JPH031818B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH031818B2 JPH031818B2 JP9072185A JP9072185A JPH031818B2 JP H031818 B2 JPH031818 B2 JP H031818B2 JP 9072185 A JP9072185 A JP 9072185A JP 9072185 A JP9072185 A JP 9072185A JP H031818 B2 JPH031818 B2 JP H031818B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic
- adipate
- electrolytic capacitors
- corrosion
- symbol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Primary Cells (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Description
本発明は電解コンデンサをハロゲン化炭化水素
で洗浄した場合に、コンデンサ内部にハロゲン化
炭化水素が透過して生ずるコンデンサ素子の腐蝕
を防止することによつて、コンデンサの寿命特性
を向上せしめる電解コンデンサ用電解液に関す
る。 従来電極箔とスペーサーとを巻回してコンデン
サ素子を構成し、該コンデンサ素子をケースに収
凾してゴム栓により封口する電解コンデンサで、
コンデンサ素子に含浸する駆動用電解液にはエチ
レングリコール(以下EGと称する)−硼酸アンモ
ン系やEG−アジピン酸アンモニウム系などが用
いられていた。しかしながら、電解コンデンサの
洗浄工程や印刷基板へ取着するときに用いるハン
ダフラツクスの除去工程で洗浄剤として使用され
るハロゲン化炭化水素、例えば1.1.1トリクロロ
エタンは該ハロゲン化炭化水素への浸漬あるいは
蒸気浴などによつてゴム栓を透過してコンデンサ
内部へ浸入し分解して塩素イオンを生成してい
た。 このようにして生成された塩素イオンはコンデ
ンサ素子の電極箔および引出端子を腐蝕せしめる
が、この腐蝕は電解コンデンサに電圧を印加した
ときとくに著しく、ときには引出端子の断線を招
く欠点があつた。 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、洗
浄に使用するハロゲン化炭化水素がケース内部に
浸入しても腐蝕の発生を防止できる電解コンデン
サ用電解液を提供するもので、これによつて電解
コンデンサの寿命を向上せしめようとするもので
ある。以下実施例により説明する。 本発明になる電解液は水−アジピン酸アンモニ
ウム−エタノールアミンアジペート−残部がEG
からなるもので、その実施例の組成を表に示す。、
従来例1はEG−アジピン酸アンモニウム、従来
例2は若干の水を含んだ電解液で、特開昭54−
91754号公報に記載されているものである。
で洗浄した場合に、コンデンサ内部にハロゲン化
炭化水素が透過して生ずるコンデンサ素子の腐蝕
を防止することによつて、コンデンサの寿命特性
を向上せしめる電解コンデンサ用電解液に関す
る。 従来電極箔とスペーサーとを巻回してコンデン
サ素子を構成し、該コンデンサ素子をケースに収
凾してゴム栓により封口する電解コンデンサで、
コンデンサ素子に含浸する駆動用電解液にはエチ
レングリコール(以下EGと称する)−硼酸アンモ
ン系やEG−アジピン酸アンモニウム系などが用
いられていた。しかしながら、電解コンデンサの
洗浄工程や印刷基板へ取着するときに用いるハン
ダフラツクスの除去工程で洗浄剤として使用され
るハロゲン化炭化水素、例えば1.1.1トリクロロ
エタンは該ハロゲン化炭化水素への浸漬あるいは
蒸気浴などによつてゴム栓を透過してコンデンサ
内部へ浸入し分解して塩素イオンを生成してい
た。 このようにして生成された塩素イオンはコンデ
ンサ素子の電極箔および引出端子を腐蝕せしめる
が、この腐蝕は電解コンデンサに電圧を印加した
ときとくに著しく、ときには引出端子の断線を招
く欠点があつた。 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、洗
浄に使用するハロゲン化炭化水素がケース内部に
浸入しても腐蝕の発生を防止できる電解コンデン
サ用電解液を提供するもので、これによつて電解
コンデンサの寿命を向上せしめようとするもので
ある。以下実施例により説明する。 本発明になる電解液は水−アジピン酸アンモニ
ウム−エタノールアミンアジペート−残部がEG
からなるもので、その実施例の組成を表に示す。、
従来例1はEG−アジピン酸アンモニウム、従来
例2は若干の水を含んだ電解液で、特開昭54−
91754号公報に記載されているものである。
【表】
なお、表に記載されたモノ,ジ,トリエタノー
ルアミンアジペートはエタノールアミンアジペー
トの1種であり、アジピン酸とエタノールアミン
とを混合し加熱またはEG中で該混合を行うこと
により生成できるが、これらは40wt%を越える
とエチレングリコールに溶解しなくなる。またア
ジピン酸アンモニウムも同様20wt%を越えると
溶解しない。この表に示した組成からなる電解液
を電極箔とスペーサとを巻回して構成したコンデ
ンサ素子に含浸し、該コンデンサ素子をアルミニ
ウムからなるケースに収凾してゴム栓で封口した
定格50WV−1μFのリード線端子同一方向形電解
コンデンサを作り、該電解コンデンサを1.1.1ト
リクロロエタンの蒸気中に10分間浸漬したもの
各々50個を試料として105℃中に50V電圧印加し
て放置したときの特性を第1図〜第4図に示す。
すなわち第1図な放置時間と防爆弁動作数との関
係を示す曲線図であるが、1000hでは全数分解の
上確認した腐蝕数を示してある。第2図は放置時
間と静電容量変化率との関係、第3図は放置時間
とtanδとの関係、第4図は放置時間と漏れ電流と
の関係をそれぞれ示す曲線図である。なお第1図
〜第4図の曲線に付した記号は表に示したA〜J
の記号を用いたもので電解液の種別を表わしたも
のである。この結果によれば第1図の弁動作数に
おいて従来例1(記号A)、従来例2(記号B)で
は全数弁動作し、参考例3(記号I)では1000h
において7個の腐蝕が発生している。そして前記
曲線A,Bは分解調査結果、腐蝕現象が顕著であ
り腐蝕によつて内部圧力が上昇し防爆弁が動作し
たものである。また参考例1(記号G)は第2図
および第3図に示した静電容量変化率およびtanδ
が電解液の中に含む水によつて電解箔がベーマイ
ト反応を生ずるために変化が大きくなるものであ
り、参考例2(記号H)は電解液に水を全く含ま
ないので初期から比抵抗が大きいものである。ま
た参考例4(J)はアジピン酸ンモニウムを含まない
ので初期から非抵抗が大なるものである。 したがつて本発明になる電解液は水27〜5wt
%、アジピン酸アンモニウム20〜1wt%、エタノ
ールアミンアジペート40〜5wt%、残部がEGか
らなるということができる。 以下述べたように、本発明になる電解コンデン
サ用電解液を用いた電解コンデンサでは、ハロゲ
ン化炭化水素を洗浄液に使用してもコンデンサ内
部の腐蝕が発生せず、静電容量、tanδ、漏れ電流
の安定したものを得ることができる。勿論洗浄剤
としてハロゲン化炭化水素を使用しない場合でも
同様な特性を得ることができるのは述べるまでも
ないことである。
ルアミンアジペートはエタノールアミンアジペー
トの1種であり、アジピン酸とエタノールアミン
とを混合し加熱またはEG中で該混合を行うこと
により生成できるが、これらは40wt%を越える
とエチレングリコールに溶解しなくなる。またア
ジピン酸アンモニウムも同様20wt%を越えると
溶解しない。この表に示した組成からなる電解液
を電極箔とスペーサとを巻回して構成したコンデ
ンサ素子に含浸し、該コンデンサ素子をアルミニ
ウムからなるケースに収凾してゴム栓で封口した
定格50WV−1μFのリード線端子同一方向形電解
コンデンサを作り、該電解コンデンサを1.1.1ト
リクロロエタンの蒸気中に10分間浸漬したもの
各々50個を試料として105℃中に50V電圧印加し
て放置したときの特性を第1図〜第4図に示す。
すなわち第1図な放置時間と防爆弁動作数との関
係を示す曲線図であるが、1000hでは全数分解の
上確認した腐蝕数を示してある。第2図は放置時
間と静電容量変化率との関係、第3図は放置時間
とtanδとの関係、第4図は放置時間と漏れ電流と
の関係をそれぞれ示す曲線図である。なお第1図
〜第4図の曲線に付した記号は表に示したA〜J
の記号を用いたもので電解液の種別を表わしたも
のである。この結果によれば第1図の弁動作数に
おいて従来例1(記号A)、従来例2(記号B)で
は全数弁動作し、参考例3(記号I)では1000h
において7個の腐蝕が発生している。そして前記
曲線A,Bは分解調査結果、腐蝕現象が顕著であ
り腐蝕によつて内部圧力が上昇し防爆弁が動作し
たものである。また参考例1(記号G)は第2図
および第3図に示した静電容量変化率およびtanδ
が電解液の中に含む水によつて電解箔がベーマイ
ト反応を生ずるために変化が大きくなるものであ
り、参考例2(記号H)は電解液に水を全く含ま
ないので初期から比抵抗が大きいものである。ま
た参考例4(J)はアジピン酸ンモニウムを含まない
ので初期から非抵抗が大なるものである。 したがつて本発明になる電解液は水27〜5wt
%、アジピン酸アンモニウム20〜1wt%、エタノ
ールアミンアジペート40〜5wt%、残部がEGか
らなるということができる。 以下述べたように、本発明になる電解コンデン
サ用電解液を用いた電解コンデンサでは、ハロゲ
ン化炭化水素を洗浄液に使用してもコンデンサ内
部の腐蝕が発生せず、静電容量、tanδ、漏れ電流
の安定したものを得ることができる。勿論洗浄剤
としてハロゲン化炭化水素を使用しない場合でも
同様な特性を得ることができるのは述べるまでも
ないことである。
図面はいずれも本発明および従来例、参考例に
なる電解液を含浸した電解コンデンサを105℃中
に電圧印加して放置したときの放置時間と各特性
との関係を示す曲線図で、第1図は防爆弁動作
数、第2図は静電容量変化率、第3図はtanδ、第
4図は漏れ電流を示したものである。
なる電解液を含浸した電解コンデンサを105℃中
に電圧印加して放置したときの放置時間と各特性
との関係を示す曲線図で、第1図は防爆弁動作
数、第2図は静電容量変化率、第3図はtanδ、第
4図は漏れ電流を示したものである。
Claims (1)
- 1 水27〜5wt%、アジピン酸アンモニウム20〜
1wt%、エタノールアミンアジペート40〜5wt%、
残部がエチレングリコールからなる電解コンデン
サ用電解液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9072185A JPS6150322A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 電解コンデンサ用電解液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9072185A JPS6150322A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 電解コンデンサ用電解液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150322A JPS6150322A (ja) | 1986-03-12 |
| JPH031818B2 true JPH031818B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=14006411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9072185A Granted JPS6150322A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 電解コンデンサ用電解液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6150322A (ja) |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP9072185A patent/JPS6150322A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150322A (ja) | 1986-03-12 |
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