磁気材料
の膜即ち垂直磁化膜を有する磁気記録体とその製
造法に関する。
の膜即ち垂直磁化膜を有する磁気記録体とその製
造法に関する。
最近、高密度記録の可能な新しい磁気記録方式
として、垂直磁気記録方式と光磁気記録方式が注
目され、研究されているが、これらの方式に用い
られる媒体は、垂直方向に磁気異方性を備え且つ
Ku⊥≧2πMs2或はHc⊥＞Hc、Br⊥＞Brの
条件を満足したいわゆる垂直磁化膜を使用する必
要がある。
として、垂直磁気記録方式と光磁気記録方式が注
目され、研究されているが、これらの方式に用い
られる媒体は、垂直方向に磁気異方性を備え且つ
Ku⊥≧2πMs2或はHc⊥＞Hc、Br⊥＞Brの
条件を満足したいわゆる垂直磁化膜を使用する必
要がある。
従来、知られているように、CoはHCP構造の
Ｃ軸方向に大きな結晶磁気異方性を有しており、
この性質を利用して垂直磁化膜を得ようとする
と、膜面に対してＣ軸がほとんど垂直になるよ
うに結晶配向していること、結晶磁気異方性
Kuが薄膜の垂直方向の反磁界2πMs2より大きい
ことの２つの条件を満足させる必要がある。しか
し、Co薄膜では、飽和磁化Msの値が大きいた
め、前記の条件が満たされておらず、垂直磁化
膜とはならない。
Ｃ軸方向に大きな結晶磁気異方性を有しており、
この性質を利用して垂直磁化膜を得ようとする
と、膜面に対してＣ軸がほとんど垂直になるよ
うに結晶配向していること、結晶磁気異方性
Kuが薄膜の垂直方向の反磁界2πMs2より大きい
ことの２つの条件を満足させる必要がある。しか
し、Co薄膜では、飽和磁化Msの値が大きいた
め、前記の条件が満たされておらず、垂直磁化
膜とはならない。
一方、従来、垂直磁化膜の有力なものの一つと
して、Co−Cr系薄膜があり、スパツタ法と蒸着
法により作成されている。しかし、スパツタ法で
は析出速度が小さいため、フロツピーデイスクや
磁気テープのような大量に使用する媒体には量産
性の点で問題がある。又、蒸着法では、CoとCr
の蒸気圧が大きく異なるため、長期に亘る安定し
たCr組成の制御が困難であり、而も、基材を200
〜300℃に加熱した状態で蒸着することにより初
めて垂直磁気特性が得られ、基材を未加熱の常温
では垂直磁化膜が得られず、従つて、基材として
耐熱性のものを使用しなければならない等の不都
合をもたらす。
して、Co−Cr系薄膜があり、スパツタ法と蒸着
法により作成されている。しかし、スパツタ法で
は析出速度が小さいため、フロツピーデイスクや
磁気テープのような大量に使用する媒体には量産
性の点で問題がある。又、蒸着法では、CoとCr
の蒸気圧が大きく異なるため、長期に亘る安定し
たCr組成の制御が困難であり、而も、基材を200
〜300℃に加熱した状態で蒸着することにより初
めて垂直磁気特性が得られ、基材を未加熱の常温
では垂直磁化膜が得られず、従つて、基材として
耐熱性のものを使用しなければならない等の不都
合をもたらす。
本発明は、かかる上記の諸点に鑑み、新しい形
式のCo−Ni−Ｏの組成から成る垂直磁化膜をも
つ垂直磁気記録体を提供するもので、非磁性基材
面に、直接、又は軟磁性薄膜層を介してCoxNiy
Oz（茲でｘ、ｙ、ｚはat％で、０＜ｙ＜40、15＜
ｚ＜50、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100）で表わされるCo−Ni
−０組成で、結晶構造が垂直方向にHCP構造の
Ｃ軸を配向した柱状粒子構造で且つ結晶磁気異方
性ku⊥が垂直方向の反磁界2πMs2以上に大きい
膜を形成して成る。
式のCo−Ni−Ｏの組成から成る垂直磁化膜をも
つ垂直磁気記録体を提供するもので、非磁性基材
面に、直接、又は軟磁性薄膜層を介してCoxNiy
Oz（茲でｘ、ｙ、ｚはat％で、０＜ｙ＜40、15＜
ｚ＜50、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100）で表わされるCo−Ni
−０組成で、結晶構造が垂直方向にHCP構造の
Ｃ軸を配向した柱状粒子構造で且つ結晶磁気異方
性ku⊥が垂直方向の反磁界2πMs2以上に大きい
膜を形成して成る。
更に、第２発明は、上記の新規な垂直磁気記録
体の製造法を提供するもので、非磁性基材面に、
又は予めその面に形成した軟磁性薄膜層の面に、
実質上垂直に入射するようにCo及びNi原子を蒸
着させると同時にO2ガスを導入してCoxNiyOz（茲
でｘ、ｙ、ｚはat％で、０＜ｙ＜40、15＜ｚ＜
50、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100）で表わされるCo−Ni−０
組成で、結晶構造が垂直方向にHCP構造のＣ軸
を配向した柱状粒子構造で且つ結晶磁気異方性
ku⊥が垂直方向の反磁界2πMs2以上に大きい膜
を形成することを特徴とする。
体の製造法を提供するもので、非磁性基材面に、
又は予めその面に形成した軟磁性薄膜層の面に、
実質上垂直に入射するようにCo及びNi原子を蒸
着させると同時にO2ガスを導入してCoxNiyOz（茲
でｘ、ｙ、ｚはat％で、０＜ｙ＜40、15＜ｚ＜
50、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100）で表わされるCo−Ni−０
組成で、結晶構造が垂直方向にHCP構造のＣ軸
を配向した柱状粒子構造で且つ結晶磁気異方性
ku⊥が垂直方向の反磁界2πMs2以上に大きい膜
を形成することを特徴とする。
次に本発明の実施例につき説明する。
第１図は、本発明を実施する真空蒸着装置を示
し、真空ポンプへ一側に於て接続された容器１内
に、回転冷却キヤン２とその直下に電子ビーム蒸
発源３を設け、その上部両側に巻解しローラー４
と巻取りローラー５とを配設し、該ローラー４に
巻きつけた非磁性基材、例えば、ロール状の
PETテープ基材ａを、冷却キヤン２の周面をそ
の回動と共に回動走行しローラー５に巻き取られ
るようにした。本発明によれば、容器１内に酸素
を導入するための供給管６を備える。図示の例で
は、これを走行するテープａ面の近傍で開口する
長手のものとした。７は、蒸発源直上に対向する
冷却キヤン２の最下面を残して水平に配置した棒
着板を示し、これにより蒸発源３からの蒸発Co
原子及びNi原子がテープ基材ａ面に対して実質
上垂直に入射蒸着するようにした。
し、真空ポンプへ一側に於て接続された容器１内
に、回転冷却キヤン２とその直下に電子ビーム蒸
発源３を設け、その上部両側に巻解しローラー４
と巻取りローラー５とを配設し、該ローラー４に
巻きつけた非磁性基材、例えば、ロール状の
PETテープ基材ａを、冷却キヤン２の周面をそ
の回動と共に回動走行しローラー５に巻き取られ
るようにした。本発明によれば、容器１内に酸素
を導入するための供給管６を備える。図示の例で
は、これを走行するテープａ面の近傍で開口する
長手のものとした。７は、蒸発源直上に対向する
冷却キヤン２の最下面を残して水平に配置した棒
着板を示し、これにより蒸発源３からの蒸発Co
原子及びNi原子がテープ基材ａ面に対して実質
上垂直に入射蒸着するようにした。
本装置を使用し、先ず１×10-5トール以下まで
容器１内を排気した後、蒸発材料ｂ即ちCo−Ni
合金又はCoとNiの所定割合で混ぜた金属を、電
子ビーム加熱により一定速度で蒸発させ、一方、
該供給管６よりO2ガスを導入させて一定速度で
走行するテープ基材ａ面に垂直蒸着を行ない、
Co−Ni−Ｏの組成から成る蒸着膜を得るが、こ
の場合、O2ガスの導入を種々の分圧になるよう
に、O2ガス導入量を種々変化させて、或は、蒸
発すべきCoとNiの割合を色々に変化させて、各
種組成割合のCo−Ni−Ｏの蒸着膜をもつ磁気記
録体を製造した。その膜厚は、テープ基材の走行
速度を変化させる等で1000Å〜10000Åの範囲と
した。かくして得られたCo−Ni−Ｏの三元成分
の組成割合を異にする各種の磁性膜とこれらの磁
気特性との関係を検べた。その結果は、第２図、
第３図、第４図に示す通りであつた。第２図から
明らかなように、Ｏ成分が増加するとともに垂直
方向の保磁力Hc⊥と平行方向の保磁力Hcとの
比Hc⊥／Hcが増加し、Ｏ成分15at％以上の図
中斜線で囲まれた領域でHc⊥／Hc＞１とな
る。残留磁束密度についても、第３図に示すよう
に、Ｏ成分の増大とともに増大し、Ｏ成分15at％
以上の図中斜線で囲まれた領域でBr⊥／Br＞
１となる。しかし、Ｏ成分が50at％以上では、第
４図に見られるように、すべて飽和磁化が零とな
る。以上の結果から、CoxNiyOz（茲でｘ、ｙ、ｚ
はat％で、０＜ｙ＜40、15＜ｚ＜50、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝100）の領域において垂直磁化膜が得られるこ
とが分かる。第５図は、Co63Ni7O30の組成から
成る本発明の代表的な垂直磁化膜のヒステリシス
曲線であり、完全な垂直磁化膜になつていること
が分かる。この第５図示の場合、真空溶解により
CoとNiの組成比を９：１に作成したCo−Ni合金
を蒸発材料として使用し、真空に排気した容器内
にO2ガスを150SCCM流してO2導入分圧を６×
10-5Torrに調整したのち、該蒸発材料を12KWの
電子ビーム蒸発源で45000Å／minの蒸発速度で
蒸発させ、送り速度1.0ｍ／minの送り速度で送
られる水冷した12μｍ厚のPETフイルムの基材に
1800Åで実質上垂直に蒸発物を入射蒸着させて垂
直磁化膜を作成した。このように、Ｏ組成ｚは15
〜50at％の範囲でなくてはならず、Ni組成ｙが
０〜40at％、Co組成ｘが残りの範囲で垂直磁化
膜が得られる。Ni組成ｙが40at％以上では、析
出金属粒子の結晶構造がFCC構造となつてしま
い、結晶磁気異方性が極めて低下し、垂直磁化膜
が得られなくなる。又、Niを添加した本発明垂
直磁化膜は、耐蝕性がすぐれるという特徴が付加
される。又、かかる本発明の垂直磁化膜では、垂
直方向の保磁力Hc⊥の値は400〜1000Oe程度で、
垂直磁気記録体としては最も良好な値である。
容器１内を排気した後、蒸発材料ｂ即ちCo−Ni
合金又はCoとNiの所定割合で混ぜた金属を、電
子ビーム加熱により一定速度で蒸発させ、一方、
該供給管６よりO2ガスを導入させて一定速度で
走行するテープ基材ａ面に垂直蒸着を行ない、
Co−Ni−Ｏの組成から成る蒸着膜を得るが、こ
の場合、O2ガスの導入を種々の分圧になるよう
に、O2ガス導入量を種々変化させて、或は、蒸
発すべきCoとNiの割合を色々に変化させて、各
種組成割合のCo−Ni−Ｏの蒸着膜をもつ磁気記
録体を製造した。その膜厚は、テープ基材の走行
速度を変化させる等で1000Å〜10000Åの範囲と
した。かくして得られたCo−Ni−Ｏの三元成分
の組成割合を異にする各種の磁性膜とこれらの磁
気特性との関係を検べた。その結果は、第２図、
第３図、第４図に示す通りであつた。第２図から
明らかなように、Ｏ成分が増加するとともに垂直
方向の保磁力Hc⊥と平行方向の保磁力Hcとの
比Hc⊥／Hcが増加し、Ｏ成分15at％以上の図
中斜線で囲まれた領域でHc⊥／Hc＞１とな
る。残留磁束密度についても、第３図に示すよう
に、Ｏ成分の増大とともに増大し、Ｏ成分15at％
以上の図中斜線で囲まれた領域でBr⊥／Br＞
１となる。しかし、Ｏ成分が50at％以上では、第
４図に見られるように、すべて飽和磁化が零とな
る。以上の結果から、CoxNiyOz（茲でｘ、ｙ、ｚ
はat％で、０＜ｙ＜40、15＜ｚ＜50、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝100）の領域において垂直磁化膜が得られるこ
とが分かる。第５図は、Co63Ni7O30の組成から
成る本発明の代表的な垂直磁化膜のヒステリシス
曲線であり、完全な垂直磁化膜になつていること
が分かる。この第５図示の場合、真空溶解により
CoとNiの組成比を９：１に作成したCo−Ni合金
を蒸発材料として使用し、真空に排気した容器内
にO2ガスを150SCCM流してO2導入分圧を６×
10-5Torrに調整したのち、該蒸発材料を12KWの
電子ビーム蒸発源で45000Å／minの蒸発速度で
蒸発させ、送り速度1.0ｍ／minの送り速度で送
られる水冷した12μｍ厚のPETフイルムの基材に
1800Åで実質上垂直に蒸発物を入射蒸着させて垂
直磁化膜を作成した。このように、Ｏ組成ｚは15
〜50at％の範囲でなくてはならず、Ni組成ｙが
０〜40at％、Co組成ｘが残りの範囲で垂直磁化
膜が得られる。Ni組成ｙが40at％以上では、析
出金属粒子の結晶構造がFCC構造となつてしま
い、結晶磁気異方性が極めて低下し、垂直磁化膜
が得られなくなる。又、Niを添加した本発明垂
直磁化膜は、耐蝕性がすぐれるという特徴が付加
される。又、かかる本発明の垂直磁化膜では、垂
直方向の保磁力Hc⊥の値は400〜1000Oe程度で、
垂直磁気記録体としては最も良好な値である。
尚、Co−Niの蒸発速度を変化させるときは、
上記した組成領域の膜を得るには、O2ガス導入
量も変化させるを要する。この関係は、基材への
Co及びNi原子とＯ原子の入射頻度にほぼ比例し
ているので、Co−Niの蒸発量が増加するとO2分
圧も増加させる必要がある。
上記した組成領域の膜を得るには、O2ガス導入
量も変化させるを要する。この関係は、基材への
Co及びNi原子とＯ原子の入射頻度にほぼ比例し
ているので、Co−Niの蒸発量が増加するとO2分
圧も増加させる必要がある。
本発明によれば、基材を加熱する必要がなく、
水冷キヤンで積極的に冷却し或は常温で未加熱の
ままでも、垂直磁化膜が得られ、従来のCo−Cr
と垂直磁化膜の製法のように、基材を200〜300℃
に加熱する必要があるものに比し、有利であり、
基材として耐熱性の高価なポリイミドフイルム等
の材料を使用する必要がなく、安価なPETテー
プなどのプラスチツクフイルムの使用が可能とな
る等、器材の材料は自由に選択使用できる。又、
基材を加熱しても目的とする本発明垂直磁化膜が
得られる。
水冷キヤンで積極的に冷却し或は常温で未加熱の
ままでも、垂直磁化膜が得られ、従来のCo−Cr
と垂直磁化膜の製法のように、基材を200〜300℃
に加熱する必要があるものに比し、有利であり、
基材として耐熱性の高価なポリイミドフイルム等
の材料を使用する必要がなく、安価なPETテー
プなどのプラスチツクフイルムの使用が可能とな
る等、器材の材料は自由に選択使用できる。又、
基材を加熱しても目的とする本発明垂直磁化膜が
得られる。
又、本発明によれば、CoとNiの蒸気圧が殆ど
等しいため、予め所望の成分のCo−Ni合金にし
ておいて、一つの蒸発源から蒸発させても、蒸着
膜の成分は殆ど変化しないで所定の割合のCo−
Ni蒸着が得られるので、O2ガス導入量を所定の
一定量に保てば、極めて長時間に亘り所定の均一
な本発明垂直磁化膜を製造でき、従来のCo−Cr
の蒸気圧の著しく異なる成分を蒸発させるその垂
直磁化膜の製造のように、不均一な成分組成の膜
が生ずる欠点が解消される。又、本発明の垂直磁
化膜は、PCT基板上やフロツピーデイスク基板
上に形成しても、カーリングを起こさないので、
カーリングが非常に激しく生成するCo−Cr系垂
直磁気記録体に比し極めてその製造が容易で且つ
良好な製品が得られる。
等しいため、予め所望の成分のCo−Ni合金にし
ておいて、一つの蒸発源から蒸発させても、蒸着
膜の成分は殆ど変化しないで所定の割合のCo−
Ni蒸着が得られるので、O2ガス導入量を所定の
一定量に保てば、極めて長時間に亘り所定の均一
な本発明垂直磁化膜を製造でき、従来のCo−Cr
の蒸気圧の著しく異なる成分を蒸発させるその垂
直磁化膜の製造のように、不均一な成分組成の膜
が生ずる欠点が解消される。又、本発明の垂直磁
化膜は、PCT基板上やフロツピーデイスク基板
上に形成しても、カーリングを起こさないので、
カーリングが非常に激しく生成するCo−Cr系垂
直磁気記録体に比し極めてその製造が容易で且つ
良好な製品が得られる。
本発明のCo−Ni−Ｏ薄膜が垂直磁化特性を発
生する原因は充分明らかでないが次のように考え
られる。
生する原因は充分明らかでないが次のように考え
られる。
即ち、基材に対して垂直にCo及びNi原子を入
射させて蒸着すると、前述したように、垂直方向
にHCP構造のＣ軸を配向した柱状粒子構造の薄
膜が作成される。この時、真空容器内に同時に
O2ガスを導入すると、蒸着Co及びNi原子の一部
が酸化されてCoO、NiO或はこれに近い酸化物を
同時に析出し、Co−Ni粒子の周囲を、その非強
磁性酸化物で覆つた膜構造になつていると考えら
れる。従つて、このCo−Ni柱状粒子は、結晶磁
気異方性の他に形状磁気異方性も加わつており、
垂直磁気異方性を向上させている。以上のような
一部酸化の膜構造になると、膜全体の平均の飽和
酸化の値は低下するので、Ku⊥≧2πMs2という
条件が満足され、垂直磁化特性が得られていると
考えられる。又、Co−Ni柱状粒子の粒径は、数
百Å〜数千Å程度と考えられ、金属粒子状になつ
ているので高い保磁力も得られる。
射させて蒸着すると、前述したように、垂直方向
にHCP構造のＣ軸を配向した柱状粒子構造の薄
膜が作成される。この時、真空容器内に同時に
O2ガスを導入すると、蒸着Co及びNi原子の一部
が酸化されてCoO、NiO或はこれに近い酸化物を
同時に析出し、Co−Ni粒子の周囲を、その非強
磁性酸化物で覆つた膜構造になつていると考えら
れる。従つて、このCo−Ni柱状粒子は、結晶磁
気異方性の他に形状磁気異方性も加わつており、
垂直磁気異方性を向上させている。以上のような
一部酸化の膜構造になると、膜全体の平均の飽和
酸化の値は低下するので、Ku⊥≧2πMs2という
条件が満足され、垂直磁化特性が得られていると
考えられる。又、Co−Ni柱状粒子の粒径は、数
百Å〜数千Å程度と考えられ、金属粒子状になつ
ているので高い保磁力も得られる。
本発明の上記所定のCo−Ni−Ｏ垂直磁化膜に
は、他の元素を微量に混入することは差支えな
い。又、Coに固溶する元素でHCP構造に害を与
えない元素、例えばCr、Ｖ、Mo、Ｗ、Rh、Ti、
Re等の微量の混入も差支えない。
は、他の元素を微量に混入することは差支えな
い。又、Coに固溶する元素でHCP構造に害を与
えない元素、例えばCr、Ｖ、Mo、Ｗ、Rh、Ti、
Re等の微量の混入も差支えない。
又、垂直磁気記録方式においては、垂直磁化膜
と非磁性基材面との間にパーマロイ、Fe、Co、
Co−Zr非晶質膜等の比較的軟質磁性を示し、飽
和磁化の大きい磁性体の薄膜を介在させると、記
録電流を小さくでき、また再生出力を増大できる
ので、本発明によれば、予め、非磁性基材面に軟
磁性薄膜層を形成した後、その薄膜層の上面に、
例えば上記の実施例に従い、所定のCo−Ni−Ｏ
組成の垂直磁化膜を形成することにより、該軟磁
性薄膜層を介入した本発明垂直磁気記録体を製造
することができる。
と非磁性基材面との間にパーマロイ、Fe、Co、
Co−Zr非晶質膜等の比較的軟質磁性を示し、飽
和磁化の大きい磁性体の薄膜を介在させると、記
録電流を小さくでき、また再生出力を増大できる
ので、本発明によれば、予め、非磁性基材面に軟
磁性薄膜層を形成した後、その薄膜層の上面に、
例えば上記の実施例に従い、所定のCo−Ni−Ｏ
組成の垂直磁化膜を形成することにより、該軟磁
性薄膜層を介入した本発明垂直磁気記録体を製造
することができる。
又、本発明は、フロツピーデイスクに応用する
場合、その基材の片面又は両面に、直接又は該軟
磁性薄膜層の介在した前記所定のCo−Ni−Ｏ組
成の垂直磁化膜を形成した本発明の垂直磁気記録
体を製造するようにしてもよい。
場合、その基材の片面又は両面に、直接又は該軟
磁性薄膜層の介在した前記所定のCo−Ni−Ｏ組
成の垂直磁化膜を形成した本発明の垂直磁気記録
体を製造するようにしてもよい。
このように、本発明によるときは、CoxNiyOz
（茲でｘ、ｙ、ｚはat％で、０＜ｙ＜40、15＜ｚ
＜50、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100）で表わされるCo−Ni−
０組成で、結晶構造が垂直方向にHCP構造のＣ
軸を配向した柱状粒子構造で且つ結晶磁気異方性
ku⊥が垂直方向の反磁界2πMs2以上に大きい膜
を形成したので、良好な垂直磁化膜をもつ垂直磁
気記録体が得られ、その製造法は、非磁性基材面
に、又は予めその面に形成した軟磁性薄膜層の面
に、実質上垂直に入射するようにCo及びNi原子
を蒸着させると同時にO2ガスを導入して上記所
定のCoxNiyOz組成で、結晶構造が垂直方向に
HCP構造のＣ軸を配向した柱状粒子構造で且つ
結晶磁気異方性Ku⊥が垂直方向の反磁界2πMs2
以上に大きい膜を形成するようにしたので、従来
のCo−Cr垂直磁化膜の製造と異なり、均一な垂
直磁化膜を長時間に亘り作成でき能率良く大量生
産ができ、又、基材を加熱する必要がなく、常温
で安価な基材を使用しても良好な垂直磁化膜が得
られる等の効果を有する。
（茲でｘ、ｙ、ｚはat％で、０＜ｙ＜40、15＜ｚ
＜50、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100）で表わされるCo−Ni−
０組成で、結晶構造が垂直方向にHCP構造のＣ
軸を配向した柱状粒子構造で且つ結晶磁気異方性
ku⊥が垂直方向の反磁界2πMs2以上に大きい膜
を形成したので、良好な垂直磁化膜をもつ垂直磁
気記録体が得られ、その製造法は、非磁性基材面
に、又は予めその面に形成した軟磁性薄膜層の面
に、実質上垂直に入射するようにCo及びNi原子
を蒸着させると同時にO2ガスを導入して上記所
定のCoxNiyOz組成で、結晶構造が垂直方向に
HCP構造のＣ軸を配向した柱状粒子構造で且つ
結晶磁気異方性Ku⊥が垂直方向の反磁界2πMs2
以上に大きい膜を形成するようにしたので、従来
のCo−Cr垂直磁化膜の製造と異なり、均一な垂
直磁化膜を長時間に亘り作成でき能率良く大量生
産ができ、又、基材を加熱する必要がなく、常温
で安価な基材を使用しても良好な垂直磁化膜が得
られる等の効果を有する。
第１図は、本発明の製造法を実施する装置の１
例の截断側面図、第２図、第３図及び第４図は
夫々各種Co−Ni−Ｏ組成と磁気特性との関係を
示す図で、第２図はHc⊥／Hcの値を表わす
図、第３図はBr⊥／Brの値を表わす図、第４
図は飽和磁化Msの値を表わす図、第５図は本発
明の垂直磁化膜の１例のヒステリシス曲線図を示
す。 １……容器、ａ……テープ基材、３……蒸発
源、ｂ……蒸発材料Co、Ni、４，５……ローラ
ー、６……酸素ガス供給管、７……防着板。
例の截断側面図、第２図、第３図及び第４図は
夫々各種Co−Ni−Ｏ組成と磁気特性との関係を
示す図で、第２図はHc⊥／Hcの値を表わす
図、第３図はBr⊥／Brの値を表わす図、第４
図は飽和磁化Msの値を表わす図、第５図は本発
明の垂直磁化膜の１例のヒステリシス曲線図を示
す。 １……容器、ａ……テープ基材、３……蒸発
源、ｂ……蒸発材料Co、Ni、４，５……ローラ
ー、６……酸素ガス供給管、７……防着板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基材面に、直接、又は軟磁性薄膜層を
介してCoxNiyOz（茲でｘ、ｙ、ｚはat％で、０＜
ｙ＜40、15＜ｚ＜50、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100）で表わ
されるCo−Ni−０組成で、結晶構造が垂直方向
にHCP構造のＣ軸を配向した柱状粒子構造で且
つ結晶磁気異方性ku⊥が垂直方向の反磁界
2πMs2以上に大きい膜を形成して成る垂直磁気記
録体。 ２ 非磁性基材面に、又は予めその面に形成した
軟磁性薄膜層の面に、実質上垂直に入射するよう
にCo及びNi原子を蒸着させると同時にO2ガスを
導入してCoxNiyOz（茲でｘ、ｙ、ｚはat％で、０
＜ｙ＜40、15＜ｚ＜50、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100）で表
わされるCo−Ni−０組成で、結晶構造が垂直方
向にHCP構造のＣ軸を配向した柱状粒子構造で
且つ結晶磁気異方性ku⊥が垂直方向の反磁界
2πMs2以上に大きい膜を形成することを特徴とす
る垂直磁気記録体の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3665283A JPS59163810A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 垂直磁気記録体並びにその製造法 |
| DE8484301530T DE3465647D1 (en) | 1983-03-08 | 1984-03-08 | A magnetic recording member and a manufacturing method for such a member |
| EP84301530A EP0122030B1 (en) | 1983-03-08 | 1984-03-08 | A magnetic recording member and a manufacturing method for such a member |
| US07/412,535 US5024854A (en) | 1983-03-08 | 1989-09-22 | Method of manufacturing perpendicular type magnetic recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3665283A JPS59163810A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 垂直磁気記録体並びにその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163810A JPS59163810A (ja) | 1984-09-14 |
| JPH0311531B2 true JPH0311531B2 (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=12475782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3665283A Granted JPS59163810A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 垂直磁気記録体並びにその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59163810A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59198707A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体 |
| JPH0648533B2 (ja) * | 1984-09-27 | 1994-06-22 | 日本真空技術株式会社 | 垂直磁気記録体の製造方法 |
| JPS6199924A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033289B2 (ja) * | 1979-07-18 | 1985-08-02 | 松下電器産業株式会社 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-03-08 JP JP3665283A patent/JPS59163810A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59163810A (ja) | 1984-09-14 |
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