JPH0317205B2 - - Google Patents
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- JPH0317205B2 JPH0317205B2 JP27866184A JP27866184A JPH0317205B2 JP H0317205 B2 JPH0317205 B2 JP H0317205B2 JP 27866184 A JP27866184 A JP 27866184A JP 27866184 A JP27866184 A JP 27866184A JP H0317205 B2 JPH0317205 B2 JP H0317205B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- conductive
- multilayer ceramic
- conductive paste
- electrode
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Niを主成分とし、非酸化雰囲気
中で焼成される導電ペーストに関する。 〔従来技術〕 非酸化雰囲気中で焼成して製造される積層セラ
ミツクコンデンサは、その内部電極と外部電極と
が何れも同じ導電ペーストを用いて作られてい
た。そしてこの導電ペーストの中の導電粉末は、
Ni粉末のみからなつていた。 この種の積層セラミツクコンデンサの製造方法
を説明する。まずセラミツク材料を用いて未焼結
磁器シートを作り、これに導電ペーストで内部電
極パターンを印刷する。次ぎにこのシートを数枚
積層して切断する。次ぎにこれを非酸化雰囲気中
で1100〜1300℃の温度で焼成する。こうして得ら
れた積層体の側面には内部電極の一部が露出して
いる。この面の外部電極パターンに従つて導電ペ
ーストを塗布し、これを非酸化雰囲気中で1100〜
1150℃の温度で焼成することにより、積層セラミ
ツクコンデンサとなる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 こうして作られた積層セラミツクコンデンサ
は、側面に露出している内部電極の端部と、これ
に接触される外部電極との電気的接続状態の悪い
部分が存在する。この結果、前記積層セラミツク
コンデンサは、誘電体損失tanδの平均値が全体的
に高く、一般には所定の規格値すれすれで、分布
の末端には、所定の規格値を越えるものもあつ
た。 この発明の目的は、従来のNi導電ペーストに
於ける前記の問題を解決することにある。即ち、
内部電極の端部すべてが外部電極と完全に接続さ
れ、これによつて積層セラミツクコンデンサチツ
プの誘電体損失tanδの平均値が所定の規格値より
低いレベルとなり、この結果すべての積層セラミ
ツクコンデンサが所定の規格値以下になるように
することを目的とする。 〔問題を解決するための手段〕 この発明の導電ペーストは、導電粉末とバイン
ダとからなるものに於いて導電粉末が、Ni粉末
を80〜97重量%と、Co粉末3〜20重量%とから
なるものである。なお、バインダは従来公知のも
の、例えばエチルセルローズとブチルカルビトー
ル等からなる。 〔作用〕 この導電ペーストは、積層セラミツクコンデン
サの内部電極または外部電極の何れか一方の電極
を作るのに使用し、他方の電極には従来のNiペ
ーストを用いる。例えば、この発明の導電ペース
トを積層セラミツクコンデンサの内部電極用とし
て使用した場合は、外部電極にNiペーストを使
用する。逆にこの発明の導電ペーストを外部電極
用として使用した場合には、内部電極にNiペー
ストを使用する。 このようにして内外部電極用の導電ペーストが
用いられた場合、外部電極を焼き付ける際に、こ
の発明の導電ペーストによつて作られた電極側か
ら、Coを含まない他方の電極側へとCoが拡散し、
両電極間に連続的な完全固溶状態のNi−Co合金
ができる。この結果、両電極間の電気的接続状態
が良好となり、積層セラミツクコンデンサの誘電
体損失tanδを低減させることができるようにな
る。 この発明による導電ペーストの導電粉末中の組
成比を前記のように限定した理由は、次の通りで
ある。導電ペーストの導電粉末中のCo粉末の割
合が少なくときは、内外部電極間のCoの濃度差
が低くなることから、外部電極の焼付時に、一方
の電極から他方の電極へのCoの拡散が起こりに
くくなる。このため、前記のような両電極間の電
気的接続の悪い状態が形成され、この結果、積層
セラミツクコンデンサの誘電体損失tanδが総体的
に高くなり、すべての積層セラミツクコンデンサ
が誘電体損失tanδについて所定の規格値を満足で
きい。一方、導電粉末中のCo粉末の割合が多い
ときは、Niペーストを使用した電極に比べて、
電極の抵抗値が高くなる。このため、積層セラミ
ツクコンデンサの等価直列抵抗ESRが高くなる。
従つて、これらの点から前記導電粉末中のCo粉
末の濃度を3〜20重量%の範囲とする必要があ
る。 実施例 1 次ぎにこの発明の実施例について述べる。 導電粉末として純度99.9%のNi粉末とCo粉末
を、またバインダーとしてエチルセルローズとブ
チルカルビトールをそれぞれ表1の割合で配合し
た。これらを擂潰機で3時間混合し、その後ロー
ルミルで1時間混練し、A、B、C3種類の導電
ペーストを作つた。 これら3種類の導電ペーストを次ぎの方法で使
用し、それぞれ500個ずつの積層セラミツク
中で焼成される導電ペーストに関する。 〔従来技術〕 非酸化雰囲気中で焼成して製造される積層セラ
ミツクコンデンサは、その内部電極と外部電極と
が何れも同じ導電ペーストを用いて作られてい
た。そしてこの導電ペーストの中の導電粉末は、
Ni粉末のみからなつていた。 この種の積層セラミツクコンデンサの製造方法
を説明する。まずセラミツク材料を用いて未焼結
磁器シートを作り、これに導電ペーストで内部電
極パターンを印刷する。次ぎにこのシートを数枚
積層して切断する。次ぎにこれを非酸化雰囲気中
で1100〜1300℃の温度で焼成する。こうして得ら
れた積層体の側面には内部電極の一部が露出して
いる。この面の外部電極パターンに従つて導電ペ
ーストを塗布し、これを非酸化雰囲気中で1100〜
1150℃の温度で焼成することにより、積層セラミ
ツクコンデンサとなる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 こうして作られた積層セラミツクコンデンサ
は、側面に露出している内部電極の端部と、これ
に接触される外部電極との電気的接続状態の悪い
部分が存在する。この結果、前記積層セラミツク
コンデンサは、誘電体損失tanδの平均値が全体的
に高く、一般には所定の規格値すれすれで、分布
の末端には、所定の規格値を越えるものもあつ
た。 この発明の目的は、従来のNi導電ペーストに
於ける前記の問題を解決することにある。即ち、
内部電極の端部すべてが外部電極と完全に接続さ
れ、これによつて積層セラミツクコンデンサチツ
プの誘電体損失tanδの平均値が所定の規格値より
低いレベルとなり、この結果すべての積層セラミ
ツクコンデンサが所定の規格値以下になるように
することを目的とする。 〔問題を解決するための手段〕 この発明の導電ペーストは、導電粉末とバイン
ダとからなるものに於いて導電粉末が、Ni粉末
を80〜97重量%と、Co粉末3〜20重量%とから
なるものである。なお、バインダは従来公知のも
の、例えばエチルセルローズとブチルカルビトー
ル等からなる。 〔作用〕 この導電ペーストは、積層セラミツクコンデン
サの内部電極または外部電極の何れか一方の電極
を作るのに使用し、他方の電極には従来のNiペ
ーストを用いる。例えば、この発明の導電ペース
トを積層セラミツクコンデンサの内部電極用とし
て使用した場合は、外部電極にNiペーストを使
用する。逆にこの発明の導電ペーストを外部電極
用として使用した場合には、内部電極にNiペー
ストを使用する。 このようにして内外部電極用の導電ペーストが
用いられた場合、外部電極を焼き付ける際に、こ
の発明の導電ペーストによつて作られた電極側か
ら、Coを含まない他方の電極側へとCoが拡散し、
両電極間に連続的な完全固溶状態のNi−Co合金
ができる。この結果、両電極間の電気的接続状態
が良好となり、積層セラミツクコンデンサの誘電
体損失tanδを低減させることができるようにな
る。 この発明による導電ペーストの導電粉末中の組
成比を前記のように限定した理由は、次の通りで
ある。導電ペーストの導電粉末中のCo粉末の割
合が少なくときは、内外部電極間のCoの濃度差
が低くなることから、外部電極の焼付時に、一方
の電極から他方の電極へのCoの拡散が起こりに
くくなる。このため、前記のような両電極間の電
気的接続の悪い状態が形成され、この結果、積層
セラミツクコンデンサの誘電体損失tanδが総体的
に高くなり、すべての積層セラミツクコンデンサ
が誘電体損失tanδについて所定の規格値を満足で
きい。一方、導電粉末中のCo粉末の割合が多い
ときは、Niペーストを使用した電極に比べて、
電極の抵抗値が高くなる。このため、積層セラミ
ツクコンデンサの等価直列抵抗ESRが高くなる。
従つて、これらの点から前記導電粉末中のCo粉
末の濃度を3〜20重量%の範囲とする必要があ
る。 実施例 1 次ぎにこの発明の実施例について述べる。 導電粉末として純度99.9%のNi粉末とCo粉末
を、またバインダーとしてエチルセルローズとブ
チルカルビトールをそれぞれ表1の割合で配合し
た。これらを擂潰機で3時間混合し、その後ロー
ルミルで1時間混練し、A、B、C3種類の導電
ペーストを作つた。 これら3種類の導電ペーストを次ぎの方法で使
用し、それぞれ500個ずつの積層セラミツク
導電粉末としてNi粉末100g、またバインダと
してエチルセルローズ16g、ブチルカルビトール
94gを混練して作られた内部電極用導電ペースト
を使用し、実施例1と同じ方法と条件で同じ規格
の積層セラミツクコンデンサを500個作つた。 さらにこれらについて、同様の方法で誘電体損
失tanδと静電容量Cを測定した。この比較例にお
いては、誘電体損失tanδが前記実施例に比べて全
体的に高く、その平均値が3.1%と、前記規格値
3.0%を越えていた。この結果を表2に示す。
してエチルセルローズ16g、ブチルカルビトール
94gを混練して作られた内部電極用導電ペースト
を使用し、実施例1と同じ方法と条件で同じ規格
の積層セラミツクコンデンサを500個作つた。 さらにこれらについて、同様の方法で誘電体損
失tanδと静電容量Cを測定した。この比較例にお
いては、誘電体損失tanδが前記実施例に比べて全
体的に高く、その平均値が3.1%と、前記規格値
3.0%を越えていた。この結果を表2に示す。
以上説明した通り、この発明による導電ペース
トを一方の電極用の導電ペーストとして使用し、
積層セラミツクコンデンサを作ると、外部電極と
内部電極の接続状態が良くなる。この結果、これ
らコンデンサの誘電体損失tanδを低くすることが
でき、すべてのものが所定の規格範囲を満足する
ことができた。
トを一方の電極用の導電ペーストとして使用し、
積層セラミツクコンデンサを作ると、外部電極と
内部電極の接続状態が良くなる。この結果、これ
らコンデンサの誘電体損失tanδを低くすることが
でき、すべてのものが所定の規格範囲を満足する
ことができた。
Claims (1)
- 1 導電粉末とバインダとからなる導電ペースト
に於いて、導電粉末が、Ni粉末80〜97重量%と、
Co粉末3〜20重量%とからなることを特徴とす
る導電ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27866184A JPS61158122A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 導電ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27866184A JPS61158122A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 導電ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61158122A JPS61158122A (ja) | 1986-07-17 |
| JPH0317205B2 true JPH0317205B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=17600390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27866184A Granted JPS61158122A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 導電ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61158122A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752696B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1995-06-05 | 太陽誘電株式会社 | 積層形セラミツクコンデンサ及びその製造方法 |
| KR20140024584A (ko) * | 2012-08-20 | 2014-03-03 | 삼성전기주식회사 | 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품 |
-
1984
- 1984-12-29 JP JP27866184A patent/JPS61158122A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61158122A (ja) | 1986-07-17 |
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