JPH03177668A - ソレノイド駆動装置 - Google Patents
ソレノイド駆動装置Info
- Publication number
- JPH03177668A JPH03177668A JP31823589A JP31823589A JPH03177668A JP H03177668 A JPH03177668 A JP H03177668A JP 31823589 A JP31823589 A JP 31823589A JP 31823589 A JP31823589 A JP 31823589A JP H03177668 A JPH03177668 A JP H03177668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- solenoid
- turned
- current
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetically Actuated Valves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はソレノイド駆動装置に関し、特にオートマチッ
ク車の変速ギアをはじめとする自動型各部の油圧制御用
電磁弁に用いられるソレノイドへ供給すべき励磁電流を
制御するソレノイド駆動装置に関する。
ク車の変速ギアをはじめとする自動型各部の油圧制御用
電磁弁に用いられるソレノイドへ供給すべき励磁電流を
制御するソレノイド駆動装置に関する。
従来技術
従来、自動車電装用の電磁弁は第３図に示されているよ
うなヒステリシス特性を有していた。すなわち、電磁弁
は後述する電磁ソレノイドを含んで槽底されており、そ
のソレノイドへの励磁電流がある一定のレベルを越える
と、電磁弁がオンとなり、その後は励磁電流が多少低下
してもオン状態を保持し続けるというものである。
うなヒステリシス特性を有していた。すなわち、電磁弁
は後述する電磁ソレノイドを含んで槽底されており、そ
のソレノイドへの励磁電流がある一定のレベルを越える
と、電磁弁がオンとなり、その後は励磁電流が多少低下
してもオン状態を保持し続けるというものである。
よって、従来のソレノイド駆動装置ではそのヒステリシ
ス特性を利用し、まず、ソレノイドに励磁電流を流して
電磁弁をオンさせ、その後、そのオン状態を保持するの
に必要な最小電流値まで励磁電流を下げることにより、
省電力化及びソレノイドの発熱防止を図っている。
ス特性を利用し、まず、ソレノイドに励磁電流を流して
電磁弁をオンさせ、その後、そのオン状態を保持するの
に必要な最小電流値まで励磁電流を下げることにより、
省電力化及びソレノイドの発熱防止を図っている。
その従来のソレノイド駆動装置の動作について第４図及
び第５図を用いて説明する。第４図は従来のソレノイド
駆動装置の主要部の回路図であり、第５図は第４図の回
路各部の動作を示す波形図である。
び第５図を用いて説明する。第４図は従来のソレノイド
駆動装置の主要部の回路図であり、第５図は第４図の回
路各部の動作を示す波形図である。
第４図において、４０１は上述した電磁ソレノイドであ
り、このソレノイドに励磁電流を流すことにより図示せ
ぬ電磁弁がオン状態になるのである。
り、このソレノイドに励磁電流を流すことにより図示せ
ぬ電磁弁がオン状態になるのである。
よって、このソレノイド４０１に与える励磁電流を制御
するために駆動トランジスタ４０２を介して電ｉ！１Ｗ
ＶＢが供給されている。また、トランジスタ４０２の動
作状態を制御するため、すなわちベース電流を変化せし
めるために、ロジック回路４０７及びトランジスタ４、
Ｄ３さらには差動増幅器４０４が設けられている。なお
、４０８はサージ電圧対策用のツェナダイオードである
。
するために駆動トランジスタ４０２を介して電ｉ！１Ｗ
ＶＢが供給されている。また、トランジスタ４０２の動
作状態を制御するため、すなわちベース電流を変化せし
めるために、ロジック回路４０７及びトランジスタ４、
Ｄ３さらには差動増幅器４０４が設けられている。なお
、４０８はサージ電圧対策用のツェナダイオードである
。
差動増幅器４０４は基準電圧’ＶＲＥＦとソレノイド４
０１の端子電圧Ｖ Ｌとを比較し、端子電圧ＶＬと基準
電圧Ｖ ＲＥＰとの電圧差に対応する電圧を送出するも
のである。なお、４１３はフィルタ用のコンデンサであ
る。
０１の端子電圧Ｖ Ｌとを比較し、端子電圧ＶＬと基準
電圧Ｖ ＲＥＰとの電圧差に対応する電圧を送出するも
のである。なお、４１３はフィルタ用のコンデンサであ
る。
ロジック回路４０７は後述する信号を反転バッファ４０
５及び４０６に印加するものであり、反転バッファ４０
５．４０Ｅｉはその反転値の信号を夫々送出するもので
ある。
５及び４０６に印加するものであり、反転バッファ４０
５．４０Ｅｉはその反転値の信号を夫々送出するもので
ある。
かかる構成の回路において、第５図に示されている信号
Ａ、Ｂがロジック回路４０７から送出されるものとする
。信号Ａは過励磁時間ＴＫを規定する信号であり、その
過励磁時間ＴＫは電磁弁が駆動されてオン状態になるま
でに必要な時間に設定されている。また、信号Ｂは電磁
弁がオン状態からオフ状態に移行する時間に設定されて
いる。つまり、信号Ａがハイレベルのとき、トランジス
タ４０２がオンし、信号Ｂがハイレベルのとき、トラン
ジスタ４０２がオフすることになる。
Ａ、Ｂがロジック回路４０７から送出されるものとする
。信号Ａは過励磁時間ＴＫを規定する信号であり、その
過励磁時間ＴＫは電磁弁が駆動されてオン状態になるま
でに必要な時間に設定されている。また、信号Ｂは電磁
弁がオン状態からオフ状態に移行する時間に設定されて
いる。つまり、信号Ａがハイレベルのとき、トランジス
タ４０２がオンし、信号Ｂがハイレベルのとき、トラン
ジスタ４０２がオフすることになる。
まず、信号Ａがハイレベルになると、反転バッファ４０
５の出力側はローレベルとなる。このとき、反転バッフ
ァ４０Ｂの出力側はハイレベルであり、トランジスタ４
０３がオン状態となる。
５の出力側はローレベルとなる。このとき、反転バッフ
ァ４０Ｂの出力側はハイレベルであり、トランジスタ４
０３がオン状態となる。
すると、抵抗４０９によってトランジスタ４０２のベー
ス電流が増加し、トランジスタ４０２はオン状態となる
。よって、電圧ＶＬが第５図のＣに示されているように
上昇し、ソレノイド４０１に流れる励磁電流ＩＬは同図
りに示されているように緩やかに上昇する。
ス電流が増加し、トランジスタ４０２はオン状態となる
。よって、電圧ＶＬが第５図のＣに示されているように
上昇し、ソレノイド４０１に流れる励磁電流ＩＬは同図
りに示されているように緩やかに上昇する。
ここで、信号Ａがハイレベルからローレベルに変化する
と、反転バッファ４０５の出力側はハイレベルとなる。
と、反転バッファ４０５の出力側はハイレベルとなる。
このとき、反転バッファ４０Ｂの出力側もハイレベルと
なっているため、トランジスタ４０３は能動領域で動作
する。これにより、ＩＣが小さくなり、電圧ＶＬは第５
図のＣに示されているように低いレベルとなる。よって
、ソレノイド４０１に流れる電流値は緩やかに下降し、
同図りに示されているように小さくなる。
なっているため、トランジスタ４０３は能動領域で動作
する。これにより、ＩＣが小さくなり、電圧ＶＬは第５
図のＣに示されているように低いレベルとなる。よって
、ソレノイド４０１に流れる電流値は緩やかに下降し、
同図りに示されているように小さくなる。
ここで、ソレノイド４０１の端子電圧ＶＬ、電流Ｉ Ｌ
が第５図のように一定の値になるのは、差動増幅器４０
４並びにトランジスタ４０３及び４０２によって基準電
圧Ｖ ＲＥＰ一端子電圧ＶＬとなるようにフィードバッ
クされているからである。
が第５図のように一定の値になるのは、差動増幅器４０
４並びにトランジスタ４０３及び４０２によって基準電
圧Ｖ ＲＥＰ一端子電圧ＶＬとなるようにフィードバッ
クされているからである。
次に、信号Ｂがローレベルからハイレベルに変化すると
、反転バッファ４０６の出力側はローレベルとなり、ト
ランジスタ４０３はオフとなる。このとき、バッファ４
０５の出力側がハイレベルとなっているためトランジス
タダ４０２のベース電流が減少し、その後トランジスタ
４０２は完全にオフとなる。
、反転バッファ４０６の出力側はローレベルとなり、ト
ランジスタ４０３はオフとなる。このとき、バッファ４
０５の出力側がハイレベルとなっているためトランジス
タダ４０２のベース電流が減少し、その後トランジスタ
４０２は完全にオフとなる。
これにより、ソレノイド４０１に流れる電流値は緩やか
に下降し、ついにはゼロとなる。
に下降し、ついにはゼロとなる。
つまり、差動増幅器４０４→トランジスタ４０３→トラ
ンジスタ４０２→差動増幅器４０４のフィードバック系
により、ソレノイド４０１に電流を流して電磁弁のオン
状態を保ち、それとは無関係に信号Ａ。
ンジスタ４０２→差動増幅器４０４のフィードバック系
により、ソレノイド４０１に電流を流して電磁弁のオン
状態を保ち、それとは無関係に信号Ａ。
Ｂによって電磁弁を強制的にオンオフ制御しているので
ある。このように、本装置では一定の過励磁時間後、励
磁電流を下げて電磁弁のオン状態を保持するという制御
を行っているため、省電力化及び電磁ソレノイドの発熱
を防止しているのである。
ある。このように、本装置では一定の過励磁時間後、励
磁電流を下げて電磁弁のオン状態を保持するという制御
を行っているため、省電力化及び電磁ソレノイドの発熱
を防止しているのである。
しかし、上述した従来のソレノイド駆動装置においては
励磁電流を下げて電磁弁のオン状態を保持している際、
駆動トランジスタは能動領域で使用されることとなり、
その駆動トランジスタでの損失は ＰＶ−ＩＣＩＶＣＥ−ＩＬ （ＶＢ−ＶＬ）と多く
、発熱量も多くなり、駆動トランジスタを熱破壊させる
おそれがあるという欠点があった。
励磁電流を下げて電磁弁のオン状態を保持している際、
駆動トランジスタは能動領域で使用されることとなり、
その駆動トランジスタでの損失は ＰＶ−ＩＣＩＶＣＥ−ＩＬ （ＶＢ−ＶＬ）と多く
、発熱量も多くなり、駆動トランジスタを熱破壊させる
おそれがあるという欠点があった。
発明の目的
本発明は上述した従来の欠点を解決するためになされた
ものであり、その目的は駆動トランジスタを熱破壊させ
ることのないソレノイド駆動装置を提供することである
。
ものであり、その目的は駆動トランジスタを熱破壊させ
ることのないソレノイド駆動装置を提供することである
。
発明の構成
本発明によるソレノイド駆動装置は、ソレノイドへ供給
すべき励磁電流を制御するソレノイド駆動装置であって
、前記ソレノイドへ供給すべき励磁電流をオンオフ制御
するスイッチング手段と、前記ソレノイドに流れる励磁
電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段によ
って検出された励磁電流が所定値より大なるとき前記ス
イッチング手段をオフ制御し、前記所定値より小なると
き前記スイッチング手段をオン制御する制御手段とを有
することを特徴とする。
すべき励磁電流を制御するソレノイド駆動装置であって
、前記ソレノイドへ供給すべき励磁電流をオンオフ制御
するスイッチング手段と、前記ソレノイドに流れる励磁
電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段によ
って検出された励磁電流が所定値より大なるとき前記ス
イッチング手段をオフ制御し、前記所定値より小なると
き前記スイッチング手段をオン制御する制御手段とを有
することを特徴とする。
実施例
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によるソレノイド駆動装置の一実施例の
主要部の回路図であり、第２図は第１図の回路各部の動
作を示す波形図である。
主要部の回路図であり、第２図は第１図の回路各部の動
作を示す波形図である。
本実施例の回路は、従来の回路、すなわち第４図の差動
増幅器４０４の代わりにチョッピング回路１０８及び電
流検出回路１０７が設けられている点に特徴がある。つ
まり、電流検出回路１０７によってソレノイドの励磁電
流ＩＬを電圧値に変換し、これをチョッピング回路１０
８内のコンパレータ１０９において基準電圧Ｖ ＲＥＰ
と比較してチョッピングを行っているのである。
増幅器４０４の代わりにチョッピング回路１０８及び電
流検出回路１０７が設けられている点に特徴がある。つ
まり、電流検出回路１０７によってソレノイドの励磁電
流ＩＬを電圧値に変換し、これをチョッピング回路１０
８内のコンパレータ１０９において基準電圧Ｖ ＲＥＰ
と比較してチョッピングを行っているのである。
図において、 １０１は電磁ソレノイドであり、このソ
レノイドに励磁電流を流すことにより図示せぬ電磁弁が
オン状態となる。このソレノイド１０１に与える励磁電
流を制御するため、第４図の回路と同様に駆動トランジ
スタ１０２．ｈランジスタ１０３等を含む励磁回路１０
４が設けられている。
レノイドに励磁電流を流すことにより図示せぬ電磁弁が
オン状態となる。このソレノイド１０１に与える励磁電
流を制御するため、第４図の回路と同様に駆動トランジ
スタ１０２．ｈランジスタ１０３等を含む励磁回路１０
４が設けられている。
この励磁回路１０４内の駆動トランジスタ１０２を介し
て電源ＶＢがソレノイド１０１に供給され、またトラン
ジスタ１０２のオンオフ状態を制御するためにトランジ
スタ１０３さらにはロジック回路１１２が設けられてい
る。
て電源ＶＢがソレノイド１０１に供給され、またトラン
ジスタ１０２のオンオフ状態を制御するためにトランジ
スタ１０３さらにはロジック回路１１２が設けられてい
る。
ロジック回路１１２は第４図と同様な信号を反転バッフ
ァ１１０及び１１１に印加するものであり、反転バッフ
ァ１１０．１１１はその反転値の信号を夫々送出するも
のである。
ァ１１０及び１１１に印加するものであり、反転バッフ
ァ１１０．１１１はその反転値の信号を夫々送出するも
のである。
また、コンパレータ１０９は電流検出回路１０７の出力
電圧と基準電圧Ｖ ＲＥＦとを比較するものであり、電
流検出回路１０７の出力電圧が基準電圧ＶＲＥＦより低
いとき、その出力がハイレベルとなり、基準電圧Ｖ Ｒ
ＥＦより高いとき、その出力がローレベルとなるもので
ある。したがって、電流検出回路１０７の出力電圧が基
準電圧Ｖ ＲＥＦより低いとき、トランジスタ１０３が
オン、トランジスタ１０２がオンとなってソレノイド１
０１に励磁電流を与える。
電圧と基準電圧Ｖ ＲＥＦとを比較するものであり、電
流検出回路１０７の出力電圧が基準電圧ＶＲＥＦより低
いとき、その出力がハイレベルとなり、基準電圧Ｖ Ｒ
ＥＦより高いとき、その出力がローレベルとなるもので
ある。したがって、電流検出回路１０７の出力電圧が基
準電圧Ｖ ＲＥＦより低いとき、トランジスタ１０３が
オン、トランジスタ１０２がオンとなってソレノイド１
０１に励磁電流を与える。
一方、電流検出回路１０７の出力電圧が基準電圧ＶＲＥ
Ｐより高いとき、トランジスタ＋０３がオフ、トランジ
スタ１０２がオフとなってソレノイド＋０１への励磁電
流の供給を止める。つまり、このチョッピング回路１０
８によって励磁回路１０４が断続的に制御され、励磁電
流は基準電圧Ｖ ＲＥＦに応じた値になるようにフィー
ドバック制御されるのである。
Ｐより高いとき、トランジスタ＋０３がオフ、トランジ
スタ１０２がオフとなってソレノイド＋０１への励磁電
流の供給を止める。つまり、このチョッピング回路１０
８によって励磁回路１０４が断続的に制御され、励磁電
流は基準電圧Ｖ ＲＥＦに応じた値になるようにフィー
ドバック制御されるのである。
なお、チョッピング回路１０８内のプルアップ抵抗１２
４はコンパレータ１０９の出力段がコレクタオブンの回
路構成である場合に必要となり、抵抗１２３はコンパレ
ータ１０９の出力にヒステリシス特性を持たせるために
設けられている。
４はコンパレータ１０９の出力段がコレクタオブンの回
路構成である場合に必要となり、抵抗１２３はコンパレ
ータ１０９の出力にヒステリシス特性を持たせるために
設けられている。
電流検出回路１０７はその内部の抵抗１０５及び１１９
によって電流ＩＬを電圧に変換し、これを差動増幅器１
０Ｂ並びに抵抗１１８及び１２０からなる非反転増幅器
で増幅しているのである。
によって電流ＩＬを電圧に変換し、これを差動増幅器１
０Ｂ並びに抵抗１１８及び１２０からなる非反転増幅器
で増幅しているのである。
かかる構成の回路において、第２図に示されている信号
Ａ、Ｂがロジック回路１１２から送出されるものとする
。ここで、信号Ａ及びＢは第５図と同様の信号である。
Ａ、Ｂがロジック回路１１２から送出されるものとする
。ここで、信号Ａ及びＢは第５図と同様の信号である。
よって、信号Ａがハイレベルのとき、トランジスタ１０
２がオンしく飽和領域）信号Ｂがハイレベルのとき、ト
ランジスタ！０２がオフすることになる。
２がオンしく飽和領域）信号Ｂがハイレベルのとき、ト
ランジスタ！０２がオフすることになる。
まず、信号Ａがハイレベルになると、反転バッファ１１
０の出力側はロウレベルとなる。このとき、信号Ｂはロ
ーレベル、反転バッファＩｌｌの出力側はハイレベルで
あり、トランジスタ＋０３がオン状態となる。
０の出力側はロウレベルとなる。このとき、信号Ｂはロ
ーレベル、反転バッファＩｌｌの出力側はハイレベルで
あり、トランジスタ＋０３がオン状態となる。
すると、抵抗１１４によってトランジスタ１０２のベー
ス電流が上昇し、トランジスタ１０２はオン状態となる
。よって、電圧ＶＬが第２図のＣに示されているように
上昇し、ソレノイド４０１に流れる励磁電流ＩＬは同図
りに示されているように緩やかに上昇する。
ス電流が上昇し、トランジスタ１０２はオン状態となる
。よって、電圧ＶＬが第２図のＣに示されているように
上昇し、ソレノイド４０１に流れる励磁電流ＩＬは同図
りに示されているように緩やかに上昇する。
励磁電流ＩＬが上昇し、電流検出回路１０７の出力電圧
が基準電圧Ｖ ＲＥＦより高くなると、コンパレータ１
０９の出力がローレベルとなる。すると、トランジスタ
１０３がオフ、トランジスタ１０２がオフとなる。
が基準電圧Ｖ ＲＥＦより高くなると、コンパレータ１
０９の出力がローレベルとなる。すると、トランジスタ
１０３がオフ、トランジスタ１０２がオフとなる。
一方、トランジスタ１Ｇ２がオフになると励磁電流１１
が下降していき、電流検出回路１０７の出力電圧が基準
電圧Ｖ ＲＥＦより低くなり、コンパレータ１０９の出
力がハイレベルとなる。すると、トランジスタ１０３が
オン、トランジスタ１０２がオンとなり、再び励磁電流
ＩＬが上昇する。
が下降していき、電流検出回路１０７の出力電圧が基準
電圧Ｖ ＲＥＦより低くなり、コンパレータ１０９の出
力がハイレベルとなる。すると、トランジスタ１０３が
オン、トランジスタ１０２がオンとなり、再び励磁電流
ＩＬが上昇する。
以下、トランジスタ１０２のオンオフが繰返され、電圧
Ｖ Ｌは第２図のＣに示されているようにチョッピング
される。なお、このチョッピング状態に伴い、励磁電流
ＩＬは第２図Ｃのように微動変化を繰返す。
Ｖ Ｌは第２図のＣに示されているようにチョッピング
される。なお、このチョッピング状態に伴い、励磁電流
ＩＬは第２図Ｃのように微動変化を繰返す。
このチョッピングされている状態は、信号Ｂがハイレベ
ルになると停止する。すなわち、信号Ｂがハイレベルに
なると反転バッファ１１１の出力側はローレベルになる
。すると、トランジスタ１０３はオフ状態となる。これ
により、励磁電流ＩＬは第２図りのように緩やかに下降
する。また、反転バッファ１１０の出力側はハイレベル
となっているため、トランジスタ１０２はオフとなる。
ルになると停止する。すなわち、信号Ｂがハイレベルに
なると反転バッファ１１１の出力側はローレベルになる
。すると、トランジスタ１０３はオフ状態となる。これ
により、励磁電流ＩＬは第２図りのように緩やかに下降
する。また、反転バッファ１１０の出力側はハイレベル
となっているため、トランジスタ１０２はオフとなる。
以後は信号Ｂがハイレベル、すなわち反転バッファＨ１
の出力側がローレベルになっている限り、トランジスタ
１０２はオフ状態のままとなる。そして、再び信号Ａが
ハイレベル、信号Ｂがローレベルになるまでこのオフ状
態が続くこととなる。
の出力側がローレベルになっている限り、トランジスタ
１０２はオフ状態のままとなる。そして、再び信号Ａが
ハイレベル、信号Ｂがローレベルになるまでこのオフ状
態が続くこととなる。
つまり、本発明では信号Ａ及び信号Ｂによって電磁弁の
オン状態の期間のみトランジスタ１０２を繰返しオンオ
フさせて電圧ＶＬをチョッピングしているため、トラン
ジスタ１０２における損失を低酸できるのである。
オン状態の期間のみトランジスタ１０２を繰返しオンオ
フさせて電圧ＶＬをチョッピングしているため、トラン
ジスタ１０２における損失を低酸できるのである。
すなわち、その損失は
ＰＷ −ＩＣ−ＶＣＥ−Ｋ −ＩＬ −ＶＣＥ（Ｓａｔ
、）である。なお、Ｖ ＣＥ（ｓａｔ、）は飽和（Ｓａ
ｔｕｒａｔｌＯｒｌ）電圧、Ｋはチョッピングのデユー
ティ率である。
、）である。なお、Ｖ ＣＥ（ｓａｔ、）は飽和（Ｓａ
ｔｕｒａｔｌＯｒｌ）電圧、Ｋはチョッピングのデユー
ティ率である。
よって、本発明によれば駆動トランジスタ１０２の発熱
を防止できるのである。
を防止できるのである。
また、以上はソレノイドを含む電磁弁の制御について説
明したが、第３図に示されているようなヒステリシス特
性を有するソレノイドの励磁制御について広く適用でき
ることは明らかである。
明したが、第３図に示されているようなヒステリシス特
性を有するソレノイドの励磁制御について広く適用でき
ることは明らかである。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、省電力化及び電磁
ソレノイドの発熱を防止できるとともに、駆動トランジ
スタの熱破壊を防ぐことができるという効果がある。
ソレノイドの発熱を防止できるとともに、駆動トランジ
スタの熱破壊を防ぐことができるという効果がある。
第１図は本発明の実施例によるソレノイド駆動装置の主
要部の回路図、第２図は第１図の回路各部の動作を示す
波形図、第３図は電磁弁のオンオフ特性図、第４図は従
来のソレノイド駆動装置の主要部の回路図、第５図は第
４図の回路各部の動作を示す波形図である。 主要部分の符号の説明 １０１・・・・・・ソレノイド １０２．１０３・・・・・・トランジスタ１０７・・・
・・・電流検出回路 １０８・・・・・・チョッピング回路
要部の回路図、第２図は第１図の回路各部の動作を示す
波形図、第３図は電磁弁のオンオフ特性図、第４図は従
来のソレノイド駆動装置の主要部の回路図、第５図は第
４図の回路各部の動作を示す波形図である。 主要部分の符号の説明 １０１・・・・・・ソレノイド １０２．１０３・・・・・・トランジスタ１０７・・・
・・・電流検出回路 １０８・・・・・・チョッピング回路
Claims (1)
- （１）ソレノイドへ供給すべき励磁電流を制御するソレ
ノイド駆動装置であって、前記ソレノイドへ供給すべき
励磁電流をオンオフ制御するスイッチング手段と、前記
ソレノイドに流れる励磁電流を検出する電流検出手段と
、この電流検出手段によって検出された励磁電流が所定
値より大なるとき前記スイッチング手段をオフ制御し、
前記所定値より小なるとき前記スイッチング手段をオン
制御する制御手段とを有することを特徴とするソレノイ
ド駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31823589A JPH03177668A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | ソレノイド駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31823589A JPH03177668A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | ソレノイド駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177668A true JPH03177668A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18096937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31823589A Pending JPH03177668A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | ソレノイド駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03177668A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10231947A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Tokico Ltd | ソレノイドバルブの異常検出装置 |
| JP2003278899A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Fujitsu Ten Ltd | 変速機用電子制御装置 |
| US7336470B2 (en) | 2001-04-20 | 2008-02-26 | Sanken Electric Co., Ltd. | Solenoid drive apparatus and drive method |
| JP2009014184A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Smc Corp | 電磁弁駆動回路及び電磁弁 |
| JP2009014185A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Smc Corp | 電磁弁駆動回路及び電磁弁 |
| JP2010032057A (ja) * | 2005-04-01 | 2010-02-12 | Smc Corp | 電磁弁及び電磁弁駆動回路 |
| US7738234B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-06-15 | Smc Kabushiki Kaisha | Solenoid-operated valve and solenoid-operated valve-driving circuit |
| CN105402470A (zh) * | 2015-12-01 | 2016-03-16 | 宁波市镇海华泰电器厂 | 具有集成电路型起动脉冲发生电路的节电直流电磁阀 |
| EP2546989A4 (en) * | 2010-03-09 | 2017-04-12 | Yazaki Corporation | Control device of electromagnetic inductive load |
| DE102021204276A1 (de) | 2021-04-29 | 2022-11-03 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Schaltung und Verfahren zur Ansteuerung eines Dosierventils sowie landwirtschaftliche Vorrichtung |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP31823589A patent/JPH03177668A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10231947A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Tokico Ltd | ソレノイドバルブの異常検出装置 |
| US7336470B2 (en) | 2001-04-20 | 2008-02-26 | Sanken Electric Co., Ltd. | Solenoid drive apparatus and drive method |
| JP2003278899A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Fujitsu Ten Ltd | 変速機用電子制御装置 |
| JP2010032057A (ja) * | 2005-04-01 | 2010-02-12 | Smc Corp | 電磁弁及び電磁弁駆動回路 |
| US7738234B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-06-15 | Smc Kabushiki Kaisha | Solenoid-operated valve and solenoid-operated valve-driving circuit |
| JP2009014184A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Smc Corp | 電磁弁駆動回路及び電磁弁 |
| JP2009014185A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Smc Corp | 電磁弁駆動回路及び電磁弁 |
| KR101015454B1 (ko) * | 2007-07-09 | 2011-02-22 | 에스엠씨 가부시키 가이샤 | 솔레노이드 밸브 구동회로 및 솔레노이드 밸브 |
| US7903383B2 (en) | 2007-07-09 | 2011-03-08 | Smc Kabushiki Kaisha | Solenoid valve driving circuit and solenoid valve |
| EP2546989A4 (en) * | 2010-03-09 | 2017-04-12 | Yazaki Corporation | Control device of electromagnetic inductive load |
| CN105402470A (zh) * | 2015-12-01 | 2016-03-16 | 宁波市镇海华泰电器厂 | 具有集成电路型起动脉冲发生电路的节电直流电磁阀 |
| DE102021204276A1 (de) | 2021-04-29 | 2022-11-03 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Schaltung und Verfahren zur Ansteuerung eines Dosierventils sowie landwirtschaftliche Vorrichtung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7268994B2 (en) | Relay driving apparatus and method having relay contact turn-on holding function | |
| US6469480B2 (en) | Voltage regulator circuit having output terminal with limited overshoot and method of driving the voltage regulator circuit | |
| EP0310383B1 (en) | Drive circuit device for inductive load | |
| US6191562B1 (en) | Circuit configuration for degradation of the stored magnetic energy of a field winding of a generator | |
| US4546403A (en) | Solenoid switching driver with solenoid current proportional to an analog voltage | |
| JPH04172991A (ja) | 電流制御回路 | |
| US4599674A (en) | Circuit for driving solenoid | |
| US4358812A (en) | Driver circuit for use with inductive loads or the like | |
| US5175487A (en) | Output circuit | |
| US5077487A (en) | Driver circuit for a large capacity switching element | |
| US4481452A (en) | Control circuit for electromagnetic devices | |
| US5453900A (en) | Protective circuit for a power MOSFET that drives an inductive load | |
| US4400756A (en) | Inductive load driver protection circuits having minimal power dissipation | |
| JPH0538138A (ja) | 車載用電子制御装置の電源装置 | |
| US6150854A (en) | Circuit arrangement for switching an inductive load | |
| JPS61187304A (ja) | 直流電磁石装置 | |
| GB2170931A (en) | Driver circuit for solenoids | |
| US7159583B2 (en) | Technique for drive current stabilization of an automotive ignition system | |
| US4620260A (en) | Circuit for driving solenoid | |
| US6194951B1 (en) | Method and device for diving an integrated power output stage | |
| EP0606746B1 (en) | A circuit for increasing the breakdown voltage of a bipolar transistor | |
| JP2000058320A (ja) | ソレノイド駆動回路 | |
| JPS6320512A (ja) | ソレノイド駆動回路 | |
| KR950010035Y1 (ko) | 전류제어회로 | |
| KR100360796B1 (ko) | 제어 시스템의 솔레노이드 전류 궤환 구동회로 |