JPH03167801A - 厚膜抵抗体ペースト - Google Patents
厚膜抵抗体ペーストInfo
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- JPH03167801A JPH03167801A JP1306511A JP30651189A JPH03167801A JP H03167801 A JPH03167801 A JP H03167801A JP 1306511 A JP1306511 A JP 1306511A JP 30651189 A JP30651189 A JP 30651189A JP H03167801 A JPH03167801 A JP H03167801A
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- JP
- Japan
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- powder
- thick film
- thick
- resistor paste
- film resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は厚膜抵抗体ペーストに係ｂ、さらに詳し〈ぱ、
んポ基板に対して好適に用いることのできる厚膜抵抗体
ペーストに関する。
んポ基板に対して好適に用いることのできる厚膜抵抗体
ペーストに関する。
（従来の技術）
近年、ハイブリッド集積回路等の種々の電子部品に厚膜
技術を適用することが急速に進んでいる。
技術を適用することが急速に進んでいる。
このような厚膜技術を適用するときの基板材料としては
、ＡＡｓＯｓ （アルミナ）が最も一般的に用いられて
いるが、このときには、導電性材料、誘電性材料等の機
能成分とホウケイ酸鉛系のガラス材料を主成分として含
有する厚膜ペーストが通常利用される。このうち厚膜抵
抗体ペーストとしては、機能或分としてルテニウム化合
物を用いるのが一般的である。
、ＡＡｓＯｓ （アルミナ）が最も一般的に用いられて
いるが、このときには、導電性材料、誘電性材料等の機
能成分とホウケイ酸鉛系のガラス材料を主成分として含
有する厚膜ペーストが通常利用される。このうち厚膜抵
抗体ペーストとしては、機能或分としてルテニウム化合
物を用いるのが一般的である。
一方、このようなＡ ｔ．０，基板に代わる材料として
、んへ基板の開発が活発に行なわれている。これは、ん
例基板はＡｔ，Ｏ，基板の５〜１０倍の熱伝導率を有し
Ｕ０、基板上に実装される素子の高密度化に有利なため
である。しかしながら、以前よりＡｔ，Ｏ，基板に対し
て用いられてきた厚膜ペーストをＡＩＮ基板に用いた場
合、得られる厚膜とＡＩＢ基板との間の接合力が弱いと
いう問題があった。すなわちＡｔ，０，基板用の厚膜ペ
ーストをんぴ基板に用いると、厚膜ペースト中に含有さ
れるガラス材料とＩｄＲ基板との反応の際生じる窒素ガ
スによるふくれ現象や、前記ガラス材料とん疹基板との
熱膨脹係数の差異に基づくクラック等が発生してしまう
。
、んへ基板の開発が活発に行なわれている。これは、ん
例基板はＡｔ，Ｏ，基板の５〜１０倍の熱伝導率を有し
Ｕ０、基板上に実装される素子の高密度化に有利なため
である。しかしながら、以前よりＡｔ，Ｏ，基板に対し
て用いられてきた厚膜ペーストをＡＩＮ基板に用いた場
合、得られる厚膜とＡＩＢ基板との間の接合力が弱いと
いう問題があった。すなわちＡｔ，０，基板用の厚膜ペ
ーストをんぴ基板に用いると、厚膜ペースト中に含有さ
れるガラス材料とＩｄＲ基板との反応の際生じる窒素ガ
スによるふくれ現象や、前記ガラス材料とん疹基板との
熱膨脹係数の差異に基づくクラック等が発生してしまう
。
このため厚膜ペースト中に含有されるガラス材料の構或
元素、組或等を変えることによう、得られる厚膜と九劇
基板との接合力を向上させることが試みられた。なかで
もホウケイ酸亜鉛系のガラス材料を用いた厚膜ペースト
に対する期待は高く、例えばＨＹＢＲＩＤＳＶｏｌ，４
，ｍ４にはＲｕｂ， とホウケイ酸亜鉛系のガラス材
料が含有された〜拉基板用厚膜抵抗体ペーストが示され
ている。しかしながら係るん劇基板用厚膜ペーストにお
いても、得られる厚膜について前述したような接合力に
ついては若干改善されているものの、高温下での抵抗値
劣化等信頼性の点で問題が残り、またＴＣＲが小さく一
層の電気的特性の向上が望まれていた。
元素、組或等を変えることによう、得られる厚膜と九劇
基板との接合力を向上させることが試みられた。なかで
もホウケイ酸亜鉛系のガラス材料を用いた厚膜ペースト
に対する期待は高く、例えばＨＹＢＲＩＤＳＶｏｌ，４
，ｍ４にはＲｕｂ， とホウケイ酸亜鉛系のガラス材
料が含有された〜拉基板用厚膜抵抗体ペーストが示され
ている。しかしながら係るん劇基板用厚膜ペーストにお
いても、得られる厚膜について前述したような接合力に
ついては若干改善されているものの、高温下での抵抗値
劣化等信頼性の点で問題が残り、またＴＣＲが小さく一
層の電気的特性の向上が望まれていた。
（発明が解決しようとする課題）
上述したように、ん小基板に対して用いることができ、
しかも信頼性までを含めた電気的特性の優れた厚膜の形
或が町能な厚膜抵抗体ペーストは、未だ実用化には至っ
ていない。
しかも信頼性までを含めた電気的特性の優れた厚膜の形
或が町能な厚膜抵抗体ペーストは、未だ実用化には至っ
ていない。
本発明ではこのような問題点に鑑みて、ん劇基板に対し
て好適に用いることができ、しかも高温下での抵抗値変
化率が小さく信頼性に優れ、さらにＴＣＲが小さく電気
的特性の良好な厚膜を得ることができる厚膜抵抗体ペー
ストを提供することを目的としている。
て好適に用いることができ、しかも高温下での抵抗値変
化率が小さく信頼性に優れ、さらにＴＣＲが小さく電気
的特性の良好な厚膜を得ることができる厚膜抵抗体ペー
ストを提供することを目的としている。
（課題を解決するための手段及び作用）本発明は、導電
性材料の粉末及びホウケイ酸亜鉛系のガラス材料の粉末
からなる主成分に対して、ＭｎＯ， ，Ｔｉｅ！，Ｃｒ
，０３及びＭｏＯ，の少なくとも１種の粉末が４０重量
多以下添加含有されてなる厚膜抵抗体ペーストである。
性材料の粉末及びホウケイ酸亜鉛系のガラス材料の粉末
からなる主成分に対して、ＭｎＯ， ，Ｔｉｅ！，Ｃｒ
，０３及びＭｏＯ，の少なくとも１種の粉末が４０重量
多以下添加含有されてなる厚膜抵抗体ペーストである。
すなわち本発明の厚膜抵抗体ペーストは、添加或分とし
て上記金属酸化物の粉末を用いたことを特徴としている
。
て上記金属酸化物の粉末を用いたことを特徴としている
。
本発明者らは、ホウケイ酸亜鉛系のガラス材料を用いた
厚膜抵抗体ペーストに添加したとき、前述したような厚
膜の信頼性及びＴＣＲを向上せしめる作用を有する添加
或分を捜したところ、ＭｎＯ，，ＴｉＯ１，Ｃｒ雪ｑ及
びＭｏｂ．の少なくとも１種の粉末が好適に用いられる
ことを見出した。すなわち係る添加或分の添加によう、
厚膜にかける高温放置及び冷熱サイクル試験後の抵抗値
変化を大幅に抑制せしめることができ、信頼性が向上す
る。しかもこのような添加成分をホウケイ酸亜鉛系のガ
ラス材料を用いた厚膜抵抗体ペーストへ添加したとき従
来のホウケイ酸鉛系のガラス材料を用いた厚膜抵抗体ペ
ーストへ添加したときと同様厚膜のＴＣＲが低下する。
厚膜抵抗体ペーストに添加したとき、前述したような厚
膜の信頼性及びＴＣＲを向上せしめる作用を有する添加
或分を捜したところ、ＭｎＯ，，ＴｉＯ１，Ｃｒ雪ｑ及
びＭｏｂ．の少なくとも１種の粉末が好適に用いられる
ことを見出した。すなわち係る添加或分の添加によう、
厚膜にかける高温放置及び冷熱サイクル試験後の抵抗値
変化を大幅に抑制せしめることができ、信頼性が向上す
る。しかもこのような添加成分をホウケイ酸亜鉛系のガ
ラス材料を用いた厚膜抵抗体ペーストへ添加したとき従
来のホウケイ酸鉛系のガラス材料を用いた厚膜抵抗体ペ
ーストへ添加したときと同様厚膜のＴＣＲが低下する。
従って本発明によれば、ホウケイ酸亜鉛系のガラス材料
を用いた厚膜抵抗体ペーストに対して、前記添加成分を
４０重量多以下好１しくはｌ重量φ以上３０重量多以下
添加することによシ、厚膜に３ける高温下での抵抗値劣
化の抑制及びＴＣＨの低下が同時に達成される。添加量
を４０重量チ以下と限定したのは、４．０重量鋒を越え
るとＴＣＲの値が負に大きくなシ過ぎるからである。ま
た添加量が５重量φ以上のとき、特に添加効果が顕著と
なる。１た添加成分の中でも、［００，の粉末は特に好
ましい成分である。上述したような添加に伴ない厚膜の
特性が向上する理由は明らかではないが、前記添加威分
の添加によりガラス材料の表面に特異なエネルギーの局
在準位が形成されるためと考えられる。
を用いた厚膜抵抗体ペーストに対して、前記添加成分を
４０重量多以下好１しくはｌ重量φ以上３０重量多以下
添加することによシ、厚膜に３ける高温下での抵抗値劣
化の抑制及びＴＣＨの低下が同時に達成される。添加量
を４０重量チ以下と限定したのは、４．０重量鋒を越え
るとＴＣＲの値が負に大きくなシ過ぎるからである。ま
た添加量が５重量φ以上のとき、特に添加効果が顕著と
なる。１た添加成分の中でも、［００，の粉末は特に好
ましい成分である。上述したような添加に伴ない厚膜の
特性が向上する理由は明らかではないが、前記添加威分
の添加によりガラス材料の表面に特異なエネルギーの局
在準位が形成されるためと考えられる。
さらに本発明者らは、主成分及び添加成分の粒径を変化
させて研究を進めたところ、主成分及び添加成分の粒径
が小さいほど添加取分の添加効果が顕著となることを見
出した。この理由としては、前述したように粒径が小さ
いと主成分及び添加或分がよｂ均一に分散されるため、
得られる厚膜にかけるマイクロクラクク等の発生が抑え
られ、１た上記したような局在準位の形成も均一に行な
われるからと考えられる。従って本発明では、主成分で
ある導電性材料の粉末の粒径は１０μｍ以下、ガラス材
料の粉末の粒径は２０μｍ以下、添加成分の粒径はｌＯ
μｍ以下であることが好筺しい。逆に各粉末の粒径が大
きすぎると添加或分の添加による信頼性の向上が少なく
、またＴＣＨの低下も添加成分の数重量Ｓ程度の添加で
飽和してし筐う。一方、各粉末の粒径が小さすぎると厚
膜抵抗体ぺ一スト調製時の作業性が低下し、また焼或時
の収縮量が大きくマイクロクラックが入シ易くなってし
１うので、各粉末の粒径が０．１μｍ以上であることが
好壕しい。
させて研究を進めたところ、主成分及び添加成分の粒径
が小さいほど添加取分の添加効果が顕著となることを見
出した。この理由としては、前述したように粒径が小さ
いと主成分及び添加或分がよｂ均一に分散されるため、
得られる厚膜にかけるマイクロクラクク等の発生が抑え
られ、１た上記したような局在準位の形成も均一に行な
われるからと考えられる。従って本発明では、主成分で
ある導電性材料の粉末の粒径は１０μｍ以下、ガラス材
料の粉末の粒径は２０μｍ以下、添加成分の粒径はｌＯ
μｍ以下であることが好筺しい。逆に各粉末の粒径が大
きすぎると添加或分の添加による信頼性の向上が少なく
、またＴＣＨの低下も添加成分の数重量Ｓ程度の添加で
飽和してし筐う。一方、各粉末の粒径が小さすぎると厚
膜抵抗体ぺ一スト調製時の作業性が低下し、また焼或時
の収縮量が大きくマイクロクラックが入シ易くなってし
１うので、各粉末の粒径が０．１μｍ以上であることが
好壕しい。
本発明に係る導電性材料としては、ルテニウム系の酸化
物を用いることが好゜ましく、特にＲｕｂｈＬｕ２Ｒｕ
，０７ ，ＢａｚＲｕ，０７ ，，ＰｂｌＲｕ２０ｙ−
ｘ（ただし０≦Ｘ≦１）′４が好適である。また本発明
に係るホウケイ酸亜鉛系のガラス材料は、ＺｎＯ，Ｂ！
Ｏ， ，Ｓｉｎ，の三成分を必須成分として含有するも
のであるが、ＡＩＲ基板上で良好な接合力が得られるな
らば、前記三或分の組成は特に限定されない。例えばＺ
ｎＯ；３０〜７０重量嘩、ＢｓＯ＊ ； ２ ０ 〜５
０重量％ 、ＳｉＯ＊； １〜１５重ｉ嘩の範囲で適
宜調整することができる。さらにＡｔ雪０， ，ＰｂＯ
，ＣｕＯ ，ＺｒＯ， ，Ｂｌ，０３，ＭｇＯ， Ｐ，
Ｏ，等が含有されていてもよく、これらの含有量は合
計して３０重量多程度筐で許容される。さらに本発明で
は、上記導電性材料とガラス材料との混合比を変えるこ
とによシ５：９５〜９５：５の範囲内で混合される。
物を用いることが好゜ましく、特にＲｕｂｈＬｕ２Ｒｕ
，０７ ，ＢａｚＲｕ，０７ ，，ＰｂｌＲｕ２０ｙ−
ｘ（ただし０≦Ｘ≦１）′４が好適である。また本発明
に係るホウケイ酸亜鉛系のガラス材料は、ＺｎＯ，Ｂ！
Ｏ， ，Ｓｉｎ，の三成分を必須成分として含有するも
のであるが、ＡＩＲ基板上で良好な接合力が得られるな
らば、前記三或分の組成は特に限定されない。例えばＺ
ｎＯ；３０〜７０重量嘩、ＢｓＯ＊ ； ２ ０ 〜５
０重量％ 、ＳｉＯ＊； １〜１５重ｉ嘩の範囲で適
宜調整することができる。さらにＡｔ雪０， ，ＰｂＯ
，ＣｕＯ ，ＺｒＯ， ，Ｂｌ，０３，ＭｇＯ， Ｐ，
Ｏ，等が含有されていてもよく、これらの含有量は合
計して３０重量多程度筐で許容される。さらに本発明で
は、上記導電性材料とガラス材料との混合比を変えるこ
とによシ５：９５〜９５：５の範囲内で混合される。
上述したような範囲内で、主成分中のガラス材料の粉末
の量が多いほど得られる厚膜の抵抗値は高くなる。さら
に、添加或分の添加量が多くなるほど厚膜の抵抗値は増
大するので、添加或分の添加量を考慮して主成分の混合
比を決定することが好筐しい。
の量が多いほど得られる厚膜の抵抗値は高くなる。さら
に、添加或分の添加量が多くなるほど厚膜の抵抗値は増
大するので、添加或分の添加量を考慮して主成分の混合
比を決定することが好筐しい。
本発明の厚狭抵抗体ペーストは、例えばこのような主成
分及び添加或分をバインダー及び有機溶媒からなる有機
ビヒクルと混合する等の公知の方法によう、調製するこ
とが可能である。
分及び添加或分をバインダー及び有機溶媒からなる有機
ビヒクルと混合する等の公知の方法によう、調製するこ
とが可能である。
（実施例）
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１〜８
導電性材料の粉末として粒径０．５〜２０μｍのＲ ｕ
Ｏｘ粉末（田中マクセイ！Ａ）、またホウケイ酸亜鉛
系のガラス材料の粉末として、Ｚｎ０ ５ ８重諺Ｂ．
０． ３ ７重量嘩、３１０． ２重量貢、Ａｔ，Ｏｓ
３重量聳なる組成で平均粒径約ｌＯμｍのガラス粉末（
東芝ガラス製）を重量比で６０：４０となるように混合
して、本発明に係る主成分を調製した。この主成分に対
し、添加成分として粒径０．１〜２０μｍノＭｎＯ，粉
末または粒径０．５ 〜２．．０μｍのＴｉｅ，粉末（
いずれも高純度化学製）をそれぞれ第１表に示す添加量
で添加した。さらにこの主成分と添加或分の混合物を、
パインダーとしてのエチルセルロース（東京化或工業製
）及び有機溶媒としての抗体ペーストを調製した。筐た
比較例として、添加或分無添加の厚膜抵抗体ペーストを
同様の方法で調製した。
Ｏｘ粉末（田中マクセイ！Ａ）、またホウケイ酸亜鉛
系のガラス材料の粉末として、Ｚｎ０ ５ ８重諺Ｂ．
０． ３ ７重量嘩、３１０． ２重量貢、Ａｔ，Ｏｓ
３重量聳なる組成で平均粒径約ｌＯμｍのガラス粉末（
東芝ガラス製）を重量比で６０：４０となるように混合
して、本発明に係る主成分を調製した。この主成分に対
し、添加成分として粒径０．１〜２０μｍノＭｎＯ，粉
末または粒径０．５ 〜２．．０μｍのＴｉｅ，粉末（
いずれも高純度化学製）をそれぞれ第１表に示す添加量
で添加した。さらにこの主成分と添加或分の混合物を、
パインダーとしてのエチルセルロース（東京化或工業製
）及び有機溶媒としての抗体ペーストを調製した。筐た
比較例として、添加或分無添加の厚膜抵抗体ペーストを
同様の方法で調製した。
これらの厚膜抵抗体ペーストを、予めＡｇ／Ｐｄ厚膜導
体層を形成したん鋼基板（東芝製ＴＡＮ−１ ７ ０
）上に３２５メッシュのスクリーンを用いて４×４■の
パターンに印刷し、１２０℃で１０分空気中で乾燥後、
８５０℃，１０分空気中で焼或した。焼成後得られ゜た
厚膜表面を目視ならびに光学顕微鏡で観察したところ、
どの厚膜にもふくれは全く認められなかった。
体層を形成したん鋼基板（東芝製ＴＡＮ−１ ７ ０
）上に３２５メッシュのスクリーンを用いて４×４■の
パターンに印刷し、１２０℃で１０分空気中で乾燥後、
８５０℃，１０分空気中で焼或した。焼成後得られ゜た
厚膜表面を目視ならびに光学顕微鏡で観察したところ、
どの厚膜にもふくれは全く認められなかった。
得られた全ての厚膜について、直流四端子法により２５
℃での抵抗値を測定したところ、２０（実施例１）〜１
２０（実施例８）Ω／口の範囲内の抵抗値を有していた
。
℃での抵抗値を測定したところ、２０（実施例１）〜１
２０（実施例８）Ω／口の範囲内の抵抗値を有していた
。
次いでこれらの全ての厚膜について高温放置試験（１５
０℃，１０００時間）及び冷熱サイクル試験（−５５℃
，３０分一十１２５℃，３０分： １０００サイクル）
を行ない、試験前後における抵抗値変化率を求めた結果
を第１表に示す。１た上記したような試験とは別に、２
５℃及び１２５℃での抵抗値を測定し、次式によ，９Ｔ
ＣＲを算出した結果を第ｌ表に併せて示す。
０℃，１０００時間）及び冷熱サイクル試験（−５５℃
，３０分一十１２５℃，３０分： １０００サイクル）
を行ない、試験前後における抵抗値変化率を求めた結果
を第１表に示す。１た上記したような試験とは別に、２
５℃及び１２５℃での抵抗値を測定し、次式によ，９Ｔ
ＣＲを算出した結果を第ｌ表に併せて示す。
第１表から明らかなように本発明に係る厚膜は、比較例
に比べて高温放置試験前後及び冷熱サイクル試験前後で
の抵抗値変化率が小さく、優れた信頼性が得られている
。さらにＴＣＲ値も極めて小さく良好な電気的特性を有
していた。
に比べて高温放置試験前後及び冷熱サイクル試験前後で
の抵抗値変化率が小さく、優れた信頼性が得られている
。さらにＴＣＲ値も極めて小さく良好な電気的特性を有
していた。
第
ｌ
表
実施例９〜１２
導電性材料の粉末として、粒径ｌＯ〜１２μｍのＲｕＯ
１粉末Ｃ高純度化学製）、ホウケイ酸亜鉛系のガラス材
料の粉末として、実施例１〜８と同様の組或で平均粒径
約３０μｍのガラス粉末（東芝ガラス製）を用いた以外
は実施例１〜８と同様にして、主成分を調製した。この
主成分に対し、添加成分として粒径１０〜１５μｍＯ
Ｍｎ Ｏ！粉末（小泉化学薬品製）を第２表に示す添加
量で添加して、以下は実施例１〜８と同様にして厚膜抵
抗体ペーストを調製した後、九小基板上に厚膜を形或し
た。１た比較例として、添加或分無添加の厚膜を同様の
方法で形威した。得られた厚膜について、表面を目視な
らびに光学顕微鏡で観察したところ、どの厚膜にもふく
れは全く認められなかった。
１粉末Ｃ高純度化学製）、ホウケイ酸亜鉛系のガラス材
料の粉末として、実施例１〜８と同様の組或で平均粒径
約３０μｍのガラス粉末（東芝ガラス製）を用いた以外
は実施例１〜８と同様にして、主成分を調製した。この
主成分に対し、添加成分として粒径１０〜１５μｍＯ
Ｍｎ Ｏ！粉末（小泉化学薬品製）を第２表に示す添加
量で添加して、以下は実施例１〜８と同様にして厚膜抵
抗体ペーストを調製した後、九小基板上に厚膜を形或し
た。１た比較例として、添加或分無添加の厚膜を同様の
方法で形威した。得られた厚膜について、表面を目視な
らびに光学顕微鏡で観察したところ、どの厚膜にもふく
れは全く認められなかった。
得られた厚膜では３０〜１５０Ω／口の範囲内の抵抗値
を有していた。さらにこれらの全ての厚膜について、実
施例１〜８と同様に高温放置試験及び冷熱サイクル試験
を行ない抵抗値変化率を測定した結果、ならびにＴＣＲ
を求めた結果を第２表に示す。第２表に示されたように
これらの厚膜では、実施例１〜８で得られた厚膜と比較
して特性が劣るものの、比較例に比べて高温放置試験及
び冷熱サイクル試験後の抵抗値変化が抑制され、さらに
はＴＣＲの低下が違或されていることが確認された。
を有していた。さらにこれらの全ての厚膜について、実
施例１〜８と同様に高温放置試験及び冷熱サイクル試験
を行ない抵抗値変化率を測定した結果、ならびにＴＣＲ
を求めた結果を第２表に示す。第２表に示されたように
これらの厚膜では、実施例１〜８で得られた厚膜と比較
して特性が劣るものの、比較例に比べて高温放置試験及
び冷熱サイクル試験後の抵抗値変化が抑制され、さらに
はＴＣＲの低下が違或されていることが確認された。
第
２
表
実施例ｌ３
実施例１〜Ｂと同様の主成分に対し、添加或分として平
均粒径２０μｍのＣｒＢＱ，粉末またはＭｏｂ，粉末を
それぞれ１０，２０，３０．４０重量嘩１添加した厚膜
抵抗体ペーストを実施例１〜８と同様に調製した。これ
らの厚膜抵抗体ペーストについて、実施例１〜８と同様
にしてＡＡＮ基板上に厚膜を形威した．得られた厚膜に
ついて実施例１〜８と同様の試験を行なったところ、試
験前後での抵抗値変化率はいずれも１．０％以内でＴｏ
シ、’ｌ［’Ｑ’Ｌも±２ ０ ０ （ ｐｐｍ／Ｃ
）以内と優れた特性を示していること・が確認された。
均粒径２０μｍのＣｒＢＱ，粉末またはＭｏｂ，粉末を
それぞれ１０，２０，３０．４０重量嘩１添加した厚膜
抵抗体ペーストを実施例１〜８と同様に調製した。これ
らの厚膜抵抗体ペーストについて、実施例１〜８と同様
にしてＡＡＮ基板上に厚膜を形威した．得られた厚膜に
ついて実施例１〜８と同様の試験を行なったところ、試
験前後での抵抗値変化率はいずれも１．０％以内でＴｏ
シ、’ｌ［’Ｑ’Ｌも±２ ０ ０ （ ｐｐｍ／Ｃ
）以内と優れた特性を示していること・が確認された。
以上詳述したように、本発明の厚膜抵抗体べ一ストによ
れば、ん劇基板との接合力が良好で、高温下での抵抗値
変化率が小さく信頼性に優れ、さらにＴＣＲが小さく電
気的脣性の良好な厚膜を形或することが可能となる．
れば、ん劇基板との接合力が良好で、高温下での抵抗値
変化率が小さく信頼性に優れ、さらにＴＣＲが小さく電
気的脣性の良好な厚膜を形或することが可能となる．
Claims (1)
- （１）主成分として、導電性材料の粉末及びホウケイ酸
亜鉛系のガラス材料の粉末を含有する厚膜抵抗体ペース
トにおいて、前記主成分に対し、ＭｎＯ＿２、ＴｉＯ＿
２、Ｃｒ＿２Ｏ＿３及びＭｏＯ＿３の少なくとも１種の
粉末が４０重量％以下添加含有されたことを特徴とする
厚膜抵抗体ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306511A JPH03167801A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 厚膜抵抗体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306511A JPH03167801A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 厚膜抵抗体ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167801A true JPH03167801A (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=17957908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1306511A Pending JPH03167801A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 厚膜抵抗体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03167801A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110285899A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-09-27 | 绍兴文理学院元培学院 | 一种陶瓷压力传感器的制备方法 |
| CN110335701A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-10-15 | 绍兴文理学院元培学院 | 一种用于氧化铝陶瓷压力传感器的厚膜电阻浆料 |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP1306511A patent/JPH03167801A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110285899A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-09-27 | 绍兴文理学院元培学院 | 一种陶瓷压力传感器的制备方法 |
| CN110335701A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-10-15 | 绍兴文理学院元培学院 | 一种用于氧化铝陶瓷压力传感器的厚膜电阻浆料 |
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