JPH03173919A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH03173919A JPH03173919A JP28936989A JP28936989A JPH03173919A JP H03173919 A JPH03173919 A JP H03173919A JP 28936989 A JP28936989 A JP 28936989A JP 28936989 A JP28936989 A JP 28936989A JP H03173919 A JPH03173919 A JP H03173919A
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- Japan
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- magnetic recording
- layer
- pressure
- chromium layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、磁気記録媒体に係り、より詳細には合成樹脂
により形成された基体を用いた磁気記録媒体に関する。
により形成された基体を用いた磁気記録媒体に関する。
[従来の技術]
従来の磁気記録媒体として、基体として合成樹脂を用い
たものが知られている。合成樹脂からなる磁気記録媒体
用基体は、アルミニウム基板よりも軽量であること、加
工性に優れていることなどの長所を有する。
たものが知られている。合成樹脂からなる磁気記録媒体
用基体は、アルミニウム基板よりも軽量であること、加
工性に優れていることなどの長所を有する。
また、従来、合成樹脂からなる基体の表面をチタン、チ
タン合金またはチタン化合物により被覆し、これを磁気
記録媒体用基体として用いた磁気記録媒体が技術開示さ
れている(特開昭61−187117号公報)1表面を
チタン、チタン合金またはチタン化合物により被覆する
ことにより、基体表面の硬度および粗度を向上させるこ
とができる。
タン合金またはチタン化合物により被覆し、これを磁気
記録媒体用基体として用いた磁気記録媒体が技術開示さ
れている(特開昭61−187117号公報)1表面を
チタン、チタン合金またはチタン化合物により被覆する
ことにより、基体表面の硬度および粗度を向上させるこ
とができる。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、合成樹脂製の基体を用いた磁気記録媒体は、当
該基体上にクロムからなる下地層と記録層とを形成した
場合、記録層にクランクが発生しやすく、このため、磁
気記録媒体の信号特性が劣化するという課題を有してい
た。これは、本発明者の検討によれば、合成樹脂製基体
とクロムからなる下地層との密着性が悪いためであると
考えられる。これに対して、クロム層を形成する時の成
膜条件を選択することによってクラックのないものを作
成することも可能であるが、この場合には、記録特性が
低下してしまうという課題があった。
該基体上にクロムからなる下地層と記録層とを形成した
場合、記録層にクランクが発生しやすく、このため、磁
気記録媒体の信号特性が劣化するという課題を有してい
た。これは、本発明者の検討によれば、合成樹脂製基体
とクロムからなる下地層との密着性が悪いためであると
考えられる。これに対して、クロム層を形成する時の成
膜条件を選択することによってクラックのないものを作
成することも可能であるが、この場合には、記録特性が
低下してしまうという課題があった。
この課題は、上述のごとき合成樹脂の基板上にチタン、
チタン合金、チタン化合物層を形成した場合でも同様に
存在する。本発明者の検討によれば、これも、チタン等
の被膜とクロムとの密着力が弱いことに起因するもので
あった。
チタン合金、チタン化合物層を形成した場合でも同様に
存在する。本発明者の検討によれば、これも、チタン等
の被膜とクロムとの密着力が弱いことに起因するもので
あった。
本発明は、このような従来の技術的課題に鑑みて試され
たものであり、記録層にクラックが発生しにくく、記録
特性が劣化することのない磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
たものであり、記録層にクラックが発生しにくく、記録
特性が劣化することのない磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
[課題を解決するための手段〕
本発明の磁気記録媒体は、合成樹脂により形成された基
体と、当該基体上に形成された下地層と、当該下地層上
に形成された記録層とを少なくとも有する磁気記録媒体
において、 前記下地層が、Ar圧力の高い状態でのスパッタリング
により形成されたクロム層Aと、Ar圧力の低い状態で
のスパッタリングにより形成されたクロム層Bとにより
構成されたことを特徴とする請求項1)。
体と、当該基体上に形成された下地層と、当該下地層上
に形成された記録層とを少なくとも有する磁気記録媒体
において、 前記下地層が、Ar圧力の高い状態でのスパッタリング
により形成されたクロム層Aと、Ar圧力の低い状態で
のスパッタリングにより形成されたクロム層Bとにより
構成されたことを特徴とする請求項1)。
本発明の磁気記録媒体は、合成樹脂により形成された基
体と、当該基体上に形成された下地層と、当該下地層上
に形成された記録層とを少なくとも有する磁気記録媒体
において、 前記下地層が、Ar圧力の高い状態からAr圧力の低い
状態へ徐々に変化させたスパッタリングにより形成され
たクロム層であることを特徴とする。
体と、当該基体上に形成された下地層と、当該下地層上
に形成された記録層とを少なくとも有する磁気記録媒体
において、 前記下地層が、Ar圧力の高い状態からAr圧力の低い
状態へ徐々に変化させたスパッタリングにより形成され
たクロム層であることを特徴とする。
以下、本発明の構成について、より詳細に説明する。
(合成樹脂基体)
本発明に使用される合成樹脂基体としては、例えば、ア
クリル系、ポリカーボネート系、ポリイミド系、エポキ
シ系などの1種もしくは2 ff1以上の混合樹脂によ
り形成されたものが使用可能である。
クリル系、ポリカーボネート系、ポリイミド系、エポキ
シ系などの1種もしくは2 ff1以上の混合樹脂によ
り形成されたものが使用可能である。
また、これらの樹脂に、ガラス繊維、炭素繊維、チタン
酸カリウムウィスカーなどの繊維状物質やガラスピーズ
、カーボン粒子、セラミックス粉末などを充填したもの
を使用してもよい。
酸カリウムウィスカーなどの繊維状物質やガラスピーズ
、カーボン粒子、セラミックス粉末などを充填したもの
を使用してもよい。
さらに、このようにして作製した合成樹脂基体の表面を
チタン、チタン合金またはチタン化合物によって被覆し
たものを使用してもよい。
チタン、チタン合金またはチタン化合物によって被覆し
たものを使用してもよい。
(下地層)
請求項1に係る本発明では、上記合成樹脂製基体の上に
、Ar圧力の高い状態でのスパッタリングにより形成さ
れたクロム層Aと、Ar圧力の低い状態でのスパッタリ
ングにより形成されたクロム層Bとを積層して、下地層
とする。
、Ar圧力の高い状態でのスパッタリングにより形成さ
れたクロム層Aと、Ar圧力の低い状態でのスパッタリ
ングにより形成されたクロム層Bとを積層して、下地層
とする。
スパッタリング時のAr圧力はクロム層Aについては1
.5×10−”Torr以上であることが好ましく、ク
ロム層Bについては1.0X10−2Torr以下であ
ることが好ましい(請求項2、請求項3)。クロム層A
のAr圧力が1.5×10””Torrより低い場合に
はクランクが発生やすくなり、クロム層BのAr圧力が
1.O×10−2Torrより高い場合には記録媒体と
しての出力が低下してしまうからである。
.5×10−”Torr以上であることが好ましく、ク
ロム層Bについては1.0X10−2Torr以下であ
ることが好ましい(請求項2、請求項3)。クロム層A
のAr圧力が1.5×10””Torrより低い場合に
はクランクが発生やすくなり、クロム層BのAr圧力が
1.O×10−2Torrより高い場合には記録媒体と
しての出力が低下してしまうからである。
クロム層Aの厚さとクロム層Bの厚さとの比は、クロム
層Aの厚さをXAとし、クロム層Bの厚さをx8とした
場合に、XA / XB = 0 、5〜4となるよう
にすることが好ましい(iit 京項4)。この範囲よ
りもクロム層Bが厚い場合にはクラックが発生しやすく
なり、薄い場合には記録特性が悪くなるからである。
層Aの厚さをXAとし、クロム層Bの厚さをx8とした
場合に、XA / XB = 0 、5〜4となるよう
にすることが好ましい(iit 京項4)。この範囲よ
りもクロム層Bが厚い場合にはクラックが発生しやすく
なり、薄い場合には記録特性が悪くなるからである。
請求項5に係る本発明では、スパッタリング開始時のA
r圧力を1.5X10−2Torr以上とし、スパッタ
リング終了時前のAr圧力を1.0XIO−2Torr
以下であることが好ましい(請求項6)。開始時のAr
圧力が1.5X1(M2Torrより低い場合にはクラ
ックが発生やすくなり、一方、スパッタリング終了時前
のAr圧力を1.0XIO−2Torrより高くすると
記録媒体としての出力が低下してしまうからである。
r圧力を1.5X10−2Torr以上とし、スパッタ
リング終了時前のAr圧力を1.0XIO−2Torr
以下であることが好ましい(請求項6)。開始時のAr
圧力が1.5X1(M2Torrより低い場合にはクラ
ックが発生やすくなり、一方、スパッタリング終了時前
のAr圧力を1.0XIO−2Torrより高くすると
記録媒体としての出力が低下してしまうからである。
なお、Ar圧力の高い状態(1,5X10−2Torr
以上)でクロム層の173以上の厚さを形成するのが好
ましい(請求項7)。これより薄い場合にはクラックが
発生することがあるためである。
以上)でクロム層の173以上の厚さを形成するのが好
ましい(請求項7)。これより薄い場合にはクラックが
発生することがあるためである。
(記録層)
本発明は、記録層の材料、膜厚、形成方法等を特に限定
するものではない。例えば記録層の形成材料としては、
Co−Cr、Co−N 1−Cr等が使用可能である。
するものではない。例えば記録層の形成材料としては、
Co−Cr、Co−N 1−Cr等が使用可能である。
また、記録膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンブレーティング法、メツキ
法等が使用可能である。
、スパッタリング法、イオンブレーティング法、メツキ
法等が使用可能である。
(層構造)
なお、本発明は磁気記録媒体の層構造を特に限定するも
のではなく、保護層等の層を設けてもよいことはもちろ
んである。これらの層の成膜方法も特に限定するもので
はなく、湿式メツキ法、スパッタリング法、真空蒸着法
など、条件に応じて任意の成膜技術を用いることが可能
である。
のではなく、保護層等の層を設けてもよいことはもちろ
んである。これらの層の成膜方法も特に限定するもので
はなく、湿式メツキ法、スパッタリング法、真空蒸着法
など、条件に応じて任意の成膜技術を用いることが可能
である。
さらに、保護層表面に潤滑剤を塗布することによって、
C3S酎久性を向上させることも可能である。
C3S酎久性を向上させることも可能である。
[作用]
本発明によれば、上述のごとき構成の下地層を用いるこ
とにより、磁気記録媒体用基体と下地層との密着性を向
上させることができるので、記録層にクラックを発生し
にくくすることができる。
とにより、磁気記録媒体用基体と下地層との密着性を向
上させることができるので、記録層にクラックを発生し
にくくすることができる。
併せて、本発明によれば、上述のごとき構成の下地層を
用いることにより、磁気記録媒体の記録特性を向上させ
ることが可能となる。
用いることにより、磁気記録媒体の記録特性を向上させ
ることが可能となる。
[実施例]
(実施例1)
以下、本発明の一実施例について、磁気記録媒体の一例
として磁気ディスクを例にとって、第1図を用いて説明
する。
として磁気ディスクを例にとって、第1図を用いて説明
する。
第1図は、本実施例に係わる磁気記録媒体の層構造を示
す模式的断面図である0図において、1は合成樹脂製の
基板、2はクロム層A、3はクロム層B、4は記録層と
してのコバルト合金膜、5は保護層としてのカーボン膜
である。
す模式的断面図である0図において、1は合成樹脂製の
基板、2はクロム層A、3はクロム層B、4は記録層と
してのコバルト合金膜、5は保護層としてのカーボン膜
である。
本実施例では、クロム層Aおよびクロム層Bにづいて膜
厚およびAr圧力がそれぞれ異なる磁気ディスクを7種
類作製し、各磁気ディスクについて、クラックの有無の
観察と記録特性の測定を行なった。また、比較のために
、クロム層を1層のみ有する磁気ディスクを2種類作製
し、同様の評価を行なった。
厚およびAr圧力がそれぞれ異なる磁気ディスクを7種
類作製し、各磁気ディスクについて、クラックの有無の
観察と記録特性の測定を行なった。また、比較のために
、クロム層を1層のみ有する磁気ディスクを2種類作製
し、同様の評価を行なった。
各磁気ディスクともに、合成樹脂製基板としては、ポリ
エーテルイミド樹脂(商品名:ウルテム)を外径130
mm、内径40mm、厚さ1.9mmのドーナツ型に射
出成形したものを使用した。
エーテルイミド樹脂(商品名:ウルテム)を外径130
mm、内径40mm、厚さ1.9mmのドーナツ型に射
出成形したものを使用した。
この基板の表面に、D、C,マグネトロン方式のスパッ
タリング装置でクロム層を形成した。各磁気ディスクの
クロム層の膜厚およびAr圧力を表1に示す。
タリング装置でクロム層を形成した。各磁気ディスクの
クロム層の膜厚およびAr圧力を表1に示す。
このクロム層の上に、コバルト合金(co:Ni :C
r=70 : 20 : 10.重量比)からなる記録
層と、カーボン膜からなる保護層とを、それぞれ形成し
た。各層の膜厚は、それぞれ、記録層は0.08μm、
保護層は0.03μmとした。
r=70 : 20 : 10.重量比)からなる記録
層と、カーボン膜からなる保護層とを、それぞれ形成し
た。各層の膜厚は、それぞれ、記録層は0.08μm、
保護層は0.03μmとした。
次に、これらの磁気ディスクの表面を500倍の光学顕
微鏡でそれぞれ観察し、クランクの有無を調べた。
微鏡でそれぞれ観察し、クランクの有無を調べた。
さらに、3370型トラック幅20μmのミニモノリシ
ックヘッドを使い、サーチファイヤーでID(rz35
mm)、OD(r=59mm)の記録再生出力(記録周
波数2.5MHz)を測定した。
ックヘッドを使い、サーチファイヤーでID(rz35
mm)、OD(r=59mm)の記録再生出力(記録周
波数2.5MHz)を測定した。
これらの結果を表1にあわせて示す。
表1かられかるように、本実施例の磁気ディスクにはク
ランクがほとんど発生せず、また記録特性も向上してい
た。特に、クロム層AをAr圧力が1.5X10−”T
orr以上のスパッタリングにより形成し、クロム層B
をAr圧力が1.o×10−2Torr以下のスパッタ
リング心より形成し、且つ、クロム層Aの厚さ/クロム
層Bの厚さが0.5〜4である場合(実験N001〜6
)には、クランクは全く発生せず、記録特性も非常に優
れていた。
ランクがほとんど発生せず、また記録特性も向上してい
た。特に、クロム層AをAr圧力が1.5X10−”T
orr以上のスパッタリングにより形成し、クロム層B
をAr圧力が1.o×10−2Torr以下のスパッタ
リング心より形成し、且つ、クロム層Aの厚さ/クロム
層Bの厚さが0.5〜4である場合(実験N001〜6
)には、クランクは全く発生せず、記録特性も非常に優
れていた。
(実施例2)
ポリエーテルイ稟ド樹脂(商品名:ウルテム)を外径1
30mm、内径40mm、厚さ1.9mmのドーナツ型
に成形した基板を使用した。
30mm、内径40mm、厚さ1.9mmのドーナツ型
に成形した基板を使用した。
基板上にり、C,マグネトロン方式のスパッタリング装
置で厚さをモニターしながら表2に示す条件でクロム層
を形成し、その上にコバルト合金(Co:Ni :Cr
=70:20:10%重量比)からなる記録層と、カー
ボン膜からなる保護層を形成した。各層の膜厚は、それ
ぞれ、記録層は0.08μm1保護層は0.03μmと
した。
置で厚さをモニターしながら表2に示す条件でクロム層
を形成し、その上にコバルト合金(Co:Ni :Cr
=70:20:10%重量比)からなる記録層と、カー
ボン膜からなる保護層を形成した。各層の膜厚は、それ
ぞれ、記録層は0.08μm1保護層は0.03μmと
した。
ここで、クロム成膜中のAr圧力を低くする割合をクロ
ム層の厚さ0.01μmあたりどれだけAr圧力を低く
しているかで表わした。
ム層の厚さ0.01μmあたりどれだけAr圧力を低く
しているかで表わした。
このようにして作製した磁気ディスクの表面を500倍
の光学顕微鏡で観察してクラックの有無を調べた。
の光学顕微鏡で観察してクラックの有無を調べた。
さらに、3370型クラック@20μmのミニモノリシ
ックヘッドを使い、 AdelphL社製サーチファ
イヤーでI D (r=35mm) 、 00 (r=
59mm)の記録再生出力(記録周波数2.5MHz、
回転数3600r、p、m、)を測定した。その結果を
あわせて表2に示す。
ックヘッドを使い、 AdelphL社製サーチファ
イヤーでI D (r=35mm) 、 00 (r=
59mm)の記録再生出力(記録周波数2.5MHz、
回転数3600r、p、m、)を測定した。その結果を
あわせて表2に示す。
表2かられかるように、本実施例の磁気ディスクにはク
ラックがほとんど発生せず、また記録特性も向上してい
た。特に、Ar圧力が1.5×10−2Torr以上の
スパッタリングにより下地層の1/3以上を形成した場
合(実験No、10〜14)には、クラックは全く発生
せず、記録特性も非常に優れていた。
ラックがほとんど発生せず、また記録特性も向上してい
た。特に、Ar圧力が1.5×10−2Torr以上の
スパッタリングにより下地層の1/3以上を形成した場
合(実験No、10〜14)には、クラックは全く発生
せず、記録特性も非常に優れていた。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、記録層にクラン
クを発生しにくく、優れた記録特性を有する、合成樹脂
基体を用いた磁気記録媒体を提供することが可能となる
。
クを発生しにくく、優れた記録特性を有する、合成樹脂
基体を用いた磁気記録媒体を提供することが可能となる
。
第1図は、本発明の実施例1に係るEf!気記録媒体の
N構造を示す模式的断面図である。 1・・・基板、2・・・クロム下地層A、3・・・クロ
ム下地層B、4・・・記録層、5・・・保護層。
N構造を示す模式的断面図である。 1・・・基板、2・・・クロム下地層A、3・・・クロ
ム下地層B、4・・・記録層、5・・・保護層。
Claims (7)
- (1)合成樹脂により形成された基体と、当該基体上に
形成された下地層と、当該下地層上に形成された記録層
とを少なくとも有する磁気記録媒体において、 前記下地層が、Ar圧力の高い状態でのスパッタリング
により形成されたクロム層Aと、Ar圧力の低い状態で
のスパッタリングにより形成されたクロム層Bとにより
構成されたことを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)前記クロム層Aが、Ar圧力を1.5×10^−
^2Torr以上としたスパッタリングにより形成され
たことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 - (3)前記クロム層Bが、Ar圧力を1.0×10^−
^2Torr以下としたスパッタリングにより形成され
たことを特徴とする請求項1または2記載の磁気記録媒
体。 - (4)前記クロム層Aの膜厚X_Aと前記クロム層Bの
膜厚X_Bとの比が、X_A/X_B=0.5〜4であ
ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記
載の磁気記録媒体。 - (5)合成樹脂により形成された基体と、当該基体上に
形成された下地層と、当該下地層上に形成された記録層
とを少なくとも有する磁気記録媒体において、 前記下地層が、Ar圧力を高い状態から低い状態へ徐々
に変化させたスパッタリングにより形成されたクロム層
であることを特徴とする磁気記録媒体。 - (6)Ar圧力の高い状態は1.5×10^−^2To
rr以上であり、Ar圧力の低い状態は1.0×10^
−^2Torr以下であることを特徴とする請求項5記
載の磁気記録媒体。 - (7)1.5×10^−^2Torr以上のAr圧力状
態で、下地層の1/3以上の厚さを形成することを特徴
とする請求項6記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28936989A JPH03173919A (ja) | 1989-09-01 | 1989-11-06 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22776189 | 1989-09-01 | ||
| JP1-227761 | 1989-09-01 | ||
| JP28936989A JPH03173919A (ja) | 1989-09-01 | 1989-11-06 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173919A true JPH03173919A (ja) | 1991-07-29 |
Family
ID=26527853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28936989A Pending JPH03173919A (ja) | 1989-09-01 | 1989-11-06 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03173919A (ja) |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP28936989A patent/JPH03173919A/ja active Pending
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