JPH03178205A - 移相型cr発振装置 - Google Patents

移相型cr発振装置

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JPH03178205A
JPH03178205A JP1317984A JP31798489A JPH03178205A JP H03178205 A JPH03178205 A JP H03178205A JP 1317984 A JP1317984 A JP 1317984A JP 31798489 A JP31798489 A JP 31798489A JP H03178205 A JPH03178205 A JP H03178205A
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JP
Japan
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phase
phase shift
circuit
circuits
oscillator
Prior art date
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Pending
Application number
JP1317984A
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English (en)
Inventor
Tatsuo Itomitsu
辰夫 糸満
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、移相型CR発振装置、特に、所望の発振周波
数に対する発振装置の内部素子における定数の設定に関
するものである。
従来の技術 従来の移相型CR発振装置の例として、CR微分回路の
進相型位相シフタを3個縦続接続したものを第3図に示
す。
第3図において、移相型CR発振装置は位相反転増幅回
路lと進相型位相シフト回路2から構成されており、回
路2は180 ’位相シフトする進相型位相シフト回路
である。3,4.5は抵抗であり、抵抗の大きさはそれ
ぞれR1,R,、、R3である。6,7.8はコンデン
サであり、容量はそれぞれC+ 、C2、Caである。
9は演算回路、10は出力端子であり、18o0進相型
位相シフト回路2の出力を位相反転増幅回路lの演算回
路9の一方の入力端子に帰還させる経路が設けられてい
る。
第5図は第3図の移相型CR発振装置のブロック構成図
である。11は入力端子で、その電位をVlとする。ま
た、位相反転増幅回路1と180 ’進相型位相シフト
回路2の接続点Aの電位をVとする。この移相型CR発
振装置が発振するための条件は次の通りである。
条件(1)  位相反転増幅回路1と180 ’進相型
位相シフト回路2とのトータルゲイ ンが1以上である。
条件(2)  V+とVが同相である。
第4図は第3図の180°進相型位相シフト回路2より
求めた伝達関数のベクトル軌跡図であり、ψは位相角、
12は伝達関数ベクトル、13はベクトル軌跡である。
第3図の回路1が位相反転増幅回路であり、条件(2)
を満足するには、第3図の回路2が180°進相型位相
シフト回路となることである。第4図の0点での周波数
か発振周波数となり、大きさDが第3図の1800進相
型位相シフト回路2のゲインとなる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では、所望の周波数にお
いて、第3図の移相型CR発振装置が発振するように、
第3図の位相反転増幅回路2の内部素子(第3図の1.
 2. 3. 4. 5. 6)の定数を設定する場合
、位相反転増幅回路2は、CR微分回路を3個縦続接続
した構成であるため、3個のCR微分回路が相互に干渉
し合うように作用する。そのため第3図の出力端のB点
での位相゛がA点より180°進むという発振に必要な
条件を満足するように内部素子の定数を設定することが
困難であるという問題がある。
ここで、発振装置としてのトータルゲインを第3図の位
相反転増幅回路lによって1以上にでき、満足されると
する。第2図の180°進相型位相シフト回路2の伝達
関数は(1)式で与えられる。
Gfii+1 」ωR,C,・1ωR+ C1tωR,C。
(1+111R1c、 l fl”i#RI Cal 
[1”1liRI Cal ji、 Iff”!vR1
c、 l ’R+ C+ + (1+1llR+ Ca
l ’L C1+ 1tlR1RI C+ C+ただし
、G(iω)は伝達関数、ωは角周波数、j2=−4 (1)式の分母の第2項がない式は、それぞれのCR微
分回路の伝達関数の積であり、分母の第2項は3個のC
R微分回路が相互に干渉し合っていることを表わす項で
ある。
所望の発振周波数を得るには、伝達関数の(1)式より
周波数特性を求め複雑な連立方程式を解くことにより、
内部素子の定数を設定するが、一意的に決まらず困難で
ある。また、第3図の出力端子10に後段の回路を接続
した場合、接続した回路の影響も考慮しなければならな
くなり、第3図の1800進相型位相シフト回路2の内
部素子の定数の設定が一層困難になる。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、設計を容易
にすることができる移相型CR発振装置を提供すること
を目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の移相型CR発振装置
は、最大位相シフト量90°をもつCR微分回路の進相
型位相シフト回路を3個縦続接続するにあたり、バッフ
ァを介して接続したものである。
作用 上記のような構成により、接続によって生じるCR微分
回路どうしの相互の干渉がなくなり、出力端子に後続の
回路を接続した場合も接続した回路の影響を考慮する必
要がない。したがって、所望の発振周波数を得る場合、
内部素子の定数をそれぞれのCR微分回路ごとに考慮す
ればよく、定数設定が著しく容易になり、発振回路の設
計が容易になる。
実施例 以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例の移相型CR発振装置の回路
図である。第1図において、移相型CR発振装置は、位
相反転増幅回路21と18G ’進相型位相シフト回路
22からなり、180°進相型位相シフト回路22は3
個のCR微分回路23.24.25とそれぞれの後段に
接続されたバッファ26.27.28の縦続接続からな
る。CR微分回路23.24.25は第3図の従来のも
のと同じであるが、この180°進相型位相シフト回路
22はバッファ26.27.28により相互に干渉のな
いCR微分回路23.24.25で構成されている。2
9は演算回路、30は出力端子である。
第1図の微分回路23.24.25はそれぞれ簡単な伝
達関数となり、次の(2)式で与えられる。
1+jωRC ただし、Rは抵抗の大きさ、Cはコンデンサの容量、ω
は角周波数 本実施例において、従来例と異なるのは、バッファ26
.27.28によりCR微分回路23.24.25が相
互に干渉せず1つの独立した回路として取り扱うことが
できることである。第1図の移相型CR発振装置におけ
る発振条件も、従来の技術においてすでに記述している
条件(1)、 (2)  と同じである。
すなわち、条件(1)は、第1図の位相反転増幅回路1
において、トータルゲインを1以上にでき、満足できる
。条件(2)は、3つのCR微分回路23゜24、25
の進相型位相シフト量を個別に算出し、3つの合計が1
80°になるように設定すれば満足できる。
所望の周波数において第1図の移相型CR発振装置が発
振するように内部素子の定数を設定する。
第1図において、CR微分回路23.24.25の進相
型位相シフト量をそれぞれθ□、θ2.θ3とする。こ
こで進相型最大位相シフト量90°とθ、。
θ2.θ3の合計が180°であることを考慮すればθ
1.θ2.θ3の値を任意に決定できるが、CR微分回
路の3段の合計が180°でなければならないことから
、1段あたり60°付近が好ましい。
第2図は(2)式の伝達関数から求めたベクトル軌跡図
であり、31は伝達関数ベクトル、32はベクトル軌跡
である。θの範囲は位相角を表わし、θの大きさは進相
型位相シフト量を表わす。
第1図のCR微分回路23のR1,C1の定数を設定す
る。(2)式より位相角を表わす周波数特性を(3)式
に示す。
工 θ=jan−1・・・ (3) 2πfRI Cま ただし、0°≦θ≦90°  fは発振周波数(3)式
に所望の発振周波数と任意のθ1を代入しR1と01の
定数を設定する。同様に、R2゜C3,Ra 、Csも
容易に算出し設定できる。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、各段のCR微分回路の
後段にバッファを接続することにより、各段のCR微分
回路の定数を独立に設定することができ、容易に所望す
る発振周波数が得られる。
また、可変周波数発振装置を設計する場合に、R2Cの
定数の決定や、所望する発振周波数の設定など発振装置
の設計を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における移相型CR発振装置
の回路図、第2図は同移相型CR発振装置のCR微分回
路の伝達関数から求めたベクトル軌跡図、第3図は従来
の移相型CR発振装置の回路図、第4図は第3図の18
0°進相型位相シフト回路の伝達関数より求めたベクト
ル軌跡図、第5図は第3図の移相型CR発振装置のブロ
ック構成図である。 2I・・・位相反転増幅回路、22・・・180°進相
型位相シフト回路、23.24.25・・・CR微分回
路、26.27゜28・・・バッファ。 代理人   森  本  義  弘 第 図 23〜2s CR徴ホSみ 第 図 X軸

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、最大位相シフト量90゜をもつCR微分回路と、前
    記CR微分回路の出力側にバッファを接続して構成され
    た進相型位相シフト回路を3段縦続接続し、さらに前記
    3段の進相型位相シフト回路の入力側に位相反転増幅回
    路を接続し、前記3段の進相型位相シフト回路の出力側
    から前記位相反転増幅回路の入力側に帰還させる経路を
    設けた移相型CR発振装置。
JP1317984A 1989-12-07 1989-12-07 移相型cr発振装置 Pending JPH03178205A (ja)

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