JPH03170371A - 粒界絶縁型磁器基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、種々の電子回路の基板ないしは物理的な支持
基体として用いられる粒界絶縁型磁器基板の製造方法に
関し、特に還元焼威によりチタン酸ストロンチウム（Ｓ
ｒＴｉＯ３）を主成分とする半導体磁器基板を作成した
後、これに粒界絶縁処理を施して粒界絶縁型磁器基板と
する前に、当該半導体磁器基板に生じた反りを修復する
工程を含む粒界絶縁型磁器基板の製造方法に関する。

［従来の技術］ 上記のように、チタン酸ストロンチウムを主成分とする
粒界絶縁型磁器基板は、還元焼成によって焼きしめられ
、半導体化された半導体磁器基板に対し、粒界絶縁剤を
用いて粒界絶縁処理を施し、内部の半導体粒子表面間に
絶縁膜を形成することによって製造されるが、一般には
そうした粒界絶縁処理を施す前工程で供給される半導体
磁器基板自体に、すでに幾何的な反りが生じていること
が多い。

また、そうした半導体磁器基板を得る工程での還元焼成
に際し、間に焼成用のセッタを挟みながら複数枚を積層
した形で一遍に処理した場合、当該セッタとの反応や収
縮、還元の不均一により、安定した基板を次工程に回す
ことも難しい。

さらに、焼成用セッタ自体、焼成回数が増すと反りが生
ずるため、これをそのまま使い続ければ、当然、焼成さ
れる半導体磁器基板の反りは層、大きくなってしまう。

にもかかわらず、従来、これは対しての対策は特に採ら
れておらず、せいぜい焼成用セッタをこまめに点検し、
許容範囲を越える反りが認められた場合にはこれを廃棄
、交換する程度であって、反った半導体磁器基板は単に
不良品として選別され、次工程に回されることなく捨て
られていた。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のように単に不良品を選別するという手法も、その
数がそうは多くなければ、むしろその方が能率的で安上
がりになる。

しかし、本書で問題にしているようなチタン酸ストロン
チウムを主成分とする粒界絶縁型磁器基板の製造方法に
おいては、従来、粒界絶縁処理の前にあって還元焼威で
得られた半導体磁器基板に生ずる反りは、実際上かなり
大きく、特に、基板寸法が大きくなる程、こうした傾向
は顕著になるため、不良品として捨てねばならない数も
相当数に昇っていた。

本発明は、このように余りに不経済、不合理な従来の実
情に鑑みて成されたもので、チタン酸ストロンチウムを
主威分とする半導体磁器基板を還元焼成により作成した
時点で、すでに基板に反りが生じていても、これを合理
的に修復することができ、捨てることなく次の粒界絶縁
処理工程に回し得るような粒界絶縁型磁器基板の製造方
法を提供せんとするものである。

［課題を解決するための手段］ 上記問題点を解決するため、本発明者は種々検討の結果
、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＱｓ）を主成分と
する戒形体を還元焼成により焼きしめ、半導体化させる
ことで半導体磁器基板を得た後、この半導体磁器基板に
対して粒界絶縁処理を施すことにより、最終的に粒界絶
縁型磁器基板を製造する方法における改良として、上記
の粒界絶縁処理工程の前に、還元焼成で焼きしめられた
半導体磁器基板に対し、その全面にできるだけ均一な荷
重を印加しながら、窒素雰囲気中、１２００℃以上１４
００℃未満までの温度範囲内で再焼成するという工程の
追加を提案する。

ただし、本発明によると、上記の窒素雰囲気は、窒素と
水素とから成る混合ガス雰囲気に代えた構成も提案され
、またその場合、当該混合ガス中の窒素に対する水素の
体積比率を、最大でも５０ｖｏｌ．％までに抑える構成
も提案される。

一方、半導体磁器基板の全面に対しての荷重印加の仕方
についても、本発明では、当該半導体磁器基板の上に乗
っている平板状の再焼成用セッタの自重を利用するとい
う手法も提案し、さらにこれをより一般的に展開して、
本発明に従って再焼成を施すに際し、積層した複数枚の
半導体磁器基板を一遍に処理するという方法を採る場合
には、それら半導体磁器基板を一枚ごとに間に再焼成用
セッタを挟みながら積層した状態とし、これら複数枚の
半導体磁器基板群の上から二段目以降の各々に印加され
る荷重は、それら各々の半導体磁器基板の上に積層され
ている一枚以上の半導体磁器基板と二枚以上の再焼成用
センタの自重の和により得られるようにすることも提案
する。もちろん、積層構造の一番上の半導体磁器基板に
対しては、先に述べたように、再焼成用セッター枚分の
重みが印加される。

その上で、本発明のさらに下位の態様においては、半導
体磁器基板の全面に印加する荷重に関し、具体的な値範
囲についてもこれを開示し、当該荷重が２ｇ／ｃ＋ｎ２
から１４ｇ／ｃｍ２までの範囲内にある構成も提案する
。

［作　　用］ 本発明によると、上記のような雰囲気、温度範囲内であ
る限り、反りの生じたチタン酸ストロンチウムを主威分
とする半導体磁器基板もかなり効果的に平坦化し、良品
として扱うことができ、そのまま次の粒界絶縁処理工程
に回すことができる。

しかるに、そのために施された本発明における上記種々
の限定事項は、本発明者による幾多の実験の結果、導出
されたものであって、それぞれに概ね、次のような意味
を持つ。

チタン酸ストロンチウムを主成分とする半導体磁器基板
は、基板温度１２００℃付近から軟化し始める。

したがって、この状態で適当な荷重を半導体磁器基板の
全面にできるだけ均質に印加し、再度焼成すれば、反っ
た基板もその反りを修復し、平坦化することができる。

しかし、１４００℃以上にまで、再焼成温度を上げてし
まうと、チタン酸ストロンチウムを生成分とする半導体
磁器基板は軟化し過ぎ、硬化後の寸法精度を出せなくな
る。

方、再焼成雰囲気については、酸化性雰囲気であると半
導体磁器基板の表面が酸化され、当然、基板としての電
気的、物理的特性に障害が出るため、これを採用するこ
とはできないが、本発明で限定されているように、窒素
雰囲気または窒素と水素の混合ガス雰囲気であれば、そ
のようなおそれを回避することができる。

特に本発明の一態様に従い、窒素と水素の混合ガス雰囲
気を用いる場合には、水素による半導体磁器基板表面の
パッシベイション効果が見込まれ、その特性が向上する
。例えば、その後の粒界絶縁処理を経た後に基板両面に
電極を付し、コンデンサとして動作させてみると、その
銹電正接ないし銹電損失は、このような混合ガス雰囲気
中での再焼成工程を経たものの方が、経ないものに比し
、明らかに改善されていた。

もっとも、本発明では、この窒素と水素の混合ガスにつ
いては、特に望ましい場合として、窒素に対する水素の
体積比率を最大でも５０ｖｏｌ．％までに抑えるという
条件を挙げている。これはつまり、それ以上に水素の体
積比率を増しても、当該最大値５０ｖｏｌ．％までの時
と銹電正接の向上効果にはそれ程の差が出ないことが分
かり、高いコストを掛ける程の利点は認められないとも
考えられるからである。

次に、荷重の印加の仕方について述べるに、もちろん、
本発明の最も基本的な構成による限り、この荷重印加方
法は任意であり、半導体磁器基板の全面に対してできる
だけ均質な荷重を印加できれば、例えば別途な荷重機を
使用しても何等差支えない。

しかしこれも、本発明者の実験によれば、再焼成時社用
いる再焼成用セッタの自重や、複数枚の半導体磁器基板
を間に再焼成用セクタを挟みながら複数枚、積層した場
合における再焼成用セクタと基板の自重の和等を、丁度
適当な荷重値範囲の荷重源として利用し得ることが分か
った。

そのため、本発明では、既述のように、処理す１　０ べき半導体磁器基板が一枚の場合にはその上に載せられ
ている再焼成用セッタの自重を利用し、またそうした再
焼成用セッタを間に挟みながら積層された積層構造の場
合には、自身よりも上に位置する二枚以上の再焼成用セ
ッタの自重と一枚以上の半導体磁器基板の自重の和によ
り、こうした荷重を得る構成も示されているのであり、
そのようにすれば当然、別途な荷重源ないし荷重機が不
要となって、極めて合理的である。

ただし、上記した温度範囲においても、半導体磁器基板
に印加される単位面積当たりの荷重が２　ｇ　／　ｃｍ
２未満では反りを修復する効果が薄く、本発明によりわ
ざわざ一工程を追加する程の意味がなくなる場合もあり
、逆に１４ｇ／ｃｍ２を越える荷重印加下では、軟化し
ている半導体磁器基板が当該荷重で厚味方向に押し潰さ
れ過ぎ、面内方向の延展が増して、平面寸法値のずれが
大きくなる場合が認められた。本発明の一態様における
上記荷重に関しての数値限定は、このような知見に基づ
くものである。

［実　施　例］ 以下、本発明の半導体磁器基板製造方法の実施例に関し
、多くの実験例と共に説明する。

まず、ＳｒＣＯ３を１　０　０．０　０　　ｗｔ．％と
したとき、Ｔ＋０２が１　０４．１　０　　ｗｔ．％、
ＭｎＯ２が２．１０ｗｔ％、そしてＹ２０３が０．１２
ｗｔ．％となるようにそれら各原料を秤量し、湿式ボー
ル・ミルで１２時間、粉砕、混合した後、乾燥させた。

次に大気中、１１５０℃で５時間、仮焼きした後、湿式
ボール・稟ルで１８時間、粉砕した。

この混合物を乾燥させ、水に溶解させたメチルセルロー
スをバインダとして加え、厚さ０．　８　ｍｍに押し出
し威形しｋ後、打ち抜きにより、平面積（１２５ｘｌ２
５）ｍｍ２の成形体を得た。

その後、含まれているバインダ威分を除くため、大気中
、９００℃で２時間、この成形体を仮焼きした後、水素
１０ｖｏｌ．％、窒素９０ｖｏｌ．％の雰囲気中、１　
４００℃で４時間、還元焼成し、最終的に焼きしめられ
、半導体化された半導体磁器基板を得た。この半導体磁
器基板の平面寸法は、１１ 縦横共に９　６．　３　ｍｍであり、重さは約３０ｇで
あった。

すでに述べたように、従来においてはこれに続き、直ち
に粒界絶縁剤を用いての粒界絶緯処理に移っていたが、
上記の工程までにて得られた半導体磁器基板の反りを測
定してみた所、多数の試料の平均値として０．３５ｍｍ
が得られた。

これは取りも直さず、従来方法によった場合の平均反り
寸法を示すものとなり、下記に掲げる第１表中にも、「
再焼成なし」として示した行に、先の縦横寸法９　６．
　３　ｍｍと共に併記してある。

なお、この反りの測定は、東京精密製のサーフコム２０
２Ｂにより、正方形半導体磁器基板の対角線に沿い、最
も凸となっている部分と最も凹となっている部分の差を
求めることによって行なった。

しかるに、実際上、上記のような反りはかなり問題とな
る寸法値で、せめて０．　１　ｍｍ以下程度でなければ
、次工程（粒界絶縁ペースト印刷工程等）に回すには適
さない。

１　２ そこで、このような半導体磁器基板試料群に対し、本発
明を適用した。

まず、第１図に示すように、上記までの工程て得られた
従来例相当の半導体磁器基板１１を七枚、間にジルコニ
ア製の再焼成用セッタｌ２を挟みながら上下に積層した
。ただし、最も下の半導体磁器基板１ｌの下と、最上層
の半導体磁器基板１１の上にも同様の再焼成用セッタ１
２を用いた。

この再焼成用セッタｌ２は、良く表面研磨された平滑な
ものが望ましく、また、その寸法は、半導体磁器基板試
料群の全面にできるだけ均質に荷重を掛けるため、当該
半導体磁器基板１１の平面積よりも大きな必要があるが
、大き過ぎても重量バランスが崩れ易く、かつ焼成装置
内で嵩が増す外、この再焼成用セッタ自体の反りも大き
くなりがちなので、ここでの実験例では、半導体磁器基
板試料の縦横寸法が上記のようにほぼ９７＋ｎｍ程度で
あることに鑑み、このジルコニア製再焼成用セッタ１２
には１１０１角のものを使用した。

さらに、この実施例では、別途に荷重源ないし１　４ 荷重機を用いることなく、この再焼成用セッタ１２の自
重そのものを利用して半導体磁器基板ｌｉｅ荷重を印加
するべくし、そのために具体的には一枚あたり１６０ｇ
のジルコニア製再焼成用セッタを用いた。

したがって、第１図中の七重ね構造の中、最も上の段目
（上から一段目）の半導体磁器基板ｌ１には再焼成用セ
ッタ１２の一枚分の重み１　６０ｇのみが印加されてい
るので、当該半導体磁器基板１ｌの面積が上記のように
（９６．３ｘ９６．３）ｍｍ２であることから、この上
から一段目の半導体磁器基板１１には１．　７　３　ｇ
　／　Ｃｍ２の荷重がその全面にほぼ均一に印加されて
いることになる。

方、例えば上から二段目の半導体磁器基板１ｌにつき考
えると、この上には二枚の再焼成用セッタ１２．１２と
一段目の一枚の半導体磁器基板１１が乗っているので、
これに印加される荷重は二枚分の再焼成用セッタの重み
（２Ｘ１　６０）ｇに当該基板一枚の重み３０ｇを加え
た計３５０ｇとなるため、平面寸法で除した単位面積あ
たりの荷重にすると、ほぼ３．　７　７　ｇ　／　ｃｍ
２　となる。

以降、最後の七枚目までの半導体磁器基板ｌ１に対して
は、順次、一枚の再焼成用セッタ１２の重みと一枚の半
導体磁器基板１ｌの重みの和１　９０ｇが加算されて行
くので、それぞれ単位面積あたりに変換すると、央数点
以下三桁目の四捨五人により、後に掲げる第１表から第
４表中は示したような荷重条件となる。

このような第１図示の積層構造に対し、温度条件は５０
℃ステップで１１５０℃から１４００℃まで、また再焼
成雰囲気は窒素雰囲気、窒素と水素の混合ガス雰囲気で
あって水素の体積容量比を可変にした各場合につき、本
発明に従って再焼威を試みた。再焼成時間はいずれも１
２時間としたが、これは厳密なものではない。

このような再焼成後、先と同様の計測器による計測と平
均化により求めた反り寸法と平面寸法の変化は、上記し
た各条件でのそれぞれ多くの実験対象半導体磁器基板試
料に関し、下記第１表から第４表に示されるようになっ
た。

１ ５ １ ７ １ ６ １ ８ １ ９ ２０ あらかしめ述へておくと、上記第１〜４表中においてｒ
重ね段目（上から）１のコラムにアスタリスク・マーク
゛゜＊゜゛を付した番号の試料は、結果として本発明に
対する比較例となるもの、つまりは本発明により寸法性
や後述の電気的な特性に関しての改善効果の認められな
かったものであって、言ってみれば本発明の要旨構成を
満たしていない方法に従った試料群である。

例えば、窒素雰囲気中であるが、本発明にて限定してい
る温度範囲１２００℃未満の１１５０℃の再焼成温度で
再焼成した半導体磁器基板試料においては、第１表中に
明らかなように、最も軽い荷重の印加されている上から
一段目の試料から最も重い荷重の掛かっている七段目の
試料まで、全て、その反りの程度は０．　１　ＩＩｌｍ
以下を満たすことはできず、チタン酸ストロンチウムを
主成分とするこの種の半導体磁器基板にとっては軟化が
十分でなかったことを示している。

一方、同じ第１表中に示されているが、基板温度１　２
００℃で再焼成された試料群では、窒素に対する水素の
体積比率が０％、すなわち窒素雰囲気中での再焼成処理
でも、窒素に対する水素の体積比率が１０％の混合ガス
雰囲気中での再焼成処理でも、上から一段目の試料を除
く二段目から七段目の試料に関しては、反りの程度は十
分に満足されている。

ただ、最下段である七段目の試料番号に゛＊゜゛マーク
が付されているのは、測定結果の項中、寸法部分に示さ
れているように、印加された荷重が重過ぎた結果、二段
目から六段目までの試料が共に９　７．　０　ｍｍと同
一寸法を維持し得たのに対し、９　７．　５　ｍｍと、
かなり押し潰れたからである。ちなみに、この実験例で
は、実は最終寸法９　７．　０　ｍｍを目標設計値とし
た。

このような傾向は、１２５０℃と１３００℃の試料に関
しての各条件及び測定結果を示した第２表や、さらに１
３５０℃の試料に関しての各条件及び測定結果を示した
第３表中にても同様であり、いずれも七段積層構造で上
記荷重条件の下では、反りの低減効果が少ないことで上
から一段目の試料を除き、また、平面寸法のずれが大き
いことで最下段の試料を除くと、二段目から六段目の試
料に関し、本発明を適用したことの効果は十分に表れて
いる。

しかし、１４００℃にまで、再焼成温度を上げてしま′
うと、第４表中に示されているように、反りの低減効果
は一段目から七段目まで、いずれも０．０１ｍｍと極め
て良好であるもの、縦ないし横寸法がいずれも大きく延
びてしまっており、明らかに温度が高過ぎて軟化し過ぎ
たことを示している。

しかるに、この反りまたは平面寸法に関してだけならば
、第１〜３表中、本発明による改善効果が認められると
して゛＊”マークの付されている試料群相互の関係にお
いても、その再焼成時に窒素雰囲気によった場合にも窒
素と水素の混合ガス雰囲気によった場合にも、そしてま
た窒素と水素の混合ガスによる場合にその体積比率を種
々に変えた場合にも、特に有意の変化は表れていない。

しかしこれは、以下説明するように、このようにして再
焼成処理を施した後に、粒界絶縁処理を経、粒界絶縁型
磁器基板として完威させた後の当該基板の電気的特性、
特にその誘電正接ないしは誘電損失に少なからず影響し
ていた。

当該第１〜４表中、測定結果の右端のコラムには銹電正
接（ｔａｎδ）の測定値（読み易くするため、通常行な
われる勾配表記として単位は％とし、実数を１００倍し
て示した）も記しているが、これは次のようじして測定
した。

本発明にしたがって各表記載中の各条件で再焼威した半
導体磁器基板試料群や、比較のために従来例そのままの
試料群、さらには窒素雰囲気や窒素と水素の混合ガス雰
囲気中ではなく、単に大気中で再焼成した試料群に対し
、従来からと全く同様の手順により、これを粒界絶縁処
理した。すなわち、当該半導体磁器基板試料の両主面に
対し、Ｂｉ２０３，ＣｒＯ，有機ビヒクルを重量比７：
３：２０で含むペーストを塗布し、乾燥後、１２００ｔ
で１時間、大気中で焼成した。

このようにすると、周知のように、塗布したペースト成
分の存在の下、半導体磁器基板試料群の内部結晶粒界に
絶縁膜が生成し、全体として粒界絶縁型磁器基板となる
。

そこで、第２図に示されているように、このようにして
形成された粒界絶縁型磁器基板１０の表裏両主面上に、
適宜五個所程を選んで銀ペーストをスポット的に塗布し
、乾燥、焼き付けによって電極対１４　．　１４を形成
した後、これら一対の電極１４，ｌ４をそれぞれ端子電
極とし、その間の粒界絶縁型磁器基板部分を端子間銹電
層として機能するコンデンサの誘電正接（ｔａｎδ）を
測定した。

既掲の第１〜４表に従い、その結果を読むと、窒素雰囲
気中で本発明に従い再焼成した場合よりも、窒素と水素
の混合ガス雰囲気中で再焼成した試料群の方が、最終的
に製造された粒界絶緑型磁器基板１０の誘電正接特性は
良好なことが分かる。

これが例えば、第４表中の比較例に示されているように
、荷重条件において少なくとも上から２５ ２　４ 段目から六段目までの試料に関しては適当な範囲内にあ
り、かつまた温度条件でも１２５０℃と１３５０℃とい
うように、再焼成雰囲気を除く他の条件では本発明によ
り開示される条件範囲内に入ってはいても、当該再焼成
雰囲気が異なり、大気雰囲気中で再焼威した半導体磁器
基板試料群の場合には、最終的に粒界絶縁処理を施した
後に得られるコンデンサとしての誘電正接値は最良でも
１８７％（実数値では１．　７　Ｘ　１０−２）とかな
り悪く、実際上、商品としては提供し得ないものとなっ
ている。

一方、同じく第４表中、窒素と水素の混合ガス雰囲気を
採用しているとは言え、水素の体積比率の方が５５％と
高くなっている試料群では、反りの低減効果も寸法性も
、また誘電正接値も、何等問題ないどころか良好である
ものの、逆に見ると、第３表中に示されているように、
水素の体積比率が５０％までの試料群に比し、さらに各
特性が改善されるまでには至っていない。水素は高価で
あるし、取扱いも面倒であるから、余り量を増２６ やしてもそれ以上は改善効果に延びが認められないので
あるならば、水素の含有量は少ない程、合理的である。

そう見るならば、水素の含有量を体積比率で５０％まで
とするのも大いに意味があることが分かる。

なお、明らかなように、再焼成用セッタ１２の自重を適
当に選定すれば、積層構造の全てに対し、最適な荷重範
囲を与えることももちろん可能であるし、積層段数を変
えても、全ての半導体磁器基板に対し、本発明を適用す
ることの効果を与えることができる。例えば、２００ｇ
程度の再焼成用セッタを用い、積層段数を五段とすれば
、上述してきた条件でそれら五枚の半導体磁器基板の全
てを無駄なく良品化することができる。

また、荷重条件については、上記実施例の外、種々の実
験でも、２ｇ／ｃｍ２未満では反りの低減効果がほとん
どなく、逆に１４ｇ／ｃｍ２を越える程にまで荷重を上
げると、反りは低減されるものの、試料の面内方向の延
展度合が大きくなり、寸法ずれが許容し得なくなること
が多かった。

［効　　果］ 本発明によると、従来は反ったからと言って単に捨てら
れていたチタン酸ストロンチウムを主成分とする半導体
磁器基板を、粒界絶縁処理の前に良品として仕立て直す
ことができ、この種の粒界絶縁型半導体磁器基板の製造
ラインにおける総体的な歩留まりないし良品率を大きく
向上することができる。

のみならず、最終的に粒界絶縁処理されることにより製
造された粒界絶縁型磁器基板としても、誘電正接ないし
誘電損失に代表されるその電気的な特性をも向上させる
ことができる。

さらに、最初に半導体磁器基板を得るための遠元焼威時
に焼成用セッタを用い、積層状態で一遍に複数枚の半導
体磁器基板を焼成する場合、従来は既述したように、当
該焼成用セッタ自体の反りの程度も常に監視していなけ
ればならず、しかも半導体磁器基板同様、この焼成用セ
ッタもある程度反ってしまえば単に捨てていたため、実
に勿体ないばかりか、そうした頻繁なる検査、取替えの
２７ ために要する手間も問題であったが、本発明によれば半
導体磁器基板の反りの修復が可能なため、焼成用セッタ
の寿命も延長することができる。

すなわち、従来ならば最早使用不能な程に焼成用セッタ
が反っても、本発明を適用することが前提となっている
製造ラインでは、今しばらく、そうした焼成用セッタを
そのまま使い続けることができ、長い間には相当の経済
効果が期待できるし、また、当該焼成用セッタの反り検
査の間隔も、従来のようにかなり頻繁に行なわねばなら
ないこともなく、その頻度を大いに減らすことができ、
本来的に製造自体には関係のないはずの労力を著しく軽
減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従ってチタン酸ストロンチウムを主成
分とする半導体磁器基板を再焼威する際の積層構造例を
示す説明図， 第２図は得られた粒界絶縁型半導体磁器基板に試験のた
めの電極を形成した場合の概略構成図，である。 ２　８ 図中、１０はチタン酸ストロンチウムを主成分とし、最
終的に製造された粒界絶縁型半導体磁器基板、１１は還
元焼成後のチタン酸ストロンチウムを主成分とする半導
体磁器基板、ｌ２は再焼成用のセッタ、１４は粒界絶縁
型半導体磁器基板の表裏両主面に形威された電極、であ
る。 出 願 人 日本油脂株式会社 ３ ０

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）チタン酸ストロンチウムを主成分とする成形体を
   還元焼成により焼きしめ、半導体化させることにより半
   導体磁器基板を得る工程と、該半導体磁器基板に対し、
   粒界絶縁処理を施す工程とを有して成る粒界絶縁型磁器
   基板の製造方法であって； 上記粒界絶縁処理工程の前に、上記半導体磁器基板に対
   し、その全面にできるだけ均一な荷重を印加しながら、
   窒素雰囲気中、１２００℃以上１４００℃未満までの温
   度範囲内で再焼成する工程を含むこと； を特徴とする粒界絶縁型磁器基板の製造方法。
2. （２）上記再焼成は、上記窒素雰囲気に代えて、窒素と
   水素とから成る混合ガス雰囲気中で行なわれること； を特徴とする請求項１に記載の方法。
3. （３）上記混合ガス中の上記窒素に対する上記水素の体
   積比率は、最大でも５０ｖｏｌ．％までであること； を特徴とする請求項２に記載の方法。
4. （４）上記半導体磁器基板の全面に印加される上記荷重
   は、上記半導体磁器基板の上に乗っている再焼成用セッ
   タの自重により得られていること； を特徴とする請求項１、２または３記載の方法。
5. （５）上記再焼成は、一枚ごとに間に再焼成用セッタを
   挟みながら上記半導体磁器基板を複数枚、積層した状態
   で行なわれ、もって上から二段目以降の半導体磁器基板
   の各々の全面に印加される上記荷重は、該各々の半導体
   磁器基板の上に積層されている一枚以上の半導体磁器基
   板と二枚以上の再焼成用セッタの自重の和により得られ
   ていること； を特徴とする請求項１、２、３または４に記載の方法。
6. （６）上記半導体磁器基板の全面に印加される上記荷重
   は、２ｇ／ｃｍ＾２から１４ｇ／ｃｍ＾２までの範囲内
   にあること； を特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の方
   法。