JPH0318077A - 金属蒸気レーザ装置 - Google Patents
金属蒸気レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0318077A JPH0318077A JP15267489A JP15267489A JPH0318077A JP H0318077 A JPH0318077 A JP H0318077A JP 15267489 A JP15267489 A JP 15267489A JP 15267489 A JP15267489 A JP 15267489A JP H0318077 A JPH0318077 A JP H0318077A
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- JP
- Japan
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- discharge
- anode
- capacitor
- cathode
- inductance
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
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- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は金属蒸気レーザ、とくにそのパルス発生回路
の構成に関するものである。
の構成に関するものである。
第２図は例えば昭和５６年度レーザ研究＄９巻第２号「
銅蒸気レーザの製作」に示された従来の金属蒸気レーザ
を示す断面構成図であり、図において、（ロ）は高圧電
源、（１）は充電リアクトル、（２）は充電ダイオード
、（３）はサイラトロン、（４）はコンデンサ、〈５）
はサイラトロン板，（６）はコンデンサ板、（９）は陰
極フランジ、００は外筒、ｑυは陰極、四は陽極、αＪ
は放電内管、Ｑ４，は断熱ウール、Ｑ５はシール管、Ｃ
ＩＱは窓、Ｑ７）は銅粒、α引よ真空層、Ｏ場は絶縁ブ
レーク、四は陽極フランジである。
銅蒸気レーザの製作」に示された従来の金属蒸気レーザ
を示す断面構成図であり、図において、（ロ）は高圧電
源、（１）は充電リアクトル、（２）は充電ダイオード
、（３）はサイラトロン、（４）はコンデンサ、〈５）
はサイラトロン板，（６）はコンデンサ板、（９）は陰
極フランジ、００は外筒、ｑυは陰極、四は陽極、αＪ
は放電内管、Ｑ４，は断熱ウール、Ｑ５はシール管、Ｃ
ＩＱは窓、Ｑ７）は銅粒、α引よ真空層、Ｏ場は絶縁ブ
レーク、四は陽極フランジである。
次に動作について説明する。高圧電源（ロ）からコンデ
ンサ（４）に充電リアクトル（１）、充電ダイオード（
２冫を通して、高圧を充電する。サイラトロン（３）を
導通すると、サイラトロン板（５）、コンデンサ（４）
、コンデンサ板（６）、陰極フランジ（９）、陽極フラ
ンジ翰、外筒叫を通して、陰極αυ、陽極（ト）に高圧
電圧が印加される。陰極ａυと賜極０４に印加された電
圧は、セラミック等からなる放電内管部内でパルス放電
を形成する。放電によって放電内管αＪに電力が供給さ
れると、シール管αクによって形成されｔ：真空層（ニ
）と断熱ウールＱ４による熱遮蔽効果で放電内管０内が
１５００度程度の高温に加熱される。その結果、銅粒ａ
′Ｉ）が蒸発し、放電内管０に充分な銅蒸気を供給する
。さらに、パルス放電を放電内管α４で行うと、銅蒸気
が放電により励起され、レーザ発振を生じ、窓０４９か
らレーザ光が出力される。
ンサ（４）に充電リアクトル（１）、充電ダイオード（
２冫を通して、高圧を充電する。サイラトロン（３）を
導通すると、サイラトロン板（５）、コンデンサ（４）
、コンデンサ板（６）、陰極フランジ（９）、陽極フラ
ンジ翰、外筒叫を通して、陰極αυ、陽極（ト）に高圧
電圧が印加される。陰極ａυと賜極０４に印加された電
圧は、セラミック等からなる放電内管部内でパルス放電
を形成する。放電によって放電内管αＪに電力が供給さ
れると、シール管αクによって形成されｔ：真空層（ニ
）と断熱ウールＱ４による熱遮蔽効果で放電内管０内が
１５００度程度の高温に加熱される。その結果、銅粒ａ
′Ｉ）が蒸発し、放電内管０に充分な銅蒸気を供給する
。さらに、パルス放電を放電内管α４で行うと、銅蒸気
が放電により励起され、レーザ発振を生じ、窓０４９か
らレーザ光が出力される。
放電による銅蒸気の励起を充分にし、レーザ効率を高め
るためには、より急峻な電圧を陰極αＤと、陽極四に印
加する必要がある。そのために、放電電流経路のインダ
クタンスは、できるだけ小さくする必要があり、特にサ
イラトロン（３）、コンデンサ板（６）、サイラトロン
板（５）、コンデンサ（４）からなるサイラトロン回路
は平行平板等を用いて配線するなどの工夫が施されてい
る。
るためには、より急峻な電圧を陰極αＤと、陽極四に印
加する必要がある。そのために、放電電流経路のインダ
クタンスは、できるだけ小さくする必要があり、特にサ
イラトロン（３）、コンデンサ板（６）、サイラトロン
板（５）、コンデンサ（４）からなるサイラトロン回路
は平行平板等を用いて配線するなどの工夫が施されてい
る。
従来の金属蒸気レーザは、上記のように構成されている
ので、サイラトロン（３｝、コンデンサ（４）、サイラ
トロン板（５）、コンデンサ板（６）からなるパルス回
路のインダクタンスが充分に小さくならず、陰極αυと
陽極四との間に、充分急峻な電圧を供給出来なかった。
ので、サイラトロン（３｝、コンデンサ（４）、サイラ
トロン板（５）、コンデンサ板（６）からなるパルス回
路のインダクタンスが充分に小さくならず、陰極αυと
陽極四との間に、充分急峻な電圧を供給出来なかった。
そのため、金属蒸気の励起が不足して、レーザ効率の低
下を招いていた。
下を招いていた。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、パルス回路のインダクタンスを充分に小さく
でき、効率の高い金属蒸気レーザ装置を得ることを目的
とする。
たもので、パルス回路のインダクタンスを充分に小さく
でき、効率の高い金属蒸気レーザ装置を得ることを目的
とする。
この発明に係る金属蒸気レーザ装置は、上記スイッチが
放電管の外周を取り囲むように配置されたものである。
放電管の外周を取り囲むように配置されたものである。
この発明による金属蒸気レーザ装置は、スイッチが放電
の外周をとり囲むように配置されているため、パルス回
路のインダクタンスがきわめて小さくなり、陰極と陽極
に急峻な電圧が印加でき、効率の高い金属蒸気レーザ装
置を提供できる。
の外周をとり囲むように配置されているため、パルス回
路のインダクタンスがきわめて小さくなり、陰極と陽極
に急峻な電圧が印加でき、効率の高い金属蒸気レーザ装
置を提供できる。
第１図はこの発明の一実施例による銅蒸気レーザ装置を
示す断面構成図であり、図において、（７）はＦＥＴ等
の半導体で構成されたスイソチであり、複数個のＦＥＴ
が直並列接続されたものである。
示す断面構成図であり、図において、（７）はＦＥＴ等
の半導体で構成されたスイソチであり、複数個のＦＥＴ
が直並列接続されたものである。
また、（８）は絶縁ガイドである。
上記のように構成された銅蒸気レーザ装置は従来の外筒
ＱＯの代わりに絶縁物で形成される絶縁ガイド（３）で
周囲を覆っている。さらに、絶縁ガイド？８）の外周を
取り囲んでＦ Ｅ Ｔ （７）の直並列接続が、放電内
管Ｑ：１と同軸状に配置されている。直並列接続された
Ｆ Ｅ Ｔ （７）の一方はコンデンサ（４）に、他方
は陽極フランジ翰に接続されている。
ＱＯの代わりに絶縁物で形成される絶縁ガイド（３）で
周囲を覆っている。さらに、絶縁ガイド？８）の外周を
取り囲んでＦ Ｅ Ｔ （７）の直並列接続が、放電内
管Ｑ：１と同軸状に配置されている。直並列接続された
Ｆ Ｅ Ｔ （７）の一方はコンデンサ（４）に、他方
は陽極フランジ翰に接続されている。
第１図の構成で、コンデンサ（４）に高圧が充電されて
いるとき、上記Ｆ Ｅ Ｔ （７）を導通させると、コ
ンデンサ（４）に充電された高圧はＦ Ｅ Ｔ （７）
を通って、陰極０υと陽極■■■との間に印加され、放
電内管Ｇ３に放電を形成する。
いるとき、上記Ｆ Ｅ Ｔ （７）を導通させると、コ
ンデンサ（４）に充電された高圧はＦ Ｅ Ｔ （７）
を通って、陰極０υと陽極■■■との間に印加され、放
電内管Ｇ３に放電を形成する。
このような構成にした場合、実際上、パルス回路と銅蒸
気レーザ管が一体となるため、従来存在したパルス回路
のインダクタンスは存在しなくなる。例えば、従来の大
口径銅蒸気レーザ装置においては、パルス回路のインダ
クタンスは約３００ｎＨ，レーザ管のインダクタンスも
約３ｏｏｎＨである。
気レーザ管が一体となるため、従来存在したパルス回路
のインダクタンスは存在しなくなる。例えば、従来の大
口径銅蒸気レーザ装置においては、パルス回路のインダ
クタンスは約３００ｎＨ，レーザ管のインダクタンスも
約３ｏｏｎＨである。
印加する電圧をＶｄとすれば、放電内管（ハ）に放電に
よって流れる電流の立ち上がりの最大は、パルス回路と
レーザ管のトータルのインダクタンスをＬとした場合、 ｄｉ／ｄｔ＝Ｖｄ／Ｌ で表される。つまり、トータルのインダクタンスが小さ
くなれば、電流の立ち上がりも高くなる。
よって流れる電流の立ち上がりの最大は、パルス回路と
レーザ管のトータルのインダクタンスをＬとした場合、 ｄｉ／ｄｔ＝Ｖｄ／Ｌ で表される。つまり、トータルのインダクタンスが小さ
くなれば、電流の立ち上がりも高くなる。
この発明によれば、パルス回路のインダクタンスが存在
しなくなったので、たとえば大口径銅蒸気レーザ装置に
おいては、トータルのインダクタンスが約半分に低減さ
れ、従って電流の立ち上がりが約２倍おおきくなり、銅
蒸気の励起が充分となって、高いレーザ効率を得ること
ができる。
しなくなったので、たとえば大口径銅蒸気レーザ装置に
おいては、トータルのインダクタンスが約半分に低減さ
れ、従って電流の立ち上がりが約２倍おおきくなり、銅
蒸気の励起が充分となって、高いレーザ効率を得ること
ができる。
また、回路のインダクタンスが小さくなれば、放電電力
の無効な成分も極めて少なくなり、最低眼の投入電力に
て、放電内管ａＪを１５００度程度に加熱できる。
の無効な成分も極めて少なくなり、最低眼の投入電力に
て、放電内管ａＪを１５００度程度に加熱できる。
また、銅蒸気レーザ装置の外部に電界も磁界も＠洩しな
いために極めて、他へのノイズの発生が少なくなる。
いために極めて、他へのノイズの発生が少なくなる。
なお、上記実施例によれは絶縁ガイド（８）とＦＥＴ（
７）は、別々に設置されているが、Ｆ Ｅ Ｔ （７）
によって絶縁ガイドを兼ねても構わない。
７）は、別々に設置されているが、Ｆ Ｅ Ｔ （７）
によって絶縁ガイドを兼ねても構わない。
なお、上記実地例では半導体にＦ Ｅ ’Ｉ”（７）を
用いたが、別に他の半導体でも構わない。
用いたが、別に他の半導体でも構わない。
また、上記実施例ではＦ Ｅ Ｔ （７）は、放電内管
Ｃｌ４の外周に同軸状に設置されているが、放電内管α
東の外周であり、かつ多角形状であっても問題は無い。
Ｃｌ４の外周に同軸状に設置されているが、放電内管α
東の外周であり、かつ多角形状であっても問題は無い。
以上のように、この発明によれば放電管の外周を取り囲
むようにスイッチを配置したので、放電回路のインタク
タンスが極めて小さくなり、陰極と陽極の間に急峻度の
高い電圧が供給でき、立ち上がりの高い放ＱＣＮ流が得
られることにより、効率の高い金ｈ蒸気レーザ装置を得
ることができる。
むようにスイッチを配置したので、放電回路のインタク
タンスが極めて小さくなり、陰極と陽極の間に急峻度の
高い電圧が供給でき、立ち上がりの高い放ＱＣＮ流が得
られることにより、効率の高い金ｈ蒸気レーザ装置を得
ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による金属蒸気レーザ装置
を示す断面構成図、及び第２図は従来の金属蒸気レーザ
装置を示す断面構成図である。 （ロ）・高圧ｓｔｈ、（４）・・・コンデンサ、（７）
・・・ＦＥＴ，（８）・・・絶縁ガイド、α４・・・放
電内管、α９・・・シール管。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す断面構成図、及び第２図は従来の金属蒸気レーザ
装置を示す断面構成図である。 （ロ）・高圧ｓｔｈ、（４）・・・コンデンサ、（７）
・・・ＦＥＴ，（８）・・・絶縁ガイド、α４・・・放
電内管、α９・・・シール管。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 高圧電源からコンデンサに高圧電圧を充電し、上記高
圧電圧をスイッチを導通させることにより、放電管内に
放電を起こし、レーザ光を発生させるものにおいて、上
記スイッチは、上記放電管の外周をとり囲んで配置され
たことを特徴とする金属蒸気レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15267489A JPH0797678B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 金属蒸気レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15267489A JPH0797678B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 金属蒸気レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318077A true JPH0318077A (ja) | 1991-01-25 |
| JPH0797678B2 JPH0797678B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=15545628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15267489A Expired - Fee Related JPH0797678B2 (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 金属蒸気レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797678B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100452963B1 (ko) * | 2002-01-05 | 2004-10-15 | 김옥수 | 엘리베이터의 케이지 바닥 회전장치 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15267489A patent/JPH0797678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100452963B1 (ko) * | 2002-01-05 | 2004-10-15 | 김옥수 | 엘리베이터의 케이지 바닥 회전장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797678B2 (ja) | 1995-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |