JPH03170347A - サーミスタ組成物 - Google Patents
サーミスタ組成物Info
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- JPH03170347A JPH03170347A JP2233443A JP23344390A JPH03170347A JP H03170347 A JPH03170347 A JP H03170347A JP 2233443 A JP2233443 A JP 2233443A JP 23344390 A JP23344390 A JP 23344390A JP H03170347 A JPH03170347 A JP H03170347A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/14—Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06573—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the permanent binder
- H01C17/0658—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the permanent binder composed of inorganic material
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
2
本発明は厚膜サーミスタ組或物に関する。
[従来の技術]
サーミスタという用語は半導体材料から製造されるデバ
イスに関する一般的な名称であり、それの電気伝導性は
温度変化に非常に敏感である。サーミスタは種々の広範
な産業分野および消費分野で温度センサーとして汎用さ
れているが、特に電気および電子回路において有用であ
る。正の温度係数を有するサーミスタ(PTCサーミス
タ)および負の温度係数を有するサーミスタ(NTCサ
ーミスタ)が使用されている。これまで高い抵抗温度係
数(TCP)を有するサーミスタが入手可能であったが
、それらの材料の抵抗範囲が限られていた。したがって
、高い正サーミスタの設計の自由度が限られていた。例
えばドープされたBaTiOsは高い正のTCPを有す
るが、その使用できる温度範囲は室温〜100゜Cに過
ぎない。一方、高い正のTCPと広い温度範囲を有する
シリコン結晶はスクリーン印刷できず、したがってその
有用性が限られていた。更に、3 Ru02およびRu02誘導体は良好な温度範囲を有す
ることが知られているが、低い正のTCR値しか有して
いなかった。
イスに関する一般的な名称であり、それの電気伝導性は
温度変化に非常に敏感である。サーミスタは種々の広範
な産業分野および消費分野で温度センサーとして汎用さ
れているが、特に電気および電子回路において有用であ
る。正の温度係数を有するサーミスタ(PTCサーミス
タ)および負の温度係数を有するサーミスタ(NTCサ
ーミスタ)が使用されている。これまで高い抵抗温度係
数(TCP)を有するサーミスタが入手可能であったが
、それらの材料の抵抗範囲が限られていた。したがって
、高い正サーミスタの設計の自由度が限られていた。例
えばドープされたBaTiOsは高い正のTCPを有す
るが、その使用できる温度範囲は室温〜100゜Cに過
ぎない。一方、高い正のTCPと広い温度範囲を有する
シリコン結晶はスクリーン印刷できず、したがってその
有用性が限られていた。更に、3 Ru02およびRu02誘導体は良好な温度範囲を有す
ることが知られているが、低い正のTCR値しか有して
いなかった。
[発明の内容]
したがって、本発明は、広い温度範囲にわたって高い正
のTCR値を有するサーミスタを生戒するルテニウムベ
ースパイロクロルに基づく厚膜サーミスタ組戒物に関す
る。
のTCR値を有するサーミスタを生戒するルテニウムベ
ースパイロクロルに基づく厚膜サーミスタ組戒物に関す
る。
特に、本発明は、
(a) 5〜60重量%のルテニウムベースパイロクロ
ル:並びに (b) 95〜40重量%の、ピーク温度700〜10
00°Cで焼成したときに10〜10,000ポイズの
粘度を有する、 (i) ホウ珪酸塩ガラス、または (ii) 下記の(1)および(2)からなるガラス
混合物: (1)全ガラスに基づいて65〜85重量%ガラス形成
性酸化物、ここでこのガラス形戊性酸化物はB20x
25〜50重量%、SI02 404 〜10重量%、ならびにAl20,、Bi203、Zr
O.およびそれらの混合物から選ばれる他のガラス形成
性酸化物30〜0重量%を含有する、および (2)全ガラスに基づいて35〜15重量%のアルカリ
土類金属酸化物から実質的になるガラス変性酸化物、こ
こで全ガラス変性酸化物に基づいてMgOは約10重量
%より多くなく、CuxO、P bo , Z noお
よびそれらの混合物から選ばれる置換酸化物がO〜28
重量%であり、そしてそれらのうちのいずれもが10重
量%を越えず、更にその合計が80重量%を越ないもの
である、 からなる微粒子の混合物を含有し、上記戒分(a)およ
び(b)の両方が(c)有機媒体中に分散している、厚
膜サーミスタ組戒物に関する。
ル:並びに (b) 95〜40重量%の、ピーク温度700〜10
00°Cで焼成したときに10〜10,000ポイズの
粘度を有する、 (i) ホウ珪酸塩ガラス、または (ii) 下記の(1)および(2)からなるガラス
混合物: (1)全ガラスに基づいて65〜85重量%ガラス形成
性酸化物、ここでこのガラス形戊性酸化物はB20x
25〜50重量%、SI02 404 〜10重量%、ならびにAl20,、Bi203、Zr
O.およびそれらの混合物から選ばれる他のガラス形成
性酸化物30〜0重量%を含有する、および (2)全ガラスに基づいて35〜15重量%のアルカリ
土類金属酸化物から実質的になるガラス変性酸化物、こ
こで全ガラス変性酸化物に基づいてMgOは約10重量
%より多くなく、CuxO、P bo , Z noお
よびそれらの混合物から選ばれる置換酸化物がO〜28
重量%であり、そしてそれらのうちのいずれもが10重
量%を越えず、更にその合計が80重量%を越ないもの
である、 からなる微粒子の混合物を含有し、上記戒分(a)およ
び(b)の両方が(c)有機媒体中に分散している、厚
膜サーミスタ組戒物に関する。
以下に、本発明のサーミスタ組戒物で使用する各威分に
ついて具体的に説明する。
ついて具体的に説明する。
A.ルテニウムベースパイロクロル
本発明は、その主な伝導性相がルテニウムパイロクロル
をベースとするものであるサーミスタに関する。現時点
の技術では、これは式(McBiz−c) (M’dR
uz−d) O y−6[式中、Mはイットリウム、タ
リウム、インジウム、カドミウム、鉛および原子番号5
7〜7lを含む希土類金属からなる群の少なくともの1
つ,M7は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアン
チモンのうちの少なくとも1つ:Cは0〜2の数、dは
O−0.5の範囲の数、但しM′がロジウムであるかま
たは白金およびチタンのうちの1つより多いときはdは
0〜lの範囲の数;そしてeは0〜1の範囲の数であり
、モしてMが2価の鉛またはカドミウムのときは約c/
2に少なくとも等しい1 に相当するルテニウム化合物を含むことが知られている
。
をベースとするものであるサーミスタに関する。現時点
の技術では、これは式(McBiz−c) (M’dR
uz−d) O y−6[式中、Mはイットリウム、タ
リウム、インジウム、カドミウム、鉛および原子番号5
7〜7lを含む希土類金属からなる群の少なくともの1
つ,M7は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアン
チモンのうちの少なくとも1つ:Cは0〜2の数、dは
O−0.5の範囲の数、但しM′がロジウムであるかま
たは白金およびチタンのうちの1つより多いときはdは
0〜lの範囲の数;そしてeは0〜1の範囲の数であり
、モしてMが2価の鉛またはカドミウムのときは約c/
2に少なくとも等しい1 に相当するルテニウム化合物を含むことが知られている
。
これらの化合物およびその製造は米国特許第3,583
,931号明細書およびドイツ特許出願S1,816.
0151号に記載されている。米国特許第4.124.
525号、第4.129.525号、第4.146.4
58号、第4.163,706号、第4,176.09
4号、第4,192,780号、第4,203,871
号および第4,225,469号に記載されている金属
リッチなルテニウムベースパイロクロルも本発明の組威
物で使用できる。
,931号明細書およびドイツ特許出願S1,816.
0151号に記載されている。米国特許第4.124.
525号、第4.129.525号、第4.146.4
58号、第4.163,706号、第4,176.09
4号、第4,192,780号、第4,203,871
号および第4,225,469号に記載されている金属
リッチなルテニウムベースパイロクロルも本発明の組威
物で使用できる。
本発明ではその技術的な効果の点から、上記した活性材
料の粒径は厳密には臨界的ではない。
料の粒径は厳密には臨界的ではない。
しかしながら、それらは勿論それが使用される状態、す
なわちそれらが通常スクリーン印刷されモして焼成にま
でもってゆかれる状態に適する大きさでなければならな
い。したがって、上記した金属材料はlOμmよりも大
きくてはならず、約5μmより小さいのが好ましい。実
際は、該金属の入手可能な粒径はO.lum程度の小さ
さである。ルテニウム戒分が少なくとも5 m”/ g
の平均表面積を有するのが望ましく、少なくとも8m”
/ gの平均表面積を有するのがより望ましい。
なわちそれらが通常スクリーン印刷されモして焼成にま
でもってゆかれる状態に適する大きさでなければならな
い。したがって、上記した金属材料はlOμmよりも大
きくてはならず、約5μmより小さいのが好ましい。実
際は、該金属の入手可能な粒径はO.lum程度の小さ
さである。ルテニウム戒分が少なくとも5 m”/ g
の平均表面積を有するのが望ましく、少なくとも8m”
/ gの平均表面積を有するのがより望ましい。
好ましいルテニウム化合物にはBiPbRu20,1、
Bio.tPb+,@Ru20@.r、Bi2Ru.O
yおよびPbzRuzOsが含まれる。
Bio.tPb+,@Ru20@.r、Bi2Ru.O
yおよびPbzRuzOsが含まれる。
7
B.無機結合剤
本発明の無機結合剤威分は、それが用いられる700〜
1000°Cで焼成されたときにlO〜to,000ポ
イズの粘度を示すショート(short)ホウ珪酸塩ガ
ラスである。比較的低温で焼或したときに一層高い粘度
を有するいわゆるロング( long)ガラスと異なり
、本発明の組威物で使用するのに適するショートガラス
は急激に下降する粘度/温度関係を有する。したがって
、好ましいショートガラスは低温では低粘度である。シ
ョートガラスは有機物の燃焼をより完全に促進し、そし
て有機物の燃焼から誘導される可能性のある炭素粒子の
生戊を最小にする。しかしながら、本発明で使用するの
に有効なガラスはアモルファス(ガラス状)または結晶
(非ガラス状)であってもよい。
1000°Cで焼成されたときにlO〜to,000ポ
イズの粘度を示すショート(short)ホウ珪酸塩ガ
ラスである。比較的低温で焼或したときに一層高い粘度
を有するいわゆるロング( long)ガラスと異なり
、本発明の組威物で使用するのに適するショートガラス
は急激に下降する粘度/温度関係を有する。したがって
、好ましいショートガラスは低温では低粘度である。シ
ョートガラスは有機物の燃焼をより完全に促進し、そし
て有機物の燃焼から誘導される可能性のある炭素粒子の
生戊を最小にする。しかしながら、本発明で使用するの
に有効なガラスはアモルファス(ガラス状)または結晶
(非ガラス状)であってもよい。
本発明で使用するためのガラスは、組戒的には65〜8
5重量%のガラス形或性酸化物および35〜15重量%
のガラス変性酸化物を含有するホウ珪酸塩ガラスである
。これらの限定はサーミス8 夕組戊物における働きの点から重要である。特に、15
重量%より少ないガラス変性剤が使用されると、安定な
ガラス状態を形威するのに不充分である。一方、約35
重量%より多いガラス変性剤を使用するとガラスは充分
耐久性ではなくなり、そしてTCEは過度になる。
5重量%のガラス形或性酸化物および35〜15重量%
のガラス変性酸化物を含有するホウ珪酸塩ガラスである
。これらの限定はサーミス8 夕組戊物における働きの点から重要である。特に、15
重量%より少ないガラス変性剤が使用されると、安定な
ガラス状態を形威するのに不充分である。一方、約35
重量%より多いガラス変性剤を使用するとガラスは充分
耐久性ではなくなり、そしてTCEは過度になる。
主なガラス形成性酸化物はガラスの25〜55重量%の
濃度で使用されるB,O,およびガラスの40〜10重
量%の濃度で使用されるSi02である。ガラスは焼成
の間、ガラスの粘度が過度に高くならないように少なく
とも25重量%のB20,を含有しなければならない。
濃度で使用されるB,O,およびガラスの40〜10重
量%の濃度で使用されるSi02である。ガラスは焼成
の間、ガラスの粘度が過度に高くならないように少なく
とも25重量%のB20,を含有しなければならない。
しかしながら、B.O.の含量が約55重量%よりも高
いと、ガラスの耐久性は受容できないレベルにまで低下
するであろう。
いと、ガラスの耐久性は受容できないレベルにまで低下
するであろう。
ガラスはまた30重量%の濃度まで他のガラス形成性酸
化物を含有していてもよい。適当なそのようなガラス形
成性酸化物としてはAI.O.、Bi203、Zr02
およびそれらの混合物を挙げることができる。これら慣
用のガラス形成性酸化物−9 は本発明のすべての応用に対しては必須ではないが、し
かしながらガラスが少なくとも約10重量%、好ましく
は15重量%のそのような第2のガラス形成性酸化物を
含有するのが好ましい。
化物を含有していてもよい。適当なそのようなガラス形
成性酸化物としてはAI.O.、Bi203、Zr02
およびそれらの混合物を挙げることができる。これら慣
用のガラス形成性酸化物−9 は本発明のすべての応用に対しては必須ではないが、し
かしながらガラスが少なくとも約10重量%、好ましく
は15重量%のそのような第2のガラス形成性酸化物を
含有するのが好ましい。
特にBi.O.はガラスの粘度を低下させてガラス焼成
範囲を増すので好ましい。一方、Altosはガラス形
戒性範囲を増すだけでなくその耐久性を改良するので望
ましい。
範囲を増すので好ましい。一方、Altosはガラス形
戒性範囲を増すだけでなくその耐久性を改良するので望
ましい。
本発明のガラス中で使用する主なガラス変性剤は全ガラ
スの35重量%までの量で使用できるアルカリ土類金属
酸化物である。アルカリ土類金属酸化物は個々にまたは
混合して使用ることができる。しかしながら、MgOの
使用量が10重量%より多くないのが望ましく、さもな
いとガラスが厚膜処理条件に付されるときに結晶化する
傾向がある。主威分たるアルカリ土類金属酸化物ガラス
変性剤の80重量%までを、Zn,P bo , Cu
)(0 (Cu20またはCub)またはZr02のよ
うな第2または置換ガラス変性剤で置き換えてもよい。
スの35重量%までの量で使用できるアルカリ土類金属
酸化物である。アルカリ土類金属酸化物は個々にまたは
混合して使用ることができる。しかしながら、MgOの
使用量が10重量%より多くないのが望ましく、さもな
いとガラスが厚膜処理条件に付されるときに結晶化する
傾向がある。主威分たるアルカリ土類金属酸化物ガラス
変性剤の80重量%までを、Zn,P bo , Cu
)(0 (Cu20またはCub)またはZr02のよ
うな第2または置換ガラス変性剤で置き換えてもよい。
しかしながら、ガラス結合剤は他の0
?換ガラス形戒剤を15重量%より多く含有していては
ならず、さもないと焼戒温度におけるガラスの粘度があ
まりにも高くなる。
ならず、さもないと焼戒温度におけるガラスの粘度があ
まりにも高くなる。
ガラス自体に加えて、本発明の組威物は組戊物のHTC
Rを高めるために少量(15重量%まで)のCuOおよ
び/またはZrOあるいはそれらの前駆体を含有するこ
とができる。
Rを高めるために少量(15重量%まで)のCuOおよ
び/またはZrOあるいはそれらの前駆体を含有するこ
とができる。
実際にはX一線回折によると、焼成操作の間にルテニウ
ムベースパイロクロル成分は実質的に完全にRub,に
分解し、そしてパイロクロルの他の酸化物或分はガラス
中に吸収されることが示された。しかしながら、ルテニ
ウムベースパイロクロルの代わりにRu02を用いたと
きには、焼成された組威物の性質は全く異なる。例えば
、本発明の組戊物は焼成されると高い正のTCR値を有
するサーミスタになるが、従来のRuO■ペース組威物
は適度に負のTCR値と低いR値になる。
ムベースパイロクロル成分は実質的に完全にRub,に
分解し、そしてパイロクロルの他の酸化物或分はガラス
中に吸収されることが示された。しかしながら、ルテニ
ウムベースパイロクロルの代わりにRu02を用いたと
きには、焼成された組威物の性質は全く異なる。例えば
、本発明の組戊物は焼成されると高い正のTCR値を有
するサーミスタになるが、従来のRuO■ペース組威物
は適度に負のTCR値と低いR値になる。
したがって最終組或物における主な伝導性成分が同じで
あるとしても電気的性質は全く相違する。この明らかな
ずれに対する理由は充分解明1l されてはいないが、パイロクロルの分解生成物がガラス
結合剤に作用して上記のような影響を与えるのであろう
と予想される。
あるとしても電気的性質は全く相違する。この明らかな
ずれに対する理由は充分解明1l されてはいないが、パイロクロルの分解生成物がガラス
結合剤に作用して上記のような影響を与えるのであろう
と予想される。
ガラスは従来のガラス製造技術によって所望の戒分を所
望の割合で混合しそして混合物を加熱して熔融状態にす
ることにより製造される。
望の割合で混合しそして混合物を加熱して熔融状態にす
ることにより製造される。
よく知られているように、加熱はピーク温度にまでそし
て熔融物が完全に液状で均一になるような時間行われる
。本発明を実施するには、成分をプラスチック球を含有
するポリエチレン製の容器中で予備混合し、次にガラス
の組或に応じてるつぼ中でl200゜Cまで熔融する。
て熔融物が完全に液状で均一になるような時間行われる
。本発明を実施するには、成分をプラスチック球を含有
するポリエチレン製の容器中で予備混合し、次にガラス
の組或に応じてるつぼ中でl200゜Cまで熔融する。
熔融物はピーク温度で1〜3時間加熱する。冷却中の水
の最高温度を熔融物に対する水の容量を増すことによっ
て可能な限り低く保つ。水から分離した後の粗フリット
は空気中で乾燥することによりまたはメタノールで洗浄
して水を置き換えることによって残留する水から分離す
る。次に、粗フリットをアルミナポールを使用してアル
ミナ容器中で3〜5時間ポールミルする。X一線l2 回折分析で測定した結果、材料中へのアルミナの混入は
観察可能な限度内になかった。
の最高温度を熔融物に対する水の容量を増すことによっ
て可能な限り低く保つ。水から分離した後の粗フリット
は空気中で乾燥することによりまたはメタノールで洗浄
して水を置き換えることによって残留する水から分離す
る。次に、粗フリットをアルミナポールを使用してアル
ミナ容器中で3〜5時間ポールミルする。X一線l2 回折分析で測定した結果、材料中へのアルミナの混入は
観察可能な限度内になかった。
ミルから粉砕されたフリットスラリーを排出させた後、
余分の溶媒をデカンテーションで除き、そして室温でフ
リット粉末を空気乾燥する。
余分の溶媒をデカンテーションで除き、そして室温でフ
リット粉末を空気乾燥する。
次に、乾燥粉末を324メッシュスクリーンを通して篩
分けしてすべての大きな粒子を除く。
分けしてすべての大きな粒子を除く。
7リットの主な2つの性質は、それが無機結晶粒状物の
液相焼成を助け、そして厚膜抵抗体の製造における加熱
一冷却サイクル(焼成サイクル)の間に失透によって非
結晶(アモルファス)または結晶物質を形或することで
ある。失透工程によって、前駆体である非結晶(ガラス
)材料と同じ組或を有する単結晶相または前駆体である
ガラス材料の組戒とは異なる組威を有する多結晶相のい
ずれかを生戊することができる。
液相焼成を助け、そして厚膜抵抗体の製造における加熱
一冷却サイクル(焼成サイクル)の間に失透によって非
結晶(アモルファス)または結晶物質を形或することで
ある。失透工程によって、前駆体である非結晶(ガラス
)材料と同じ組或を有する単結晶相または前駆体である
ガラス材料の組戒とは異なる組威を有する多結晶相のい
ずれかを生戊することができる。
D.有機媒体
無機粒子を実質的に不活性な液体媒体(ベヒクル)と機
械的に混合して(例えばロールミル13 で)スクリーン印刷に適した粘度および流動性を有する
ペースト状組成物を形戒する。ペースト状組戊物は通常
の方法で通常の誘電体基体に厚膜として印刷される。
械的に混合して(例えばロールミル13 で)スクリーン印刷に適した粘度および流動性を有する
ペースト状組成物を形戒する。ペースト状組戊物は通常
の方法で通常の誘電体基体に厚膜として印刷される。
すべての不活性液体がベヒクルと使用できる。
濃化剤および/または安定剤および/または他の汎用の
添加剤を使用してまたは使用せずに、種々の有機液体を
ベヒクルとして使用できる。
添加剤を使用してまたは使用せずに、種々の有機液体を
ベヒクルとして使用できる。
使用可能な有機液体の例は、脂肪族アルコール;脂肪族
アルコールのエステル(例えば該アルコールの酢酸およ
びプロピオン酸エステル);ビネン油、テルビノール等
のテルペン類;およびポリメチルメタクリレートの低級
アルコール溶液、ピネン油およびエチレングリコールモ
ノアセテートのモノブチルエーテル等の溶媒中のエチル
セルロース溶液などの樹脂溶液である。
アルコールのエステル(例えば該アルコールの酢酸およ
びプロピオン酸エステル);ビネン油、テルビノール等
のテルペン類;およびポリメチルメタクリレートの低級
アルコール溶液、ピネン油およびエチレングリコールモ
ノアセテートのモノブチルエーテル等の溶媒中のエチル
セルロース溶液などの樹脂溶液である。
好ましいベヒクルはエチルセルロースおよびβテルヒノ
ールに基づく。基体に施した後に硬化を促進するために
ベヒクルは揮発性液体を含有していてもよい。
ールに基づく。基体に施した後に硬化を促進するために
ベヒクルは揮発性液体を含有していてもよい。
I4
分散物中におけるベヒクル:固体の比は分散物の施し方
および使用されるペヒクルの種類に応じてかなり自由に
変えることができる。良好な被覆を達或するために、通
常分散物は約60〜90%の固体と40〜10%のベヒ
クルを含有する。
および使用されるペヒクルの種類に応じてかなり自由に
変えることができる。良好な被覆を達或するために、通
常分散物は約60〜90%の固体と40〜10%のベヒ
クルを含有する。
本発明の組戒物は、その良好な性質に影響を及ぼさない
限りは勿論他の物質で変性してもよい。
限りは勿論他の物質で変性してもよい。
そのような配合は通常よく知られている。
ペーストは通常3−ロールミルで製造する。
ぺ−ストの粘度はプルツクフィールドHBT粘度計を使
用して低、中および高剪断速度で測定したときに典型的
には次の範囲にある。
用して低、中および高剪断速度で測定したときに典型的
には次の範囲にある。
剪断速度(sec− ’ ) 粘 度(Pa
.s)0.2 100〜5000好まし
くは300〜2000 最も好ましくは600〜1500 4 40〜400好ましくは1
00〜250 最も好ましくは140〜200 3847〜40 好ましくはlO〜25 最も好ましくは12〜l8 15 使用するベヒクルの量は最終的に必要な配合物の粘度に
よって決定される。
.s)0.2 100〜5000好まし
くは300〜2000 最も好ましくは600〜1500 4 40〜400好ましくは1
00〜250 最も好ましくは140〜200 3847〜40 好ましくはlO〜25 最も好ましくは12〜l8 15 使用するベヒクルの量は最終的に必要な配合物の粘度に
よって決定される。
配合および利用
本発明の組戊物の製造においては、粒状の無機固体を有
機キャリアーと混合し、モして3一ロールミルのような
適当な装置を使用して分散させて、4sec−’の剪断
速度で約100〜150パスカルー秒の範囲の粘度を有
する組戊物からなる分散体を形戊する。
機キャリアーと混合し、モして3一ロールミルのような
適当な装置を使用して分散させて、4sec−’の剪断
速度で約100〜150パスカルー秒の範囲の粘度を有
する組戊物からなる分散体を形戊する。
下記の実施例においては配合を次のようにして行った。
ペーストの成分、約5重量%に相当する約5%を引いた
有機成分を容器中で一緒に計量する。
有機成分を容器中で一緒に計量する。
成分を次に激しく撹拌して均一な配合物を形威し、その
配合物を3−ロールミルのような分散装置をとおして粒
子を良好に分散させる。ペースト中における粒子の分散
状態を測定するためにHegmanゲージを使用する。
配合物を3−ロールミルのような分散装置をとおして粒
子を良好に分散させる。ペースト中における粒子の分散
状態を測定するためにHegmanゲージを使用する。
この装置は一方の端部において25μm(lミル)の深
さであり他方の端部でOインチまで傾斜しているチャン
イルを16 スチールブロック中に有している。チャンネルの長さに
沿ってペーストを流下させるためにブレードを使用する
。凝集物の直径がチャンネルの深さよりも大きいとチャ
ンネル中に引っ掻きキズ(スクラッチ)が生じるであろ
う。満足のゆく分散物は典型的には10−18の1八ス
クラッチ点を生ずる。チャンネルの半分がよく分散され
たペーストで覆われない点は典型的には3〜8の間であ
る。〉20μmの1八スクラッチ測定および>10μm
の半一チャンネル測定はよく分散されていない分散物を
示す。
さであり他方の端部でOインチまで傾斜しているチャン
イルを16 スチールブロック中に有している。チャンネルの長さに
沿ってペーストを流下させるためにブレードを使用する
。凝集物の直径がチャンネルの深さよりも大きいとチャ
ンネル中に引っ掻きキズ(スクラッチ)が生じるであろ
う。満足のゆく分散物は典型的には10−18の1八ス
クラッチ点を生ずる。チャンネルの半分がよく分散され
たペーストで覆われない点は典型的には3〜8の間であ
る。〉20μmの1八スクラッチ測定および>10μm
の半一チャンネル測定はよく分散されていない分散物を
示す。
ペーストの有機成分の残りの5%を次に加え、そして完
全に配合したときに4sec−’の剪断速度で140〜
200Pa.sの粘度になるように樹脂含量を調整する
。次に組成物を通常はスクリーン印刷法によって約30
〜80ミクロン、好ましくは35〜70ミクロン、より
好ましくは40〜50ミクロンの湿潤厚さにアルミナセ
ラミックのような基体に施す。本発明の電極組戊物を自
動印刷機または手動印刷機のいずれかを使用して常法に
よって基体に印刷することができ、200〜300メッ
シュスクリーンを使用して自動スクリーンステンシル印
刷技術で行うのが好ましい。次に焼成前に印刷パターン
を200℃より低い温度(約150℃)で乾燥する。無
機結合剤および金属微粒子の両方を焼成するための加熱
を充分通気したベルトコンベア炉中で行うが、その温度
条件は約300〜600゜Cにおける有機成分の焼失、
5〜15分間約700〜1000°Cの最高温度を継続
させること、モして過焼成、中間温度での望ましくない
化学反応および余りに急速な冷却による基体の破壊を防
止するための調節された冷却サイクルからなる。焼成工
程は好ましくは全体で約1時間にわたり、これは焼戒温
度に達するための20〜25分、焼成温度に於ける約I
O分および冷却における約20〜25分からなっている
。場合によっては全体のサイクル時間は30分のような
短い時間であってもよい。
全に配合したときに4sec−’の剪断速度で140〜
200Pa.sの粘度になるように樹脂含量を調整する
。次に組成物を通常はスクリーン印刷法によって約30
〜80ミクロン、好ましくは35〜70ミクロン、より
好ましくは40〜50ミクロンの湿潤厚さにアルミナセ
ラミックのような基体に施す。本発明の電極組戊物を自
動印刷機または手動印刷機のいずれかを使用して常法に
よって基体に印刷することができ、200〜300メッ
シュスクリーンを使用して自動スクリーンステンシル印
刷技術で行うのが好ましい。次に焼成前に印刷パターン
を200℃より低い温度(約150℃)で乾燥する。無
機結合剤および金属微粒子の両方を焼成するための加熱
を充分通気したベルトコンベア炉中で行うが、その温度
条件は約300〜600゜Cにおける有機成分の焼失、
5〜15分間約700〜1000°Cの最高温度を継続
させること、モして過焼成、中間温度での望ましくない
化学反応および余りに急速な冷却による基体の破壊を防
止するための調節された冷却サイクルからなる。焼成工
程は好ましくは全体で約1時間にわたり、これは焼戒温
度に達するための20〜25分、焼成温度に於ける約I
O分および冷却における約20〜25分からなっている
。場合によっては全体のサイクル時間は30分のような
短い時間であってもよい。
試料の調製
抵抗体の温度係数(TCP)を測定するための試料を次
のようにして調製した。
のようにして調製した。
lO個の印をつけたAlsimag 6141X 1イ
ンチセラミック基体の各々に試験するサーミスタ配合の
パターンをスクリーン印刷しそして室温で平衡させてか
ら150°0で乾燥した。焼戒前の乾燥膜の各々の平均
厚さはBrush表面分析装置(Surfanalyz
er)により測定して22〜28ミクロンにすべきであ
る。次に乾燥し印刷された基体を、850℃までl分当
たり35°Cの速度で加熱ずる:850°0に9〜lO
分間保つ;そして1分当たり30℃の速度で周囲温度ま
で冷却することからなるサイクルを採用して約60分間
焼或する。
ンチセラミック基体の各々に試験するサーミスタ配合の
パターンをスクリーン印刷しそして室温で平衡させてか
ら150°0で乾燥した。焼戒前の乾燥膜の各々の平均
厚さはBrush表面分析装置(Surfanalyz
er)により測定して22〜28ミクロンにすべきであ
る。次に乾燥し印刷された基体を、850℃までl分当
たり35°Cの速度で加熱ずる:850°0に9〜lO
分間保つ;そして1分当たり30℃の速度で周囲温度ま
で冷却することからなるサイクルを採用して約60分間
焼或する。
抵抗の測定および計算
試験基体を調温した室中にある端子棒にのせてデジタル
オーム計に電気接続する。室の温度を25℃に調節して
平衡させ、その後各基体の抵抗を測定して記録する。
オーム計に電気接続する。室の温度を25℃に調節して
平衡させ、その後各基体の抵抗を測定して記録する。
次に室の温度を125°Cまで上昇させて平衡させ、そ
の後基体の抵抗を再び測定して記録する。
の後基体の抵抗を再び測定して記録する。
室の温度を次いで−55℃に冷却して平衡させ、l9
それから低温抵抗を測定して記録する。
高温抵抗係数および低温抵抗係数(TCP)を次により
計算する。
計算する。
Rashと高温TCRの値を平均し、モしてR2st値
を乾燥印刷厚さ25ミクロンに、標準化して25ミクロ
ンの乾燥印刷厚さにおける平方当たりオームとして抵抗
率として記録する。多くのK験値の標準化は次の関係式
により計算する。
を乾燥印刷厚さ25ミクロンに、標準化して25ミクロ
ンの乾燥印刷厚さにおける平方当たりオームとして抵抗
率として記録する。多くのK験値の標準化は次の関係式
により計算する。
実施例
下記の実施例では、すべての厚膜組戊物および無機結合
剤を製造し、それからなる最終的なサーミスタを上記し
た方法で試験した。
剤を製造し、それからなる最終的なサーミスタを上記し
た方法で試験した。
表lには本発明の4つのガラス組戊物を挙げてある。
20
表 1
好ましいガラス組威物
i 戊(重量%)
ガラス形威性威分
AI,03
B20,
Bi.O.
Si .0,
Zr02
小計
ガラス変戊剤
BaO
CaO
MgO
SrO
小計
PbO
ZnO
CuO
小計
合 計
l
5.0
55.0
15.0
75.0
20.0
5.0
25.0
FO3
ガラス番号
23
4
55.0
20.0
75.0
4、3
47.3
l7.4
4.5
73、5
4.3
42.5
5.O
l7.4
4.5
73.5
17.2 17.2
5.0 2.1 2.1IO.0
25.0 19.3 19.3l0.0
FO5A
実施例 l〜8
表2に記載されているようにこれらの実施例はその組戊
においてのみ相違している。
においてのみ相違している。
22
?施例l〜6は本発明のサーミスタの電気特性に対する
ルテニウム酸鉛含量の増加の影響を示す。特にルテニウ
ム酸鉛の濃度が増加するにつれてHTCRが急速に上昇
し非常に高い正の値になる。X一線回折による焼成した
サーミスタの試験では、Rub.に対してのみ回折線を
示し、Pb.Ru20.に対しては回折線を示さなかっ
た。同当量のRu02を含有する実施例3と7を対比す
ると、添加されたRuO■のみを含有する実施例7のサ
ーミスタはPb2Ru206から焼或により誘導された
Ru02を含有する実施例3のサーミスタに比べてほぼ
2オーダー高い抵抗値を有することがわかる。
ルテニウム酸鉛含量の増加の影響を示す。特にルテニウ
ム酸鉛の濃度が増加するにつれてHTCRが急速に上昇
し非常に高い正の値になる。X一線回折による焼成した
サーミスタの試験では、Rub.に対してのみ回折線を
示し、Pb.Ru20.に対しては回折線を示さなかっ
た。同当量のRu02を含有する実施例3と7を対比す
ると、添加されたRuO■のみを含有する実施例7のサ
ーミスタはPb2Ru206から焼或により誘導された
Ru02を含有する実施例3のサーミスタに比べてほぼ
2オーダー高い抵抗値を有することがわかる。
実施例5を実施例8と対比すると、ジルコン(ZrSi
Ot)充填剤の添加により非常に大幅な抵抗の増加とH
TCRの減少が生じて}ITCRは負になることがわか
る。焼成によりZrSi04がガラス結合剤中に溶けて
その粘度を上昇させると考えられる。
Ot)充填剤の添加により非常に大幅な抵抗の増加とH
TCRの減少が生じて}ITCRは負になることがわか
る。焼成によりZrSi04がガラス結合剤中に溶けて
その粘度を上昇させると考えられる。
実施例 9〜12
23
表 3
サーミスタ電気特性に対する添加剤の影響実施例番号
組 成(重量%) 1 ユ貼 1L ユt
ガラスNo.l 90.0 8(LO
80.0 76.5Pb2Ru206
10.0 10.0 10.0
10.OZrSiO+ 1
0.0 8.OZnO
− − 10.0 4.5CuO
− −
− 1.0電気特性 RaV(Ω/−) 10.4 7795.3
8.8 173.3HTCRav{pl)m/
℃) 376 105 240 31
8上記表3に示した実施例9〜l2はすべて同じ量のパ
イロクロルを含有しているが、ガラス結合剤の一部が金
属酸化物充填剤により置き換えられている(実施例9は
前記した実施例5と同じであり、そして実施例10は前
記した実施例8と同じである点に留意すること)。実施
例lOはZrSiO.の使用により抵抗が上昇し、TC
I2が低くなることを示している。実施例l1はZnO
が抵抗を上昇させTCPをやや低下させることを示し2
4 ている。実施例l2はCuOおよびZnOを組み合わせ
て使用することにより、抵抗値が大きく相違するが等し
いTCR値のサーミスタが製造できることを示す。充填
剤は組成物の焼或粘度に影響を及ぼし、ZrSiO.は
ガラス粘度を上昇させ、ZnOはガラス粘度を低下させ
る。
ガラスNo.l 90.0 8(LO
80.0 76.5Pb2Ru206
10.0 10.0 10.0
10.OZrSiO+ 1
0.0 8.OZnO
− − 10.0 4.5CuO
− −
− 1.0電気特性 RaV(Ω/−) 10.4 7795.3
8.8 173.3HTCRav{pl)m/
℃) 376 105 240 31
8上記表3に示した実施例9〜l2はすべて同じ量のパ
イロクロルを含有しているが、ガラス結合剤の一部が金
属酸化物充填剤により置き換えられている(実施例9は
前記した実施例5と同じであり、そして実施例10は前
記した実施例8と同じである点に留意すること)。実施
例lOはZrSiO.の使用により抵抗が上昇し、TC
I2が低くなることを示している。実施例l1はZnO
が抵抗を上昇させTCPをやや低下させることを示し2
4 ている。実施例l2はCuOおよびZnOを組み合わせ
て使用することにより、抵抗値が大きく相違するが等し
いTCR値のサーミスタが製造できることを示す。充填
剤は組成物の焼或粘度に影響を及ぼし、ZrSiO.は
ガラス粘度を上昇させ、ZnOはガラス粘度を低下させ
る。
実施例 13〜l8
上記表4のデータはサーミスタの特性に対する鉛不含有
ガラス(表1のガラス3):鉛含有ガラス(ガラスA)
の比の変化による影響を示す。
ガラス(表1のガラス3):鉛含有ガラス(ガラスA)
の比の変化による影響を示す。
特に実施例l3およびl4は、充填剤ZrSiO,の濃
度が高いときですらPbOの量が増加するにつれて抵抗
が低下することそしてTCPが一層正になることを示し
ている。実施例l3および15は充填剤の使用により抵
抗が上昇しそしてTCR値が低下することを示している
。しかしながら、実施例l4を実施例15と対比し、そ
して実施例l6を実施例l7と対比すると、充填剤の使
用は常に抵抗を上昇させ且つTCPを低下させるとは限
らず、それはPbO含有ガラス:PbO不含有ガラスの
比に依存することがわかる。
度が高いときですらPbOの量が増加するにつれて抵抗
が低下することそしてTCPが一層正になることを示し
ている。実施例l3および15は充填剤の使用により抵
抗が上昇しそしてTCR値が低下することを示している
。しかしながら、実施例l4を実施例15と対比し、そ
して実施例l6を実施例l7と対比すると、充填剤の使
用は常に抵抗を上昇させ且つTCPを低下させるとは限
らず、それはPbO含有ガラス:PbO不含有ガラスの
比に依存することがわかる。
実施例l6およびl7を実施例18と対比すると、Pb
O含有ガラスの量が増加するにつれて抵抗が低下してT
CPが上昇することがわかる。
O含有ガラスの量が増加するにつれて抵抗が低下してT
CPが上昇することがわかる。
実施例 19〜26
27
28
実施例l9および20の対比から、B20,を少量のB
i203で置換しているガラス4の使用により抵抗値が
あまりに高くまで上昇して測定できないことがわかる。
i203で置換しているガラス4の使用により抵抗値が
あまりに高くまで上昇して測定できないことがわかる。
この現象はBi203含有ガラスの粘度低下の結果であ
る。
る。
実施例2lは実施例l9におけるよりも少量のパイロク
ロルの使用によって抵抗値が測定するにはあまりにも高
くまで上昇することを示している。
ロルの使用によって抵抗値が測定するにはあまりにも高
くまで上昇することを示している。
しかしながら、ガラスAの10%を置き換えることによ
り、有効な抵抗値が得られ、且つ良好なTCR値も達成
される。これらの実施例は更に組成物を混合することに
よって(実施例l9および22) 、R値がlO〜IO
OKΩ/゜を有する一連の抵抗体が得られることを示す
。
り、有効な抵抗値が得られ、且つ良好なTCR値も達成
される。これらの実施例は更に組成物を混合することに
よって(実施例l9および22) 、R値がlO〜IO
OKΩ/゜を有する一連の抵抗体が得られることを示す
。
実施例23はルテニウム酸鉛の代わりにルテニウム酸ビ
スマスを使用することを示しており、2種類のルテニウ
ム酸塩が本発明のサーミスタ組戒物において等しく充分
に有用であることを示している。
スマスを使用することを示しており、2種類のルテニウ
ム酸塩が本発明のサーミスタ組戒物において等しく充分
に有用であることを示している。
実施例24および25は非常に微妙であるが重要な点を
示す。特に、これら2つの組或物は同じ当量のRub.
を含有しているが、焼成されたサーミスタは同じ特性を
有していない。したがって、ルテニウムベースパイロク
ロルから誘導されたRu02の存在はRub2自体の使
用とは同じではない。これらのデータから本発明の組戒
物のガラスの反応が非常に重要であることが理解される
。
示す。特に、これら2つの組或物は同じ当量のRub.
を含有しているが、焼成されたサーミスタは同じ特性を
有していない。したがって、ルテニウムベースパイロク
ロルから誘導されたRu02の存在はRub2自体の使
用とは同じではない。これらのデータから本発明の組戒
物のガラスの反応が非常に重要であることが理解される
。
一方、実施例25および26は組威物中のパイロクロル
量の増加が抵抗値を低下させそして正のTCR値を上昇
させることを示している。
量の増加が抵抗値を低下させそして正のTCR値を上昇
させることを示している。
実施例27および28
表 6
サーミスタの電気特性に対する酸化銅添加の影響?施例
番号 組 成 (重量%)27 28ガラスNo.
4 70.0 65.7ガラスNo.
B 1)10.0 10.0Pb,Ru,0.
20−0 20.OCu20
4.3電気特性 Rav(Ω/’/mil) 4717
164HTCR (ppm/ ’0 )
1092 2735CTCR (ppm/”O )
1228 3122(1) 57.5重量
%のPb0, 24.5重量%のSin.、0.8重量
%のA1■0,、16.2重量%のB20,および1.
0重量%のCu,O . 上記表6のデータは同じ相対量のPbJu20Bを含有
する組戊物への酸化銅(Cu20)の添加によりHTR
CおよびCTRCの両方が実質的に上昇し、抵抗が実質
的に低下することを示す。
番号 組 成 (重量%)27 28ガラスNo.
4 70.0 65.7ガラスNo.
B 1)10.0 10.0Pb,Ru,0.
20−0 20.OCu20
4.3電気特性 Rav(Ω/’/mil) 4717
164HTCR (ppm/ ’0 )
1092 2735CTCR (ppm/”O )
1228 3122(1) 57.5重量
%のPb0, 24.5重量%のSin.、0.8重量
%のA1■0,、16.2重量%のB20,および1.
0重量%のCu,O . 上記表6のデータは同じ相対量のPbJu20Bを含有
する組戊物への酸化銅(Cu20)の添加によりHTR
CおよびCTRCの両方が実質的に上昇し、抵抗が実質
的に低下することを示す。
実施例 29〜3l
3l
表
7
サーミスタの電気特性に対する酸化銅
および珪酸ジルコニウム添加の影響
実施例番号
29 30
50.0 57.9
10.0 10.0
22.9 15.0
10.0 10.0
7.1 7.1
組 戊 (重量%)
ガラスNO.4
ガラスNo.B
Pb2R+g06
CuxO
ZrSiO
電気特性
Rav(Ω/’/ mil) 57
231 5150HTCR (ppm/’O)
3219 2998 2379CTCR
(ppm/ ’O) 2907 2645
2143■ 72.9 10.0 10.0 lO,0 7.1 表7のデータを実施例27のデータと比較すると、Zr
SiO.の添加によりHTRCおよびCTRCの両方が
非常に大幅に上昇すること、そしてZrSiO.はC+
gOと組み合わせて広い範囲の電気特性を有する一連の
′サーミスタの製造に使用できることがわかる。
231 5150HTCR (ppm/’O)
3219 2998 2379CTCR
(ppm/ ’O) 2907 2645
2143■ 72.9 10.0 10.0 lO,0 7.1 表7のデータを実施例27のデータと比較すると、Zr
SiO.の添加によりHTRCおよびCTRCの両方が
非常に大幅に上昇すること、そしてZrSiO.はC+
gOと組み合わせて広い範囲の電気特性を有する一連の
′サーミスタの製造に使用できることがわかる。
実施例 32〜34
32
表 8
一連の抵抗特性を得るための充填剤/
ガラス組合せの使用
実施例番号
3233
22,0 24.7
26.0 29.3
10.3 10.3
17.3 11.3
3.0 3.0
14.3 14.3
7.1 7.1
m 戊 (重量%)
ガラスNo.4
ガラスNo.A
ガラスNo.B
Pb.Ru.Oa
Cu20
ZrSiO.
Si02
電気特性
Rav(Ω/’/mil) 0.9 10
.1 215.9HTCR (ppm/ ’O )
2528 2668 2397CTCR
(ppm/’O) 3092 3134
304734 25.6 30.4 10.3 9.3 3.O l4.3 7.1 上記表8のデータは本発明におけるガラス混合物を使用
すると広い範囲の抵抗値を有するサーミスタを製造でき
ることを示している。充填剤としてのZrSiO.の使
用は本質的にはTCPに影響を及ぼさない。同様にSi
02は焼成された組成33 物の粘度およびCTEにのみ影響を及ぼす。CulOは
抵抗およびTCR値の両方を調節するのに使用しIこ。
.1 215.9HTCR (ppm/ ’O )
2528 2668 2397CTCR
(ppm/’O) 3092 3134
304734 25.6 30.4 10.3 9.3 3.O l4.3 7.1 上記表8のデータは本発明におけるガラス混合物を使用
すると広い範囲の抵抗値を有するサーミスタを製造でき
ることを示している。充填剤としてのZrSiO.の使
用は本質的にはTCPに影響を及ぼさない。同様にSi
02は焼成された組成33 物の粘度およびCTEにのみ影響を及ぼす。CulOは
抵抗およびTCR値の両方を調節するのに使用しIこ。
更に、本発明の態様を示すと以下のとおりである。
1)(a)5〜60重量%のルテニウムベースパイロク
ロル:並びに (b) 95〜40重量%の、ピーク温度700−10
0000で焼成したときに10−10,000ポイズの
粘度を有する、 (i) ホウ珪酸塩ガラス、または (ii) 下記の(1)および(2)からなるガラス
混合物; (1)全ガラスに基づいて65〜85重量%ガラス形成
性酸化物、ここでこのガラス 形成性酸化物はB.oi25〜50重量%、SiOz
40〜10重量%、ならびにAl20,、Bi203、
Zr02およびそれらの混合物から選ばれる他のガラス
形成性酸化物30〜0重量%を含有する、および 34 (2)全ガラスに基づいて35〜15重量%のアルカリ
土類金属酸化物から実質的に なるガラス変性酸化物、ここで全ガラ ス変性酸化物に基づいてMgOは約lO重量%より多く
なく、CuxO1PbO1ZnOおよびそれらの混合物
から選ば れる置換酸化物がO〜28重量%であり、そしてそれら
のうちのいずれもがIO重量%を越えず、更にその合計
が80重量%を越ないものである、 からなる微粒子の混合物を含有し、上記戒分(a)およ
び(b)の両方が(c)有機媒体中に分散している、厚
膜サーミスタ組威物。
ロル:並びに (b) 95〜40重量%の、ピーク温度700−10
0000で焼成したときに10−10,000ポイズの
粘度を有する、 (i) ホウ珪酸塩ガラス、または (ii) 下記の(1)および(2)からなるガラス
混合物; (1)全ガラスに基づいて65〜85重量%ガラス形成
性酸化物、ここでこのガラス 形成性酸化物はB.oi25〜50重量%、SiOz
40〜10重量%、ならびにAl20,、Bi203、
Zr02およびそれらの混合物から選ばれる他のガラス
形成性酸化物30〜0重量%を含有する、および 34 (2)全ガラスに基づいて35〜15重量%のアルカリ
土類金属酸化物から実質的に なるガラス変性酸化物、ここで全ガラ ス変性酸化物に基づいてMgOは約lO重量%より多く
なく、CuxO1PbO1ZnOおよびそれらの混合物
から選ば れる置換酸化物がO〜28重量%であり、そしてそれら
のうちのいずれもがIO重量%を越えず、更にその合計
が80重量%を越ないものである、 からなる微粒子の混合物を含有し、上記戒分(a)およ
び(b)の両方が(c)有機媒体中に分散している、厚
膜サーミスタ組威物。
2)ルテニウムベースパイロクロルがP b 2 R
u z O a、Bi2RuzOyおよびそれらの混合
物から選ばれる上記l項記載の組戒物。
u z O a、Bi2RuzOyおよびそれらの混合
物から選ばれる上記l項記載の組戒物。
3)組或物が15重量%までのガラス形戒性金属酸化物
を含有する上記1項記載の組戒物。
を含有する上記1項記載の組戒物。
4)ガラス形戒性金属酸化物が酸化銅、酸化亜鉛および
それらの混合物から選ばれる上記335 項記載の組成物。
それらの混合物から選ばれる上記335 項記載の組成物。
5) ガラスが5.0重量%のAl.O.、55.0重
量%のB,0,、15重量%のSin.、20重量%の
Ba○および5重量%のMgOを含有する上記1項記載
の組戊物。
量%のB,0,、15重量%のSin.、20重量%の
Ba○および5重量%のMgOを含有する上記1項記載
の組戊物。
6)ガラスが55.0重量%のB20,、20重量%の
Si02、10重量%のBaO95.0重量%のMgO
および10.0重量%のSrOを含有する上記1項記載
の組戒物。
Si02、10重量%のBaO95.0重量%のMgO
および10.0重量%のSrOを含有する上記1項記載
の組戒物。
7) ガラスが4.3重量%のAI.O.、47.3重
量%のB203、l7.4重量%のSi02、4.5重
量%のZr02、17.2重量%のBaOおよび2.1
重量%のMgOを含有し、そして組或物が6、7重量%
のZnOおよび0.5重量%の酸化銅をも含有する上記
3項記載の組或物。
量%のB203、l7.4重量%のSi02、4.5重
量%のZr02、17.2重量%のBaOおよび2.1
重量%のMgOを含有し、そして組或物が6、7重量%
のZnOおよび0.5重量%の酸化銅をも含有する上記
3項記載の組或物。
8) ガラスが4.3重量%のAl20.、42.3重
量%のB20,、5.0重量%のBi20.、l7.4
重量%のSi02、4.5重量%のZr02、17.2
重量%のBaOおよび2.1重量%のMgOを含有し、
モして組或物が6.7重量%のZnOおよび0.5重量
%の酸化銅36 をも含有する上記3項記載の組或物。
量%のB20,、5.0重量%のBi20.、l7.4
重量%のSi02、4.5重量%のZr02、17.2
重量%のBaOおよび2.1重量%のMgOを含有し、
モして組或物が6.7重量%のZnOおよび0.5重量
%の酸化銅36 をも含有する上記3項記載の組或物。
9)有機媒体を揮発させてガラスを液相焼成させるため
に焼成した上記1項記載の組成物の印刷層を有するサー
ミスタ。
に焼成した上記1項記載の組成物の印刷層を有するサー
ミスタ。
10) (a)上記1項記載の組成物を基体に施し、
そして(b)施した層を焼成して有機媒体を揮発させて
ガラスの液相焼或を行わせる、一連の工程よりなるサー
ミスタの製造方法。
そして(b)施した層を焼成して有機媒体を揮発させて
ガラスの液相焼或を行わせる、一連の工程よりなるサー
ミスタの製造方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)(a)5〜60重量%のルテニウムベースパイロク
ロル;並びに (b)95〜40重量%の、ピーク温度700〜100
0℃で焼成したときに10〜10,000ポイズの粘度
を有する、 (i)ホウ珪酸塩ガラス、または (ii)下記の(1)および(2)からなるガラス混合
物; (1)全ガラスに基づいて65〜85重量%ガラス形成
性酸化物、ここでこのガラス 形成性酸化物はB_2O_325〜50重量%、SiO
_240〜10重量%、ならびにAl_2O_3、Bi
_2O_3、ZrO_2およびそれらの混合物から選ば
れる他のガラス形成性酸化物30〜0重量%を含有する
、および (2)全ガラスに基づいて35〜15重量%のアルカリ
土類金属酸化物から実質的になるガラス変性酸化物、こ
こで全ガラス変性酸化物に基づいてMgOは約10重量
%より多くなく、Cu_xO、PbO、ZnOおよびそ
れらの混合物から選ばれる置換酸化物が0〜28重量%
であり、 そしてそれらのうちのいずれもが10重量%を越えず、
更にその合計が80重量%を越ないものである、 からなる微粒子の混合物を含有し、上記成分(a)およ
び(b)の両方が(c)有機媒体中に分散している、厚
膜サーミスタ組成物。 2)有機媒体を揮発させてガラスを液相焼成させるため
に焼成した請求項1記載の組成物の印刷層を有するサー
ミスタ。 3)(a)請求項1記載の組成物を基体に施し、そして
(b)施した層を焼成して有機媒体を揮発させてガラス
の液相焼成を行わせる、一連の工程よりなる、サーミス
タの製造方法。
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