JPS62145902A - 可変周波数発振回路 - Google Patents
可変周波数発振回路Info
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- JPS62145902A JPS62145902A JP60286926A JP28692685A JPS62145902A JP S62145902 A JPS62145902 A JP S62145902A JP 60286926 A JP60286926 A JP 60286926A JP 28692685 A JP28692685 A JP 28692685A JP S62145902 A JPS62145902 A JP S62145902A
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- JP
- Japan
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- circuit
- bias current
- variable
- current source
- oscillation circuit
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明はセラミック共振子等の固体共振素子を用いた
可変周波数発振回路に関する。
可変周波数発振回路に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来より、固体共振素子例えばセラミック共振子を用い
た可変周波数発振回路として第５図に示すようなものが
ある。この回路は、「日経エレクトロニクス」 （マグ
ロウヒル社）１９８４年２月号１５１頁乃至１５７頁に
その詳細が記載されているが、要約して説明すると、ま
ず図中１１は主発振回路であり、この主発振回路１１は
差動対トランジスタＱｌ、Ｑ２、バイアス電流源■１、
ベース抵抗Ｒ１，Ｒ２、能動負荷となるトランジスタＱ
３．Ｑ４で構成される差動増幅器に正帰還容量（コンデ
ンサ）ＣＬを設け、さらにその出力端にセラミック共振
子（固体共振素子）Ａを並列接続したものである。すな
わち、この主発振回路１１は端子１２から人力される基
準電圧ＶＢＩを基準にしてセラミック共振子Ａによる並
列共振を増幅出力することにより所定周波数で発振する
ものである。
た可変周波数発振回路として第５図に示すようなものが
ある。この回路は、「日経エレクトロニクス」 （マグ
ロウヒル社）１９８４年２月号１５１頁乃至１５７頁に
その詳細が記載されているが、要約して説明すると、ま
ず図中１１は主発振回路であり、この主発振回路１１は
差動対トランジスタＱｌ、Ｑ２、バイアス電流源■１、
ベース抵抗Ｒ１，Ｒ２、能動負荷となるトランジスタＱ
３．Ｑ４で構成される差動増幅器に正帰還容量（コンデ
ンサ）ＣＬを設け、さらにその出力端にセラミック共振
子（固体共振素子）Ａを並列接続したものである。すな
わち、この主発振回路１１は端子１２から人力される基
準電圧ＶＢＩを基準にしてセラミック共振子Ａによる並
列共振を増幅出力することにより所定周波数で発振する
ものである。
上記主発振回路１１の出力端には、コンデンサＣ２及び
抵抗Ｒ３よりなる移相回路と、トランジスタＱ５．ＱＢ
及び第１の可変バイアス電流源Ｉ２よりなる第１の差動
回路と、トランジスタＱ７．ＱＢ及び第３の第２の可変
バイアス電流源Ｉ３よりなる第２の差動回路と、能動負
荷となるトランジスタＱ９．ＱＩＯとで構成される可変
容量回路１３が並列接続されている。すなわち、この可
変容量回路１３は端子１４から入力される基準電圧ＶＢ
２によって動作状態となるもので、第１の可変バイアス
電流源工２の電流量を制御することによって上記移相回
路を介してセラミック共振子Ａに対する正の並列容量を
制御することができ、逆に第２の可変バイアス電流源Ｉ
３の電流量を制御することによって負の並列容量を制御
することができる。
抵抗Ｒ３よりなる移相回路と、トランジスタＱ５．ＱＢ
及び第１の可変バイアス電流源Ｉ２よりなる第１の差動
回路と、トランジスタＱ７．ＱＢ及び第３の第２の可変
バイアス電流源Ｉ３よりなる第２の差動回路と、能動負
荷となるトランジスタＱ９．ＱＩＯとで構成される可変
容量回路１３が並列接続されている。すなわち、この可
変容量回路１３は端子１４から入力される基準電圧ＶＢ
２によって動作状態となるもので、第１の可変バイアス
電流源工２の電流量を制御することによって上記移相回
路を介してセラミック共振子Ａに対する正の並列容量を
制御することができ、逆に第２の可変バイアス電流源Ｉ
３の電流量を制御することによって負の並列容量を制御
することができる。
つまり、この可変周波数発振回路は、主発振回路１１で
セラミック共振子Ａの並列共振を差動増幅器で増幅し、
さらに可変容量回路１３によって上記セラミック共振子
Ａに対する並列容量分を制御することによって共振子Ａ
の両端に発生する信号の周波数を制御するようにしたも
のである。尚、」−記第１及び第２の可変バイアス電流
源１２．１３は一方のみ選択して動作させるものどする
。
セラミック共振子Ａの並列共振を差動増幅器で増幅し、
さらに可変容量回路１３によって上記セラミック共振子
Ａに対する並列容量分を制御することによって共振子Ａ
の両端に発生する信号の周波数を制御するようにしたも
のである。尚、」−記第１及び第２の可変バイアス電流
源１２．１３は一方のみ選択して動作させるものどする
。
ところで、上記可変容量回路１３の可変容量Ｃ−の値は
、可変容量回路１３のアドミタンスＹが・・・（１） で表わされるから、 Ｃ”＝、（１±ｇａ＋ Ｒ３） Ｃ２＝１２）とな
る。但し、（１）、 （２）式において相互コンダクタ
ンスｇｆｆｌはｇＩＩｌ−ｑ １／２ｋＴ （ｑは電荷
、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度）で与えられる。
、可変容量回路１３のアドミタンスＹが・・・（１） で表わされるから、 Ｃ”＝、（１±ｇａ＋ Ｒ３） Ｃ２＝１２）とな
る。但し、（１）、 （２）式において相互コンダクタ
ンスｇｆｆｌはｇＩＩｌ−ｑ １／２ｋＴ （ｑは電荷
、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度）で与えられる。
１２−Ｉ３−０のときは可変容量回路１３が動作してい
ないので、この可変周波数発振回路は中心周波数が主発
振回路ＩＬのみで決まるのが特徴である。
ないので、この可変周波数発振回路は中心周波数が主発
振回路ＩＬのみで決まるのが特徴である。
第６図は上記セラミック共振子Ａに流れる発振電流１０
のベクトル図を示すもので、横軸は実数成分Ｒｅを示し
、縦軸は虚数成分１ｍを示している。実数成分Ｒｅはセ
ラミック共振子１１に対する正負の抵抗分±Ｒによって
増減し、虚数成分Ｉｎは正負の容量分±Ｃによって増減
する。１０はセラミック共振子Ａに流れる電流ベクトル
、±１１は主発振回路１１の差動増幅回路からセラミッ
ク共振子１１へ流れる電流ベクトル、上鍔は可変容量回
路１３から流れる電流ベクトルである。
のベクトル図を示すもので、横軸は実数成分Ｒｅを示し
、縦軸は虚数成分１ｍを示している。実数成分Ｒｅはセ
ラミック共振子１１に対する正負の抵抗分±Ｒによって
増減し、虚数成分Ｉｎは正負の容量分±Ｃによって増減
する。１０はセラミック共振子Ａに流れる電流ベクトル
、±１１は主発振回路１１の差動増幅回路からセラミッ
ク共振子１１へ流れる電流ベクトル、上鍔は可変容量回
路１３から流れる電流ベクトルである。
すなわち、上記のような可変周波数発振回路では、第６
図を見てもわかるように、可変容量回路１３によって並
列容量分を制御してセラミック共振子Ａに流れる電流１
０のベクトル１の虚数成分を変化させると、実数成分も
変化する。この実数成分が小さくなると、発振振幅の低
下や発振停止が起き、大きくなると発振波形にひずみが
生して寄生発振を起こしやすくなる。
図を見てもわかるように、可変容量回路１３によって並
列容量分を制御してセラミック共振子Ａに流れる電流１
０のベクトル１の虚数成分を変化させると、実数成分も
変化する。この実数成分が小さくなると、発振振幅の低
下や発振停止が起き、大きくなると発振波形にひずみが
生して寄生発振を起こしやすくなる。
上記発振振幅の低下についてさらに詳述する。
第７図は第５図の等価回路を示すもので、ＬＯ。
Ｃｏ、Ｃａ、ＲＯはそれぞれ共振子Ａの誘導針、直列容
量分、並列容量分、抵抗分であり、Ｃｖは可変容量回路
１５による容量分である。つまり、この回路のインピー
ダンスＺは、 Ｚ曹 （但しＣ−Ｃａ＋Ｃｖ） で表わされる。ここで、並列共振は であるから、共振インピーダンスＺａは、と表わされる
。ここで、第２項は通常第１項よりも十分少さいので、 となる。これにより、並列容量Ｃが大きくなると並列共
振時のインピーダンス（抵抗成分）が小さくなることが
わかる。したがって、実際には可変容量回路１５の抵抗
成分（第６図に示す−１２の実数成分）に加えて共振子
１１の共振インピーダンスの低下も加わって、発振振幅
の低下はより大きくなる。
量分、並列容量分、抵抗分であり、Ｃｖは可変容量回路
１５による容量分である。つまり、この回路のインピー
ダンスＺは、 Ｚ曹 （但しＣ−Ｃａ＋Ｃｖ） で表わされる。ここで、並列共振は であるから、共振インピーダンスＺａは、と表わされる
。ここで、第２項は通常第１項よりも十分少さいので、 となる。これにより、並列容量Ｃが大きくなると並列共
振時のインピーダンス（抵抗成分）が小さくなることが
わかる。したがって、実際には可変容量回路１５の抵抗
成分（第６図に示す−１２の実数成分）に加えて共振子
１１の共振インピーダンスの低下も加わって、発振振幅
の低下はより大きくなる。
このように、上記可変周波数発振回路では、実数成分の
変化があると安定に発振周波数を制御できる幅がせまく
なり、発振振幅が低下するので、これを防ぐために１１
を十分に大きくする必要がある。ところが、１１が常に
実数成分のみであれば問題はないが、実際にはセラミッ
ク共振子Ａが直流を通さないためコンデンサＣ１による
容量で正帰還をかけざるを得ないので実数成分のみとす
ることは困難であり、第６図中１１ のように虚数成分
を持つことになる。このように首が虚数成分を持つと中
心周波数（非制御時の周波数は１２−１３−０で決定さ
れる）のセラミック共振子Ａの並列共振周波数に対する
ずれが生じる。このずれはｉｌの大きさに比例にして太
き（なる。
変化があると安定に発振周波数を制御できる幅がせまく
なり、発振振幅が低下するので、これを防ぐために１１
を十分に大きくする必要がある。ところが、１１が常に
実数成分のみであれば問題はないが、実際にはセラミッ
ク共振子Ａが直流を通さないためコンデンサＣ１による
容量で正帰還をかけざるを得ないので実数成分のみとす
ることは困難であり、第６図中１１ のように虚数成分
を持つことになる。このように首が虚数成分を持つと中
心周波数（非制御時の周波数は１２−１３−０で決定さ
れる）のセラミック共振子Ａの並列共振周波数に対する
ずれが生じる。このずれはｉｌの大きさに比例にして太
き（なる。
したがって、制御範囲を広げようとすると１１も大きく
する必要があるばかりでなく、発振周波数のずれも大き
くなる。特にコンデンサＣＩを集積回路に内蔵する場合
にはその値に制限があるので、上記のずれが非常に問題
となる。さらに、この発振回路を低電圧で駆動する場合
には、第１及び第２の差動回路に十分な電圧を加えるこ
とができないため発振振幅をあまり大きくとれず、可変
容量回路の抵抗性Ｒと容量分 の値のリアクタンス比を十分に大きくすることができな
い。したがって、実数成分の変化が大きくなるので発振
が不安定になりやすい。
する必要があるばかりでなく、発振周波数のずれも大き
くなる。特にコンデンサＣＩを集積回路に内蔵する場合
にはその値に制限があるので、上記のずれが非常に問題
となる。さらに、この発振回路を低電圧で駆動する場合
には、第１及び第２の差動回路に十分な電圧を加えるこ
とができないため発振振幅をあまり大きくとれず、可変
容量回路の抵抗性Ｒと容量分 の値のリアクタンス比を十分に大きくすることができな
い。したがって、実数成分の変化が大きくなるので発振
が不安定になりやすい。
［発明の目的コ
この発明は上記のような問題を改善するためになされた
もので、発振周波数の可変範囲が広く、発振が安定で、
固体共振素子の並列共振周波数に対する中心周波数のず
れが極めて小さい変化周波数発振回路を提供することを
目的とする。
もので、発振周波数の可変範囲が広く、発振が安定で、
固体共振素子の並列共振周波数に対する中心周波数のず
れが極めて小さい変化周波数発振回路を提供することを
目的とする。
［発明の概要コ
すなわち、この発明に係る可変周波数発振回路は、バイ
アス電流源によって駆動され正帰還容量を有する第１の
増幅回路とこの第１の増幅回路の出力端に接続される固
体共振素子とからなり前記固体共振素子による並列共振
を前記第１の増幅回路で増幅して所定周波数で発振する
主発振回路と、この主発振回路の出力端に接続されるコ
ンデンサ及び抵抗でなる移相回路と可変バイアス電流源
によって駆動され前記移相回路を介して前記主発振回路
の出力信号を前記固体共振素子へ帰還増幅する第２の増
幅回路とからなり前記可変バイアス電流源を制御するこ
とによって前記固体共振素子に対する並列容量を可変制
御する可変容量回路と、この可変容量回路の可変バイア
ス電流源の制御に連動させて前記主発振回路のバイアス
電流を制御するバイアス電流制御手段とを具備したこと
を特徴とするものである。
アス電流源によって駆動され正帰還容量を有する第１の
増幅回路とこの第１の増幅回路の出力端に接続される固
体共振素子とからなり前記固体共振素子による並列共振
を前記第１の増幅回路で増幅して所定周波数で発振する
主発振回路と、この主発振回路の出力端に接続されるコ
ンデンサ及び抵抗でなる移相回路と可変バイアス電流源
によって駆動され前記移相回路を介して前記主発振回路
の出力信号を前記固体共振素子へ帰還増幅する第２の増
幅回路とからなり前記可変バイアス電流源を制御するこ
とによって前記固体共振素子に対する並列容量を可変制
御する可変容量回路と、この可変容量回路の可変バイア
ス電流源の制御に連動させて前記主発振回路のバイアス
電流を制御するバイアス電流制御手段とを具備したこと
を特徴とするものである。
［発明の実施例］
以下、第１図及び第２図を参照してこの発明の一実施例
を詳細に説明する。但し、第１図において第５図と同一
部分には同一符号を付して示し、ここでは異なる部分に
ついてのみ述べる。
を詳細に説明する。但し、第１図において第５図と同一
部分には同一符号を付して示し、ここでは異なる部分に
ついてのみ述べる。
第１図はその構成を示すもので、前記バイアス電流源Ｉ
Ｉには第３の可変バイアス電流源Ｉ４が並列接続されて
いる。この可変バイアス電流源■４は第２の可変バイア
ス電流源■２の制御に連動して制御される。
Ｉには第３の可変バイアス電流源Ｉ４が並列接続されて
いる。この可変バイアス電流源■４は第２の可変バイア
ス電流源■２の制御に連動して制御される。
上記構成において、以下第２図を参照してその動作につ
いて説明する。第２図は第６図と同様にセラミック共振
子Ａに流れる電流１０の発振電流ベクトル図を示してい
る。すなわち、可変容量回路１３の正の容量を可変制御
する第１のバイアス電流源Ｉ２の電流量に比例して第３
の可変バイアス電流源Ｉ４の電流量を変化させ、主発振
回路１１のバイアス電流を変化させることにより、第２
図に示すように−７Ｔの実数成分をゴの変化に応じて相
殺することができる。これによってセラミック共振子Ａ
に流れる電流ベクトル口は実数成分の変化が小さくなる
。このため、非制御時の１１の大きさを第５図に示した
回路に比して十分小さくすることができる。
いて説明する。第２図は第６図と同様にセラミック共振
子Ａに流れる電流１０の発振電流ベクトル図を示してい
る。すなわち、可変容量回路１３の正の容量を可変制御
する第１のバイアス電流源Ｉ２の電流量に比例して第３
の可変バイアス電流源Ｉ４の電流量を変化させ、主発振
回路１１のバイアス電流を変化させることにより、第２
図に示すように−７Ｔの実数成分をゴの変化に応じて相
殺することができる。これによってセラミック共振子Ａ
に流れる電流ベクトル口は実数成分の変化が小さくなる
。このため、非制御時の１１の大きさを第５図に示した
回路に比して十分小さくすることができる。
したがって、上記構成によれば、主発振回路１１のバイ
アス電流を少なくすることができるので、中心周波数と
セラミック共振子Ａ固有の並列共振周波数とのずれを少
なくすることができる。また、セラミック共振子Ａに流
れる発振電流の実数成分の変化が少ないので常に安定し
た発振が得られ、これによって可変範囲も広くなる。つ
まり、発振振幅の低下、発振停止、寄生発振等を起こし
難くなる。また、移相回路の容量分 １ ｊωＣ２ と抵抗性Ｒ３のリアクタンス比がそれほど大きくなくて
も安定に動作するので、発振振幅の小さい低電圧回路で
も十分な性能が得られる。これによって極めて容易に集
積回路化することができる。
アス電流を少なくすることができるので、中心周波数と
セラミック共振子Ａ固有の並列共振周波数とのずれを少
なくすることができる。また、セラミック共振子Ａに流
れる発振電流の実数成分の変化が少ないので常に安定し
た発振が得られ、これによって可変範囲も広くなる。つ
まり、発振振幅の低下、発振停止、寄生発振等を起こし
難くなる。また、移相回路の容量分 １ ｊωＣ２ と抵抗性Ｒ３のリアクタンス比がそれほど大きくなくて
も安定に動作するので、発振振幅の小さい低電圧回路で
も十分な性能が得られる。これによって極めて容易に集
積回路化することができる。
第３図に他の実施例を示す。但し、第３図において第１
図と同一部分には同一符号を付して示す。
図と同一部分には同一符号を付して示す。
この回路は第１図に示した回路を改良し、前記バイアス
電流源Ｉｔを可変バイアス電流源とし、この電流１ｉ１
１を可変容量回路１３の負の容量を可変制御する第２の
可変バイアス電流源Ｉ３の制御に反比例させて上記可変
バイアス電流源工１を制御するようにしたものである。
電流源Ｉｔを可変バイアス電流源とし、この電流１ｉ１
１を可変容量回路１３の負の容量を可変制御する第２の
可変バイアス電流源Ｉ３の制御に反比例させて上記可変
バイアス電流源工１を制御するようにしたものである。
すなわち、第４図の発振電流ベクトル図に示すように、
負の可変容量を制御するバイアス電流Ｉ３が増加したと
きに主発振回路１１のバイアス電ｉｉｏを減少させるこ
とによって、＋７丁の実数成分をＴ下の減少に応じて相
殺している。他の動作については第１図に示した回路と
同様である。この構成によれば、可変周波数範囲がさら
に拡大される。
負の可変容量を制御するバイアス電流Ｉ３が増加したと
きに主発振回路１１のバイアス電ｉｉｏを減少させるこ
とによって、＋７丁の実数成分をＴ下の減少に応じて相
殺している。他の動作については第１図に示した回路と
同様である。この構成によれば、可変周波数範囲がさら
に拡大される。
尚、この発明は−ｊ：記実施例に限定されるものではな
く、この他その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能な
ことは言うまでもない。
く、この他その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能な
ことは言うまでもない。
［発明の効果］
以上詳述したようにこの発明によれば、発振周波数の可
変範囲が広く、発振が安定で、固体共振素子の並列共振
周波数に対する中心周波数のずれか極めて小さい可変周
波数発振回路を提供することができる。
変範囲が広く、発振が安定で、固体共振素子の並列共振
周波数に対する中心周波数のずれか極めて小さい可変周
波数発振回路を提供することができる。
第１図はこの発明に係る可変周波数発振回路の一実施例
を示す回路構成図、第２図は同実施例の動作を説明する
ための発振電流ベクトル図、第３図及び第４図はこの発
明に係る他の実施例を説明するための図、第５図は従来
の可変周波数発振回路の構成を示す回路図、第６図及び
第７図はそれぞれ第５図の従来の発振回路の動作を説明
するための図である。 【［・・・主発振回路、１３・・・可変容量回路、Ａ・
・・セラミック共振子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ｒη ＩＴｌ 第２１＜Ｉ 第 ３１′２１ １ｍ 第 ５ｍ ｍ
を示す回路構成図、第２図は同実施例の動作を説明する
ための発振電流ベクトル図、第３図及び第４図はこの発
明に係る他の実施例を説明するための図、第５図は従来
の可変周波数発振回路の構成を示す回路図、第６図及び
第７図はそれぞれ第５図の従来の発振回路の動作を説明
するための図である。 【［・・・主発振回路、１３・・・可変容量回路、Ａ・
・・セラミック共振子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１ｒη ＩＴｌ 第２１＜Ｉ 第 ３１′２１ １ｍ 第 ５ｍ ｍ
Claims (1)
- バイアス電流源によって駆動され正帰還容量を有する第
１の増幅回路とこの第１の増幅回路の出力端に接続され
る固体共振素子とからなり前記固体共振素子による並列
共振を前記第１の増幅回路で増幅して所定周波数で発振
する主発振回路と、この主発振回路の出力端に接続され
るコンデンサ及び抵抗でなる移相回路と可変バイアス電
流源によって駆動され前記移相回路を介して前記主発振
回路の出力信号を前記固体共振素子へ帰還増幅する第２
の増幅回路とからなり前記可変バイアス電流源を制御す
ることによって前記固体共振素子に対する並列容量を可
変制御する可変容量回路と、この可変容量回路の可変バ
イアス電流源の制御に連動させて前記主発振回路のバイ
アス電流を制御するバイアス電流制御手段とを具備した
ことを特徴とする可変周波数発振回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286926A JPH061853B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 可変周波数発振回路 |
| KR8610923A KR900008182B1 (en) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Variable frequency oscillator |
| US06/943,801 US4745375A (en) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Variable frequency oscillator with current controlled reactance circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286926A JPH061853B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 可変周波数発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145902A true JPS62145902A (ja) | 1987-06-30 |
| JPH061853B2 JPH061853B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=17710747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286926A Expired - Lifetime JPH061853B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 可変周波数発振回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4745375A (ja) |
| JP (1) | JPH061853B2 (ja) |
| KR (1) | KR900008182B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133011U (ja) * | 1989-04-05 | 1990-11-05 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4914406A (en) * | 1988-04-25 | 1990-04-03 | Nec Corporation | Voltage controlled oscillator free from free-run oscillating frequency adjustment |
| JPH0691413B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1994-11-14 | 株式会社東芝 | リアクタンス制御回路 |
| US5444422A (en) * | 1994-09-20 | 1995-08-22 | Zenith Electronics Corp. | Low phase noise high frequency integrated oscillator with minimum pins |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5253645A (en) * | 1975-10-28 | 1977-04-30 | Victor Co Of Japan Ltd | Automated frequency phase control circuit |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6030125B2 (ja) * | 1974-07-04 | 1985-07-15 | ソニー株式会社 | 可変リアクタンス回路 |
| JPS5957515A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 可変リアクタンス回路 |
| CA1215437A (en) * | 1983-05-25 | 1986-12-16 | Sony Corporation | Variable frequency oscillating circuit |
-
1985
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-
1986
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- 1986-12-19 KR KR8610923A patent/KR900008182B1/ko not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5253645A (en) * | 1975-10-28 | 1977-04-30 | Victor Co Of Japan Ltd | Automated frequency phase control circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133011U (ja) * | 1989-04-05 | 1990-11-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900008182B1 (en) | 1990-11-05 |
| JPH061853B2 (ja) | 1994-01-05 |
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| US4745375A (en) | 1988-05-17 |
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