JPH03177888A - Ｃｒｔデイスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、外光の明るさを検出し、外光の明るさに応
じてＣＲＴ管面の輝度を制御するＣＲＴディスプレイ装
置の改良に関するものである。

［従来の技術］ 第３図は、従来のＣＲＴディスプレイ装置の概略構成を
示す一例であり、第３図において、（１）は入力偏向信
号及び輝度指令信号を発生する表示信号発生部、（２）
は人力偏向信号を偏向電流信号に変換する偏向信号増幅
器、（３）は輝度指令信号を輝度制御信号に変換する輝
度信号増幅器、（４）はカソードバイアス電圧を発生す
るカソードバイアス回路（５〉は高電圧を発生する高圧
電源、（６）はＣＲＴ。

（７）は外部の明るさに比例した外光検出電流信号を出
力する外光検出器、（８）は上記（２）から（５）を備
えｔ、：、　ＣＲＴ駆動部＋　Ｖｏ＋　Ｉｏ＋　Ｖｒ＊
＋　Ｖｚ＋　Ｉｓ＋　ＶＩＩはそれぞれ２人力偏向信号
、偏向電流信号、輝度指令信号、輝度制御信号、カソー
ド制御電圧、外光検出、電流信号、高電圧である。

従来のＣＲＴディスプレイ装置は、上記のように構成さ
れ１通常１表示信号発生部（１）より発生されたＶＤは
ＣＲＴ駆動部（８）内の偏向信号増幅器（２）に人力さ
れｖｒｓはＣＲＴ駆動部（８）内の輝度信号増幅器（３
）に入力される。偏向信号増幅器（２）は２人力された
Ｖ。をＩＤに変換しＣＲＴ　（６）の偏向ヨークへ出力
し９表示に必要な電子ビームの偏向制御を行っている。

一方、輝度信号増幅器（３）は＋ＹＩＮと外光検出器（
７）により検出されたＩｓよりＣＲＴ　（６）の駆動に
必要な電圧に増幅し、輝度信号増幅器（３）より出力さ
れるＶｚとし、ＣＲＴ（６）に加え、電子ビームの量を
制御することによって表示輝度の制御を行っている。カ
ソードバイアス回路（４）及び高圧電源（５）はＣＲＴ
　（６）に必要な電圧を発生させ＊　ＶＫｒＶＨとして
ＣＲＴ　（６）に供給されている。

第４図は、従来のＣＲＴディスプレイ装置のＣＲＴ管面
上のコントラストを一定に保つ場合の外光とＣＲＴ管面
の輝度の関係を示すための図である。第４図において、
横軸は対数表示による外光入力、縦軸は対数表示による
ＣＲＴ管面上の輝度（ＬＸ）を示す。従来のＣＲＴデイ
プレイ装置の、外光入力としては、闇夜（照度：約０．
　ＩＬＸ）から日中の直射日光（照度：約１００００Ｌ
Ｘ）までと幅広く、この間を第４図に示すように、常に
一定値以上のコントラストを保ちながらＣＲＴ管面の輝
度の制御を行っている。

第５図は、外光検出器（７）と輝度信号増幅器（３）を
更に、詳細に説明するための図である。第５図において
、（９）は外光検出器（７）の出力１ｓを電圧に変換す
るための抵抗ＲＬ、、　（１０）はＲＬ（９）により、
電圧にされたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ
／Ｄコンバータ、（１１）は不揮発性記憶素子、（１２
）は不揮発性記憶素子（１１）からの、デジタル信号出
力をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータ（１３）
は乗算器、・（１４）は電圧増幅器である。従来の輝度
信号増幅器（３）は上記のように構成され、外光の明る
さに比例した信号を出力する外光検出器（７）の出力１
．を入力し＋１８は、　ＲＬ（９）により電圧にされた
ｌ、Ａ／Ｄコンバータ（１０）によりデジタル信号に変
換され、不揮発性記憶素子（１１）に入力される。

不揮発性記憶素子（１１）には、外光の明るさに応じた
適切なデータが記憶されており、Ａ／Ｄコンバータ（１
０）からの出力信号は、不揮発性記憶素子（１１）によ
り適切なデータに変換された後、　　Ｄ／Ａコンバータ
（１２）によって再びアナログ信号に変換されて１乗算
器（１３）に人力される。一方９表示信号発生部（１）
より出力されたＷＩＮは直接１乗算器（１３）に入力さ
れる。乗算器（１３）は、Ｄ／Ａコンバータ（１２）の
出力とｖｏを乗算し、電圧増幅器（１４）により電圧増
幅してｖ２として出力している。

以上の説明のように、従来装置ではｖ２をｖ、、ｌとＩ
８の関数として外周囲の明るさに応じてコントラストを
一定値以上に保ための輝度制御を行っている。

尚、　０．ＩＬｘから、　１ＧＧ００Ｌｘまでの範囲ま
での外光が入力されたとき、輝度信号増幅器（３）内の
Ａ／Ｄコンバータ（１０）に必要な変換精度は。

１０００Ｇ÷０．１＝　１０００００　　・・・・・・
・・・（１）２２≧１０００００　　　　　　・・・・
・・・・・（２）、°、Ｎ≧１７となり、　１７ｂｉｔ
必要となる。

また、輝度信号増幅器（３）内の不揮発性記憶素子（１
１〉も ２”＝　１３１０７２（１２８ＫＢＩＴ）の容量が必要
である。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のようなＣＲＴディスプレイ装置では、外光入力が
闇夜（照度：約０．１Ｌｘ）から日中の直射日光（照度
：約１００００Ｌｘ）までと幅広いために、輝度信号増
幅器（３）内のＡ／Ｄコンバータ（ｌＯ）に必要な変換
精度は、　１７ｂｉｔ以上となり、また、不揮発性記憶
素子（１１）も１２８ＫＢＩＫ以上の容量となるために
、大形で高価な素子を使用しなければならないと言う課
題があった。

この発明は、係る課題を解決するためになされたもので
、上記外光人力の大きさに応じて必要なＡ／Ｄコンバー
タ（１０）の精度は、外光入力が大きいときは、０．Ｈ
，ｘである必要がないために、外光人力の大きさに応じ
て＋　Ｉｓを電圧に変換するＲＬの値と不揮発性記憶素
子のアドレスを切り換えることにより、小形で安価な素
子を使用することができるＣＲＴディスプレイ装置を得
ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係るＣＲＴディスプレイ装置は、外光入力の
大きさに応じて、　　Ｉｓを電圧に変換するＲＬの値と
不揮発性記憶素子のアドレスを切り換える手段を設けた
ものである。

［作用］ この発明においては、外光人力の大きさに応じて、　　
Ｉｓを電圧に変換するＲＬの値と不揮発性記憶素子のア
ドレスを切り換える機能を有するため、Ａ／Ｄコンバー
タに必要な変換精度を少なくでき。

また、不揮発性記憶素子の容量も少なくできるので小形
で安価な素子を使用して、従来装置と同等なＣＲＴディ
スプレイ装置を実現できる。

［実施例］ 第１図は、この発明の一実施例を示す概略構成図であり
、（１）〜（８）、　Ｖｏ、　ｉｏ、　Ｖｒ＊、　ＶＺ
＋　Ｖｘ、　Ｉｓ、　Ｖ）ｌは従来装置と同一または相
当分であり、　（１５）はスイッチパネル＋　ＳＳＴ　
＋　＋　５ｓＴｔはそれぞれ、スイッチステータス信号
ｌ、スイッチステータス信号２である。

第２図は、第１図における。外光検出器（７）、輝度信
号増幅器（３）及びスイッチパネル（１５）を詳細に説
明するための図であり、　（１０）〜（１４）は従来装
置と同一または相当分であり、　（＋６）は抵抗ＲＬ、
、　（１７）は抵抗Ｒ１，！である。

本発明によるＣＲＴディスプレイ装置は、第１図及び第
２図のように構成され、外光として１００００Ｌｘまで
の範囲を輝度制御するものとする。

今、仮に １００００Ｌｘから３０Ｌｘまでを日中モード３０Ｌｘ
から０．　ＩＬｘまでを夜間モードとし１手動操作によ
り、　３０１．ｘで日中モード／夜間モードの切り換え
を行うと言う前提で１本発明によるＣＲＴディスプレイ
装置の説明をする。

１００００Ｌｘから３０Ｌｘまでの外光が外光検出器（
７）に人力されたとき９手動操作により、スイッチパネ
ル（１５）の出力５ＳＴＩ＋　５ｓＴｔをそれぞれＧＮ
Ｄ、をＬｏｔレベルに設定する。そのとき、輝度信号増
幅器（３）は外光検出器（７）の出力Ｉ５を入力し■８
は、　ＲＬｌ（１６）により適切な電圧にされた後、Ａ
／Ｄコンバータ（１，０）によりデジタル信号に変換さ
れ、不揮発性記憶素子（１１）に人力される。不揮発性
記憶素子（１１）には外光の明るさに応じた適切なデー
タが記憶されており、Ａ／Ｄコンバータ（１０）からの
出力信号と５ｓｒｔにより、不揮発性記憶素子（１１）
により適切なデータに変換された後、Ｄ／Ａコンバータ
（１２）によって再びアナログ信号に変換されて１乗算
器（１３）に人力される。一方１表示信号発生部（１）
より出力されたＹいは直接９乗算器（１３）に人力され
る。乗算器（＋３）は、Ｄ／Ａコンバータ（１２）の出
力とｖ、、ｌを乗算し、電圧増幅器（１４）により電圧
増幅してｖ２として出力している。

但し、輝度信号増幅器（３）内のＡ／Ｄコンバータ（１
０）に必要な変換精度は。

１ｏｏｏｏ÷３０＝３３３　　　　　・・・・・・・・
・（３）２２≧３３３　　　　　　　　・・・・・・・
・・（４）、、Ｎ≧９　となり、　９ｂｉｔ必要となる
。

また、輝度信号増幅器（３）内の不揮発性記憶素子（１
１）も ２’　＝５１２　（５１２ＢＩＴ）の容量が必要となる
。

次に、　３０Ｌｘから０．　ＩＬｘまでの外光が外光検
出器（７）に入力されたとき１手動操作により、スイッ
チパネル（１５）の出力５ＳＴＩ、　ＳＳ□をそれぞれ
０ＰＥＮ、をｔ（ｉｇｈレベルに設定する。そのとき、
輝度信号増幅器（３）は外光検出器（７）の出力Ｉ８を
人力し＋８は＋ＲＬＩ（１６）及びＲ，、（１７）によ
り適切な電圧にされた後、Ａ／Ｄコンバータ（１０）に
よりデジタル信号に変換され、不揮発性記憶素子（１１
）に人力される。不揮発性記憶素子（１１）には、外光
の明るさに応じた適切なデータが記憶されており、Ａ／
Ｄコンバータ（１０）からの出力信号とＳｓ□により、
不揮発性記憶素子により適切なデータに変換された後、
Ｄ／Ａコンバータ（１２）によってアナログ信号に変換
されて。

乗算器（１３）に人力される。一方９表示信号発生部（
１）より出力されたＶｔＳは直接１乗算器（１３）に入
力される。乗算器（１３）は、Ｄ／Ａコンバータ（１２
）の出力とＷＩＮを乗算し、電圧増幅器（１４）により
電圧増幅してｖ２として出力している。

但し、輝度信号増幅器（３）内のＡ／Ｄコンバータ（１
０）に必要な変換精度は。

３０÷０．１＝３００　　　　　　・・・・・・・・・
（５）２Ｎ≧３００　　　　　　　　・・・・・・・・
・（６）、°、Ｎ≧９となり、　９ｂｉｔ必要となる。

また、輝度信号増幅器（３）内の不揮発性記憶素子（１
１）も ２”＝５１２　（５１２ＢＩＴ）の容量が必要となる。

上記の説明の中で、ＲＬ、（１６）とＲｔ、ｚ（１７）
の関係は。

日中モード二夜間モード＝ＲＬＩ　：ＲＬｌ　＋　ｋ＊
・・・（７）３３３：１＝　ＲＬＩ　：ＲＬｌ　＋　Ｒ
Ｌｔ　　　　　　・・・（８）、’、　ＲＬ、＝３３２
　ＲＬ、とすることは言うまでもない。

以上の説明から１手動操作により１日中モードと夜間モ
ードの切り換えを行うことにより、Ａ／Ｄコンバータ（
１０）に必要な変換精度は、従来装置の１７ｂｉｔから
、　９ｂｉｔにすることができ、また、不揮発性記憶素
子（１１）も従来装置の１２８ＫＢＩＴからＩＫＢＩＴ
にすることができる。

［発明の効果］ この発明は以上説明した通り、外光入力の大きさに応じ
て１手動操作により１ｓを電圧に変換する抵抗値と不揮
発性記憶素子のアドレスを切り換えるスイッチパネルを
設けることにより、Ａ／Ｄコンバータに必要な変換精度
を少なくでき、また、不揮発性記憶素子の容量も少なく
できる効果がある

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例を示す概略構成図、第２
図は２本発明による外光検出器、信号増幅器及びスイッ
チパネルの詳細説明図、第３図は従来のＣＲＴディスプ
レイ装置の概略構成図、第４図は、ＣＲＴ管面上のコン
トラストを一定に保つ場合の外光とＣＲＴ管面の輝度の
関係を示すための図、第５図は、従来装置の外光検出器
を含む信号増幅器の詳細説明図である。 図において、（Ｉ）は表示信号発生部、（２）は偏向信
号増幅器、（３）は輝度信号増幅器、（４）はカソード
バイアス回路、（５〉は高圧電源、（６）はＣＲＴ、（
７）は外光検出器、（８）はＣＲＴ駆動部、（９）はＲ
Ｌ、　（１０）はＡ／Ｄコンバータ、（Ｕ）は不揮発性
記憶素子、（１２）はＤ／Ａコンバータ、（１３）は乗
算器、　（１４）は電圧増幅器（１５）スイッチパネル
、（１６）は抵抗ＲＬ、、　（１７）は抵抗ＲＬｚであ
る。 尚、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 入力偏向信号及び輝度指令信号を発生する表示信号発生
   部と、上記入力偏向信号を偏向電流信号に信号に変換し
   、ＣＲＴの偏向ヨークに供給する偏向信号増幅器と、カ
   ソードバイアス電圧を発生し、ＣＲＴのカソードに供給
   するカソードバイアス回路と、ＣＲＴのアノードに高電
   圧を供給する高圧電源と、外部の明るさに比例した外光
   検出電流信号を出力する外光検出器と、手動操作により
   スイッチステータス信号１とスイッチステータス信号２
   を出力するスイッチパネルと、上記外光検出電流信号を
   入力し、外光検出電流信号を上記スイッチステータス信
   号１により適切な電圧に変換する抵抗、上記抵抗により
   電圧にされたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ
   ／Ｄコンバータ上記Ａ／Ｄコンバータの出力と上記スイ
   ッチステータス信号２により外光の明るさに応じた適切
   なデータを出力する不揮発性記憶素子、上記不揮発性記
   憶素子からの出力をアナログ信号に変換するＤ／Ａコン
   バータ、上記Ｄ／Ａコンバータの出力と上記輝度指令信
   号を乗算する乗算器、上記乗算器の出力をＣＲＴの駆動
   に必要な電圧に増幅する電圧増幅器からなり、上記電圧
   増幅器の出力である輝度制御信号をＣＲＴへ供給する輝
   度信号増幅器とを備えたことを特徴とするＣＲＴディス
   プレイ装置。