JPH01172277A - セラミック基板の製造方法 - Google Patents

セラミック基板の製造方法

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Publication number
JPH01172277A
JPH01172277A JP62330574A JP33057487A JPH01172277A JP H01172277 A JPH01172277 A JP H01172277A JP 62330574 A JP62330574 A JP 62330574A JP 33057487 A JP33057487 A JP 33057487A JP H01172277 A JPH01172277 A JP H01172277A
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JP
Japan
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firing
fired
substrate
warpage
ceramic substrate
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Pending
Application number
JP62330574A
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English (en)
Inventor
Yoshiaki Ishii
善明 石井
Ryohei Okazaki
良平 岡崎
Takahiro Ogawa
高浩 小川
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Toko Inc
Original Assignee
Toko Inc
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Publication date
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、誘電体基板等のセラミック基板の製造方法に
係るもので、特に、反りを小さ(するための焼成方法に
関するものである。
〔従来技術とその問題点〕
各種電子装置の回路素子を配置し、配線するとともに、
コンデンサ素子を形成できるセラミック誘電体基板が、
各方面で用いられるようになっている。
このようなセラミック誘電体基板は、通常のセラミック
製品と同様な工程で製造するが、成型後の焼成工程にお
いて反りが生じ易い。特に、薄形化の要求されている昨
今、この問題は無視することができない。
通常、多段に重ねる場合は、各板間にセパレータを介在
させて板同士が(つつくのを防止して焼成している。そ
の場合、セパレータの大きさによって生じる段差の影響
で、基板表面のへこみ、反りが生じる。
また、セパレータを使用しない場合でも、焼成温度が高
くなるほど、焼成時の収縮の不均一、成形時の残留応力
等によっても反りが生じ、薄板の焼成では避けられない
問題である。
上記の反りの問題を解決するため、従来、焼成後に加重
し、再加熱している。しかし、基板の緒特性に与える影
響を小さ(するためには、再加熱時の温度は焼成温度よ
りも20〜100 ’ C下げなければならない。
また、この方法では一回目で焼成を完了させるため、焼
成温度が高い。そのため、発生する反り量も大きくなる
。その反りの大きな状態で反りを矯正しようとすると、
大きな内部応力が発生し、基板にマイクロクランクを発
生させる原因となるので、反りを余り低減させることは
できない。
なお、セパレータを使用しない場合には基板がくっつい
てしまうため、多段焼成が難しく、量産性に欠ける。
〔目的〕
本発明は、上記のような問題を解決して、多段に重ねて
焼成することが可能で、反りの少ないセラミック基板を
得ることを目的とする。
また、セパレータを使用することな(多段に重ねること
ができ、量産性に優れたセラミック基板の製造方法を提
供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、焼成を二段階とし、予め低い温度で加熱する
ことによって上記の目的を達成するものである。
すなわち、板状に成型したセラミック材料を焼成するセ
ラミック基板の製造方法において、板状に成型したセラ
ミック材料を複数枚重ね、予め所定の焼成温度より低い
温度で仮に焼成し、その後に所定の焼成温度で焼成する
ことに特徴を有するものである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について説明する。
誘電体基板として用いるCaTi0=−SrTiO,系
誘電体材料(ε= 300)を板状に成型したものを焼
成する例で説明する。
従来は、−枚ずつ1300°C以上の温度で2時間焼成
し、さらに1270 @Cの温度で再焼成していた。
本発明による方法では、セパレータを用いずに20枚の
成型した板を重ねて焼成を行った。各板の厚みは0.3
mmであった。焼成温度は、1200〜1250゜Cで
2時間仮焼成を行い、その後、加重し、1280@Cで
本焼成を行った。
上記のような条件で焼成した基板の反りの量は、表に示
すように、従来のものに比較して小さくなっていた。こ
れは−回目の焼成時の反りが少なくなるとともに、より
高い本焼成温度で反りの矯正がなされるためである。
尚、反りの量は、基板自体の厚みt、平坦面上に置いた
状態で反り上がった上端面から平坦面までの距離をTと
し、 とし、t =0.3mmの20のサンプルについて測定
した結果を示した。
第一次の焼成の後、基板の上下の配置を組み替えても、
はとんど同じ結果が現れた。
なお、従来の方法で多段積み焼成をした場合、1270
 @Cを越えると基板のくっつきが生じたが、本発明に
よる場合には、1320@Cまで発生しなかった。
以上の説明では、誘電体基板の例を示したが、他のセラ
ミック基板においても同様な方法を用いることができる
〔効果〕
本発明によれば、多段に重ねて焼成しても、反りの少な
いセラミック基板を得ることが可能となる。
また、セパレータを使用することなく多段に重ねること
ができ、量産性に優れたセラミック基板の製造方法とな
る。そして、セパレータによる基板表面の凹凸の発生も
防止できる。
さらに、前記の例でも示したように、焼成温度を従来よ
りも下げることができる。これにより、製造が容易にな
るだけでなく、特性の維持等の面でも有利となる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 板状に成型したセラミック材料を焼成するセラミック基
    板の製造方法において、板状に成型したセラミック材料
    を複数枚重ね、予め所定の焼成温度より低い温度で仮に
    焼成し、その後に所定の焼成温度で焼成することを特徴
    とするセラミック基板の製造方法。
JP62330574A 1987-12-26 1987-12-26 セラミック基板の製造方法 Pending JPH01172277A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007080690A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sumitomo Wiring Syst Ltd コネクタ
JP2009008693A (ja) * 1997-12-23 2009-01-15 Inficon Gmbh 容量式の真空測定セル
CN112032854A (zh) * 2020-07-30 2020-12-04 广东积微科技有限公司 空调外机换热系统及空调

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JP2007080690A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sumitomo Wiring Syst Ltd コネクタ
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