JPH0316783A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH0316783A JPH0316783A JP1151524A JP15152489A JPH0316783A JP H0316783 A JPH0316783 A JP H0316783A JP 1151524 A JP1151524 A JP 1151524A JP 15152489 A JP15152489 A JP 15152489A JP H0316783 A JPH0316783 A JP H0316783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording
- recording film
- recording medium
- laser beam
- Prior art date
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はレーザービームなどの照射により記録材料の相
変化を利用して情報を記録・消去する光記録媒体に関す
る。
変化を利用して情報を記録・消去する光記録媒体に関す
る。
（従来の技術）
情報の記録・再生だけでなく、記録された情報の消去が
可能な光記録媒体としては、光磁気型、相変化型のもの
が知られている。
可能な光記録媒体としては、光磁気型、相変化型のもの
が知られている。
このうち、相変化型の光記録媒体は、記録膜にレーザー
ビームを照射し、記録膜が結晶質と非品質との間で又は
結晶間で可逆的に相転移することを利用して情報の記録
・消去を行っている。すなわち、記録膜にレーザービー
ムを照射して急速加熱し、これを急速冷却することによ
り、結晶質から非品質へ、又は結晶から結晶へ相転移を
行って情報の記録がなされる。また、記録膜に低パワー
のレーザービームを照射して加熱し、再び元の結晶質へ
戻すことにより、記録情報が消去される。
ビームを照射し、記録膜が結晶質と非品質との間で又は
結晶間で可逆的に相転移することを利用して情報の記録
・消去を行っている。すなわち、記録膜にレーザービー
ムを照射して急速加熱し、これを急速冷却することによ
り、結晶質から非品質へ、又は結晶から結晶へ相転移を
行って情報の記録がなされる。また、記録膜に低パワー
のレーザービームを照射して加熱し、再び元の結晶質へ
戻すことにより、記録情報が消去される。
情報の再生は、情報が記録された非品質部又は結晶質部
と記録されていない結晶質部との反射率、透過率の変化
をレーザービームを照射して読み取ることにより行われ
る。
と記録されていない結晶質部との反射率、透過率の変化
をレーザービームを照射して読み取ることにより行われ
る。
従来より、この種の相変化型の先記録媒体としてはＴｅ
，’Ｓｅなどのカルコゲナイド系半導体を記録膜として
使用したものが知られている。しかし、従来の光記録媒
体では、記録膜に低パワーのレーザービームを約５００
ｎ ｓ程度照射して加熱した後、記録膜が徐冷されて
元の結晶質に戻ることにより消去が行われている。この
ように従来は消去時間を短縮することが困難であり、レ
ーザーのパワー変調による短パルス幅での記録・消去が
困難であった。
，’Ｓｅなどのカルコゲナイド系半導体を記録膜として
使用したものが知られている。しかし、従来の光記録媒
体では、記録膜に低パワーのレーザービームを約５００
ｎ ｓ程度照射して加熱した後、記録膜が徐冷されて
元の結晶質に戻ることにより消去が行われている。この
ように従来は消去時間を短縮することが困難であり、レ
ーザーのパワー変調による短パルス幅での記録・消去が
困難であった。
また、例えば純Ｔｅは結晶化温度が室温付近（１００℃
）に存在するので、記録情報が含まれるレーザービーム
を照射し、純Ｔｅ薄膜を結晶質から非品質へ相変化させ
て記録を行っても、経時変化により非品質部分が結晶質
状態に戻り、記録が自然消去されるおそれがある。
）に存在するので、記録情報が含まれるレーザービーム
を照射し、純Ｔｅ薄膜を結晶質から非品質へ相変化させ
て記録を行っても、経時変化により非品質部分が結晶質
状態に戻り、記録が自然消去されるおそれがある。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、長期間にわたって安定した記録状態を
維持でき、かつ高速で記録・消去ができる光記録媒体を
提供することにある。
維持でき、かつ高速で記録・消去ができる光記録媒体を
提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段と作用）
本発明の光記録媒体は、基体上に積層された記録膜を有
し、光ビームの照射条件に応じる結晶−非品質問又は結
晶間の可逆的な相変化を利用して情報の記録・消去を行
う光記録媒体において、前゛記記録膜がカルコバイライ
ト構造を有する金属間化合物からなることを特徴とする
ものである。
し、光ビームの照射条件に応じる結晶−非品質問又は結
晶間の可逆的な相変化を利用して情報の記録・消去を行
う光記録媒体において、前゛記記録膜がカルコバイライ
ト構造を有する金属間化合物からなることを特徴とする
ものである。
本発明において、記録膜として用いられる金属間化合物
としては、例えば ＡｇｌｎＴｅ２、ＡｇｌｎＳｅ２、 Ａ ｇ Ｓ ｂ Ｔ ｅ ２ 、Ａ ｇ Ｓ ｂ Ｓ
ｅ ２、ＡｇＢ ｉ Ｔｅ２、ＡｇＢ ｉ Ｓ ｅ２、
ＡｇＧａＴｅ２、ＡｇＧａＳｅ２、 ＣｕＳｂＴｅ２、ＣｕＳｂＳｅ，、 ＣｕＢｉＴｅ２、ＣｕＢｉＳｅ２、 Ｃｕ Ｉ ｎＴｅ２、ＣｕＧａＴｅ２、ＣｕＴＪ７ Ｔ
ｅ２ 、ＣｕＴＩ Ｓｅ２などが挙げられる。これらの
材料からなる記録膜は、スパッタ法又は蒸着法により成
膜することができる。この記録膜は成膜時には非品質状
態であるが、レーザービームを照ｎＪ Ｌてアニールす
ることにより、閃亜鉛鉱構造に類似したカルコバイライ
ト構造を有する金属間化合物の結晶相となる。また、レ
ーザービームによる加熱・急冷により、非品質又は前記
と異なる反射率を持つ結晶質へと変化する。この？転移
に伴い記録膜の表面反射率が変化するので、この性質を
利用して情報の記録・再生を行うことができる。
としては、例えば ＡｇｌｎＴｅ２、ＡｇｌｎＳｅ２、 Ａ ｇ Ｓ ｂ Ｔ ｅ ２ 、Ａ ｇ Ｓ ｂ Ｓ
ｅ ２、ＡｇＢ ｉ Ｔｅ２、ＡｇＢ ｉ Ｓ ｅ２、
ＡｇＧａＴｅ２、ＡｇＧａＳｅ２、 ＣｕＳｂＴｅ２、ＣｕＳｂＳｅ，、 ＣｕＢｉＴｅ２、ＣｕＢｉＳｅ２、 Ｃｕ Ｉ ｎＴｅ２、ＣｕＧａＴｅ２、ＣｕＴＪ７ Ｔ
ｅ２ 、ＣｕＴＩ Ｓｅ２などが挙げられる。これらの
材料からなる記録膜は、スパッタ法又は蒸着法により成
膜することができる。この記録膜は成膜時には非品質状
態であるが、レーザービームを照ｎＪ Ｌてアニールす
ることにより、閃亜鉛鉱構造に類似したカルコバイライ
ト構造を有する金属間化合物の結晶相となる。また、レ
ーザービームによる加熱・急冷により、非品質又は前記
と異なる反射率を持つ結晶質へと変化する。この？転移
に伴い記録膜の表面反射率が変化するので、この性質を
利用して情報の記録・再生を行うことができる。
これらのカルコバイライト構造を有する金属間化合物は
、以下のような性質を有する。すなわち、例えば記録さ
れて非品質となった金属間化合物に、記録時より低いエ
ネルギーを持つレーザービームを照射すると、非晶質か
ら元の結晶質へのｔ目変化が短範囲の原子移動によって
達戊される。■また、これらの金属間化合物は、通常、
熱伝導率が約０．０３Ｗ／ｃｍ・℃と低く、エネルギー
の吸収が優れているため、レーザー照射部分の温度は短
峙間で結晶化温度以上に上昇する。これらの理由から、
記録膜がカルコバイライト構造を有する金属間化合物か
らなる光記録媒体は、結晶化速度が通常の合金よりも極
めて速く、高速で消去できるという特長がある。なお、
以上では記録ビットが非品質である場合について述べた
が、記録・消去が結晶間で行われる場合も同様の効果が
ある。
、以下のような性質を有する。すなわち、例えば記録さ
れて非品質となった金属間化合物に、記録時より低いエ
ネルギーを持つレーザービームを照射すると、非晶質か
ら元の結晶質へのｔ目変化が短範囲の原子移動によって
達戊される。■また、これらの金属間化合物は、通常、
熱伝導率が約０．０３Ｗ／ｃｍ・℃と低く、エネルギー
の吸収が優れているため、レーザー照射部分の温度は短
峙間で結晶化温度以上に上昇する。これらの理由から、
記録膜がカルコバイライト構造を有する金属間化合物か
らなる光記録媒体は、結晶化速度が通常の合金よりも極
めて速く、高速で消去できるという特長がある。なお、
以上では記録ビットが非品質である場合について述べた
が、記録・消去が結晶間で行われる場合も同様の効果が
ある。
また、カルコバイライト構造を有する・金属開化合物は
、通常、相転移温度が室温以上であるため、室温で記録
ビットが安定する。また、カルコバイライト構造を有す
る金属間化合物は金属間の結合が強く、安定な化合物で
あるので、酸化などによる記録膜の劣化が少ない。なお
、相転移温度を正確に４−１定することは困難であるた
め、それに代わる基準として、金属間化合物の融点は３
００ ”Ｃ以上であることが望ましい。一方、光記録媒
体としての実用上の観点からは、記録膜上で光出力２〜
２０ｍＷ程度の光ビームによって記録・消去できること
が望ましく、そのためには金属間化合物の融点は９００
℃以下であることが望ましい。
、通常、相転移温度が室温以上であるため、室温で記録
ビットが安定する。また、カルコバイライト構造を有す
る金属間化合物は金属間の結合が強く、安定な化合物で
あるので、酸化などによる記録膜の劣化が少ない。なお
、相転移温度を正確に４−１定することは困難であるた
め、それに代わる基準として、金属間化合物の融点は３
００ ”Ｃ以上であることが望ましい。一方、光記録媒
体としての実用上の観点からは、記録膜上で光出力２〜
２０ｍＷ程度の光ビームによって記録・消去できること
が望ましく、そのためには金属間化合物の融点は９００
℃以下であることが望ましい。
第１図に本発明に係る光紀録媒体の一例の断面図を示す
。この光記録媒体は、円盤状の透明基板１上に、第１の
保護膜２、記録膜３、第２の保護膜４及び紫外線硬化樹
脂（ＵＶ）膜５を順次積層したものである。
。この光記録媒体は、円盤状の透明基板１上に、第１の
保護膜２、記録膜３、第２の保護膜４及び紫外線硬化樹
脂（ＵＶ）膜５を順次積層したものである。
透明基板１はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂など
の樹脂や、ガラスからなる。第１及び第２の保護膜２、
４は例えばＳｉｎ２をスパッタ法又は蒸着法を用いて５
０〜５０００入の厚さに成膜することにより形成される
。これら保護膜２、４は記録ＩＩ！３が酸化されたり、
記録時に飛散したり、穴あきが生じるのを防止するため
に設けられる。記録膜３は前述した金属間化合物をスバ
ッタ法又は蒸着法を用いて５０〜５０００入の厚さに成
膜することにより形成される。ＵＶ膜５はＵＶ樹脂を塗
布して紫外線で硬化することにより形成される。このＵ
Ｖ膜５は光記録媒体が使用時に傷やひび割れなどの機械
的損傷を受けるのを防止するために設けられる。
の樹脂や、ガラスからなる。第１及び第２の保護膜２、
４は例えばＳｉｎ２をスパッタ法又は蒸着法を用いて５
０〜５０００入の厚さに成膜することにより形成される
。これら保護膜２、４は記録ＩＩ！３が酸化されたり、
記録時に飛散したり、穴あきが生じるのを防止するため
に設けられる。記録膜３は前述した金属間化合物をスバ
ッタ法又は蒸着法を用いて５０〜５０００入の厚さに成
膜することにより形成される。ＵＶ膜５はＵＶ樹脂を塗
布して紫外線で硬化することにより形成される。このＵ
Ｖ膜５は光記録媒体が使用時に傷やひび割れなどの機械
的損傷を受けるのを防止するために設けられる。
この光記録媒体では、透明基板１側からレーザービーム
を照射することにより記録膜３に記録ビット６が形威さ
れる。
を照射することにより記録膜３に記録ビット６が形威さ
れる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例１
ガラス基板上に、Ｓ ｉ ０ ２ターゲットを使用して
スパッタ法により厚さｔｏｏｏ入のＳｉｎ２膜を形或し
、第１の保護膜とした。第１の保護膜上に、Ａｇ Ｉ
ｎＴｅ２を真空蒸着法により厚さ８００λに形或し、記
録膜とした。この記録膜は成膜時には非品質であった。
スパッタ法により厚さｔｏｏｏ入のＳｉｎ２膜を形或し
、第１の保護膜とした。第１の保護膜上に、Ａｇ Ｉ
ｎＴｅ２を真空蒸着法により厚さ８００λに形或し、記
録膜とした。この記録膜は成膜時には非品質であった。
記録膜上に、前記と同様にして、厚さＩ０００入のＳｉ
ｎ２膜を形成し、第２の保護膜とした。第２の保護膜上
に、ＵＶ樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化させてＵ
Ｖ膜を形戊し、第１図に示す光記録媒体を作製した。
ｎ２膜を形成し、第２の保護膜とした。第２の保護膜上
に、ＵＶ樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化させてＵ
Ｖ膜を形戊し、第１図に示す光記録媒体を作製した。
初期化処理として、出力２ｍＷ、パルス幅ｌ５μｓのレ
ーザービームを照射して記録膜を結晶化した。次に、記
録情報を含む出力１８ｍ Ｗ、パルス幅４５ｎｓのレー
ザービームを照射し、急速冷却して記録膜を非品質化し
、記録ビットを形成して情報の書き込みを行った。その
後、記録膜に出力８ｍ Ｗ ，パルス幅４５ｎｓのレー
ザービームを照射してその結晶化温度以上に加熱するこ
とにより、容易かつ高速に情報を消去することができた
。
ーザービームを照射して記録膜を結晶化した。次に、記
録情報を含む出力１８ｍ Ｗ、パルス幅４５ｎｓのレー
ザービームを照射し、急速冷却して記録膜を非品質化し
、記録ビットを形成して情報の書き込みを行った。その
後、記録膜に出力８ｍ Ｗ ，パルス幅４５ｎｓのレー
ザービームを照射してその結晶化温度以上に加熱するこ
とにより、容易かつ高速に情報を消去することができた
。
この光紀録媒体について、記録・消去の繰り返し特性を
第２図に示す。第２図から明らかなように、記録・消去
を１０３回繰り返しても、反射率にはほとんど変化が生
じないことがわかる。
第２図に示す。第２図から明らかなように、記録・消去
を１０３回繰り返しても、反射率にはほとんど変化が生
じないことがわかる。
実施例２
記録膜として、Ａｇ Ｉ ｎＴｅ２の代わりに、Ａｇｌ
ｎＳｅ２を用いた以外は実施例１と同様にして光記録媒
体を作製した。この記録膜は成膜時には非晶質であった
。
ｎＳｅ２を用いた以外は実施例１と同様にして光記録媒
体を作製した。この記録膜は成膜時には非晶質であった
。
初期化処理として、出力２ ｍ Ｗ ，パルス幅１０μ
ｓのレーザービームを照射して記録膜を結晶化した。次
に、記録情報を含む出力１８ｍ Ｗ、パルス幅４５ｎｓ
のレーザービームを照射し、急速冷却して記録膜を非品
質化し、記録ビットを形成して情報の書き込みを行った
。その後、記録膜に出力８ｍ Ｗ １バルス幅４５ｎｓ
のレーザービームを照射してその結晶化温度以上に加熱
することにより、容易かつ高速に情報を消去することが
できた。
ｓのレーザービームを照射して記録膜を結晶化した。次
に、記録情報を含む出力１８ｍ Ｗ、パルス幅４５ｎｓ
のレーザービームを照射し、急速冷却して記録膜を非品
質化し、記録ビットを形成して情報の書き込みを行った
。その後、記録膜に出力８ｍ Ｗ １バルス幅４５ｎｓ
のレーザービームを照射してその結晶化温度以上に加熱
することにより、容易かつ高速に情報を消去することが
できた。
実施例３
記録膜として、Ａｇ Ｉ ｎＴｅ２の代わりに、Ａ ｇ
Ｓ ｂ Ｔ ｅ ２を用いた以外は実施例１と同様に
して光記録媒体を作製した。この記録膜は成膜時には非
品質であった。
Ｓ ｂ Ｔ ｅ ２を用いた以外は実施例１と同様に
して光記録媒体を作製した。この記録膜は成膜時には非
品質であった。
初期化処理として、出力４ｍ’Ｗ，パルス幅２μＳのレ
ーザービームを照射して記録膜を結晶化した。次に、記
録情報を含む出力１［ｉｍ Ｗ、パルス幅４５ｎｓのレ
ーザービームを照射し、急速冷却し一で記録膜を非品質
化し、記録ビットを形成して情報の書き込みを行った。
ーザービームを照射して記録膜を結晶化した。次に、記
録情報を含む出力１［ｉｍ Ｗ、パルス幅４５ｎｓのレ
ーザービームを照射し、急速冷却し一で記録膜を非品質
化し、記録ビットを形成して情報の書き込みを行った。
その後、記録膜に出力６ｍ Ｗ ，パルス幅４５ｎｓの
レーザービームを照射してその結晶化温度以上に加熱す
ることにより、容易かつ高速に情報を消去することがで
きた。
レーザービームを照射してその結晶化温度以上に加熱す
ることにより、容易かつ高速に情報を消去することがで
きた。
実施例４
ガラス基板上に、Ｓｉｎ２ターゲットを使用してスパッ
タ法により厚さ１０００入のＳｉｎ２膜を形成し、第１
の保ａ＋１４とした。第１の保護膜上に、ＡｇＢｉＴｅ
２を真空蒸着法により厚さ８００入に形成し、記録膜と
した。この記録膜は成膜時には非品質であった。記録膜
上に、前記と同様にして、厚さｌ０００λのＳｉｎ２膜
を形成し、第２の保護膜とした。第２の保：ｆｉＳ上に
、ＵＶ樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化させてＵｖ
膜を形威し、第１図に示す光記録媒体を作製した。
タ法により厚さ１０００入のＳｉｎ２膜を形成し、第１
の保ａ＋１４とした。第１の保護膜上に、ＡｇＢｉＴｅ
２を真空蒸着法により厚さ８００入に形成し、記録膜と
した。この記録膜は成膜時には非品質であった。記録膜
上に、前記と同様にして、厚さｌ０００λのＳｉｎ２膜
を形成し、第２の保護膜とした。第２の保：ｆｉＳ上に
、ＵＶ樹脂を塗布し、紫外線を照射して硬化させてＵｖ
膜を形威し、第１図に示す光記録媒体を作製した。
初期化処理として、出力４ ｍ Ｗ ，パルス幅５μＳ
のレーザービームを照射すると、低反射率の結晶相Ａと
なった。次に、記録情報を含む出力１８ｍ Ｗ ，パル
ス幅５０ｎｓのレーザービームを照射し、記録膜を高反
射率の結晶相Ｂへ変化させて記録ビットを形成して情報
の書き込みを行った。その後、記録膜に出力８ ｍ Ｗ
，パルス幅５０ｎ ｓのレーザービームを照射して初
期化時の結晶相Ａへと変化させることにより、容易かつ
高速に情報を消去することができた。
のレーザービームを照射すると、低反射率の結晶相Ａと
なった。次に、記録情報を含む出力１８ｍ Ｗ ，パル
ス幅５０ｎｓのレーザービームを照射し、記録膜を高反
射率の結晶相Ｂへ変化させて記録ビットを形成して情報
の書き込みを行った。その後、記録膜に出力８ ｍ Ｗ
，パルス幅５０ｎ ｓのレーザービームを照射して初
期化時の結晶相Ａへと変化させることにより、容易かつ
高速に情報を消去することができた。
実施例５
記録膜として、ＡｇＢ ｉ Ｔｅ２の代わりに、ＡｇＢ
ｉＳｅ２を用いた以外は実施例４と同様にして光記録媒
体を作製した。この記録膜は成膜時には非品質であった
。
ｉＳｅ２を用いた以外は実施例４と同様にして光記録媒
体を作製した。この記録膜は成膜時には非品質であった
。
初期化処理として、出力４ｍＷ、パルス幅５μｓのレー
ザービームを照射すると、低反射率の結晶相Ａとなった
。次に、記録情報を含む出力１６ｍＷ、パルス幅５０ｎ
ｓのレーザービームを照射し、記録膜を高反射率の結品
相Ｂへ変化させて記録ビットを形成して情報の書き込み
を行った。その後、記録膜に出力８ ｍ Ｗ ，パルス
幅５０ｎｓのレーザービームを照射して初期化時の結晶
相Ａへと変化させることにより、容易かつ高速に情報を
消去することができた。
ザービームを照射すると、低反射率の結晶相Ａとなった
。次に、記録情報を含む出力１６ｍＷ、パルス幅５０ｎ
ｓのレーザービームを照射し、記録膜を高反射率の結品
相Ｂへ変化させて記録ビットを形成して情報の書き込み
を行った。その後、記録膜に出力８ ｍ Ｗ ，パルス
幅５０ｎｓのレーザービームを照射して初期化時の結晶
相Ａへと変化させることにより、容易かつ高速に情報を
消去することができた。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明の光記録媒体では、パワー変
調による高速の記録・消去が可能である。
調による高速の記録・消去が可能である。
また、情報の記録ビットが経時変化により改質すること
がない。このため、高速で記録・消去できるとともに、
長期間にわたって安定した記録状態が維持できる信頼性
の高い光記録媒体を提供できる。
がない。このため、高速で記録・消去できるとともに、
長期間にわたって安定した記録状態が維持できる信頼性
の高い光記録媒体を提供できる。
第１図は本発明に係る光記録媒体の断面図、第２図は本
発明の実施例１の光記録媒体の記録・消去の繰り返し特
性を示す特性図である。 １・・・透明基板、２・・・第１の保護膜、３・・・記
録膜、４・・・第２の保護膜、５・・・ＵＶ膜、６・・
・記録ビット。
発明の実施例１の光記録媒体の記録・消去の繰り返し特
性を示す特性図である。 １・・・透明基板、２・・・第１の保護膜、３・・・記
録膜、４・・・第２の保護膜、５・・・ＵＶ膜、６・・
・記録ビット。
Claims (1)
- 基体上に積層された記録膜を有し、光ビームの照射条
件に応じる結晶−非晶質間又は結晶間の可逆的な相変化
を利用して情報の記録・消去を行う光記録媒体において
、前記記録膜がカルコバイライト構造を有する金属間化
合物からなることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151524A JPH0316783A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151524A JPH0316783A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316783A true JPH0316783A (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15520400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1151524A Pending JPH0316783A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316783A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115295684A (zh) * | 2022-10-08 | 2022-11-04 | 合肥工业大学 | 一种铜锑硒太阳能电池光伏吸收层薄膜的制备方法 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP1151524A patent/JPH0316783A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115295684A (zh) * | 2022-10-08 | 2022-11-04 | 合肥工业大学 | 一种铜锑硒太阳能电池光伏吸收层薄膜的制备方法 |
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