JPH03182104A - 同調形発振器 - Google Patents
同調形発振器Info
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- JPH03182104A JPH03182104A JP32178389A JP32178389A JPH03182104A JP H03182104 A JPH03182104 A JP H03182104A JP 32178389 A JP32178389 A JP 32178389A JP 32178389 A JP32178389 A JP 32178389A JP H03182104 A JPH03182104 A JP H03182104A
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- Japan
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- oscillation
- frequency
- tunable
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えばマイクロ波を発生する同調形見振器に
関するものである。
関するものである。
従来、この種の同調形見振器として、第５図に示すよう
なものがあった。この第５図は中野、他により’ １３
Ｇ Ｈｚ帯ＹＩＧ薄膜同調発振器」（昭和６３年電子
情報通信学会春季全国大会、Ｃ６７１）に示された構成
に基づくもので、１はヨーク、２はコイル、３は永久磁
石、４はヨーク１、コイル２．永久磁石３より成る磁気
回路、５は高周波回路部である。第６図は第５図の高周
波回路５を上から見た図であり、６はフェリ磁性体薄膜
共振器、７はフェリ磁性体薄膜６を製作するのに用い保
持するため用いられる誘電体基板、８はＦＥＴ（ｌｉ界
効果トランジスタ）などの能動素子、９はストリップ導
体、１０はストリップ導体９で構成される整合回路、１
１は高周波回路部５を保持するための基板である。
なものがあった。この第５図は中野、他により’ １３
Ｇ Ｈｚ帯ＹＩＧ薄膜同調発振器」（昭和６３年電子
情報通信学会春季全国大会、Ｃ６７１）に示された構成
に基づくもので、１はヨーク、２はコイル、３は永久磁
石、４はヨーク１、コイル２．永久磁石３より成る磁気
回路、５は高周波回路部である。第６図は第５図の高周
波回路５を上から見た図であり、６はフェリ磁性体薄膜
共振器、７はフェリ磁性体薄膜６を製作するのに用い保
持するため用いられる誘電体基板、８はＦＥＴ（ｌｉ界
効果トランジスタ）などの能動素子、９はストリップ導
体、１０はストリップ導体９で構成される整合回路、１
１は高周波回路部５を保持するための基板である。
次にこの従来例の動作について説明する。
フェリ磁性体薄膜共振器６には磁気回路１により膜面に
垂直に磁界ＨＯが印加され、はぼ次式で表される周波数
ｆＴ：磁気共鳴により共振する。
垂直に磁界ＨＯが印加され、はぼ次式で表される周波数
ｆＴ：磁気共鳴により共振する。
ｒ＝ｒ （Ｈｏ−Ｎ・４πＭ）・・・山（１）ここで
Ｔは磁気回転比、Ｎは反磁界係数、４πＭはフェリ磁性
体薄膜の飽和磁化量である。第６図のＡよりフェリ磁性
体ｉ１膜共振器６を見た共振周波数近傍の入力インピー
ダンス軌跡は第７図のスミス図で示される。第７図中の
Ｂは共振点を示す。
Ｔは磁気回転比、Ｎは反磁界係数、４πＭはフェリ磁性
体薄膜の飽和磁化量である。第６図のＡよりフェリ磁性
体ｉ１膜共振器６を見た共振周波数近傍の入力インピー
ダンス軌跡は第７図のスミス図で示される。第７図中の
Ｂは共振点を示す。
共振周波数近傍以外の周波数では入力インピーダンスは
共振点Ｂとは位相角が１８０”ずれた位置に存在する。
共振点Ｂとは位相角が１８０”ずれた位置に存在する。
入力インピーダンスから換算される複素反射係数をｒ’
ｒとする。またＡより能動素子側を見た複素反射係数を
ｒａとする０次式の条件を満たすように整合回路１０の
ストリップ導体９の寸法を調整すると、発振が開始する
。
ｒとする。またＡより能動素子側を見た複素反射係数を
ｒａとする０次式の条件を満たすように整合回路１０の
ストリップ導体９の寸法を調整すると、発振が開始する
。
Ｉ ｒ ｒｌ、Ｉ ｒ ａｌ ？ｌ、 Ｚｒ ｒ ＋−
１ｒ ａ ＝ｏ−・・−＋（２同調形発振器ではフェリ
磁性体薄膜共振器６の所要共振周波数近傍で上式（２）
を満たすように整合回路１０が調整され、共振周波数を
磁界Ｈｏで可変にできることから発振周波数をＨｏで制
御することができる。
１ｒ ａ ＝ｏ−・・−＋（２同調形発振器ではフェリ
磁性体薄膜共振器６の所要共振周波数近傍で上式（２）
を満たすように整合回路１０が調整され、共振周波数を
磁界Ｈｏで可変にできることから発振周波数をＨｏで制
御することができる。
同調形発振器の発振周波数の温度特性は式（１）に示す
ようにＨｏと４πＭの温度特性に依存する。
ようにＨｏと４πＭの温度特性に依存する。
従来の同調形発振器ではフェリ磁性体薄膜共振器６の４
πＭの温度変化を永久磁石３の材質と寸法によるＨ ｏ
の温度変化により相殺して、発振周波数の温度変化を小
さくしていた。
πＭの温度変化を永久磁石３の材質と寸法によるＨ ｏ
の温度変化により相殺して、発振周波数の温度変化を小
さくしていた。
従来の同調形発振器は、フェリ磁性体薄膜共振器６の４
πＭの温度変化と、永久磁石３の材質と寸法によるＨ
ｏの温度変化とを用いて、発振周波数の温度変化を小さ
くしようとしていたため、広い温度範囲において温度変
化を精度良く相殺できるフェリ磁性体薄膜共振器６の４
πＭと永久磁石３の材質と寸法の選択には限界があった
。
πＭの温度変化と、永久磁石３の材質と寸法によるＨ
ｏの温度変化とを用いて、発振周波数の温度変化を小さ
くしようとしていたため、広い温度範囲において温度変
化を精度良く相殺できるフェリ磁性体薄膜共振器６の４
πＭと永久磁石３の材質と寸法の選択には限界があった
。
この発明は上記のような課題点を解消するためになされ
たもので、例えばフェリ磁性体薄膜共振器の飽和磁化量
ρ４πＭの温度変化量と永久磁石による磁界Ｈｏの温度
変化量が大きく異なっている場合でも広い温度範囲にお
いて発振周波数の温度変化の小さい同調形発振器を得る
ことを目的とする。
たもので、例えばフェリ磁性体薄膜共振器の飽和磁化量
ρ４πＭの温度変化量と永久磁石による磁界Ｈｏの温度
変化量が大きく異なっている場合でも広い温度範囲にお
いて発振周波数の温度変化の小さい同調形発振器を得る
ことを目的とする。
この発明に係る同調形発振器は、特定の温度における発
振周波数と任意の温度における発振周波数との差の絶対
値が等しくかつ上記差の符号が逆の関係にある発振信号
をそれぞれ発生する第１゜第２の同調形発振素子１２．
１３と、上記第１の同調形発振素子１２から出力された
第１の発振信号と上記第２の同調形発振素子１３から出
力された第２の発振信号とを混合して第１の発振信号の
周波数ｒ、と第２の発振信号の周波数ｆ２との和の周波
数ｆの発振出力信号を作成するミキサ１７とを備えるこ
とを特徴とするものである。
振周波数と任意の温度における発振周波数との差の絶対
値が等しくかつ上記差の符号が逆の関係にある発振信号
をそれぞれ発生する第１゜第２の同調形発振素子１２．
１３と、上記第１の同調形発振素子１２から出力された
第１の発振信号と上記第２の同調形発振素子１３から出
力された第２の発振信号とを混合して第１の発振信号の
周波数ｒ、と第２の発振信号の周波数ｆ２との和の周波
数ｆの発振出力信号を作成するミキサ１７とを備えるこ
とを特徴とするものである。
第１．第２の同調形発振素子１２．１３は特定の温度に
おける発振周波数と任意の温度における発振周波数との
差の絶対値が等しくかつ上記差の符号が逆の関係にある
発振信号をそれぞれ発生する。ミキサ１７は、第１の同
調形発振素子１２から出力された第１の発振信号と第２
の同調形発振素子１３から出力された第２の発振信号と
を混合して第１の発振信号の周波数ｆ、と第２の発振信
号の周波数ｆ、との和の周波数ｆの発振出力信号を作成
する。
おける発振周波数と任意の温度における発振周波数との
差の絶対値が等しくかつ上記差の符号が逆の関係にある
発振信号をそれぞれ発生する。ミキサ１７は、第１の同
調形発振素子１２から出力された第１の発振信号と第２
の同調形発振素子１３から出力された第２の発振信号と
を混合して第１の発振信号の周波数ｆ、と第２の発振信
号の周波数ｆ、との和の周波数ｆの発振出力信号を作成
する。
第１図はこの発明の一実施例に係る同調形発振器の構成
国である。また、第２図にこの実施例の同調形発振器を
構成している３つの基本的機能をもつ素子すなわち第１
の同調形発振素子と第２の同調形発振素子とミキサとの
接続関係を示し、更に第３図にこの実施例の同調形発振
器の電気的な等価回路を示す。
国である。また、第２図にこの実施例の同調形発振器を
構成している３つの基本的機能をもつ素子すなわち第１
の同調形発振素子と第２の同調形発振素子とミキサとの
接続関係を示し、更に第３図にこの実施例の同調形発振
器の電気的な等価回路を示す。
第１図において、１〜１１は第５図及び第６図に示した
構成要素に対応するものである。第１図〜第３図におい
て、１２．１３は特定の温度における発振周波数と・任
意の温度における発振周波数との差の絶対値が等しくか
つ上記差の符号が逆の関係にある発振信号をそれぞれ発
生する第１．第２の同調形発振素子である。第１．第２
の同調形発振素子１２．１３は主にフェリ磁性体薄膜共
振器６と能動素子８と整合回路１０とから構成される。
構成要素に対応するものである。第１図〜第３図におい
て、１２．１３は特定の温度における発振周波数と・任
意の温度における発振周波数との差の絶対値が等しくか
つ上記差の符号が逆の関係にある発振信号をそれぞれ発
生する第１．第２の同調形発振素子である。第１．第２
の同調形発振素子１２．１３は主にフェリ磁性体薄膜共
振器６と能動素子８と整合回路１０とから構成される。
そのフェリ磁性体薄膜共振器６は抵抗とコイルとコンデ
ンサとの並列′接続回路として表わされる。１７は第１
の同調形発振素子１２から出力された第１の発振信号と
第２の同調形発振素子１３から出力された第２の発振信
号とを混合して第１の発振信号の周波数ｆ、と第２の発
振信号の周波数ｆ２との和の周波数ｆの発振出力信号を
作成するミキサである。このミキサ１７は主にスロット
線路１４とダイオード１５とマイクロストリップ線路１
６と変成器２１．２２とから構成される。
ンサとの並列′接続回路として表わされる。１７は第１
の同調形発振素子１２から出力された第１の発振信号と
第２の同調形発振素子１３から出力された第２の発振信
号とを混合して第１の発振信号の周波数ｆ、と第２の発
振信号の周波数ｆ２との和の周波数ｆの発振出力信号を
作成するミキサである。このミキサ１７は主にスロット
線路１４とダイオード１５とマイクロストリップ線路１
６と変成器２１．２２とから構成される。
１８はミキサ１７のＲＦ端子、１９はミキサ１７のＬＯ
端子、２０ミキサ１７のＩＦ端子である。
端子、２０ミキサ１７のＩＦ端子である。
上記変成器２１．２２はスロット線路１４とマイクロス
トリップ線路１６との結合部を等価的に示したものであ
る。第１の同調形発振素子１２の出力端子はＲＦ端子１
８に接続され、第２の同調形発振素子１３の出力端子は
ＬＯ端子１９に接続されている。ミキサ１７のＩＦ端子
２０がこの実施例による同調形見振器の出力端子になっ
ている。
トリップ線路１６との結合部を等価的に示したものであ
る。第１の同調形発振素子１２の出力端子はＲＦ端子１
８に接続され、第２の同調形発振素子１３の出力端子は
ＬＯ端子１９に接続されている。ミキサ１７のＩＦ端子
２０がこの実施例による同調形見振器の出力端子になっ
ている。
なお、この実施例の場合、フェリ磁性体薄膜共振器６の
形状は静磁前進体積波、静磁後進体積波、及び静磁表面
波がフェリ磁性体薄膜の端で反射され共振が起きやすい
ように矩形としている。
形状は静磁前進体積波、静磁後進体積波、及び静磁表面
波がフェリ磁性体薄膜の端で反射され共振が起きやすい
ように矩形としている。
次にこの実施例の動作について説明する。なお、ミキサ
１７の動作説明はＳ ｔｅｐｈｅｎ Ａ 、 Ｍａｕ
ｓのＭｉｃｒｏｗａｖｅ Ｍｉｘｅｒｓ （Ａｒｔ
ｅｃｈ ）ｌｏｕｓｅ、 Ｉｎｃ、）などで述べられ
ているので、ここでは省略する。
１７の動作説明はＳ ｔｅｐｈｅｎ Ａ 、 Ｍａｕ
ｓのＭｉｃｒｏｗａｖｅ Ｍｉｘｅｒｓ （Ａｒｔ
ｅｃｈ ）ｌｏｕｓｅ、 Ｉｎｃ、）などで述べられ
ているので、ここでは省略する。
第１の同調形発振素子１２では従来と同様にフェリ磁性
体’ｉｉｌ膜共振器６の薄膜に垂直に磁界が加えられ静
磁前進体積波モードの共振が起きる。第２の同調形発振
素子１３ではフェリ磁性体薄膜共振器６の薄膜に平行に
磁界が加えられ静磁後進体積波モードの共振が起きる。
体’ｉｉｌ膜共振器６の薄膜に垂直に磁界が加えられ静
磁前進体積波モードの共振が起きる。第２の同調形発振
素子１３ではフェリ磁性体薄膜共振器６の薄膜に平行に
磁界が加えられ静磁後進体積波モードの共振が起きる。
個々の同調形発振素子１２．１３における基本的な発振
動作の説明については従来装置と同様であるため省略す
る。
動作の説明については従来装置と同様であるため省略す
る。
第１の同調形発振素子１２の静磁前進体積波モードの共
振による発振周波数ｆ、と第２の同調形発振素子１３の
静磁後進体積波モードの共振による発振周波数１２とは
次式で示される。
振による発振周波数ｆ、と第２の同調形発振素子１３の
静磁後進体積波モードの共振による発振周波数１２とは
次式で示される。
（ｒ ＝ｒ （Ｈｐｌ ＋ΔＩＩｐ＋（Ｔ）＋）Ｉ。
Ｎ・（４πＭ、十Δ４πＭ、（Ｔ）） ）・・・・・・
（３）ｆ２ ＝＝γ ・ ＋ π ８＋
π まただし、Ｈ＝ Ｈｐｚ ＋ΔＨｐｚ（Ｔ）
＋Ｈ２であり、）（＞＞４πＭ２＋Δ４πＭｚ（Ｔ）の
場合には式（４）は、近似的に次式で表される。
（３）ｆ２ ＝＝γ ・ ＋ π ８＋
π まただし、Ｈ＝ Ｈｐｚ ＋ΔＨｐｚ（Ｔ）
＋Ｈ２であり、）（＞＞４πＭ２＋Δ４πＭｚ（Ｔ）の
場合には式（４）は、近似的に次式で表される。
ｆ ｚ ニア （）Ｉ ＋ （４ＫＭ、 ＋Δ４πＭ２
（Ｔ）ｌ ／２）・・・・・・（４′）したがって、ミ
キサ１７より取り出される発振出力信号の周波数ｆはｆ
ｌとｆ２の和となり次式％式％ （） （５） ここで、Ｈｐ＋、Ｈｌ）ｚは第１．第２の同調形発振素
子１２．１３の室温における永久磁石３による磁界、Δ
Ｈｐ＋（Ｔ）、ΔＨｐｔ（Ｔ）は第１．第２の同調形発
振素子１２．１３の温度Ｔにおける永久磁石３の磁界変
化量、Ｈ＋、Ｈｚは第１．第２の同調形発振素子１２．
１３のコイル２による・・・・・・（４） 磁界、Δ４πＭ、（Ｔ）、 Δ４πＭ ｚ （Ｔ ）は
第１゜第２の同調形発振素子１２．１３のフェリ磁性体
薄膜６の温度Ｔにおける飽和磁化変化量である。
（Ｔ）ｌ ／２）・・・・・・（４′）したがって、ミ
キサ１７より取り出される発振出力信号の周波数ｆはｆ
ｌとｆ２の和となり次式％式％ （） （５） ここで、Ｈｐ＋、Ｈｌ）ｚは第１．第２の同調形発振素
子１２．１３の室温における永久磁石３による磁界、Δ
Ｈｐ＋（Ｔ）、ΔＨｐｔ（Ｔ）は第１．第２の同調形発
振素子１２．１３の温度Ｔにおける永久磁石３の磁界変
化量、Ｈ＋、Ｈｚは第１．第２の同調形発振素子１２．
１３のコイル２による・・・・・・（４） 磁界、Δ４πＭ、（Ｔ）、 Δ４πＭ ｚ （Ｔ ）は
第１゜第２の同調形発振素子１２．１３のフェリ磁性体
薄膜６の温度Ｔにおける飽和磁化変化量である。
式（５）において、温度に依存するのはΔＨｐ＋（Ｔ）
十Δｌ１ｐｚ（Ｔ） Ｎ・Δ４πＭ、（Ｔ）＋Δ４π
Ｍ。
十Δｌ１ｐｚ（Ｔ） Ｎ・Δ４πＭ、（Ｔ）＋Δ４π
Ｍ。
（Ｔ）／ ２である。
永久磁石３を用いない場合はΔＨｆｌ＋（Ｔ）＝ΔＩＩ
ｐ ｚ（Ｔ） ＝ ０であり、Ｎ・Δ４πＭ、（Ｔ）
＝Δ４πＭｚ（Ｔ）／２となる２種類のフェリ磁性体薄
膜共振器６を選べば良い、Δ４πＭ （Ｔ）は例えばフ
ェリ磁性体薄膜としてイツトリウム・鉄ガーネット（Ｙ
Ｉ Ｇ）単結晶ｉａ膜の鉄イオンをガリウムイオンで
置換することにより変化できることが知られている。
ｐ ｚ（Ｔ） ＝ ０であり、Ｎ・Δ４πＭ、（Ｔ）
＝Δ４πＭｚ（Ｔ）／２となる２種類のフェリ磁性体薄
膜共振器６を選べば良い、Δ４πＭ （Ｔ）は例えばフ
ェリ磁性体薄膜としてイツトリウム・鉄ガーネット（Ｙ
Ｉ Ｇ）単結晶ｉａ膜の鉄イオンをガリウムイオンで
置換することにより変化できることが知られている。
また、コイル２に消費される電力を小さくするため図示
のようにあらかじめ特定の磁界を永久磁石３にて与え、
周波数を可変にする磁界のみをコイル２により与えよう
とする場合には、フェリ磁性体薄膜と永久磁石３の材質
や寸法の選択によりΔＨｐ＋（Ｔ）Ｎ・Δ４′πＭ、（
Ｔ）とΔＨＰｚ（Ｔ）＋Δ４πＭ！（Ｔ）／２との和を
小さくできる。
のようにあらかじめ特定の磁界を永久磁石３にて与え、
周波数を可変にする磁界のみをコイル２により与えよう
とする場合には、フェリ磁性体薄膜と永久磁石３の材質
や寸法の選択によりΔＨｐ＋（Ｔ）Ｎ・Δ４′πＭ、（
Ｔ）とΔＨＰｚ（Ｔ）＋Δ４πＭ！（Ｔ）／２との和を
小さくできる。
例えば、第１．第２の同調形発振素子１２゜１３をとも
に純粋なＹｒＧ単結晶薄膜の共振器、および同じ特性の
永久磁石３を用いて構成するとする。Ｎは約１．４πＭ
は１７６０ガウス、Δ４πＭは約−３，６５ガウス／℃
であるとすると、ΔＨｐ ＋ ＋ΔＩＩｐｔ＝ １
．８３工ルステツド／℃となる磁気回路４を設計するこ
とになる。Ｈｐｔ＝Ｈｐ ｔとし磁気回路４の温度係数
を一〇。０２％とすると、Ｈｐ＋−Ｈｐｚ＝４５７５エ
ルステッドとなり、コイル電流を流さないときに室温で
は第１゜第２の同調形発振素子１２．１３の発振周波数
ｒ、、ｒ、はそれぞれ７．９ ＧＨｚ、 １５．１
ＧＨｚとなり、発振器出力信号の周波数は２３ＧＨｚと
なる。
に純粋なＹｒＧ単結晶薄膜の共振器、および同じ特性の
永久磁石３を用いて構成するとする。Ｎは約１．４πＭ
は１７６０ガウス、Δ４πＭは約−３，６５ガウス／℃
であるとすると、ΔＨｐ ＋ ＋ΔＩＩｐｔ＝ １
．８３工ルステツド／℃となる磁気回路４を設計するこ
とになる。Ｈｐｔ＝Ｈｐ ｔとし磁気回路４の温度係数
を一〇。０２％とすると、Ｈｐ＋−Ｈｐｚ＝４５７５エ
ルステッドとなり、コイル電流を流さないときに室温で
は第１゜第２の同調形発振素子１２．１３の発振周波数
ｒ、、ｒ、はそれぞれ７．９ ＧＨｚ、 １５．１
ＧＨｚとなり、発振器出力信号の周波数は２３ＧＨｚと
なる。
第４図は、第１．第２の同調形発振素子１２゜１３の磁
気回路４を共通にした場合の構成図であり、第２の同調
形発振素子１３のフェリ磁性体薄膜共振器６は、薄膜面
が磁界に平行になるように配置される。また、磁気回路
４を共通にしたことにより、同調形発振器全体の小形化
が図れる。
気回路４を共通にした場合の構成図であり、第２の同調
形発振素子１３のフェリ磁性体薄膜共振器６は、薄膜面
が磁界に平行になるように配置される。また、磁気回路
４を共通にしたことにより、同調形発振器全体の小形化
が図れる。
このように第４図に示すような他の実施例として、第１
．第２の同調形発振素子１２．１３の磁気回路４を共通
にし、第１の同調形発振素子１２のフェリ磁性体薄膜共
振器６では上記磁気回路４によりフェリ磁性体薄膜に垂
直に磁界を加え、第２の同調形発振素子１３のフェリ磁
性体薄膜共振器６では上記磁気回路４によりフェリ磁性
体薄膜に平行に磁界を加えるように構成すれば、更に発
振周波数が安定する。
．第２の同調形発振素子１２．１３の磁気回路４を共通
にし、第１の同調形発振素子１２のフェリ磁性体薄膜共
振器６では上記磁気回路４によりフェリ磁性体薄膜に垂
直に磁界を加え、第２の同調形発振素子１３のフェリ磁
性体薄膜共振器６では上記磁気回路４によりフェリ磁性
体薄膜に平行に磁界を加えるように構成すれば、更に発
振周波数が安定する。
なお、上記実施例では同調形発振素子として磁性体共振
器を用いた場合を示したが、これに限らず、文献Ｊ、Ｄ
、Ａｄａ（他による’ Ｔｈｅ Ｓ ｔａｔｕｓ ｏ
ｆ ＭａＢｎｅｔｏｓｔａｔｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ
」（Ｉ Ｅ Ｅ ＥＴｒａｎｓ、 ｏｎ Ｍａｇｎｅ
ｔｉｃｓ、 ｖｏｌ、 ＭＡＧ −１７゜ｋ ６ 、
Ｎｏｖｅｓ＋ｂｅｒ １９８１ ）に示された静磁波
遅延線路を用いた場合にも同様の効果がある。
器を用いた場合を示したが、これに限らず、文献Ｊ、Ｄ
、Ａｄａ（他による’ Ｔｈｅ Ｓ ｔａｔｕｓ ｏ
ｆ ＭａＢｎｅｔｏｓｔａｔｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ
」（Ｉ Ｅ Ｅ ＥＴｒａｎｓ、 ｏｎ Ｍａｇｎｅ
ｔｉｃｓ、 ｖｏｌ、 ＭＡＧ −１７゜ｋ ６ 、
Ｎｏｖｅｓ＋ｂｅｒ １９８１ ）に示された静磁波
遅延線路を用いた場合にも同様の効果がある。
以上のように本発明によれば、特定の温度における発振
周波数と任意の温度における発振周波数との差の絶対値
が等しくかつ上記差の符号が逆の関係にある発振信号を
それぞれ発生する第１．第２の同調形発振素子と、上記
第１の同調形発振素子の発振周波数と上記第２の同調形
発振素子の発振周波数との和の周波数の発振出力信号を
作成するミキサとを備え構成したので、発振周波数にお
ける温度変化成分が相殺され、例えばフェリ磁性体薄膜
共振器の飽和磁化Ｉ４πＭの温度変化量と永久磁石によ
る磁界Ｈｏの温度変化量が大きく異なっている場合でも
広い温度範囲において発振周波数の温度変化を極力抑え
ることができ、信頼性が向上するという効果が得られる
。
周波数と任意の温度における発振周波数との差の絶対値
が等しくかつ上記差の符号が逆の関係にある発振信号を
それぞれ発生する第１．第２の同調形発振素子と、上記
第１の同調形発振素子の発振周波数と上記第２の同調形
発振素子の発振周波数との和の周波数の発振出力信号を
作成するミキサとを備え構成したので、発振周波数にお
ける温度変化成分が相殺され、例えばフェリ磁性体薄膜
共振器の飽和磁化Ｉ４πＭの温度変化量と永久磁石によ
る磁界Ｈｏの温度変化量が大きく異なっている場合でも
広い温度範囲において発振周波数の温度変化を極力抑え
ることができ、信頼性が向上するという効果が得られる
。
第１図はこの発明の一実施例に係る同調形発振４図は他
の実施例に係る同調形見振器の構成図、第５図及び第６
図は従来の同調形見振器の構成図、第７図は従来の同調
形見振器の動作を説明するためのスミス図である。 １２・・・・・・第１の同調形発振素子、１３・・・・
・・第２の同調形発振素子、１７・・・・・・ミキサ。
の実施例に係る同調形見振器の構成図、第５図及び第６
図は従来の同調形見振器の構成図、第７図は従来の同調
形見振器の動作を説明するためのスミス図である。 １２・・・・・・第１の同調形発振素子、１３・・・・
・・第２の同調形発振素子、１７・・・・・・ミキサ。
Claims (1)
- 特定の温度における発振周波数と任意の温度における発
振周波数との差の絶対値が等しくかつ上記差の符号が逆
の関係にある発振信号をそれぞれ発生する第１、第２の
同調形発振素子と、上記第１の同調形発振素子から出力
された第１の発振信号と上記第２の同調形発振素子から
出力された第２の発振信号とを混合して第１の発振信号
の周波数と第２の発振信号の周波数との和の周波数の発
振出力信号を作成するミキサとを備えたことを特徴とす
る同調形発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32178389A JPH03182104A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 同調形発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32178389A JPH03182104A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 同調形発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182104A true JPH03182104A (ja) | 1991-08-08 |
Family
ID=18136378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32178389A Pending JPH03182104A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 同調形発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03182104A (ja) |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP32178389A patent/JPH03182104A/ja active Pending
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