JPH03181029A - 情報担体ディスク - Google Patents
情報担体ディスクInfo
- Publication number
- JPH03181029A JPH03181029A JP1319392A JP31939289A JPH03181029A JP H03181029 A JPH03181029 A JP H03181029A JP 1319392 A JP1319392 A JP 1319392A JP 31939289 A JP31939289 A JP 31939289A JP H03181029 A JPH03181029 A JP H03181029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dielectric layer
- recording medium
- recording
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザビームなどにより情報を高密度、大容量
で記録再生りよび消去できる情報担体ディスク(以下、
単にディスクと称す)に関するものである。
で記録再生りよび消去できる情報担体ディスク(以下、
単にディスクと称す)に関するものである。
従来の技術
従来よシ透明材からなる円盤状のディスク基板の一方の
面に記録媒体層を形成し、ディスク基板側よりレーザー
光を照射することによって記録媒体層に微小な穴を形成
、あるいは光学的濃序を変化させたビットを形成して記
録再生を行うディスクが実用化されている。さらに記録
媒体層の光学的濃度ケ可逆的に変化させて繰り返し記録
・消去が可能な消去ディスクが実用化されつつある。こ
の消去ディスクは、レーザー光によシ記録媒体層を加が
し、溶融し、急冷することにより非晶質化して情報を記
録し、またこt′Lを加熱し、急冷することにより結晶
化して消去するものである。この材料としては、S、R
,0vshinsky (ニス・アー/L’−オプシン
スキー)氏などによるカルコゲン材RGe15Te81
Sb2S2などが知られている。また、As2S3組み
合わせからなる薄膜などが広く知られている。
面に記録媒体層を形成し、ディスク基板側よりレーザー
光を照射することによって記録媒体層に微小な穴を形成
、あるいは光学的濃序を変化させたビットを形成して記
録再生を行うディスクが実用化されている。さらに記録
媒体層の光学的濃度ケ可逆的に変化させて繰り返し記録
・消去が可能な消去ディスクが実用化されつつある。こ
の消去ディスクは、レーザー光によシ記録媒体層を加が
し、溶融し、急冷することにより非晶質化して情報を記
録し、またこt′Lを加熱し、急冷することにより結晶
化して消去するものである。この材料としては、S、R
,0vshinsky (ニス・アー/L’−オプシン
スキー)氏などによるカルコゲン材RGe15Te81
Sb2S2などが知られている。また、As2S3組み
合わせからなる薄膜などが広く知られている。
これらの記録媒体層にレーザー光で情報を記録し、その
情報を消去する方法としてはあらかじめ記録媒体層を結
晶化させてかき、こr+−Vこ約1μmに絞ったレーザ
ー光を情報に対応させて強度変調を施し、たとえば、円
盤状の記録ディスクを回転させて照射する。このとき、
レーザー光照射部位は記録媒体層の融点以上に昇温し、
かつ急冷して非晶質化したマークとして情報の記録が行
な7(る。゛また、との情報を消去するに際しては、デ
ィスクの回転トラック方向に長いスポット光を照射する
ことによう、記録媒体層を加熱昇温させ、長いスポット
光による徐冷効果によって再び結晶化させる方法が知ら
れている。このように消去ディスクは1 pm程度の微
小な領域ではあるが高温になり、たとえばディスク基板
に樹脂基板を使用して直接記M媒体M5r形成した場合
、レーサー光の卦によってディスク基板が変形して記録
・消去の繰り返しができないものである。このため−収
約にはディスク基板と記録媒体層の間あるいは記録媒体
層とこの記録媒体層を保護する保護層との間に、熟度形
を防止するための断熱籾として誘電体層を形成している
。璽た、この誘電体層はレーザー光の多重干渉を利用し
た光学層としての機能を有しており、さらに保護層側の
誘電体層の上に反射層を設けて記録・消去の感度を向上
させる場合もある。
情報を消去する方法としてはあらかじめ記録媒体層を結
晶化させてかき、こr+−Vこ約1μmに絞ったレーザ
ー光を情報に対応させて強度変調を施し、たとえば、円
盤状の記録ディスクを回転させて照射する。このとき、
レーザー光照射部位は記録媒体層の融点以上に昇温し、
かつ急冷して非晶質化したマークとして情報の記録が行
な7(る。゛また、との情報を消去するに際しては、デ
ィスクの回転トラック方向に長いスポット光を照射する
ことによう、記録媒体層を加熱昇温させ、長いスポット
光による徐冷効果によって再び結晶化させる方法が知ら
れている。このように消去ディスクは1 pm程度の微
小な領域ではあるが高温になり、たとえばディスク基板
に樹脂基板を使用して直接記M媒体M5r形成した場合
、レーサー光の卦によってディスク基板が変形して記録
・消去の繰り返しができないものである。このため−収
約にはディスク基板と記録媒体層の間あるいは記録媒体
層とこの記録媒体層を保護する保護層との間に、熟度形
を防止するための断熱籾として誘電体層を形成している
。璽た、この誘電体層はレーザー光の多重干渉を利用し
た光学層としての機能を有しており、さらに保護層側の
誘電体層の上に反射層を設けて記録・消去の感度を向上
させる場合もある。
発明が解決しようとする課題
記録媒体層を加熱昇温し、溶融急冷非晶質化および加熱
昇温結晶化の手段を用いる情報記録釦よび消去可能なデ
ィスクにおける課題の−っは加熱サイクルに対応して信
号品質が変動することである。この変動要因としては、
記録スポット光および消去スポット光による400℃以
上の急速な加熱、冷却の多数回の繰シ返しによるディス
ク基板あるいは誘電体層の熱的な損傷がある、ディスク
基板あるいは誘電体層が熱的な損傷を受けた場合、記録
再生・消去のサイクルにおいてノイズの増大を生じ、サ
イクル特性の劣化が発生するという課題があった。もう
一つは前述したように相変化を利用した消去ディスクは
熱記録であるため、記録あるいは消去を行なったときの
冷却速度が特性を左右するものである。すなわち、誘電
体層の材質あるいは誘電体層の膜厚などのディスク構成
によっては冷却速度が左右され、熱伝導率の小さい誘電
体を使用した場合、あるいは熱の逃げにくい構成の場合
、昇温された記録媒体層は徐冷されて非晶質の記録マー
クが書き込みにくくなるとδった課題もあった。
昇温結晶化の手段を用いる情報記録釦よび消去可能なデ
ィスクにおける課題の−っは加熱サイクルに対応して信
号品質が変動することである。この変動要因としては、
記録スポット光および消去スポット光による400℃以
上の急速な加熱、冷却の多数回の繰シ返しによるディス
ク基板あるいは誘電体層の熱的な損傷がある、ディスク
基板あるいは誘電体層が熱的な損傷を受けた場合、記録
再生・消去のサイクルにおいてノイズの増大を生じ、サ
イクル特性の劣化が発生するという課題があった。もう
一つは前述したように相変化を利用した消去ディスクは
熱記録であるため、記録あるいは消去を行なったときの
冷却速度が特性を左右するものである。すなわち、誘電
体層の材質あるいは誘電体層の膜厚などのディスク構成
によっては冷却速度が左右され、熱伝導率の小さい誘電
体を使用した場合、あるいは熱の逃げにくい構成の場合
、昇温された記録媒体層は徐冷されて非晶質の記録マー
クが書き込みにくくなるとδった課題もあった。
本発明はこのような課題を解決するもので、記録・消去
特性に優れ、かつサイクル特性に優れた情報担体ディス
クを提供することを目的とするものである。
特性に優れ、かつサイクル特性に優れた情報担体ディス
クを提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、透明なディスク基
板の一方の面に、第一の誘電体層と、記録媒体層と、第
二の誘電体層と、反射層とを順次形成し、第一シよび第
二の誘電体層としてTa2O5を使用し、第二の誘電体
層の膜厚を50 nm以下にしたものである。
板の一方の面に、第一の誘電体層と、記録媒体層と、第
二の誘電体層と、反射層とを順次形成し、第一シよび第
二の誘電体層としてTa2O5を使用し、第二の誘電体
層の膜厚を50 nm以下にしたものである。
作用
この構成によシ、誘電体層としてTa 2O5を使用し
、第二の#電体層の膜厚を50nm以下にすることによ
り、記録・消去時の冷却速度を早くすることができるも
のである。この冷却速度を早やすることによって記録・
消去の繰り返しによる熱衝撃を小さくでき、サイクル特
性を大幅に改善できるものである。また、記録媒体層を
加熱急冷して得られる非晶質の記録マークの書き込みが
確実にでき、信号品質の優れた記録マークが得られるも
のである。
、第二の#電体層の膜厚を50nm以下にすることによ
り、記録・消去時の冷却速度を早くすることができるも
のである。この冷却速度を早やすることによって記録・
消去の繰り返しによる熱衝撃を小さくでき、サイクル特
性を大幅に改善できるものである。また、記録媒体層を
加熱急冷して得られる非晶質の記録マークの書き込みが
確実にでき、信号品質の優れた記録マークが得られるも
のである。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
する。
図において、IFiディスク基板で、ポリカーボネイト
などの透明なSt脂材料から或ってシシ、このディスク
基板1上に第一の誘電体M2が設けられている。この第
一の誘電体層2は耐熱性に優れたTa02O5から或っ
てかり、膜厚は約150nmである。
などの透明なSt脂材料から或ってシシ、このディスク
基板1上に第一の誘電体M2が設けられている。この第
一の誘電体層2は耐熱性に優れたTa02O5から或っ
てかり、膜厚は約150nmである。
前記′$1の誘電体71i112上には記録媒体層3が
設けられている。この記録媒体層3ばGe 、Te 、
Sbからなる混合薄膜でめ多、膜厚は約30nmである
。前記記録媒体N3上には第二の誘電体層4が設けられ
ている。この第二の誘電体層4Fi第一の誘電体層2と
同一材質で作られ、膜厚は50nm以下となっている。
設けられている。この記録媒体層3ばGe 、Te 、
Sbからなる混合薄膜でめ多、膜厚は約30nmである
。前記記録媒体N3上には第二の誘電体層4が設けられ
ている。この第二の誘電体層4Fi第一の誘電体層2と
同一材質で作られ、膜厚は50nm以下となっている。
前記第二の誘電体層4上には反射層5が設けられ、この
反射層5の膜厚は約50nmとなっている。
反射層5の膜厚は約50nmとなっている。
これらの薄膜は真空蒸着法あるいはスパッタ法で形成す
ることができる。6は保護板で、前記ディスク基板1と
同一の材料で作られてレリ、接着剤7によって+I前記
反射層5上に貼シ付けられている。
ることができる。6は保護板で、前記ディスク基板1と
同一の材料で作られてレリ、接着剤7によって+I前記
反射層5上に貼シ付けられている。
図面に示す構成にかいて、記録・消去は矢印Aの方向よ
シ情報に応じて強度変調を施したレーザー光を照射する
ことにより行なわれるものである。
シ情報に応じて強度変調を施したレーザー光を照射する
ことにより行なわれるものである。
ここで前記第二の誘電体層4の膜厚を50nm以下と薄
くしているが、これはAI、Au、Crなどの金属層か
らなり、熱拡散層となる反射層5と記録媒体層3を近づ
けることになり、これによって記録・消去時の記録媒体
層3の熱が急速に反射層5に伝達されることになって、
記録媒体NRRを急冷する上で大きな効果を得られるも
のである。尚、第二の誘電体層4の膜厚は薄いものであ
るが、レーザー光はディスク基板1の側よシ照射して記
録・消去を行なうものであるから、第二の誘電体層4へ
の熱衝撃は小さく多サイクルの繰シ返しでもなんら問題
ないものであった。また冷却速度を左右する要素として
は前述したように、誘電体層の材質すなわちf?、 +
Fx m率、あるいは反射層の材質も大きな要素になる
ものであるが、本実施例の誘電体であるTa2O5は適
当な熱伝導率を有し、耐熱性、あるいは化学的な安定性
に優れておシ、本実施例のディスク構成で、C/N50
dB、消去率30dB以上で記録・消去の繰り返しも1
06サイクル以上安定であった。
くしているが、これはAI、Au、Crなどの金属層か
らなり、熱拡散層となる反射層5と記録媒体層3を近づ
けることになり、これによって記録・消去時の記録媒体
層3の熱が急速に反射層5に伝達されることになって、
記録媒体NRRを急冷する上で大きな効果を得られるも
のである。尚、第二の誘電体層4の膜厚は薄いものであ
るが、レーザー光はディスク基板1の側よシ照射して記
録・消去を行なうものであるから、第二の誘電体層4へ
の熱衝撃は小さく多サイクルの繰シ返しでもなんら問題
ないものであった。また冷却速度を左右する要素として
は前述したように、誘電体層の材質すなわちf?、 +
Fx m率、あるいは反射層の材質も大きな要素になる
ものであるが、本実施例の誘電体であるTa2O5は適
当な熱伝導率を有し、耐熱性、あるいは化学的な安定性
に優れておシ、本実施例のディスク構成で、C/N50
dB、消去率30dB以上で記録・消去の繰り返しも1
06サイクル以上安定であった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電体層としてTa2O
5を使用し、記録媒体層と反射層の間の誘電体層の膜厚
を50nm以下にすることにより、記録・消去時の冷却
速度を早くでき、このことによって多サイクル時の熱衝
撃を小さくし、サイクル特性を向上させることができ、
非晶質の記録マークの書き込みを容易にできるものであ
る。
5を使用し、記録媒体層と反射層の間の誘電体層の膜厚
を50nm以下にすることにより、記録・消去時の冷却
速度を早くでき、このことによって多サイクル時の熱衝
撃を小さくし、サイクル特性を向上させることができ、
非晶質の記録マークの書き込みを容易にできるものであ
る。
図面は本発明の一実施例による情報担体ディスクの断面
図である。 1・・・ディスク基板、2・・・第一の[E体層、3・
・・記録媒体層、4・・・第二の誘電体層、5・・・反
射層、6・・・保護板、7・・・接着剤。 代埠人 森 本 義 弘 り・−反射層
図である。 1・・・ディスク基板、2・・・第一の[E体層、3・
・・記録媒体層、4・・・第二の誘電体層、5・・・反
射層、6・・・保護板、7・・・接着剤。 代埠人 森 本 義 弘 り・−反射層
Claims (1)
- 1、透明なディスク基板の一方の面に、第一の誘電体層
と、レーザー光の照射によりそのエネルギーを吸収して
昇温し、溶融し、急冷し、非晶質化する性質と、非晶質
の状態を昇温することにより結晶化する性質を有する記
録媒体層と、第二の誘電体層と、反射層とを順次形成し
た情報担体ディスクであって、前記第一および第二の誘
電体層としてTa_2O_5を使用し、第二の誘電体層
の膜厚を50nm以下にしたことを特徴とする情報担体
ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319392A JPH0827981B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 情報担体ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319392A JPH0827981B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 情報担体ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181029A true JPH03181029A (ja) | 1991-08-07 |
| JPH0827981B2 JPH0827981B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=18109660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1319392A Expired - Fee Related JPH0827981B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 情報担体ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827981B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660451B1 (en) | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1319392A patent/JPH0827981B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660451B1 (en) | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0827981B2 (ja) | 1996-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |