JPH03178168A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH03178168A JPH03178168A JP1318424A JP31842489A JPH03178168A JP H03178168 A JPH03178168 A JP H03178168A JP 1318424 A JP1318424 A JP 1318424A JP 31842489 A JP31842489 A JP 31842489A JP H03178168 A JPH03178168 A JP H03178168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- glass lid
- light
- imaging device
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器に実装するのに適した固体撮像装置に
関し、特にそのパッケージ構造に関するものである。
関し、特にそのパッケージ構造に関するものである。
第３図は従来の固体撮像装置の一例を示す一部分解斜視
図であシ、第４図はその断面図である。
図であシ、第４図はその断面図である。
これらの図において、１は固体撮像素子２を収納する多
層セラミック基板、３は該固体撮像素子２上のイメージ
エリア、４は固体撮像素子２上のパッド５と多層セラミ
ック基板１上のインナーリード６を電気的に接続するワ
イヤである。筐たＴは遮光板、８はこの遮光板Ｔに開け
られた穴部、９は多層セラミック板１の上部開口面を封
止するガラス蓋、１０は外部リードである。
層セラミック基板、３は該固体撮像素子２上のイメージ
エリア、４は固体撮像素子２上のパッド５と多層セラミ
ック基板１上のインナーリード６を電気的に接続するワ
イヤである。筐たＴは遮光板、８はこの遮光板Ｔに開け
られた穴部、９は多層セラミック板１の上部開口面を封
止するガラス蓋、１０は外部リードである。
すなわち、従来の固体撮像装置は、第３図および第４図
に示すように、多層セラミック基板１内に固体撮像素子
２を収納し、その固体撮像素子２上のパッド５と多層セ
ラミック基板１上のインナーリード６とをワイヤ４によ
り電気的に接続して、多層セラミック基板１上の開口面
に遮光板７．ガラス蓋９をそれぞれ積み重ねて気密封止
したパッケージ構造を有している。
に示すように、多層セラミック基板１内に固体撮像素子
２を収納し、その固体撮像素子２上のパッド５と多層セ
ラミック基板１上のインナーリード６とをワイヤ４によ
り電気的に接続して、多層セラミック基板１上の開口面
に遮光板７．ガラス蓋９をそれぞれ積み重ねて気密封止
したパッケージ構造を有している。
このような固体撮像装置は、ガラス蓋９を透過した光の
内、遮光板７の穴部８を通過した光が固体撮像素子２上
のイメージエリア３に達し、映像信号が電気信号に変換
される。そしてこの電気信号はパッド５．ワイヤ４およ
びインナーリード６を通って、多層セラミック基板１内
のメタライズ（図示せず）によシ外部リード１０に出力
されるものとなっている。
内、遮光板７の穴部８を通過した光が固体撮像素子２上
のイメージエリア３に達し、映像信号が電気信号に変換
される。そしてこの電気信号はパッド５．ワイヤ４およ
びインナーリード６を通って、多層セラミック基板１内
のメタライズ（図示せず）によシ外部リード１０に出力
されるものとなっている。
しかし、従来の固体撮像装置は以上のように構成されて
いるので、パッケージ内に遮光板Ｔを載置する領域が必
要となシ、そのためにパッケージの幅及び長さが長く、
厚さも厚く、更に重さも重くなるなどの問題点があった
。
いるので、パッケージ内に遮光板Ｔを載置する領域が必
要となシ、そのためにパッケージの幅及び長さが長く、
厚さも厚く、更に重さも重くなるなどの問題点があった
。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、固体撮像装置の組立工程数を減らすとともにパ
ッケージを縮小、軽量化して、高密度実装が可能になる
とともに装置が安価になり１更に人工衛星への搭載を容
易にできる固体撮像装置を得ることを目的とする。
もので、固体撮像装置の組立工程数を減らすとともにパ
ッケージを縮小、軽量化して、高密度実装が可能になる
とともに装置が安価になり１更に人工衛星への搭載を容
易にできる固体撮像装置を得ることを目的とする。
本発明に係る固体撮像装置は、固体撮像素子を容器に収
納するのに、そのガラス蓋の素子面をメタライズまたは
合成樹脂によシ黒色化し、そのイメージエリア上のみ透
明にしたものを蓋体として用いるようにしたものである
。
納するのに、そのガラス蓋の素子面をメタライズまたは
合成樹脂によシ黒色化し、そのイメージエリア上のみ透
明にしたものを蓋体として用いるようにしたものである
。
本発明にかいては、ガラス蓋上のメタライズまたは合成
樹脂はガラス蓋に遮光能力を付与し、遮光板を不要にす
る。
樹脂はガラス蓋に遮光能力を付与し、遮光板を不要にす
る。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による固体撮像装置のＰ部分
解斜視図であり１第２図はその断面図である。この実施
例は、多層セラミック基板１内に固体撮像素子２を収納
し、その固体撮像素子２上のパッド５と多層セラミック
基板１上のインナーリード６ｔ−ワイヤ４により電気的
に接続するように構成されている点は、第３図及び第４
図に示した従来例のものと同様であるが、ガラス蓋９の
素子面をメタライズまたは合成樹脂によシ黒色化してそ
の素子面に光を遮光すべく遮光部１１を設けるとともに
、その他のイメージエリア上のみ透明にした開口部１２
を設け、このガラス蓋９により多層セラミック基板１上
の開口面１＆を気密封止するように構成されている。な
訃、図中同一符号は同一または相当部分を示している。
解斜視図であり１第２図はその断面図である。この実施
例は、多層セラミック基板１内に固体撮像素子２を収納
し、その固体撮像素子２上のパッド５と多層セラミック
基板１上のインナーリード６ｔ−ワイヤ４により電気的
に接続するように構成されている点は、第３図及び第４
図に示した従来例のものと同様であるが、ガラス蓋９の
素子面をメタライズまたは合成樹脂によシ黒色化してそ
の素子面に光を遮光すべく遮光部１１を設けるとともに
、その他のイメージエリア上のみ透明にした開口部１２
を設け、このガラス蓋９により多層セラミック基板１上
の開口面１＆を気密封止するように構成されている。な
訃、図中同一符号は同一または相当部分を示している。
このように構成された固体撮像装置によると、ガラス蓋
９に達した光の内、メタライズまたは合成樹脂の無い透
明な開口部１２を透過した光が、固体撮像素子２上のイ
メージエリア３に達する。
９に達した光の内、メタライズまたは合成樹脂の無い透
明な開口部１２を透過した光が、固体撮像素子２上のイ
メージエリア３に達する。
そしてこのイメージエリア３内で映像信号は電気信号に
変換され、パッド５．ワイヤ４及びインナーリード６を
過少、多層セラミック基板１内のメタライズ（図示せず
）によシ外部リード１０に出力されることになる。上記
実施例のパッケージ構造によると、従来のように多層セ
ラミック基板１内に遮光板Ｔを配置する必要がなくなる
ので、組立工程数を低減でき、しかもパッケージの縮小
。
変換され、パッド５．ワイヤ４及びインナーリード６を
過少、多層セラミック基板１内のメタライズ（図示せず
）によシ外部リード１０に出力されることになる。上記
実施例のパッケージ構造によると、従来のように多層セ
ラミック基板１内に遮光板Ｔを配置する必要がなくなる
ので、組立工程数を低減でき、しかもパッケージの縮小
。
軽量化が図れる。このため、高密度実装が可能になると
ともに、コストが安価になシ、更に人工衛星への搭載が
容易にできる等の利点を有する。
ともに、コストが安価になシ、更に人工衛星への搭載が
容易にできる等の利点を有する。
なか、上記実施例ではガラス蓋９の素子面の片面に光を
遮光すべく遮光部１１を設けた場合について示したが、
この遮光部１１はガラス蓋９の素子面の両面、またはど
ちらか片面に設けてもよい。
遮光すべく遮光部１１を設けた場合について示したが、
この遮光部１１はガラス蓋９の素子面の両面、またはど
ちらか片面に設けてもよい。
また、上記実施例では固体撮像素子としてエリアイメー
ジセンサ−を用いたものを示したが、リニアイメージセ
ンサ−を用いてもよい。また、上記実施例ではパッケー
ジ形態としてデュアルインラインパッケージを示したが
、フラットパッケージ、リードレスチップキャリア、リ
ープイツトチップキャリア、プラグインパッケージでも
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
ジセンサ−を用いたものを示したが、リニアイメージセ
ンサ−を用いてもよい。また、上記実施例ではパッケー
ジ形態としてデュアルインラインパッケージを示したが
、フラットパッケージ、リードレスチップキャリア、リ
ープイツトチップキャリア、プラグインパッケージでも
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように本発明によれば、ガラス蓋の素子面をメタ
ライズ筐たは合成樹脂によシ黒色化し、固体撮像素子の
イメージエリア上のみ透明にしてガラス蓋に遮光能力を
付与したので、装置が安価□でき、また小型、軽量Ｚも
のが得られる効果がある。
ライズ筐たは合成樹脂によシ黒色化し、固体撮像素子の
イメージエリア上のみ透明にしてガラス蓋に遮光能力を
付与したので、装置が安価□でき、また小型、軽量Ｚも
のが得られる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の一実施例による固体撮像装
置を示す一部分解斜視図及びその断面図、第３図及び第
４図は従来の固体撮像装置の一例を示す一部分解斜視図
及びその断面図である。 １・・・・多層セラミック基板、２・・・・固体撮像素
子、３・・・・イメージエリア、９・・・・ガラス蓋、
１１・・・・遮光部、１２・・・・開口部。
置を示す一部分解斜視図及びその断面図、第３図及び第
４図は従来の固体撮像装置の一例を示す一部分解斜視図
及びその断面図である。 １・・・・多層セラミック基板、２・・・・固体撮像素
子、３・・・・イメージエリア、９・・・・ガラス蓋、
１１・・・・遮光部、１２・・・・開口部。
Claims (1)
- 固体撮像素子を容器に収納した固体撮像装置において、
前記固体撮像素子の受光領域上部の、ガラス蓋対応部を
除いたガラス蓋の両面またはどちらか片面に、メタライ
ズあるいは合成樹脂により光を遮光すべく形成された遮
光部を一体に設けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318424A JPH03178168A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318424A JPH03178168A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178168A true JPH03178168A (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=18099002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1318424A Pending JPH03178168A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03178168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114304A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP1318424A patent/JPH03178168A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114304A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
| US8742323B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-06-03 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor module |
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