JPH03181156A - Manufacture of lead frame - Google Patents
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- JPH03181156A JPH03181156A JP32107489A JP32107489A JPH03181156A JP H03181156 A JPH03181156 A JP H03181156A JP 32107489 A JP32107489 A JP 32107489A JP 32107489 A JP32107489 A JP 32107489A JP H03181156 A JPH03181156 A JP H03181156A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Punching Or Piercing (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、リードフレームの製造方法に係り、特に多工
程の順送り金型を用いたリードフレームの製造方法に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame, and particularly to a method for manufacturing a lead frame using a multi-step progressive mold.
(従来の技術)
1′−73体装置用リードフレームは、フォトエツチン
グ法またはプレス加]二のいずれかの方法によって、金
属帯状441−1の形状加工を行い形成される。(Prior Art) A lead frame for a 1'-73 device is formed by shaping a metal strip 441-1 by either photo-etching or pressing.
特に、プレス加工により形成されるリードフレームにつ
いては、インナーリードの全てを1回の打ち抜き工程で
成型することは困難であるため、順送り金型を用い、複
数のステーションに分割して打ち扶くように設=1され
る。In particular, for lead frames formed by press working, it is difficult to mold all the inner leads in one punching process, so it is necessary to use a progressive die and divide the leads into multiple stations. is set to 1.
しかしながら、最近のリードフレームでは、インナーリ
ード先端部の板厚よりもリードピ、ソチが狭くなる傾向
にあり、例えば、板厚0.15+!+mに対し、0、l
〜0.12mmの幅で打ち抜きを行わなければならない
こともある。そこで、インナーリード先端部の位置ずれ
を防ぐために、隣接するインナーリードの先端を連結す
る連結部を残して形状加工を行い、インナーリード相互
間の接続のためのテーピング工程、熱処理あるいは鍍金
処理などの処理工程を経た後、最後にこの連結部を除去
する方法が提案されている。However, in recent lead frames, the lead pitch and width tend to be narrower than the thickness of the tip of the inner lead. For example, the thickness of the lead frame is 0.15+! +m, 0, l
Punching may have to be done with a width of ~0.12 mm. Therefore, in order to prevent the positional shift of the tips of the inner leads, the shape is processed by leaving a connecting part that connects the tips of adjacent inner leads, and a taping process, heat treatment, or plating process is performed to connect the inner leads to each other. A method has been proposed in which the connecting portion is finally removed after the treatment process.
この方法は通常次のような工程で行われる。This method is usually carried out in the following steps.
例えば、従来、まず、第4図(a)に示すように、第1
の順送り金型を用いて半導体素子搭載ステージ52とな
る領域に向かって収斂する複数の第1の打ち抜き部5A
を形成し、インナーリード51の側面を形成すると共に
、半導体素子搭載ステージ52を支持するサポートバー
53を形成する。For example, conventionally, as shown in FIG.
A plurality of first punched portions 5A converge toward the area that will become the semiconductor element mounting stage 52 using a progressive die.
are formed, and the side surfaces of the inner leads 51 are formed, as well as support bars 53 that support the semiconductor element mounting stage 52.
この後、この複数の第1の打ち抜き部5Aの先端から、
インナーリード51先端5Fの連結部(タイバー54)
となる領域分の所定の間隔をおいて、第5図(a)にこ
の中間段階のり=ドフレムの全体図を示すように、第2
の打ち抜き部5Bを形成する。After this, from the tips of the plurality of first punched parts 5A,
Connection part of inner lead 51 tip 5F (tie bar 54)
At a predetermined interval corresponding to the area where
A punched portion 5B is formed.
そして、このインナーリード51の先端5Fをタイバー
54で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理
等の所定の処理を行う。Then, with the tips 5F of the inner leads 51 integrally connected by the tie bars 54, predetermined treatments such as heat treatment and plating are performed.
そしてさらに、第4図(b)に示すように、第2の順送
り金型を用いて第3の打ち抜き部5Dを形成し、前記サ
ポートバーに直交して設けられたタイバー54を切除し
、インナーリード51の先端Fを形成し、分割形威し、
第5図(b)に全体図を示すようなリードフレームが完
成される。この方法では、第1の打ち抜き領域で形成さ
れるサポートバーの輪郭線と第2の打ち抜き領域で形成
されるサポートバーの側縁とに第3の打ち抜き領域は一
致しサポートバーの側縁は一直線となるように形成され
ている。Further, as shown in FIG. 4(b), a third punching part 5D is formed using the second progressive die, the tie bar 54 provided perpendicular to the support bar is cut out, and the inner Form the tip F of the lead 51 and give it a split shape,
A lead frame as shown in the overall view in FIG. 5(b) is completed. In this method, the third punching area matches the contour line of the support bar formed in the first punching area and the side edge of the support bar formed in the second punching area, and the side edges of the support bar are aligned in a straight line. It is formed so that
(発明が解決しようとする課題)
このような方法で形成されたリードフレームは、順送り
金型を構成するポンチおよびダイのクリアランスおよび
被加工材の表面条件および位置決め精度等の条件によっ
て第1の打ち抜き領域で形成されるサポートバーの輪郭
線と第2の打ち抜き領域で形成されるサポートバーの側
縁とに第3の打ち抜き領域を正確に一致させて打ち抜き
を行うことは極めて困難であった。このため、微小な位
置の変位によっては微細な打ち抜きカスや抜きだれ、髭
状の打ち抜き片等が生じやすく、これらが被加工材の表
面に脱落して傷を生じたり、リードの変形を生じたりす
る原因となっていた。(Problem to be Solved by the Invention) The lead frame formed by such a method is not suitable for the first punching process depending on conditions such as the clearance of the punch and die constituting the progressive die, the surface condition of the workpiece, and the positioning accuracy. It has been extremely difficult to punch out the third punching area so that it accurately matches the contour line of the support bar formed in the area and the side edge of the support bar formed in the second punching area. Therefore, depending on the slight displacement of the position, minute punching dregs, punching sag, whisker-like punching pieces, etc. are likely to occur, and these can fall onto the surface of the workpiece and cause scratches or deformation of the lead. It was causing this.
また、金型の破損の原因となることもあり、リードフレ
ームのコストの上昇および歩留まり低下の原因となって
いた。Moreover, it may cause damage to the mold, leading to an increase in the cost of lead frames and a decrease in yield.
さらに、半導体装置の高集積化に伴い、多ピン化が進み
、サポートバーの幅も細くなっており、半導体素子搭載
ステージを良好に支持することができず、プレス打ち抜
き工程でねじれが生じたり、樹脂封止等による応力によ
って変形が生じたりするという問題があった。Furthermore, as semiconductor devices become more highly integrated, the number of pins increases, and the width of the support bar becomes narrower, making it difficult to properly support the stage on which semiconductor elements are mounted, causing twisting during the press punching process, etc. There is a problem that deformation occurs due to stress caused by resin sealing or the like.
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、高品質で
かつ低コストのリードフレームを提供することを目的と
する。The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a high quality and low cost lead frame.
(課題を解決するための手段)
そこで本発明の方法では、順送り金型を用いて、金属帯
状材料の不要部分を順次打ち抜き、半導体素子搭載部と
、前記半導体素子搭載部を支持し、外方に向かって伸長
するサポートバーと、前記半導体素子搭載部の周縁から
所定の間隔をおいて伸長する複数のインナーリードと、
各インナーリドにそれぞれ連設されたアウターリードと
を具備してなるリードフレームの形状加工を行うリード
フレームの打扱き加工工程において、まず、インナーリ
ードの先端部の形成のためのオーバラップ部を含み、半
導体素子搭載ステージ形成領域近傍から伸長する複数の
インナーリードおよびサボトバーの輪郭線を構成する複
数の第1の打ち抜き領域部を形成したのち、この第1の
打ち抜き領域によって形成されたサポートバーの輪郭線
の延長線に一致することなく、前記サポートバーの輪郭
線から少し離間して前記第1の打ち抜き領域との間に十
字領域を残すようにして、前記輪郭線方向に伸長するサ
ポートバーの輪郭線の一部を構成する側縁を有し、かつ
素子搭載ステージおよび隣接するインナーリード先端部
を連結する先端連結部を形成する第2の打ち抜き領域を
形成し、最後にこの先端連結部を打ち抜きインナーリー
ド先端部を形成すると共に、十字領域をサポートバーの
伸長する方向に切るように、第1および第2の打ち抜き
領域のサポートバーの輪郭線に対して所定の角度をなし
て交差し、第1および第2の打ち抜き領域のサポートバ
ーの輪郭線と同一方向に伸長するサポートバーの輪郭線
の一部を形成する側縁を有する第3の打ち抜き領域を形
成するようにしている。(Means for Solving the Problems) Therefore, in the method of the present invention, unnecessary parts of a metal strip material are sequentially punched out using a progressive die, a semiconductor element mounting part and the semiconductor element mounting part are supported, and the outer part is punched out. a support bar extending toward the semiconductor element mounting portion; a plurality of inner leads extending at predetermined intervals from the periphery of the semiconductor element mounting portion;
In the lead frame handling process in which the shape of the lead frame is processed, which includes an outer lead connected to each inner lead, first, an overlap part is formed to form the tip of the inner lead. , after forming a plurality of first punching regions that constitute the contours of a plurality of inner leads and sabot bars extending from the vicinity of the semiconductor element mounting stage formation region, and then forming a contour of a support bar formed by the first punching regions. The contour of the support bar extends in the direction of the contour line, leaving a cross area between the contour line of the support bar and the first punched area at a distance from the contour line of the support bar, without matching the extension line of the line. A second punching area is formed that has a side edge that forms part of the wire and forms a tip connection part that connects the element mounting stage and the adjacent inner lead tip, and finally, this tip connection part is punched out. The first and second punched areas intersect at a predetermined angle with the outline of the support bar so as to form the tip of the inner lead and cut the cross area in the direction in which the support bar extends. A third punched region is formed having side edges forming part of the support bar contour extending in the same direction as the support bar contours of the first and second punched regions.
(作用)
本発明によれば、打ち抜きを行うに際し、各部の打ち抜
き領域の輪郭線が互いに一致しないように所定の角度を
なして交差するようにしているため、わずかなずれが生
じても、打ち抜きかすや抜きたれ、髭状の打ち抜き片等
が発生することなく形成でき、打痕やリードの変形およ
び順送り金型の破損の発生を防止することが可能となる
。(Function) According to the present invention, when performing punching, the contour lines of the punching areas of each part are made to intersect at a predetermined angle so that they do not coincide with each other, so even if a slight deviation occurs, the punching It can be formed without generating scraps, punching, whisker-like punched pieces, etc., and it is possible to prevent dents, deformation of the lead, and damage to the progressive die.
また、第2および第3の打ち抜き領域で形成されるサポ
ートバーの輪郭線間隔が第1の打ち抜き領域で形成され
るサポートバーの輪郭線間隔よりも大きくなるように形
成するようにすれば、半導体素子搭載ステージとサポー
トバーの連結部が幅広となるため、サポートバーか補強
され、プレス打ち扶き工程てねじれが生したり、樹脂封
止等による応力によって変形が生じたりするのを防ぐこ
とができる。Further, if the support bars formed in the second and third punching regions are formed so that the distance between the contours of the support bars is larger than the distance between the contours of the support bars formed in the first punching region, the semiconductor Since the connecting part between the element mounting stage and the support bar is wide, the support bar is reinforced to prevent twisting during the pressing process and deformation due to stress caused by resin sealing, etc. can.
(実施例)
以下、本発明実施例のリードフレームの製造方法につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。(Example) Hereinafter, a method for manufacturing a lead frame according to an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
実施例1
本発明の第1の実施例のリードフレームでは、サポート
バー15が、該半導体素子搭載部から伸長する連結領域
15aと、該連結領域および該サポートバーの両者の幅
方向の両側に突出する幅広部1.5 bとを介して半導
体素子搭載部14に接続されていることを特徴とするも
のである。Embodiment 1 In the lead frame of the first embodiment of the present invention, a support bar 15 has a connecting region 15a extending from the semiconductor element mounting portion, and protrudes on both sides in the width direction of both the connecting region and the support bar. It is characterized in that it is connected to the semiconductor element mounting part 14 via the wide part 1.5b.
まず、第1図(a)に示すように、銅を主成分とする帯
状材料を、所望の形状のインナーリード、アウターリー
ド、ダムバーなどの抜き型を具備した第1の順送り金型
(図示せず)に装着し、プレス加工を行なうことにより
、半導体素子搭載ステージ14となる領域に向かって収
斂する複数の第1の打ち抜き部12を形成し、インナー
リード13の側面を形成すると共に、半導体素子搭載ス
テージ14を支持するサポートバー15ならびにアウタ
ーリード22を形成する。11は枠体である。First, as shown in FIG. 1(a), a strip material containing copper as a main component is passed through a first progressive die (not shown) equipped with a die for cutting out inner leads, outer leads, dam bars, etc. of desired shapes. By attaching the first punched portions to the inner leads 13 and performing press processing, a plurality of first punched portions 12 are formed that converge toward the region that will become the semiconductor element mounting stage 14, forming the side surfaces of the inner leads 13, and forming the semiconductor element mounting stage 14. A support bar 15 that supports the mounting stage 14 and an outer lead 22 are formed. 11 is a frame body.
この後、サポートバーの輪郭縁IAの延長線上に一致し
ないが同一方向に伸びる側縁1Bを有すると共に、この
複数の第1の打ち抜き部12の先端から、インナーリー
ド13先端1Dの連結部(タイバー17)となる領域部
の所定の間隔をおいて、半導体素子搭載ステージ14と
なる領域の4辺に沿ってそれぞれ4つの第2の打ち抜き
部18を形成する。このようにして、第2図(a)に全
体図を示すように、第1の打ち抜き部12と第2の打ち
抜き部18に囲まれた4つの十字領域19を有する中間
段階のリードフレームが得られる。After this, it has a side edge 1B that does not coincide with the extension line of the contour edge IA of the support bar but extends in the same direction, and from the tip of the plurality of first punched parts 12 to the connection part (tie bar) of the tip 1D of the inner lead 13 17) Four second punched portions 18 are formed at predetermined intervals along the four sides of the region that will become the semiconductor element mounting stage 14. In this way, as shown in the overall view in FIG. 2(a), an intermediate stage lead frame having four cross areas 19 surrounded by the first punched part 12 and the second punched part 18 is obtained. It will be done.
そして、このインナーリード13の先端IDをタイバー
17で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理
等の所定の処理を行う。Then, predetermined treatments such as heat treatment and plating treatment are performed while the tips IDs of the inner leads 13 are integrally connected by the tie bars 17.
そしてさらに、第1図(b)に示すように、第2の順送
り金型を用いて、前記第2の打ち抜き部18の側縁IB
と交差し、かつ第1の打ち抜き領域12て形成される前
記サポートバー15の輪郭線1Aの間隔よりも幅広間隔
のサポートパー15中間部の輪郭線]Cを形成する4つ
の第3の打ち抜き部20を形成し、前記サポートバーに
直交して設けられたタイバー17を切除し、インナーリ
ート13の先端部IDを形成して、インナ−リード13
打177間を分割形威し、第2図(b)に示すようなリ
ードフレームが完成される。この方法では、第1の打ち
抜き領域で形成されるサポートバーの輪郭線と第2の打
ち抜き領域で形成されるサポトバーの側縁とに第3の打
ち抜き領域の側縁は一致せず、亙いに直交する部分を形
成するようにサポートバーの側縁が形成されている。Further, as shown in FIG. 1(b), using a second progressive die, the side edge IB of the second punched portion 18 is
four third punched parts forming a contour line of the middle part of the support bar 15 which intersects with the contour line 1A of the support bar 15 and is wider than the interval between the contour lines 1A of the support bar 15 formed in the first punched area 12; 20, the tie bar 17 provided perpendicular to the support bar is cut off, and the tip ID of the inner lead 13 is formed.
By dividing the lead frame 177, a lead frame as shown in FIG. 2(b) is completed. In this method, the side edge of the third punched area does not match the contour line of the support bar formed in the first punched area and the side edge of the support bar formed in the second punched area, and The side edges of the support bar are formed to form orthogonal sections.
このようにして形成されたリードフレームによれば各部
の打ち抜き領域の輪郭線が互いに一致しないようになっ
ており、わずかなずれが生じても、打ち抜きかすや抜き
だれ、髭状の打ち抜き片等が発生することなく形成でき
、打痕やリードの変形および順送り金型の破損の発生を
防11−することが可能となる。また、半導体素子搭載
ステージ14サポートバーの連結部で輪郭線に突出部を
形成することになるため、サポートバーの強度が向上し
、半導体素子搭載ステージのねじれや変形を防止するこ
とが可能となる。According to the lead frame formed in this way, the contour lines of the punched areas of each part do not match each other, and even if a slight deviation occurs, punching residue, punching sag, whiskers-like punching pieces, etc. will occur. It can be formed without any occurrence of dents, deformation of the lead, and damage to the progressive die. In addition, since a protrusion is formed on the outline at the connecting part of the support bar of the semiconductor element mounting stage 14, the strength of the support bar is improved and it becomes possible to prevent twisting and deformation of the semiconductor element mounting stage. .
実施例2 次に、本発明の第2の実施例について説明する。Example 2 Next, a second embodiment of the present invention will be described.
この例では、サポートバー35が、該サポートバーの幅
方向の両側に突出する第1の幅広部35aと、この第1
の幅広部のさらに両側に突出する第2の幅広部35bを
介して半導体素子搭載部34に接続されていることを特
徴とするものである。In this example, the support bar 35 includes a first wide portion 35a that projects on both sides in the width direction of the support bar, and a first wide portion 35a that protrudes on both sides of the support bar in the width direction.
It is characterized in that it is connected to the semiconductor element mounting portion 34 via second wide portions 35b that protrude further to both sides of the wide portion.
すなわち、第1の打ち抜き領域で形成されるサポートバ
ーの輪郭線と第2の打ち抜き領域で形成されるサポート
バーの側縁よりも中間の第3の打ち抜き領域の側縁が突
出するようにし、この突出部て仔いに直交する部分を形
成するようにサポートバーの側縁が形成されていること
を特徴とするものである。That is, the side edge of the third punched area located in the middle is made to protrude from the outline of the support bar formed in the first punched area and the side edge of the support bar formed in the second punched area, and The support bar is characterized in that the side edge of the support bar is formed so as to form a part perpendicular to the protrusion.
製造に際しては、まず、第3図(a)に示すように、銅
を主成分とする帯状材料を、所望の形状のインナーリー
ド、アウターリード、ダムバーなどの抜き型を具備した
第1の順送り金型(図示せず)に装着し、プレス加工を
行なうことにより、半導体素子搭載ステージ34となる
領域に向かって収斂する複数の第1の打ち抜き部32を
形成し、インナーリード33の側面を形成すると共に、
半導体素子搭載ステージ34を支持するサポートバー3
5ならびにアウターリード31を形成する。In manufacturing, first, as shown in FIG. 3(a), a strip material mainly composed of copper is passed through a first progressive die equipped with a die for cutting out inner leads, outer leads, dam bars, etc. of desired shapes. By attaching it to a mold (not shown) and performing press processing, a plurality of first punched parts 32 are formed that converge toward the area that will become the semiconductor element mounting stage 34, and the side surfaces of the inner leads 33 are formed. With,
Support bar 3 that supports the semiconductor element mounting stage 34
5 and outer leads 31 are formed.
この後、サポートバーの輪郭縁3Aの延長線上に一致し
ないが同一方向に伸びる側縁3Bを有有すると」(に、
この複数の第1の打ち抜き部32の先端から、インナー
リード33先端3Dの連結部(タイバー37)となる領
域性の所定の間隔をおいて、半導体素子搭載ステージ3
4となる領域の4辺に沿ってそれぞれ4つの第2の打ち
抜き部38を形成する。このようにして、第2図(a)
に全体図を示したのと同様に、第1の打ち抜き部32と
第2の打ち抜き部38に囲まれた4つの十字領域3つを
有する中間段階のリードフレームが得られる。After this, if there is a side edge 3B that does not coincide with the extension line of the contour edge 3A of the support bar but extends in the same direction,
From the tips of the plurality of first punched parts 32, the semiconductor element mounting stage 3
Four second punched portions 38 are formed along the four sides of the region 4, respectively. In this way, Figure 2(a)
An intermediate stage lead frame having three four cross regions surrounded by a first punching 32 and a second punching 38 is obtained, as shown in the general view in FIG.
そして、このインナーリード33の先端3Dをタイバー
37で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理
等の所定の処理を行う。Then, with the tips 3D of the inner leads 33 integrally connected by the tie bars 37, predetermined treatments such as heat treatment and plating treatment are performed.
そしてさらに、第3図(b)に示すように、第2の順送
り金型を用いて、前記第2の打ち抜き部38の側縁3B
および第1の打ち抜き領域32て形成される前記サポー
トバー35の輪郭線3Aの間隔よりも幅広間隔のサポー
トバー35の中間部の輪郭線3Cを形成する4つの第3
の打ち抜き部30を形成し、前記サポートバーに直交し
て設けられたタイバー37を切除し、インナー・リード
33の先端部1Dを形成して、インナ−リード33相互
間を分割形威し、リードフレームが完成される。Further, as shown in FIG. 3(b), using a second progressive die, the side edge 3B of the second punched portion 38 is
and four thirds forming a contour line 3C of the middle part of the support bar 35 with a wider interval than the interval of the contour line 3A of the support bar 35 formed in the first punched area 32.
A punched portion 30 is formed, the tie bar 37 provided perpendicular to the support bar is cut out, and the tip 1D of the inner lead 33 is formed. The frame is completed.
この方法では、第1の打ち抜き領域で形成されるサポー
トバーの輪郭線と第2の打ち抜き領域で形成されるサポ
ートバーの側縁とに第3の打ち抜き領域の側縁は一致せ
ず、互いに直交する部分を形成するようにサポートバー
の側縁が形成されている。In this method, the contour lines of the support bar formed in the first punching region and the side edges of the support bar formed in the second punching region do not coincide with the side edges of the third punching region, but are perpendicular to each other. The side edges of the support bar are formed to form a portion that
このようにして形成されたリードフレームによれば各部
の打ち抜き領域の輪郭線が亙いに一致しないようになっ
ており1.わずかなずれが生じても、打ち抜きかすや抜
きだれ、髭状の打ち抜き片等が発生することなく形成で
き、打痕やリードの変形および順送り金型の破損の発生
を防止することが可能となる。According to the lead frame formed in this way, the contour lines of the punched areas of each part do not coincide too much; 1. Even if a slight deviation occurs, it can be formed without producing punching scum, punching sag, whisker-like punching pieces, etc., and it is possible to prevent dents, deformation of the lead, and damage to the progressive die. .
また、サポートバーの輪郭線に突出部を形成することに
なるため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子搭
載ステージのねじれや変形を防止することが可能となる
。Furthermore, since the protrusion is formed on the contour of the support bar, the strength of the support bar is improved, and it becomes possible to prevent twisting and deformation of the semiconductor element mounting stage.
また、前記実施例では、リードフレーム材料として銅を
用いたが、銅に限定されることなく、たの材料を用いて
もよいことは言うまでもない。Further, in the above embodiment, copper was used as the lead frame material, but it goes without saying that the material is not limited to copper and other materials may be used.
さらにまた、各工程での成形領域の形状等については、
適宜変更可能である。Furthermore, regarding the shape of the molding area in each process,
It can be changed as appropriate.
以上説明してきたように、本発明のリードフレームの製
造方法によれば、条材からリードフレームの形状に形状
加工するに際し、サポートバーの輪郭線を形成する複数
の打ち抜き領域の輪郭線が一致しないように、第1およ
び第2の打ち抜き領域部に対して第3の打ち抜き領域部
が互いに交差して共通領域を構成するように加工される
ため、わずかなずれが生じても、打ち抜きかすや抜きだ
れ、髭状の打ち抜き片等が発生することなく形成でき、
打痕やリードの変形および順送り金型の破損の発生を防
止することが可能となる。As explained above, according to the lead frame manufacturing method of the present invention, when shaping a strip material into the shape of a lead frame, the outlines of the plurality of punched areas forming the outline of the support bar do not match. Since the third punching area intersects with the first and second punching areas to form a common area, even if a slight deviation occurs, there will be no punching residue or punching. It can be formed without any droop or whisker-like punched pieces, etc.
It is possible to prevent the occurrence of dents, deformation of the lead, and damage to the progressive die.
また、サポートバーの輪郭線に突出部を形成することに
なるため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子搭
載ステージのねじれや変形を防止することが可能となる
。Furthermore, since the protrusion is formed on the contour of the support bar, the strength of the support bar is improved, and it becomes possible to prevent twisting and deformation of the semiconductor element mounting stage.
第1図(a)および第1図(b)は本発明の第1の実施
例のリードフレームの製造工程を示す部分説明図、第2
図(a)および第2図(b)は同リードフレームの製造
工程を示す全体説明図、第3図(a)および第3図(b
)は本発明の第2の実施例のリードフレームの製造工程
を示す部分説明図、第4図(a)および第4図(b)は
従来例のリードフレームの製造工程を示す部分説明図、
第5図(a)および第5図(b)は同リードフレームの
製造工程を示す全体説明図である。
51・・・インナーリード、52・・・半導体素子搭載
ステージ、53・・・サポートバー 54・・・タイバ
ー5A・・・第1の打ち抜き部、5F・・・先端、5B
・・・第2の打ち抜き部、5D・・・第3の打ち抜き部
、11・・・枠体、12・・・第1の打ち抜き部、13
・・・インナーリード、14・・・半導体素子搭載ステ
ージ、15・・・サポートバー 17・・・タイバー
18・・・第2の打ち抜き部、1つ・・・十字領域、2
2・・・アウターリド、lA・・・輪郭縁、IC・・・
輪郭線、ID・・・先端部、20・・・第3の打ち抜き
部、31・・・アウターリド、32・・・第1の打ち抜
き部、33・・・インナーリー
ド、
34・・・半導体素子搭載ステージ、
5・・・
サポートバー
7・・・タイバー
38・・・第2の打
ち抜き部。
(Q)
(b)
第1図
○
○
○
○
○
第2図
(a)
第2図
(b)
第5図
(Q)
(a)
第3図
(b)
第4
図FIGS. 1(a) and 1(b) are partial explanatory views showing the manufacturing process of the lead frame of the first embodiment of the present invention, and FIG.
Figures (a) and 2 (b) are overall explanatory diagrams showing the manufacturing process of the lead frame, and Figures 3 (a) and 3 (b).
) is a partial explanatory view showing the manufacturing process of a lead frame according to the second embodiment of the present invention, FIGS. 4(a) and 4(b) are partial explanatory views showing the manufacturing process of a conventional lead frame,
FIG. 5(a) and FIG. 5(b) are overall explanatory diagrams showing the manufacturing process of the lead frame. 51... Inner lead, 52... Semiconductor element mounting stage, 53... Support bar 54... Tie bar 5A... First punched part, 5F... Tip, 5B
...Second punching part, 5D...Third punching part, 11...Frame body, 12...First punching part, 13
...Inner lead, 14...Semiconductor element mounting stage, 15...Support bar 17...Tie bar
18...Second punching part, 1...Cross region, 2
2...Outer lid, lA...contour edge, IC...
Contour line, ID... tip, 20... third punched part, 31... outer lead, 32... first punched part, 33... inner lead, 34... semiconductor element Mounting stage 5... Support bar 7... Tie bar 38... Second punching part. (Q) (b) Figure 1 ○ ○ ○ ○ ○ Figure 2 (a) Figure 2 (b) Figure 5 (Q) (a) Figure 3 (b) Figure 4
Claims (1)
ーリードにそれぞれ連設されたア ウターリードと、 を具備してなるリードフレームの形状加工 を行うリードフレームの打抜き加工工程において、イン
ナーリードの先端部の形成のためのオ ーバラップ部を含み、半導体素子搭載ステージ形成領域
近傍から伸長する複数のインナーリードおよびサポート
バーの輪郭線を構成する複数の第1の打ち抜き領域部を
形成する第1の打ち抜き工程と、 前記第1の打ち抜き工程で形成されたサポ ートバーの輪郭線の延長線に一致することなく、前記サ
ポートバーの輪郭線から少し離間して前記第1の打ち抜
き領域との間に十字領域を残すようにして、前記輪郭線
方向に伸長するサポートバーの輪郭線の一部を構成する
側縁を有し、かつ素子搭載ステージおよび隣接するイン
ナーリード先端部を連結する先端連結部を形成する第2
の打ち抜き領域を形成する第2の打ち抜き工程と、 前記先端連結部を打ち抜き前記インナーリ ード先端部を形成すると共に、前記十字領域をサポート
バーの伸長する方向に切るように、前記第1および第2
の打ち抜き領域のサポートバーの輪郭線に対して所定の
角度をなして交差し、前記第1および第2の打ち抜き領
域のサポートバーの輪郭線と同一方向に伸長するサポー
トバーの輪郭線の一部を形成する側縁を有する第3の打
ち抜き領域を形成する第3の打ち抜き工程を含むように
したことを特徴とするリードフレームの製造方法。[Scope of Claims] Using a progressive die, unnecessary portions of a metal strip material are sequentially punched out, a semiconductor element mounting portion, a support bar supporting the semiconductor element mounting portion and extending outward, and the semiconductor element mounting portion; A lead frame punching process for shaping a lead frame comprising: a plurality of inner leads extending from the periphery of an element mounting part at predetermined intervals; and outer leads connected to each inner lead. In the process, a plurality of first punched area portions including an overlap portion for forming the tip portions of the inner leads and forming the contour lines of the plurality of inner leads and support bars extending from the vicinity of the semiconductor element mounting stage forming area are formed. a first punching step to form a support bar; and a first punching step that does not coincide with an extension of the contour of the support bar formed in the first punching step, but at a slight distance from the contour of the support bar. The support bar has a side edge forming a part of the contour line of the support bar extending in the direction of the contour line so as to leave a cross area between the support bar and the support bar, and connects the element mounting stage and the adjacent inner lead tip. The second
a second punching step of forming a punching region of the first and second punching portions, punching out the tip connecting portion to form the inner lead tip portion, and cutting the cross region in the extending direction of the support bar;
a portion of the support bar contour line that intersects at a predetermined angle with the support bar contour line of the punched area and extends in the same direction as the support bar contour line of the first and second punched area; A method for manufacturing a lead frame, comprising a third punching step of forming a third punching region having side edges forming a lead frame.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32107489A JPH0821655B2 (en) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | Lead frame manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32107489A JPH0821655B2 (en) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | Lead frame manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181156A true JPH03181156A (en) | 1991-08-07 |
| JPH0821655B2 JPH0821655B2 (en) | 1996-03-04 |
Family
ID=18128518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32107489A Expired - Fee Related JPH0821655B2 (en) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | Lead frame manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821655B2 (en) |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP32107489A patent/JPH0821655B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821655B2 (en) | 1996-03-04 |
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