JPS63282915A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、磁気記録媒体に関する。

〔背景技術〕

近年、磁気記録再生装置は、小型軽量化、高密度化の傾
向にある。このため、高密度で記録可能な媒体の必要性
が高まっている。

通常、この媒体の基体としては、アルミニウム合金盤が
用いられている。しかし、アルミニウム合金の場合、そ
の表面を満足のゆく平滑度にするためには、機械加工、
ラッピング等の鏡面加工が必要である。したがって、得
られる基体が非常に高価になるという問題がある。

このアルミニウム合金基体に代わるものとして、ガラス
基体やセラミック基体も提案されている。しかし、いず
れの場合も表面を十分な平滑面とするためには、表面研
磨に多大な工数を要すると言う問題があった。しかも、
ガラス基体の場合には、割れやすいと言う問題もあった
。

これらに対して、容易に平滑な表面を形成することがで
きるものとして、プラスチック基体が提案されている。

プラスチックを基体として用いることによって軽量化で
き、しかも、製造コストが低減できる。しかし、プラス
チックを基体として用いたものの場合、磁気記録媒体と
しての耐久性の点を満足できるものがなかった。

〔発明の目的〕

この発明は、このような事情に鑑みて、プラスチック基
体で、かつ、耐久性に優れた磁気記録媒　。

体を提供することを目的としている。

〔発明の開示〕

この発明は、このような目的を達成するために、プラス
チック基体の表面にめっき下地膜、非磁性金属めっき層
、磁性体膜、潤滑保護膜がこの順で積層形成されている
磁気記録媒体であって、前記めっき下地膜が複数の下地
薄膜が積層されて形成されていて、これらの下地薄膜の
うち前記プラスチック基体に接する薄膜が前記プラスチ
・７り基体と密着性がよい材料で形成され、前記非磁性
金属めっき層に接する薄膜が前記非磁性金属めっき層と
密着性がよい材料で形成されていることを特徴とする磁
気記録媒体を要旨としている。

以下に、この発明を、その実施例をあられす図面を参照
しつつ詳しく説明する。

第１図はこの発明にかかる磁気記録媒体の１実施例を横
から見た断面であられしている。図にみるように、この
磁気記録媒体は、プラスチック基体１の両面にめっき下
地膜２．非磁性金属めっきＰｔ３．磁性体膜４．潤滑保
護膜５がこの順で積層形成されている。

プラスチック基体１を形成する材料としては、非晶質ポ
リマーが望ましく、たとえば、ポリメチルメタクリレー
ト樹脂、ポリカーボネート樹脂。

ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂。

ポリスチレン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェ
ニレンオキサイド樹脂等が挙げられ、これらが単独であ
るいは混合して用いられる。これらの樹脂の成形時の温
度において軟化する無機物。

金属等の化合物が、必要に応じて含まれていても構わな
い。上記無機物としては、たとえば、チオシアン酸ナト
リウム等が、金属としては半田等が挙げられる。

これらの樹脂または樹脂混合物からプラスチック基体１
を得る方法としては、とくに限定されないが、たとえば
、押し出し成形によって得られたシート状物を所定の大
きさに打ち抜く方法や鏡面加工を施した金型を用いて射
出成形を行う方法等が挙げられる。

めっき下地膜２は、非磁性金属めっき層をめっきによっ
て形成する場合の下地となる非磁性膜であって、プラス
チック基体１および非磁性金属めっき層３の双方に対し
て密着性がよいものでなくてはならない。

そのため、この実施例の磁気記録媒体は、めっき下地膜
２が、プラスチック基体１に接する側に配置されプラス
チック基体１と密着性がよい第１下地薄１！Ｊ２ａと、
非磁性金属めっき層３に接する側に配置され非磁性金泥
めっき層３と密着性がよい第２下地薄膜２ｂの２つの薄
膜が積層されて形成されている。すなわち、上記のよう
に、めっき下地膜２を複数の薄膜で形成するようにする
のは、一種類の材質によってプラスチック基体１および
非磁性金属めっき層３の双方に対して密着性がよいめっ
き下地膜２を形成することができないためである。

第１下地薄膜２ａとしては、プラスチック基体１と密着
性がよいものが選択され、たとえば、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ
等の金属やＡ　Ｉ　Ｎ、　　Ｓ　ｉ　Ｎ、　Ｔ　ｉＮ等
の窒化物系セラミックなど薄膜が挙げられる。第２下地
薄膜２ｂとしては、非磁性金属めっき層３と密着性がよ
いものであれば、とくに限定されないが、たとえば、Ａ
ｕ、Ａ’ｇ、Ｐｔ、Ｃｕ。

Ａｔ、Ｐｄ、Ｐｂ等の非磁性金属の薄膜が挙げられる。

これらのうち、Ｃｕ、Ｐｄが、とくに非磁性金属めっき
層３との密着性がよく好ましい。

上記の第１下地薄膜２ａおよび第２下地薄膜２ｂは、金
属の場合には、蒸着、イオンブレーティング、スパッタ
リング等の方法で、窒化物系セラミックの場合には、イ
オンブレーティング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ
等の方法で形成される。また、第１下地薄膜２ａ形成前
にプラスチック基体１の表面をプラズマエツチング、逆
スパツタリング等を行うようにしても構わない。このよ
うにすれば、プラスチック基体１との密着性をさらに高
めることができる。

第２下地薄膜２ｂとしてＣｕを用いた場合の膜の厚みは
、０，１〜２．０μｍ程度にすることが好ましい。０．
１μｍ未満では、次工程でのめっきの密着性が悪くなる
。２．０μｍを越えると、膜中にクラックが生じ、耐ヘ
ンドクラソシュ性（以下、「耐Ｃ８Ｓ性」と記す）が向
上しない。Ｐｄを用いた場合の膜の厚みは、５０〜２０
００人程度が好ましい。５０人未満では、膜中にピンホ
ールが多数発生し、次工程でのめっきの密着性が悪くな
る。２０００人を越えると、膜中にクラックが生じ、耐
ＣＳＳ性が向上しない。

非磁性金属めっき層３は、磁性体膜４の下地となるとと
もに、プラスチック基体１の表面硬度を高めるために形
成される。表面硬度を高めることによって、使用中に磁
気ヘッドが磁気記録媒体に接触してもプラスチック基体
１が変形しないようにしている。つまり、非磁性金属め
っき層３は、耐Ｃ８Ｓ性を向上させるために設けられる
。

非磁性金属めっき層３としては、耐蝕性があり、表面硬
度）（ｖが３００以上になるめっき層であれば、とくに
限定されないが、非磁性の無電解ニッケル系めっき層が
好ましい。無電解ニッケル系めっき層の組成としては、
非磁性安定性の観点からＮ１−Ｐ、Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ等が
好ましい。めっき層の厚みとしては、１０〜３０μｍ程
度が好ましい。１０．ａｍ未満では、基体が弾性を有し
ているので、表面硬度がそれほど高くならない。したが
って、耐Ｃ８Ｓ性が悪い。３０μｍを越えると、めっき
層の内部応力によりプラスチツク基体１自体に反りが発
生するため、耐Ｃ８Ｓ性が向上しない。

磁性体膜４の材質としては、Ｔ−Ｆｅ、Ｑ、。

バリウム・フェライト磁性粉、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ。

Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、酸化鉄系
合金などが挙げられる。これらの磁性体膜４の形成方法
は、とくに限定されない。たとえば、γ−Ｆｅｚｅｓ、
バリウム・フェライト磁性粉を用いて磁性体膜４を形成
する場合には、これらの粉末をバインダーに分散させ、
スピンコードによって行うようにする。Ｃｏ　　Ｎｉ　
ＰＦｉを形成する場合には、無電解メッキにより行うよ
うにする。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金
および酸化鉄系合金のうちのいずれかの層の場合には、
スパッタリング等により行うようにする。

磁性体膜４は、必要に応じて単層でも複層でも構わない
。なお、磁性体膜４を形成する前に必要に応じて非磁性
金属めっき層３の表面をラッピングおよびボリシング等
によって鏡面加工またはテクスチャー仕上げしておくよ
うにしても構わない。

潤滑保護膜５としては、とくに限定されないが、たとえ
ば、カーボンなどで形成される。潤滑保護膜５の形成法
としては、とくに限定されないが、スパッタリング等が
挙げられる。

つぎに、実施例を比較例と併せて詳しく説明する。

（実施例１） 射出成形用の高精度な平滑面を有する金型を用意し、こ
の金型でポリエーテルイミド樹脂（商品名：ウルテム１
０００−１０００）からなる円盤状基体を得た。この基
体の両面にめっき下地膜を第１下地薄膜としての３００
０人の厚みのＡＩ膜と、第２下地薄膜としての４０００
人の厚みのＡｇ膜を高周波スパッタリング装置を用いて
積層させて形成した。なお、ターゲットとしてそれぞれ
純度９９．９％のＡＩ、９９．５％のＡｇを用いた。

つぎに、これを９０℃の無電解Ｎ１−Ｐめっき浴（上材
工業＠製の商品名：ニムデンＨＤＸ）に６０分間浸漬し
、非磁性金属めっき層として厚み２８μｍのＮ１−Ｐめ
っき層を形成した。これを両面ポリシング加工機にかけ
て、めっき層の表面粗さを０．００４μｍに仕上げた。

仕上げ後のめっき層の厚みは、２５μｍであった。その
のち、高周波スパッタリング装置を用いて磁気特性向上
膜としてＣｒ膜を２５００人の厚みで形成した。ターゲ
ットとして用いたＣｒはその純度が９９．５％のもので
あった。このＣｒ膜上にさらに強磁性金属膜としてＣｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ合金膜を７００人の厚みで形成した。ター
ゲットとして用いたＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金は、その純度
が９９．９％のもので、そのうちＮｉ分が３０−ｔ％、
Ｃｒが７．５４％のものであった。さらに、その上に、
潤滑保護膜としてカーボン膜を３５０人の厚みで形成し
て磁気記録媒体を得た。ターゲットとして用いたカーボ
ンは、その純度が９９．９９％のものであった。

（実施例２） 基体をポリサルホン樹脂によって形成し、第１下地薄膜
として２０００人のＴｉ膜を、第２下地薄膜として３０
００人のＡｕ膜を形成し、かつ、Ｎｉ’−Ｐめっき層の
厚み（ポリシング後の厚み）を３０μｍとした以外は、
実施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

（実施例３） 基体をポリカーボネート樹脂によって形成し、第１下地
薄膜として１０００人のＣｒ膜を、第２下地薄膜として
５０００人のＣｕ膜を形成し、かつ、Ｎ１−Ｐめっき層
の厚み（ポリシング後の厚み）を２０μｍとした以外は
、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

（実施例４） 基体をポリエーテルサルホン樹脂によって形成し、第１
下地薄膜として１２００人のＳｉＮ膜を、第２下地薄膜
として２０００人のＡｇ膜を形成し、かつ、Ｎ１−Ｐめ
っき層の厚み（ポリシング後の厚み）を２２μｍとした
以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

（実施例５） 基体をポリカーボネート樹脂によって形成し、第１下地
薄膜として２０００人のＴｉＮ膜を、第２下地薄膜とし
て１０００へのＰｄ膜を形成し、かつ、Ｎ１−Ｐめっき
層の厚み（ポリシング後の厚み）を１８μｍとした以外
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

（実施例６） 基体をポリエーテルイミド樹脂によって形成し、第１下
地薄膜として１５００人のＡＩＮ膜を、第２下地薄膜と
して３０００人のＣｕ膜を形成し、かつ、Ｎ１−Ｐめっ
き層の厚み（ポリシング後の厚み）を２５μｍとした以
外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

（実施例７） 基体をポリカーボネート樹脂によって形成し、第１下地
薄膜として２０００人のＣｒ膜を、第２下地薄膜として
１０００人のＰｄ膜を形成し、かつ、Ｎ１−Ｐめっき層
の厚み（ポリシング後の厚み）を２０μｍとした以外は
、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

（実施例８） 基体をポリサルホン樹脂によって形成し、第１下地薄膜
として２０００へのＴｉ膜を、第２下地薄膜として３０
００人のＡｕ膜を形成し、かつ、Ｎ１−Ｐめっき層の厚
み（ポリシング後の厚み）を３０μｍとした以外は、実
施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

（比較例１） 基体をポリエーテルイミド樹脂によって形成し、めっき
下地膜として３０００人のＣｕ膜のみを形成し、かつ、
Ｎ１−Ｐめっき層の厚み（ボリシング後の厚み）を３５
μｍとした以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体
を得た。

（比較例２） 基体をポリカーボネート樹脂によって形成し、めっき下
地膜として１０００へのＰｄ膜のみを形成し、かつ、Ｎ
１−Ｐめっき層の厚み（ポリシング後の厚み）を１８μ
ｍとした以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を
得た。

（比較例３） 基体をポリエーテルサルホンで形成し、下地膜および金
属めっき層を形成せずに、直接磁性体膜を形成した以外
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

上記の実施例１〜８および比較例１〜３で得られた磁気
記録媒体に磁気ヘッドを装着し、耐ＣＳＳ性を調べた。

その結果を第１表に示した。なお、耐ＣＳＳ性とは、通
常、３６００ｒｐｍで高速回転している磁気記録媒体の
面に磁気ヘッドが接触した時の媒体もしくはヘッドの損
傷に至るまでの媒体と磁気ヘッドの接触回数であられし
ている。

第１表にみるように、実施例１〜８のものは、比較例１
〜３のものに比べて、いずれも耐ＣＳＳ性に優れている
。すなわち、耐久性に優れているこの発明にかかる磁気
記録媒体は、上記の実施例に限定されない。たとえば、
上記実施例では、めっき下地膜が第１下地薄膜と第２下
地薄膜の２層から形成されていたが、プラスチック基体
１側にこれと密着性がよい下地薄膜を配置し、非磁性金
属めっきＮ３側にこれと密着性がよい下地薄膜を配置す
るようにするならば、これらの下地薄膜の間に別の薄膜
を形成するようにしても構わない。すなわち、めっき下
地膜２を形成する下地薄膜は、必要に応じて３層以上に
しても構わない。上記実施例では、基体の両面に各膜お
よび層が形成されていたが、片面でも構わない。非磁性
金属めっき層および磁性体膜の形成は、電気めっきによ
って行うようにしても構わない。

〔発明の効果〕

この発明にかかる磁気記録媒体は、以上のように、プラ
スチック基体の表面にめっき下地膜、非磁性金属めっき
層、磁性体膜、潤滑保護膜がこの順で積層形成されてい
る磁気記録媒体であって、前記めっき下地膜が複数の下
地薄膜が積層されて形成されていて、これらの下地薄膜
のうち前記プラスチック基体に接する薄膜が前記プラス
チック基体と密着性がよい材料で形成され、前記非磁性
金属めっき層に接する薄膜が前記非磁性金属めっき層と
密着性がよい材料で形成されているので、軽量でかつ耐
久性に優れている。しかも、安価で製造できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明にかかる磁気記録媒体の１実施例をあ
られす横断面図である。 １・・・プラスチック基体　２・・・めっき下地膜　３
・・・非磁性金属めっき層　４・・・磁性体膜　５・・
・潤滑保護膜　２ａ・・・第１下地薄膜　２ｂ・・・第
２下地薄膜 代理人　弁理士　　松　本　武　彦 手Ｕ幹甫正書（自発 昭和６２年　９月１４日 昭和６２年特許願第１１９３９０号 ２、発明の名称 石ｆ支ゴ栗χｉ己１ピｍ ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　　　所　　　　　大阪府門真市大字門真１０４８番
地名　称（５８３）松下電工株式会社 代表者　　４懐騰帝役藤井貞夫 ４、代理人 な　　　し ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 （１）明細書第１０頁第６行ないし同頁第７行に「６０
分」とあるを、「４時間」と訂正する。 （２）明細書第１１頁第１２行に「ポリカーボネート」
とあるを、「ポリエーテルイミド」と訂正する。 （３）明細書第１３頁第８行にｒ２０００人」とあるを
、ｒｌｏ００人」と訂正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）プラスチック基体の表面にめっき下地膜、非磁性
   金属めっき層、磁性体膜、潤滑保護膜がこの順で積層形
   成されている磁気記録媒体であって、前記めっき下地膜
   が複数の下地薄膜が積層されて形成されていて、これら
   の下地薄膜のうち前記プラスチック基体に接する薄膜が
   前記プラスチック基体と密着性がよい材料で形成され、
   前記非磁性金属めっき層に接する薄膜が前記非磁性金属
   めっき層と密着性がよい材料で形成されていることを特
   徴とする磁気記録媒体。