JPH03181118A - 半導体ウエハの現像装置 - Google Patents
半導体ウエハの現像装置Info
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- JPH03181118A JPH03181118A JP1318975A JP31897589A JPH03181118A JP H03181118 A JPH03181118 A JP H03181118A JP 1318975 A JP1318975 A JP 1318975A JP 31897589 A JP31897589 A JP 31897589A JP H03181118 A JPH03181118 A JP H03181118A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- control body
- developer
- supply nozzle
- chuck
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は半導体ウェハの回路パターンを現像するため
の現像装置に関する。
の現像装置に関する。
(従来の技術)
半導体ウェハに回路パターンを形成する手段としてはフ
ォトエツチングが知られている。このフォトエツチング
は、半導体ウェハの所定部分にフォトレジストを塗布し
たのち、それをフォトマスクを介して焼付け、現像処理
することで上記回路パターンを形成するようになってい
る。
ォトエツチングが知られている。このフォトエツチング
は、半導体ウェハの所定部分にフォトレジストを塗布し
たのち、それをフォトマスクを介して焼付け、現像処理
することで上記回路パターンを形成するようになってい
る。
従来、このようなフォトエツチングに用いられる現像装
置は第4図に示すように構成されていた。
置は第4図に示すように構成されていた。
すなわち、同図中1は上面が開口し底部に一対の廃液ダ
クト1aが接続されたカップである。このカップ1の底
部下方にはガイド体2が上下方向に沿って設けられてい
る。このガイド体2にはスライダ3がスライド自在に設
けられ、このスライダ3は上記ガイド体2の一端に設け
られた第1のモータ4によって駆動されるようになって
いる。
クト1aが接続されたカップである。このカップ1の底
部下方にはガイド体2が上下方向に沿って設けられてい
る。このガイド体2にはスライダ3がスライド自在に設
けられ、このスライダ3は上記ガイド体2の一端に設け
られた第1のモータ4によって駆動されるようになって
いる。
上記スライダ3にはL字状のブラケット5の一辺が固着
されている。このブラケット5の水平となった他辺には
第2のモータ6が取着されている。
されている。このブラケット5の水平となった他辺には
第2のモータ6が取着されている。
この第2のモータ6の回転軸7は上記カップ1の底部に
穿設された通孔8から内部へ突出し、その突出端にはチ
ャック9が上面を水平にして取付けられている。このチ
ャック9の上面には現像処理される半導体ウェハ11が
水平に吸着保持されるようになっている。
穿設された通孔8から内部へ突出し、その突出端にはチ
ャック9が上面を水平にして取付けられている。このチ
ャック9の上面には現像処理される半導体ウェハ11が
水平に吸着保持されるようになっている。
上記チャック9の上面と対向するカップ1の上方には現
像液供給ノズル12とリンス液供給ノズル13とが先端
開口を対向させて配置されている。
像液供給ノズル12とリンス液供給ノズル13とが先端
開口を対向させて配置されている。
これらノズル12.13はそれぞれ図示しない現像液の
供給源とリンス液の供給源とに接続されていて、それら
の液を上記半導体ウェハ11の上面に適宜に供給するこ
とができるようになっている。
供給源とリンス液の供給源とに接続されていて、それら
の液を上記半導体ウェハ11の上面に適宜に供給するこ
とができるようになっている。
このような構成の現像装置において、半導体ウェハ11
に現像処理を行うには、まず半導体ウェハ11をチャッ
ク9に吸着保持したならば、この半導体ウェハ11上に
現像液供給ノズル12から現像液を供給して現像処理を
所定時間行う。つぎに、第2のモータ6を作動させてチ
ャック9を回転駆動するとともに、リンス供給ノズル1
3からリンス液を供給して半導体ウェハ11の上面を洗
浄する。
に現像処理を行うには、まず半導体ウェハ11をチャッ
ク9に吸着保持したならば、この半導体ウェハ11上に
現像液供給ノズル12から現像液を供給して現像処理を
所定時間行う。つぎに、第2のモータ6を作動させてチ
ャック9を回転駆動するとともに、リンス供給ノズル1
3からリンス液を供給して半導体ウェハ11の上面を洗
浄する。
リンス液による洗浄を所定時間行ったならば、リンス液
の供給を停止した状態でチャック9を回転し、それによ
って半導体ウェハ11の乾燥を行う。
の供給を停止した状態でチャック9を回転し、それによ
って半導体ウェハ11の乾燥を行う。
ところで、このような現像処理においては、現像液やリ
ンス液を半導体ウェハ11の上面に供給するため、どう
してもそれらの液が半導体ウェハ11の下面側へ回り込
み、その下面を汚すということがあった。また、現像液
供給ノズル12やリンス液供給ノズル13がチャック9
の上方に配置されているから、これらノズル12.13
から現像液やリンス液がたとえば乾燥処理中の半導体ウ
ェハ11の上面に不用意に滴下するということがある。
ンス液を半導体ウェハ11の上面に供給するため、どう
してもそれらの液が半導体ウェハ11の下面側へ回り込
み、その下面を汚すということがあった。また、現像液
供給ノズル12やリンス液供給ノズル13がチャック9
の上方に配置されているから、これらノズル12.13
から現像液やリンス液がたとえば乾燥処理中の半導体ウ
ェハ11の上面に不用意に滴下するということがある。
さらに、リンス後の乾燥時に周囲に飛散したリンス液が
カップ1の内面に衝突して半導体ウェハ11の上面には
ね返り易いので、その乾燥処理が良好に行えないという
こともある。
カップ1の内面に衝突して半導体ウェハ11の上面には
ね返り易いので、その乾燥処理が良好に行えないという
こともある。
(課題を解決するための手段及び作用)このように、従
来の現像装置は、半導体ウェハをその現像処理される被
処理面が上になるようチャックに吸着保持していたので
、その下面側に現像液やリンス液が回り込むということ
があるばかりか、チャック上方に配置された現像液供給
ノズルやリンス液供給ノズルから液が乾燥処理中の半導
体ウェハの上面に滴下するということがあり、さらには
乾燥時にリンス液が半導体ウエノ1の上面にはね返るな
どのことがあった。
来の現像装置は、半導体ウェハをその現像処理される被
処理面が上になるようチャックに吸着保持していたので
、その下面側に現像液やリンス液が回り込むということ
があるばかりか、チャック上方に配置された現像液供給
ノズルやリンス液供給ノズルから液が乾燥処理中の半導
体ウェハの上面に滴下するということがあり、さらには
乾燥時にリンス液が半導体ウエノ1の上面にはね返るな
どのことがあった。
この発明は上記事情にもとずきなされたもので、その目
的とするところは、半導体ウエノ\の被処理面と反対側
の面に現像液やリンス液が回り込むことがなく、しかも
その被処理面に現像液やリンス液の供給ノズルから液が
不用意に滴下することがなく、さらには乾燥処理時には
ね返るリンス液が半導体ウェハの被処理面に付着するこ
とがないようにした現像処理装置を提供することにある
。
的とするところは、半導体ウエノ\の被処理面と反対側
の面に現像液やリンス液が回り込むことがなく、しかも
その被処理面に現像液やリンス液の供給ノズルから液が
不用意に滴下することがなく、さらには乾燥処理時には
ね返るリンス液が半導体ウェハの被処理面に付着するこ
とがないようにした現像処理装置を提供することにある
。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段及び作用)上記課題を解決
するためにこの発明は、半導体ウェハの被処理面を下方
に向けてこの半導体ウェハを水平に吸着保持する回転可
能なチャックと、このチャックを上下駆動および旋回駆
動する駆動機構と、上記チャックの下方に対向して配置
された制御体と、この制御体の上面に連通して設けられ
た現像液供給ノズルおよびリンス液供給ノズルと、上記
制御体に設けられ上記現像液供給ノズルから供給される
現像液の温度を制御する制御手段とを具備する。
するためにこの発明は、半導体ウェハの被処理面を下方
に向けてこの半導体ウェハを水平に吸着保持する回転可
能なチャックと、このチャックを上下駆動および旋回駆
動する駆動機構と、上記チャックの下方に対向して配置
された制御体と、この制御体の上面に連通して設けられ
た現像液供給ノズルおよびリンス液供給ノズルと、上記
制御体に設けられ上記現像液供給ノズルから供給される
現像液の温度を制御する制御手段とを具備する。
このような構成とすることで、半導体ウェハの被処理面
が下向きとなった状態でその被処理面の現像処理が行わ
れるから、その被処理面と反対側の面に現像液やリンス
液が回り込むことがなく、しかもその被処理面に各ノズ
ルから液が不用意に滴下したり、乾燥時のリンス液がは
ね返ることもない。
が下向きとなった状態でその被処理面の現像処理が行わ
れるから、その被処理面と反対側の面に現像液やリンス
液が回り込むことがなく、しかもその被処理面に各ノズ
ルから液が不用意に滴下したり、乾燥時のリンス液がは
ね返ることもない。
(実施例)
以下、この発明の一実施例を第1図と第2図を参照して
説明する。第1図に示す現像処理装置はカップ21を備
えている。このカップ21は上面に開口部21aが形成
された有底状をなしていて、底部には一対の廃液ダクト
22が接続されている。また、カップ21の周壁土部は
内方に向かって傾斜した傾斜壁部22bに形成されてい
る。
説明する。第1図に示す現像処理装置はカップ21を備
えている。このカップ21は上面に開口部21aが形成
された有底状をなしていて、底部には一対の廃液ダクト
22が接続されている。また、カップ21の周壁土部は
内方に向かって傾斜した傾斜壁部22bに形成されてい
る。
上記カップ21の内底部には制御体23が設けられてい
る。この制御体23は下面が開放した円柱状をなし、そ
の開放した下面が上記カップ21の内底面によって閉塞
されている。それによって、制御体23の内部空間23
aは密閉されている。
る。この制御体23は下面が開放した円柱状をなし、そ
の開放した下面が上記カップ21の内底面によって閉塞
されている。それによって、制御体23の内部空間23
aは密閉されている。
上記制御体23の内部空間23aには、上記カップ21
の底部を貫通して設けられた排出管24と供給管25と
が連通している。この供給管25は図示しない温調水の
供給源に接続され、この供給源3で所定温度に制御され
た温調水が上記制御体23の内部空間23aに上記供給
管25から供給される。それによって上記内部空間23
aには温調水が常に充満した状態にある。また、温調水
は45℃以下〜15℃までの範囲に設定されている。
の底部を貫通して設けられた排出管24と供給管25と
が連通している。この供給管25は図示しない温調水の
供給源に接続され、この供給源3で所定温度に制御され
た温調水が上記制御体23の内部空間23aに上記供給
管25から供給される。それによって上記内部空間23
aには温調水が常に充満した状態にある。また、温調水
は45℃以下〜15℃までの範囲に設定されている。
上記制御体23の上面23bには、その内部空間23a
を液密に貫通して設けられた現像液供給ノズル26と、
リンス液供給ノズル27との一端が開口している。これ
らノズル26.27の他端は図示しない現像液の供給源
とリンス液の供給源とにそれぞれ接続されている。した
がって、各ノズル26.27から制御体23の上面23
bに現像液あるいはリンス液を供給することができるよ
うになっている。これらノズル26.27の制御体23
の内部空間23aを貫通した部分はその内部空間23a
に充填された温調水とほぼ同じ温度に制御されるととも
に、制御体23の上面23bも温調水とほぼ同じ温度に
制御される。それによって、現像液供給ノズル26から
制御体23の上面23bに供給される現像液は上記温調
水とほぼ同し温度に制御されることになる。つまり、温
調水が供給される制御体23の内部空間23aは現像液
の温度を制御する制御手段となっている。
を液密に貫通して設けられた現像液供給ノズル26と、
リンス液供給ノズル27との一端が開口している。これ
らノズル26.27の他端は図示しない現像液の供給源
とリンス液の供給源とにそれぞれ接続されている。した
がって、各ノズル26.27から制御体23の上面23
bに現像液あるいはリンス液を供給することができるよ
うになっている。これらノズル26.27の制御体23
の内部空間23aを貫通した部分はその内部空間23a
に充填された温調水とほぼ同じ温度に制御されるととも
に、制御体23の上面23bも温調水とほぼ同じ温度に
制御される。それによって、現像液供給ノズル26から
制御体23の上面23bに供給される現像液は上記温調
水とほぼ同し温度に制御されることになる。つまり、温
調水が供給される制御体23の内部空間23aは現像液
の温度を制御する制御手段となっている。
上記カップ21の開口部21aの上方には軸線C1を水
平にして第1の回転軸28が配設されている。この第1
の回転軸28の一端は図示しない第1のモータに連結さ
れ、それによって第1の回転軸28は軸線C1を中心に
して回転駆動されるようになっている。この第1の回転
軸28の他端には上記軸線C1と直交する方向に沿って
ガイド体29が取着されている。このガイド体2つには
スライダ31がスライド自在に設けられ、このスライダ
31は上記ガイド体29の一端に設けられた第2のモー
タ32によって第1図に矢印で示す方向である軸線CI
と直交する上下方向に駆動されるようになっている。
平にして第1の回転軸28が配設されている。この第1
の回転軸28の一端は図示しない第1のモータに連結さ
れ、それによって第1の回転軸28は軸線C1を中心に
して回転駆動されるようになっている。この第1の回転
軸28の他端には上記軸線C1と直交する方向に沿って
ガイド体29が取着されている。このガイド体2つには
スライダ31がスライド自在に設けられ、このスライダ
31は上記ガイド体29の一端に設けられた第2のモー
タ32によって第1図に矢印で示す方向である軸線CI
と直交する上下方向に駆動されるようになっている。
上記スライダ31にはL字状のブラケット33の一端が
取着されている。このブラケット33の第1図における
状態で水平となった他辺には第3のモータ34がその第
2の回転軸35の軸線C2を垂直にして設けられている
。この第2の回転軸35には円盤状のチャック36がそ
の吸着面36aを上記軸線C2と直交させて取着されて
いる。このチャック36の吸着面36Hには図示しない
複数の吸着孔が開口されている。これら吸着孔は真空源
(図示せず)に連通され、それによって上記吸着孔には
吸引力が発生し、その吸引力で半導体ウェハ37をチャ
ック36の吸着面36aに吸着保持できるようになって
いる。
取着されている。このブラケット33の第1図における
状態で水平となった他辺には第3のモータ34がその第
2の回転軸35の軸線C2を垂直にして設けられている
。この第2の回転軸35には円盤状のチャック36がそ
の吸着面36aを上記軸線C2と直交させて取着されて
いる。このチャック36の吸着面36Hには図示しない
複数の吸着孔が開口されている。これら吸着孔は真空源
(図示せず)に連通され、それによって上記吸着孔には
吸引力が発生し、その吸引力で半導体ウェハ37をチャ
ック36の吸着面36aに吸着保持できるようになって
いる。
つぎに、上記構成の現像装置によって半導体ウェハ37
を現像処理する工程を第2図(A)〜(1)を参照して
説明する。まず、第2図(A)は待機状態を示し、チャ
ック36は吸着面36aを上に向け、スライダ31はガ
イド体29の下端部に位置している。この状態で半導体
ウェハ37が現像処理される被処理面37aを上方に向
けた状態でフォーク38によってチャック36の上方に
供給されると、第2図(B)に示すようにスライダ31
が上方向に駆動され、チャック36が半導体ウェハ37
の一方の面を吸着する。
を現像処理する工程を第2図(A)〜(1)を参照して
説明する。まず、第2図(A)は待機状態を示し、チャ
ック36は吸着面36aを上に向け、スライダ31はガ
イド体29の下端部に位置している。この状態で半導体
ウェハ37が現像処理される被処理面37aを上方に向
けた状態でフォーク38によってチャック36の上方に
供給されると、第2図(B)に示すようにスライダ31
が上方向に駆動され、チャック36が半導体ウェハ37
の一方の面を吸着する。
つぎに、第2図(C)に示すようにスライダ31が下降
方向に駆動されたのち、第2図(D)に示すように第1
の回転軸28が軸線C1を中心にして180度回転駆動
される。それによって、チャック36に吸着された半導
体ウェハ37の他方の面である現像処理する被処理面3
7aが制御体23の上面23bに水平な状態で平行に離
間対向する。
方向に駆動されたのち、第2図(D)に示すように第1
の回転軸28が軸線C1を中心にして180度回転駆動
される。それによって、チャック36に吸着された半導
体ウェハ37の他方の面である現像処理する被処理面3
7aが制御体23の上面23bに水平な状態で平行に離
間対向する。
ついで、上記スライダ31は、第2図(E)に示すよう
に半導体ウェハ37の被処理面37aと制御体23の上
面23aとの隙間が0.2〜2 sm程度となるまで下
降方向に駆動されたのち、その隙間に現像液供給ノズル
26から供給された現像液L1が満たされて上記被処理
面37aが現像処理されることになる。この際、制御体
23の上面23bに供給される現像液L1は制御体23
の内部空間23aに供給される温調水によって現像に適
した温度に制御されている。たとえば、半導体ウェハ3
7の被処理面37aを低温現像することができるから、
解像度の向上が計れるばかりか、現像時間が長くなるこ
とによって現像状態のばらつきが少なくなる。
に半導体ウェハ37の被処理面37aと制御体23の上
面23aとの隙間が0.2〜2 sm程度となるまで下
降方向に駆動されたのち、その隙間に現像液供給ノズル
26から供給された現像液L1が満たされて上記被処理
面37aが現像処理されることになる。この際、制御体
23の上面23bに供給される現像液L1は制御体23
の内部空間23aに供給される温調水によって現像に適
した温度に制御されている。たとえば、半導体ウェハ3
7の被処理面37aを低温現像することができるから、
解像度の向上が計れるばかりか、現像時間が長くなるこ
とによって現像状態のばらつきが少なくなる。
このようにして、上記非処理面37aの現像処理を所定
時間行ったならば、第2図(F)に示すように現像液り
、の供給を停止し、リンス液供給ノズル27からリンス
液L2を供給するとともに、第2のモータ34を作動さ
せてチャック36と御粘に半導体ウェハ37を高速回転
させる。それによって、リンス液L2は半導体ウェハ3
7の遠心力で制御体23の上面23bと半導体ウェハ3
7の被処理面37aとの隙間を通って周囲に飛散するか
ら、上記被処理面37aが洗浄されることになる。
時間行ったならば、第2図(F)に示すように現像液り
、の供給を停止し、リンス液供給ノズル27からリンス
液L2を供給するとともに、第2のモータ34を作動さ
せてチャック36と御粘に半導体ウェハ37を高速回転
させる。それによって、リンス液L2は半導体ウェハ3
7の遠心力で制御体23の上面23bと半導体ウェハ3
7の被処理面37aとの隙間を通って周囲に飛散するか
ら、上記被処理面37aが洗浄されることになる。
上記被処理面37aの洗浄を所定時間行ったならば、リ
ンス液の供給を停止するとともに、制御体23の上面2
3bと半導体ウェハ37の被処理面37aとの隙間が約
5■程度になるようチャック37を上昇させる(この状
態は図示しない)。
ンス液の供給を停止するとともに、制御体23の上面2
3bと半導体ウェハ37の被処理面37aとの隙間が約
5■程度になるようチャック37を上昇させる(この状
態は図示しない)。
それによって、被処理面37aに付着したリンス液L2
が遠心力によって周囲に飛散され、上記被処理面37が
乾燥させられることになる。この際、被処理面37aか
ら周囲に飛散したリンス液L2はカップ21の内周面に
衝突してはね返るが、上記被処理面37aは下向きにな
っているから、カップ21の内周面からはね返ったリン
ス液2が上記被処理面37aに付着するということがほ
とんどない。
が遠心力によって周囲に飛散され、上記被処理面37が
乾燥させられることになる。この際、被処理面37aか
ら周囲に飛散したリンス液L2はカップ21の内周面に
衝突してはね返るが、上記被処理面37aは下向きにな
っているから、カップ21の内周面からはね返ったリン
ス液2が上記被処理面37aに付着するということがほ
とんどない。
このように、被処理面37aの洗浄が終了したならば、
第2図(G)に示すようにスライダ31が上昇方向に駆
動されて半導体ウェハ37は制御体23の上面23bか
ら大きく離間する。つぎに、第2図(H)に示すように
第1の回転軸28が軸線C0を中心にして11110度
回転させられ、それによって半導体ウェハ37の被処理
面37aが上方を向く。この状態で第2図(1)に示す
ようにスライダ31が上昇方向に駆動されたのち、フォ
ーク38が前進してきて半導体ウェハ37をチャック3
6をから受取ることで全工程が終了することになる。
第2図(G)に示すようにスライダ31が上昇方向に駆
動されて半導体ウェハ37は制御体23の上面23bか
ら大きく離間する。つぎに、第2図(H)に示すように
第1の回転軸28が軸線C0を中心にして11110度
回転させられ、それによって半導体ウェハ37の被処理
面37aが上方を向く。この状態で第2図(1)に示す
ようにスライダ31が上昇方向に駆動されたのち、フォ
ーク38が前進してきて半導体ウェハ37をチャック3
6をから受取ることで全工程が終了することになる。
第3図はこの発明の他の実施例を示す。この実施例は制
御体23の上面23bを中心から周辺に向かって低く傾
斜した円錐状の傾斜面に形成した。
御体23の上面23bを中心から周辺に向かって低く傾
斜した円錐状の傾斜面に形成した。
このようにすれば、半導体ウェハ37の被処理面37a
と制御体23の上面23bとの間に供給される現像液に
気泡が発生しずらくなるから、上記被処理面37aの現
像処理を確実に行うことができ、また上記上面23bに
液が残留しずらくなるから、上記被処理面37aの乾燥
を迅速に行うことができる。
と制御体23の上面23bとの間に供給される現像液に
気泡が発生しずらくなるから、上記被処理面37aの現
像処理を確実に行うことができ、また上記上面23bに
液が残留しずらくなるから、上記被処理面37aの乾燥
を迅速に行うことができる。
また、図示しないが、半導体ウェハの被処理面を下方に
向けた状態でフォークとの間の移載を行えるようにすれ
ば、第1の回転軸によってチャックを上下方向に180
度回転させなくてすむ。
向けた状態でフォークとの間の移載を行えるようにすれ
ば、第1の回転軸によってチャックを上下方向に180
度回転させなくてすむ。
また、現像液の温度調節は温調水を制御体の内部空間に
供給する代わりに、この制御体にヒータを設けて行うよ
うにしてもよい。
供給する代わりに、この制御体にヒータを設けて行うよ
うにしてもよい。
さらに、現像液供給ノズルとリンス液供給ノズルはそれ
ぞれ複数本設けるようにしてもよく、そうすれば液の供
給を迅速に行うことができる。
ぞれ複数本設けるようにしてもよく、そうすれば液の供
給を迅速に行うことができる。
[発明の効果]
以上述べたようにこの発明は、半導体ウェハを、その被
処理面が下方を向く状態で保持して現像処理するように
したから、半導体ウェハの被処理面と反対側の面である
上面に現像液やリンス液が付着するのを防止することが
できる。また、下方を向いた被処理面にはたとえば乾燥
処理中などに現像液供給ノズルやリンス液供給ノズルか
ら不用意に液が滴下するということがないとともに、リ
ンス時のはね返り液が付着するのも防止することができ
る。
処理面が下方を向く状態で保持して現像処理するように
したから、半導体ウェハの被処理面と反対側の面である
上面に現像液やリンス液が付着するのを防止することが
できる。また、下方を向いた被処理面にはたとえば乾燥
処理中などに現像液供給ノズルやリンス液供給ノズルか
ら不用意に液が滴下するということがないとともに、リ
ンス時のはね返り液が付着するのも防止することができ
る。
第1図はこの発明の一実施例を示す現像装置の概略的構
成図、第2図(A)乃至(1)は現像工程を順次量した
説明図、第3図はこの発明の他の実施例を示す制御体の
断面図、第4図は従来の現像装置を示す概略的構成図で
ある。 23・・・制御体、26・・・現像液供給ノズル1.2
7・・・リンス液供給ノズル、36・・・チャック、3
7・・・半導体ウェハ、37a・・・被処理面。
成図、第2図(A)乃至(1)は現像工程を順次量した
説明図、第3図はこの発明の他の実施例を示す制御体の
断面図、第4図は従来の現像装置を示す概略的構成図で
ある。 23・・・制御体、26・・・現像液供給ノズル1.2
7・・・リンス液供給ノズル、36・・・チャック、3
7・・・半導体ウェハ、37a・・・被処理面。
Claims (1)
- 半導体ウェハの被処理面を下方に向けてこの半導体ウェ
ハを水平に吸着保持する回転可能なチャックと、このチ
ャックを上下駆動および旋回駆動する駆動機構と、上記
チャックの下方に対向して配置された制御体と、この制
御体の上面に連通して設けられた現像液供給ノズルおよ
びリンス液供給ノズルと、上記制御体に設けられ上記現
像液供給ノズルから供給される現像液の温度を制御する
制御手段とを具備したことを特徴とする半導体ウェハの
現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318975A JPH03181118A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 半導体ウエハの現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318975A JPH03181118A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 半導体ウエハの現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181118A true JPH03181118A (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=18105087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1318975A Pending JPH03181118A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 半導体ウエハの現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03181118A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887710A3 (en) * | 1997-06-26 | 1999-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Resist development process |
| KR100240022B1 (ko) * | 1996-11-21 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 |
| KR100269318B1 (ko) * | 1997-12-19 | 2000-12-01 | 윤종용 | 웨이퍼상에형성된감광막의현상방법 |
| KR100271764B1 (ko) * | 1997-12-24 | 2000-12-01 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1318975A patent/JPH03181118A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100240022B1 (ko) * | 1996-11-21 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 |
| EP0887710A3 (en) * | 1997-06-26 | 1999-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Resist development process |
| KR100269318B1 (ko) * | 1997-12-19 | 2000-12-01 | 윤종용 | 웨이퍼상에형성된감광막의현상방법 |
| KR100271764B1 (ko) * | 1997-12-24 | 2000-12-01 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 |
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