JPH03171496A - マイクロコンピュータ - Google Patents
マイクロコンピュータInfo
- Publication number
- JPH03171496A JPH03171496A JP1311033A JP31103389A JPH03171496A JP H03171496 A JPH03171496 A JP H03171496A JP 1311033 A JP1311033 A JP 1311033A JP 31103389 A JP31103389 A JP 31103389A JP H03171496 A JPH03171496 A JP H03171496A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- write
- address
- signal
- eeprom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RRLHMJHRFMHVNM-BQVXCWBNSA-N [(2s,3r,6r)-6-[5-[5-hydroxy-3-(4-hydroxyphenyl)-4-oxochromen-7-yl]oxypentoxy]-2-methyl-3,6-dihydro-2h-pyran-3-yl] acetate Chemical compound C1=C[C@@H](OC(C)=O)[C@H](C)O[C@H]1OCCCCCOC1=CC(O)=C2C(=O)C(C=3C=CC(O)=CC=3)=COC2=C1 RRLHMJHRFMHVNM-BQVXCWBNSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Microcomputers (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロコンピュータに関し、特に電気的消去
書込み可能な不揮発性メモリ (以下、EEPROMと
いう)を中央処理装置(CPU)とともに単一半導体基
板上に集積回路化したマイクロコンピュータに関する。
書込み可能な不揮発性メモリ (以下、EEPROMと
いう)を中央処理装置(CPU)とともに単一半導体基
板上に集積回路化したマイクロコンピュータに関する。
マイクロコンピュータにおいて、処理すべきデータや処
理結果としてのデータをストアするデータメモリとして
は通常スタティック型のランダムアクセスメモリ (S
RAM)が用いられているが、このSRAMの最犬の欠
点は電源を切った場合にストアされてデータが破壊され
ることである。そこで、データの書込みおよび読み出し
が実行でき、かつ電源を切った後でもデータを恒久的に
ストアしておくことができるEEPROMをCPUとと
も半導体集積回路化することが提案されている。
理結果としてのデータをストアするデータメモリとして
は通常スタティック型のランダムアクセスメモリ (S
RAM)が用いられているが、このSRAMの最犬の欠
点は電源を切った場合にストアされてデータが破壊され
ることである。そこで、データの書込みおよび読み出し
が実行でき、かつ電源を切った後でもデータを恒久的に
ストアしておくことができるEEPROMをCPUとと
も半導体集積回路化することが提案されている。
EEPROMに対するデータ書込みにおいては、まず消
去動作を実行してデータを読み込むべき番地にすてにス
l・アされていたデータを消去し、その後データ書込み
動作を実行してその番地に所定のデータを書き込みでき
る。このとき、データの消去および書き込みには、EE
FROMのデバイス’17lI5:造にもよるが、通常
数msecから十数msecの時間を要する。かかる時
間は、CPUの命令実行速度に比して極めて長い時間で
ある。したがって、CPUがEEPROMに対するデー
タの消去および書き込みを管理するように構戒すること
は、プロクラムの実行効率を著しく低下させることにな
る。
去動作を実行してデータを読み込むべき番地にすてにス
l・アされていたデータを消去し、その後データ書込み
動作を実行してその番地に所定のデータを書き込みでき
る。このとき、データの消去および書き込みには、EE
FROMのデバイス’17lI5:造にもよるが、通常
数msecから十数msecの時間を要する。かかる時
間は、CPUの命令実行速度に比して極めて長い時間で
ある。したがって、CPUがEEPROMに対するデー
タの消去および書き込みを管理するように構戒すること
は、プロクラムの実行効率を著しく低下させることにな
る。
そこで、自動データ消去書込み制御回路を設け、同回路
にEEFROMに対するデータの消去および書込みの管
理をゆだねるのが一般的である。かかる回路を設けた結
果、CPUはEEPROMに対するデータ書込み命令を
受けると、書き込むデータおよび番地と書込み指令信号
を送るだけであり、その後は次の命令の実行に移行する
ことができる。一方、EEPROM例では、上記自動制
彩111回路が動{’+を開始し、選択された番地のデ
ータをまず消去し、同番地にデータを書き込む。
にEEFROMに対するデータの消去および書込みの管
理をゆだねるのが一般的である。かかる回路を設けた結
果、CPUはEEPROMに対するデータ書込み命令を
受けると、書き込むデータおよび番地と書込み指令信号
を送るだけであり、その後は次の命令の実行に移行する
ことができる。一方、EEPROM例では、上記自動制
彩111回路が動{’+を開始し、選択された番地のデ
ータをまず消去し、同番地にデータを書き込む。
このように、CPUによる命令実行とEEFROMみ処
理が終了しないうちに、CPUはEEPROMに対する
データ書込み命令に再び出くわす場合がある。この場合
でも、CPUは同命令の実行して書き込むべきデータお
よび番地と書き込み指令信号を発行し、次の命令の実行
に移行する。一方、EEFROMでは前のデータに対す
る書き込み処理が終了していないのであるのから、新た
に発行されたデータ書込み要求を烈視することになる。
理が終了しないうちに、CPUはEEPROMに対する
データ書込み命令に再び出くわす場合がある。この場合
でも、CPUは同命令の実行して書き込むべきデータお
よび番地と書き込み指令信号を発行し、次の命令の実行
に移行する。一方、EEFROMでは前のデータに対す
る書き込み処理が終了していないのであるのから、新た
に発行されたデータ書込み要求を烈視することになる。
この結果、書き込むべきデータが失われ、誤動作をもた
らすことになる。
らすことになる。
したがって、本発明の目的は、EEFROMへ書き込む
べきデータの消失を防止することができるマイクロコン
ピュータを提供することにある。
べきデータの消失を防止することができるマイクロコン
ピュータを提供することにある。
本発四によるマイクロコンピュータは、cPUからのデ
ータ書き込み要求に応答して、EEFROMに対し所定
番地のデータの消失および同番地へのデータのコ!}込
み(1コ、下、これらを総称してデータ書込み処理とい
う)を実行する制御回路に、同データ書込み処理中にC
PUから新たなデータ書き込み応答があったことを検出
し、そのことをCPUに通知ずるオーバライl・検出回
路を設けたことを特徴としている。
ータ書き込み要求に応答して、EEFROMに対し所定
番地のデータの消失および同番地へのデータのコ!}込
み(1コ、下、これらを総称してデータ書込み処理とい
う)を実行する制御回路に、同データ書込み処理中にC
PUから新たなデータ書き込み応答があったことを検出
し、そのことをCPUに通知ずるオーバライl・検出回
路を設けたことを特徴としている。
かかるオーバライ1・検出回路がらの出力はCPUのポ
ーリング処理又は割込み処理に使用される。
ーリング処理又は割込み処理に使用される。
ポーリング処理においては、EEFROMに対するデー
タ書き込み命令の後にプロクラムによってオーバライ1
・検出回路の出力を判定する命令を実行することにより
、EEPROMのデータ書込み処理中に新たなデータ書
き込み要求を発行したかどうかを検出できる。発行した
と検出された場合、書き込むべきデータをSRAMで構
或されるデータメモリに一時退避させ、EEFROMの
データ書込み処理終了後にデータ書込み要求を発行する
ことで、データの消失を防止することができる。
タ書き込み命令の後にプロクラムによってオーバライ1
・検出回路の出力を判定する命令を実行することにより
、EEPROMのデータ書込み処理中に新たなデータ書
き込み要求を発行したかどうかを検出できる。発行した
と検出された場合、書き込むべきデータをSRAMで構
或されるデータメモリに一時退避させ、EEFROMの
データ書込み処理終了後にデータ書込み要求を発行する
ことで、データの消失を防止することができる。
割込み処理においては、割込みルーチンで書き込むべき
データの退避を実行すればよい。
データの退避を実行すればよい。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。本
実施例によるマイクロコンピュータはシクナルチッフマ
イクロコンピュータ100として示され、単一半導体基
板上に、CPUI O,EEPROM20,周辺I/O
ユニット30,プログラムメモリ (ROM)4 0お
よびデータメモリ(RAM)50を有し、これらはアド
レスバス60およびデータパス70で相互接続されてい
る。CPUIOはROM4 0に格納されているプログ
ラムを実行する。これによって、CPUIOはRAM5
0からデータを読み出し、所定の算術論理演算を実行し
てその結果をRAM50に書き戻す。
実施例によるマイクロコンピュータはシクナルチッフマ
イクロコンピュータ100として示され、単一半導体基
板上に、CPUI O,EEPROM20,周辺I/O
ユニット30,プログラムメモリ (ROM)4 0お
よびデータメモリ(RAM)50を有し、これらはアド
レスバス60およびデータパス70で相互接続されてい
る。CPUIOはROM4 0に格納されているプログ
ラムを実行する。これによって、CPUIOはRAM5
0からデータを読み出し、所定の算術論理演算を実行し
てその結果をRAM50に書き戻す。
また、周辺I/Oユニット30をアクセスして、図示し
ない制御すべき装置にI/Oバス80を介してデータを
供給したり、同装置からデータを入力して所定の処理を
実行する。さらに、CPUIOぱEEPROM2 0を
アクセスして、データを読み出し、所定の演算を実行し
てデータメモリ50や周辺I/Oユニット30に転送し
たり、データメモリ50や周辺I/0ユニッ}30から
のデータに列して所定の41!算を実行してEEFRO
M20に書き込む。
ない制御すべき装置にI/Oバス80を介してデータを
供給したり、同装置からデータを入力して所定の処理を
実行する。さらに、CPUIOぱEEPROM2 0を
アクセスして、データを読み出し、所定の演算を実行し
てデータメモリ50や周辺I/Oユニット30に転送し
たり、データメモリ50や周辺I/0ユニッ}30から
のデータに列して所定の41!算を実行してEEFRO
M20に書き込む。
EEPROM2 0に幻するデータ読み出しに際しては
、CPU10は読み出すべきテ゛一夕のアドレス情報を
アドレスバス60に転送するとともに、読出し指令信号
RDを発行する。この結果EEPROM20の選択され
たアドレスからデータが読み出されデータバス70に伝
送される。一方、データ悲き込みに際しては、CPUI
Oは書き込むべきデータとそのアドレス情報をデータバ
ス70およひア1・l/7、ハス60にそれそれ転送し
、書き込み指令信号WRをEEPROM2 0に供給す
る。
、CPU10は読み出すべきテ゛一夕のアドレス情報を
アドレスバス60に転送するとともに、読出し指令信号
RDを発行する。この結果EEPROM20の選択され
たアドレスからデータが読み出されデータバス70に伝
送される。一方、データ悲き込みに際しては、CPUI
Oは書き込むべきデータとそのアドレス情報をデータバ
ス70およひア1・l/7、ハス60にそれそれ転送し
、書き込み指令信号WRをEEPROM2 0に供給す
る。
これに応答して、EEFROM2 0における自動デー
タ消去書込み制御回路(後述)が動作を開始しデータ書
込み処理を実行する。CPUIOからはEEPROM2
0にはさらにクロック信号CLKが供給されており、
同信号CLKはデータの消去時間および書込み時間の判
定に使用される。
タ消去書込み制御回路(後述)が動作を開始しデータ書
込み処理を実行する。CPUIOからはEEPROM2
0にはさらにクロック信号CLKが供給されており、
同信号CLKはデータの消去時間および書込み時間の判
定に使用される。
方、EEPROM2 0からは、CPUIOに対し、本
発明に従ってオーバライト信号OvWと書込み終了信号
WENDが出力される。オーバライ1・信号OVWはE
EPROM2 0におけるデータ書込み処理の最中にC
PUIOが新たなデータ書込みを要求したときアクティ
ブレベルとなり、書込み終了信号WENDは現在のデー
タ書込み処理が終了するとアクティブレベルとなる。
発明に従ってオーバライト信号OvWと書込み終了信号
WENDが出力される。オーバライ1・信号OVWはE
EPROM2 0におけるデータ書込み処理の最中にC
PUIOが新たなデータ書込みを要求したときアクティ
ブレベルとなり、書込み終了信号WENDは現在のデー
タ書込み処理が終了するとアクティブレベルとなる。
第2図はEEFROM2 0の詳細な構戊を示すブロッ
ク図である。アドレスバス60上のアドレス情報はEE
FROMアドレス検出器212に供給され、ここでCP
UIOからのアクセス要求がEEFROM2 0である
かどうか検出される。木る)のアトレス空間に割り当て
られており、したがって、1Kバイ}・の容量を右する
。アドレス検してEEPROM2 0のアドレス空間を
検出し、検出したときにその出力をアクティブレベルに
す9 る。アトレス検出器212からの出力がアクティブレベ
ルでCPUIOから読み出し指令信号RDが発行された
とき、リード/イレース/ライトタイミング制御回路2
0はデータリード動作を起動する。この動作では、アド
レスラッチ信号ALEおよびリードイネーブル信号RE
がアクティブレベルとなる。信号ALEによりアドレス
ラッチ回路209はアドレスバス6CN二のアドレス情
報をラッチし、その一部をロウアドレスとしてロウデコ
ーダ208に供給し、残りをカラムアドレスとしてカラ
ムセレクタ205に供給する。かくして、EEFROM
セルが行列に配置されたセルアレイ207内の所定のア
ドレスが選択され、そこにストアされていたデータがセ
ンスアンプ202に供給される。本実施例では、各EE
FROMセルはフローティンクゲ−1・を有する電界効
果トランジスタで構成されている。セルアレイ207に
供給される信号SCSは各EEPROMセルのソース電
位制御信号であり、リート動作のときは信号SCSはハ
イレベルとなり各EEFROMセルの10 ソース電位を接地電位とする。センスアンプ202はリ
ードイネーブル信号REによって活性され、セルアレイ
207からのリードデータを増幅して出力し、同デ゛一
夕はデ”一タアウトドライバ201によってデータパス
70に供給される。
ク図である。アドレスバス60上のアドレス情報はEE
FROMアドレス検出器212に供給され、ここでCP
UIOからのアクセス要求がEEFROM2 0である
かどうか検出される。木る)のアトレス空間に割り当て
られており、したがって、1Kバイ}・の容量を右する
。アドレス検してEEPROM2 0のアドレス空間を
検出し、検出したときにその出力をアクティブレベルに
す9 る。アトレス検出器212からの出力がアクティブレベ
ルでCPUIOから読み出し指令信号RDが発行された
とき、リード/イレース/ライトタイミング制御回路2
0はデータリード動作を起動する。この動作では、アド
レスラッチ信号ALEおよびリードイネーブル信号RE
がアクティブレベルとなる。信号ALEによりアドレス
ラッチ回路209はアドレスバス6CN二のアドレス情
報をラッチし、その一部をロウアドレスとしてロウデコ
ーダ208に供給し、残りをカラムアドレスとしてカラ
ムセレクタ205に供給する。かくして、EEFROM
セルが行列に配置されたセルアレイ207内の所定のア
ドレスが選択され、そこにストアされていたデータがセ
ンスアンプ202に供給される。本実施例では、各EE
FROMセルはフローティンクゲ−1・を有する電界効
果トランジスタで構成されている。セルアレイ207に
供給される信号SCSは各EEPROMセルのソース電
位制御信号であり、リート動作のときは信号SCSはハ
イレベルとなり各EEFROMセルの10 ソース電位を接地電位とする。センスアンプ202はリ
ードイネーブル信号REによって活性され、セルアレイ
207からのリードデータを増幅して出力し、同デ゛一
夕はデ”一タアウトドライバ201によってデータパス
70に供給される。
一方、アドレス検出器212の出力がアクティブレベル
でCPUIOからデータ書き込み指令信号WRが発行さ
れたとき、タイミング制御回路210はデータ書き込み
処理を起動する。この処理において、アドレスラッチイ
ネーブル信号ALEおよびデータラッチイネーブル信号
DLEが発生されることにより、バス60J二の書き込
みアドレス情報およびバス70上の書き込むべきデータ
70がアドレスラッチ209およびデータラッチ203
にそれぞれラッチされる。タイミング制御回路210は
さらにリセット信号BSを発生してイレース/ライトタ
イマ211をリセットするととも、イレース/ライトイ
ネーブル信号EWEをアクティブレベルにしてVPP発
生器206を活性化する。VPP発生器206はR圧回
路を有しており、マイクロコンピュータ100に供給さ
れる電源電圧■。0(通常5V)を昇圧して消去/書込
みに必要な高電圧■2,(本実施例ては20■)を発生
し、これをロウデコータ208およびカラムデコータ2
05に供給ずる。かくして、アドレスラッチ209にラ
ッチされたアドレスによって選択されたすべてのEEF
ROMセルの#碑右7丼ソース電位制御信号SCSが印
加されており、したがって、各EEFROMセルのソー
スは接地電位となっている。したがって、データ消去動
作が突行される。一方、タイマ211はリセッ1・信号
BSによってリセットされた後、クロック信号CL K
をカウン}・シている。クロック信号CLKを所定数カ
ウン1・すると、消去終了信号EENDをアクティブレ
ベルにして、タイミング制御回路210に消去動作の終
了を通知する。これに応答して、制御回路210は消去
動作モードから書込み動作に切換える。すなわち、信号
SCSをロウレベルとすることにより各EEFROMの
ソースをフローティンダ状態とし、ライトイネーブル信
号WEをアクティブレベルにする。この結果、ロック信
号CLKをカウントし続けており、所定の時間が経過す
ると書き込み終了信号WENDをアクティブレベルにす
る。この信号に応答して、制御回路210ぱすべてのタ
イミング制御信号をインアクティブレベルにして、書き
込み動作を終了させる。信号WENDはCPUIOにさ
らに供給され、データ書き込み処理の終了をCPUIO
に通知する。かくして、CPUIOからのデータ書き込
み要求に応答して、CPU].0の管理を必要としない
自動データ書込み処理が実行される。
でCPUIOからデータ書き込み指令信号WRが発行さ
れたとき、タイミング制御回路210はデータ書き込み
処理を起動する。この処理において、アドレスラッチイ
ネーブル信号ALEおよびデータラッチイネーブル信号
DLEが発生されることにより、バス60J二の書き込
みアドレス情報およびバス70上の書き込むべきデータ
70がアドレスラッチ209およびデータラッチ203
にそれぞれラッチされる。タイミング制御回路210は
さらにリセット信号BSを発生してイレース/ライトタ
イマ211をリセットするととも、イレース/ライトイ
ネーブル信号EWEをアクティブレベルにしてVPP発
生器206を活性化する。VPP発生器206はR圧回
路を有しており、マイクロコンピュータ100に供給さ
れる電源電圧■。0(通常5V)を昇圧して消去/書込
みに必要な高電圧■2,(本実施例ては20■)を発生
し、これをロウデコータ208およびカラムデコータ2
05に供給ずる。かくして、アドレスラッチ209にラ
ッチされたアドレスによって選択されたすべてのEEF
ROMセルの#碑右7丼ソース電位制御信号SCSが印
加されており、したがって、各EEFROMセルのソー
スは接地電位となっている。したがって、データ消去動
作が突行される。一方、タイマ211はリセッ1・信号
BSによってリセットされた後、クロック信号CL K
をカウン}・シている。クロック信号CLKを所定数カ
ウン1・すると、消去終了信号EENDをアクティブレ
ベルにして、タイミング制御回路210に消去動作の終
了を通知する。これに応答して、制御回路210は消去
動作モードから書込み動作に切換える。すなわち、信号
SCSをロウレベルとすることにより各EEFROMの
ソースをフローティンダ状態とし、ライトイネーブル信
号WEをアクティブレベルにする。この結果、ロック信
号CLKをカウントし続けており、所定の時間が経過す
ると書き込み終了信号WENDをアクティブレベルにす
る。この信号に応答して、制御回路210ぱすべてのタ
イミング制御信号をインアクティブレベルにして、書き
込み動作を終了させる。信号WENDはCPUIOにさ
らに供給され、データ書き込み処理の終了をCPUIO
に通知する。かくして、CPUIOからのデータ書き込
み要求に応答して、CPU].0の管理を必要としない
自動データ書込み処理が実行される。
EEFROM2 0は、さらに、本発明の従って、]3
1≧ オーバライ1・検出回路213を備えている。この回路
は、データ書込み処理の最中にCPUIOからの新たな
データ書き込み要求を検出してオーバライト信号OVW
をアクティブレベルにするものであり、その描或を第3
図に示す。CPUIOからのデータ書き込み指令信号W
Rおよびアドレス検出器212から検出信号ADCはA
NDゲート2131に供給され、その出力はS−R形フ
リップフロップ2l32のセッ1・端子Sに供給されて
いる。すなわち、CPU].Oからのデータ書き込み要
求が発行されるとフリップフロップ2132はセント状
態となる。そのQ出力は信号WRがなくなる時間に相当
する時間だけ遅延回路2133て遅延され、その遅延出
力はANDゲー}2134の一方の入力に供給される。
1≧ オーバライ1・検出回路213を備えている。この回路
は、データ書込み処理の最中にCPUIOからの新たな
データ書き込み要求を検出してオーバライト信号OVW
をアクティブレベルにするものであり、その描或を第3
図に示す。CPUIOからのデータ書き込み指令信号W
Rおよびアドレス検出器212から検出信号ADCはA
NDゲート2131に供給され、その出力はS−R形フ
リップフロップ2l32のセッ1・端子Sに供給されて
いる。すなわち、CPU].Oからのデータ書き込み要
求が発行されるとフリップフロップ2132はセント状
態となる。そのQ出力は信号WRがなくなる時間に相当
する時間だけ遅延回路2133て遅延され、その遅延出
力はANDゲー}2134の一方の入力に供給される。
ANDゲー}2134の他方の入力はANDゲー} 2
]. 3 1の出力が供給されており、その出力はS
−R形フリップフロノプ2]35のセソ1・端子Sに供
給されている。
]. 3 1の出力が供給されており、その出力はS
−R形フリップフロノプ2]35のセソ1・端子Sに供
給されている。
フリップフロップ2135のQ出力がオーバライ1・検
出信号○VWとしてCPU1.Oに通知される。
出信号○VWとしてCPU1.Oに通知される。
14−,:\
フリップフロップ2132はタイマ211からの書込み
終了信号WENDによってリセットされる。
終了信号WENDによってリセットされる。
(したがって、EEPROM20のデータ書き込み処理
中にCPUl.0から新たなデータ書き込み要求が発行
されると、フリップフロップ2135はセッ1・状態と
なり、オーバライト信号OVWがアクティブレベル(ハ
イレベル)となる。フリップフロップ2135はCPU
IOの所定の命令の実行によ1)リセッ1・される。
中にCPUl.0から新たなデータ書き込み要求が発行
されると、フリップフロップ2135はセッ1・状態と
なり、オーバライト信号OVWがアクティブレベル(ハ
イレベル)となる。フリップフロップ2135はCPU
IOの所定の命令の実行によ1)リセッ1・される。
今、第4図に示すように、CPUIOが、プロクラムメ
モリ40からCPUIO内の汎用レジスタ(図示せず)
にストアされているデータ゛’5AH”をEEFROM
2 0のアドレス゛’1103H”に書き込めという命
令EEFROMIを受けたとする。同命令の実行により
、CPUIOはアドレスバス60およびデータバス70
に゛’1103H”および“’5AH’″をそれぞれ転
送すると共に書込み指令信号WRを時点T1で発行する
。これに応答して、アドレス検出信号ADCがアクティ
ブレベルになり、フリップフロップ2l32はセッ1・
状態となる。しかし、そのセット出力Qは遅延回路2l
33によって、信一写WDがロウレベルに反転した後に
ANDゲー1・2134に供給されるため、ANDゲー
}2134の出力はロウレベルを保持し、フリップフロ
ップ2135をセットしない。CPUは、EEPW]の
実行後、次の命令の読み出しのためにROM4 0をア
クセスし、次の命令の実行に移行する。一方、EEPR
OM2 0においては、ア1・レス゛’1103H’”
に対スるデータn1夫がまず実行され、消去終了信号E
ENDの発生によって、同アドレスに対するデータ”
5 A FI ”の書込み動作が実行される。この書込
み処理の実行の最中に、CPU].0が汎用レジスタの
データ゛’3DH”をEEFROM20のアドレス゛’
]OFFH”に書き込めという命令EEPW2を受ける
と、CPUIOは時点T2てバス60およひ70にそれ
ぞれ“’IOFFI−I″′および”3DH”を転送し
、かつ書込み指令侶゛号W’Rを発行する。フリップフ
ロップ2132はセット状態にあるため、時点T2てA
NDゲー1− 2 1. 3 4の出力がハイレ?ルと
なりフリップフロップ2135がセット状態となる。す
なわち、オーバライ1・が発生したことをCPUIOに
通知する。もし、命令EEPW2が書込み終了信号WE
NDの発生後に実行されたときは、F/F 3 1 3
2はリセット状態となるため、オーバライト信号Ov
Wは発生しない。
モリ40からCPUIO内の汎用レジスタ(図示せず)
にストアされているデータ゛’5AH”をEEFROM
2 0のアドレス゛’1103H”に書き込めという命
令EEFROMIを受けたとする。同命令の実行により
、CPUIOはアドレスバス60およびデータバス70
に゛’1103H”および“’5AH’″をそれぞれ転
送すると共に書込み指令信号WRを時点T1で発行する
。これに応答して、アドレス検出信号ADCがアクティ
ブレベルになり、フリップフロップ2l32はセッ1・
状態となる。しかし、そのセット出力Qは遅延回路2l
33によって、信一写WDがロウレベルに反転した後に
ANDゲー1・2134に供給されるため、ANDゲー
}2134の出力はロウレベルを保持し、フリップフロ
ップ2135をセットしない。CPUは、EEPW]の
実行後、次の命令の読み出しのためにROM4 0をア
クセスし、次の命令の実行に移行する。一方、EEPR
OM2 0においては、ア1・レス゛’1103H’”
に対スるデータn1夫がまず実行され、消去終了信号E
ENDの発生によって、同アドレスに対するデータ”
5 A FI ”の書込み動作が実行される。この書込
み処理の実行の最中に、CPU].0が汎用レジスタの
データ゛’3DH”をEEFROM20のアドレス゛’
]OFFH”に書き込めという命令EEPW2を受ける
と、CPUIOは時点T2てバス60およひ70にそれ
ぞれ“’IOFFI−I″′および”3DH”を転送し
、かつ書込み指令侶゛号W’Rを発行する。フリップフ
ロップ2132はセット状態にあるため、時点T2てA
NDゲー1− 2 1. 3 4の出力がハイレ?ルと
なりフリップフロップ2135がセット状態となる。す
なわち、オーバライ1・が発生したことをCPUIOに
通知する。もし、命令EEPW2が書込み終了信号WE
NDの発生後に実行されたときは、F/F 3 1 3
2はリセット状態となるため、オーバライト信号Ov
Wは発生しない。
旦セッ1・状態となったフリップフロップ2l35はC
PUIOがこれをリセットする命令を実行しない限り、
現在の書込み処理が終了しても、リセッ1・されない。
PUIOがこれをリセットする命令を実行しない限り、
現在の書込み処理が終了しても、リセッ1・されない。
したがって、EEPW2の命令実行直後でなくとも、プ
■クラムによって、オバライト信号OVWのレベルを判
定することにより、最後に発行したデータ書込み要求が
オーバライ1・であったかどうか検出することができる
。
■クラムによって、オバライト信号OVWのレベルを判
定することにより、最後に発行したデータ書込み要求が
オーバライ1・であったかどうか検出することができる
。
オーバライ1・と検出された場合、書込み処理終了{r
”j号WENDをポーリングすることにより、その後、
E E I) W 2命令を再び実行することにより、
データ“3■)ト丁″“をEEPROM2 0のアドレ
ス“”IOFFI−1”に確実に書き込むことができる
。
”j号WENDをポーリングすることにより、その後、
E E I) W 2命令を再び実行することにより、
データ“3■)ト丁″“をEEPROM2 0のアドレ
ス“”IOFFI−1”に確実に書き込むことができる
。
17
」二記実施例ては、プログラムにより信号O■W,WE
NDのレベルを検出するように構或したが、これらの信
号によってCPU1.Oに対し割込み要求を発生ずるよ
うに構或してもよい。その構或を他の実施例として第5
曲に示す。なお、第1図と同−j.’d’t Jy.部
は同じ番号で示す。木実施例では、EEPROM2 0
からのオーバライ1・信号OVWおよひ書込み処理終了
信号WENDは割込み制御ユニン1・90に供給されて
いる。同ユニッ1・90は第1図では周辺I/0ユニッ
1・30の一部として位置イマ1げされている。同ユニ
ッl・90には他にも割込み信Bが供給されるが木発明
と直接関係ないので省略する。また、プロクラムメモリ
40,データメモリ50,他の周辺コーニソhについて
も省略する。
NDのレベルを検出するように構或したが、これらの信
号によってCPU1.Oに対し割込み要求を発生ずるよ
うに構或してもよい。その構或を他の実施例として第5
曲に示す。なお、第1図と同−j.’d’t Jy.部
は同じ番号で示す。木実施例では、EEPROM2 0
からのオーバライ1・信号OVWおよひ書込み処理終了
信号WENDは割込み制御ユニン1・90に供給されて
いる。同ユニッ1・90は第1図では周辺I/0ユニッ
1・30の一部として位置イマ1げされている。同ユニ
ッl・90には他にも割込み信Bが供給されるが木発明
と直接関係ないので省略する。また、プロクラムメモリ
40,データメモリ50,他の周辺コーニソhについて
も省略する。
CPUIOが、第4図に示す命令EEPW2を実行する
と、EEPROM2 0からオーバライト信号OVWか
割込みコン1・ロールユニッI− 9 0 ニ通知され
る。これに応答して、ユニッl・90は割込み要求信乞
T N T OをCPUIOに(i(給する。
と、EEPROM2 0からオーバライト信号OVWか
割込みコン1・ロールユニッI− 9 0 ニ通知され
る。これに応答して、ユニッl・90は割込み要求信乞
T N T OをCPUIOに(i(給する。
18
CPUIOは実行中のプμグラム処理を中断し、その時
点のプログラムカウンタ(図示せず)等のデータを退避
させ、ユニッ1・90をアクセスして割込みベクタ情報
を読み出す。かくして、オーバライトによる割込みプロ
グラムルーチンが起動される。同ルーチンでは、オーバ
ライトが発生したところのデータ” 3 D H”およ
ひアドレス゛10F F TI ’”をデータメモリ5
0の所定の領域に一時格納し、フリップフロップ213
5をリセットする。この後、中断していたプログラム実
行を再開する。かかる割込みルーチンはオーバライト信
号OVWが発生される毎に起動され、その度EEPRO
M20に書込むべきデータとそのアドレスが退避される
。そして、書込み終了信号WENDが発生されると、割
込みコントロールユニット90は第2の割込み要求信号
INTIを発生し、書込み終了にともなう割込みルーチ
ンを起動する。このルーチンでは、データメモリ50に
最初に退避されていたEEFROM2 0に書き込むべ
きデータとそのアドレスを読み出し、EEFROM2
0?供給して書込み指令信号WRを発行する。中断して
いたプロクラム実行をその後再開する。
点のプログラムカウンタ(図示せず)等のデータを退避
させ、ユニッ1・90をアクセスして割込みベクタ情報
を読み出す。かくして、オーバライトによる割込みプロ
グラムルーチンが起動される。同ルーチンでは、オーバ
ライトが発生したところのデータ” 3 D H”およ
ひアドレス゛10F F TI ’”をデータメモリ5
0の所定の領域に一時格納し、フリップフロップ213
5をリセットする。この後、中断していたプログラム実
行を再開する。かかる割込みルーチンはオーバライト信
号OVWが発生される毎に起動され、その度EEPRO
M20に書込むべきデータとそのアドレスが退避される
。そして、書込み終了信号WENDが発生されると、割
込みコントロールユニット90は第2の割込み要求信号
INTIを発生し、書込み終了にともなう割込みルーチ
ンを起動する。このルーチンでは、データメモリ50に
最初に退避されていたEEFROM2 0に書き込むべ
きデータとそのアドレスを読み出し、EEFROM2
0?供給して書込み指令信号WRを発行する。中断して
いたプロクラム実行をその後再開する。
なお、上記実施例では、シンクルチップマイクロコンピ
ュータとしてプロクラムメモリ40およびデータメモリ
50を内蔵しているが、これらは外付のデバイスとして
横威してもよい。また、EEPROMセルとして所謂M
NOS構或のような他の素子でもよい。さらに、アドレ
スバスおよびデータバスは:I(用のマルチプレックス
アドレス/データバスでもよい。
ュータとしてプロクラムメモリ40およびデータメモリ
50を内蔵しているが、これらは外付のデバイスとして
横威してもよい。また、EEPROMセルとして所謂M
NOS構或のような他の素子でもよい。さらに、アドレ
スバスおよびデータバスは:I(用のマルチプレックス
アドレス/データバスでもよい。
以」二のとおり、本発明では、EEPROMのデータ書
込み処理の最中にCPtJが新たなデータ書込み要求を
発生したことを検出し、そのことをCPUに通知するオ
ーハライl・検出回路■を設けたことにより、EEFR
OMに書込むべきデータの消失を防止することができる
。
込み処理の最中にCPtJが新たなデータ書込み要求を
発生したことを検出し、そのことをCPUに通知するオ
ーハライl・検出回路■を設けたことにより、EEFR
OMに書込むべきデータの消失を防止することができる
。
4
第1図は木発り」の一尖飽例を示すブロック図、第2図
は第1図で示したEEPROMの構戊を示すフロック図
、第3図は第2図で示したオーバライ1・検出回路の回
路図、第4図はオーバライト時の動作を示すタイミング
チャート、第5図は本発明の他の実施例を示すブロック
図である。
は第1図で示したEEPROMの構戊を示すフロック図
、第3図は第2図で示したオーバライ1・検出回路の回
路図、第4図はオーバライト時の動作を示すタイミング
チャート、第5図は本発明の他の実施例を示すブロック
図である。
Claims (4)
- (1)電気的消去書込み可能な不揮発性メモリと、プロ
グラムを実行し前記不揮発性メモリに対してデータ書込
み要求を発行する中央処理装置と、前記データ書込み要
求に応答して、前記不揮発性メモリの所定の番地のデー
タを消去し当該番地にデータを書込むデータ書込み処理
を実行する書込み制御手段と、この書込み手段が前記書
込み処理を実行している最中に前記中央処理装置が次の
データデータ書込み要求を発行したことを検出しオーバ
ライト信号を発生するオーバライト検出手段とを備える
ことを特徴とするマイクロコンピュータ。 - (2)前記オーバライト検出手段は、前記書込み制御手
段が前記データ書込み処理を実行している間セット状態
となるフラグと、このフラグがセット状態のときに前記
次のデータ書込み要求が発行されていることに応答して
前記オーバライト信号を発生する手段とを有することを
特徴とする特許請求の範囲第1項のマイクロコンピュー
タ。 - (3)前記オーバライト信号に応答して前記中央処理装
置に対し割込み要求を発生する手段をさらに備えること
を特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項のマイク
ロコンピュータ。 - (4)前記書込み制御手段は、前記不揮発性メモリへの
データ書込み時間を計数するタイマを有し、前記タイマ
からの書込み終了信号により前記フラグはリセット状態
となることを特徴とする特許請求の範囲第2項のマイク
ロコンピュータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311033A JPH03171496A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | マイクロコンピュータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311033A JPH03171496A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | マイクロコンピュータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03171496A true JPH03171496A (ja) | 1991-07-24 |
Family
ID=18012308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1311033A Pending JPH03171496A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | マイクロコンピュータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03171496A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05216001A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Nec Corp | Lcd製造装置 |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP1311033A patent/JPH03171496A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05216001A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Nec Corp | Lcd製造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3292864B2 (ja) | データ処理装置 | |
| JP4317604B2 (ja) | フラッシュメモリにおける書込み/消去機能を拡張するためのデータプロセシングシステム、不揮発性メモリ、および方法 | |
| US5802552A (en) | System and method for allocating and sharingpage buffers for a flash memory device | |
| US4145761A (en) | Ram retention during power up and power down | |
| JP4663274B2 (ja) | メモリコントローラとそれを備えるスマートカード、およびメモリのデータ読出し動作制御方法 | |
| US5893135A (en) | Flash memory array with two interfaces for responding to RAS and CAS signals | |
| US4694393A (en) | Peripheral unit for a microprocessor system | |
| US5307470A (en) | Microcomputer having EEPROM provided with detector for detecting data write request issued before data write operation responsive to preceding data write request is completed | |
| US6510501B1 (en) | Non-volatile memory read/write security protection feature selection through non-volatile memory bits | |
| JPH06275084A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びそれを用いたデータ処理装置 | |
| US4328558A (en) | RAM Address enable circuit for a microprocessor having an on-chip RAM | |
| US20060020764A1 (en) | Information processing apparatus including non-volatile memory device, non-volatile memory device and methods thereof | |
| US4124892A (en) | Data processing systems | |
| JPH03171496A (ja) | マイクロコンピュータ | |
| JPS6319058A (ja) | メモリ装置 | |
| JPS61245255A (ja) | 不揮発性メモリ装置 | |
| JP3669625B2 (ja) | データ処理システム及びデータ処理システムの動作方法 | |
| RU2020563C1 (ru) | Устройство для распределения данных при параллельном копировании информации | |
| US7487287B2 (en) | Time efficient embedded EEPROM/processor control method | |
| JPS6012660B2 (ja) | メモリ装置 | |
| JPH10307762A (ja) | メモリ初期化制御方式 | |
| RU2179332C1 (ru) | Вычислительная система | |
| JP3278843B2 (ja) | マイクロコンピュータ | |
| JP3135770B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリおよびその不揮発性半導体メモリを使用した記憶装置 | |
| JP2002132746A (ja) | データ処理装置及びシングルチップマイクロコンピュータ |