JPH031821B2 - - Google Patents
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- JPH031821B2 JPH031821B2 JP28680785A JP28680785A JPH031821B2 JP H031821 B2 JPH031821 B2 JP H031821B2 JP 28680785 A JP28680785 A JP 28680785A JP 28680785 A JP28680785 A JP 28680785A JP H031821 B2 JPH031821 B2 JP H031821B2
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、軟Ｘ線源を光源としたＸ線露光に
おいて使用するＸ線マスクとその製造方法に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an X-ray mask used in X-ray exposure using a soft X-ray source as a light source, and a method for manufacturing the same.
第３図は、従来のＸ線マスクであり、図におい
て、１ａはシリコン等よりなるＸ線マスクの支持
台、２はＸ線透過膜、３はAu等よりなるＸ線吸
収帯パターンである。
FIG. 3 shows a conventional X-ray mask. In the figure, 1a is an X-ray mask support made of silicon or the like, 2 is an X-ray transparent film, and 3 is an X-ray absorption band pattern made of Au or the like.
従来、Ｘ線マスクを製造するにおいて、そのＸ
線吸収帯パターン３は、Si3N4、BN等のＸ線透
過膜２上に形成したレジストパターンを使うAu
メツキ法、あるいはＸ線透過膜２上に蒸着した
Auの膜の反応性イオンエツチング（RIE）、スパ
ツタエツチ等によつて形成していた。 Conventionally, in manufacturing X-ray masks, the
The line absorption band pattern 3 is an Au pattern using a resist pattern formed on the X-ray transparent film 2 such as Si 3 N 4 or BN.
Deposited using the Metsuki method or on the X-ray transparent film 2
It was formed by reactive ion etching (RIE) of Au film, sputter etching, etc.
Ｘ線マスクのコントラストを高めるためには、
Au等のＸ線吸収帯の膜厚を0.5μｍ〜1.0μｍ以上
の厚さにする必要があり、そのためにはAuメツ
キ法がすぐれているが、これでは微細パターン形
成が難しい。又RIE、スパツタエツチ等の方法に
よるＸ線吸収パターンの形成は微細パターン形成
には良いが、膜厚をあまり厚くできず十分なマス
クコントラストを得られないという問題点があつ
た。
To increase the contrast of the X-ray mask,
It is necessary to make the film thickness of the X-ray absorption band of Au or the like to be 0.5 μm to 1.0 μm or more, and the Au plating method is excellent for this purpose, but it is difficult to form fine patterns with this method. Formation of X-ray absorption patterns by methods such as RIE and sputter etching is good for forming fine patterns, but there is a problem in that the film thickness cannot be made too thick and sufficient mask contrast cannot be obtained.
この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、膜厚が厚くなくても十分に
高いマスクコントラストを有し、かつ微細パター
ンを形成することのできるＸ線マスク及びその製
造方法を提供することを目的とする。 This invention was made to solve the above-mentioned problems, and provides an X-ray mask and its X-ray mask that have sufficiently high mask contrast even if the film thickness is not thick and can form fine patterns. The purpose is to provide a manufacturing method.
本発明に係るＸ線マスクは、Ｘ線吸収帯パター
ンを、Ｘ線吸収係数の大きい物質からなる薄膜と
Ｘ線透過性物質からなる薄膜とが交互に重畳した
多層膜構造としたものである。
In the X-ray mask according to the present invention, the X-ray absorption band pattern has a multilayer structure in which thin films made of a substance with a large X-ray absorption coefficient and thin films made of an X-ray transparent substance are alternately superimposed.
また、本発明の別の発明に係るＸ線マスクの製
造方法は、Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形
成し、その上にＸ線透過性物質とＸ線吸収係数の
大きい物質とを交互に複数回蒸着して多層膜のＸ
線吸収帯を形成し、その後上記レジストパターン
及びその上のＸ線吸収帯を除去するものである。 In addition, in a method for manufacturing an X-ray mask according to another aspect of the present invention, a resist pattern is formed on an X-ray transparent film, and an X-ray transparent substance and a substance with a large X-ray absorption coefficient are alternately applied on the resist pattern. X of multilayer film by multiple evaporation
A radiation absorption band is formed, and then the resist pattern and the X-ray absorption band thereon are removed.
本発明のＸ線マスクにおいては、Ｘ線吸収帯パ
ターンはＸ線吸収物質と透過性物質との多層膜構
造であるので、該吸収物質と透過性物質との境界
面が入射Ｘ線を反射するＸ線ミラーとして機能し
て上記境界面を節とする、下層ほど振幅の小さい
定在波が上記各吸収物質層内で形成され、上記吸
収帯パターンを透過する入射Ｘ線束は著しく少な
くなつてＸ線マスクのマスクコントラストが高ま
る。
In the X-ray mask of the present invention, since the X-ray absorption band pattern has a multilayer structure of an X-ray absorbing material and a transparent material, the interface between the absorbing material and the transparent material reflects incident X-rays. A standing wave that functions as an X-ray mirror and whose amplitude is smaller in the lower layer is formed with the boundary surface as a node, and the incident X-ray flux that passes through the absorption band pattern is significantly reduced. Increases mask contrast for line masks.
また、本発明の別の発明のＸ線マスクの製造方
法においては、Ｘ線透過膜上にレジストパターン
を形成した後、その上にＸ線透過性物質と吸収物
質とを交互に複数回蒸着し、その後上記レジスト
パターンを除去するので、多層膜構造のＸ線吸収
帯パターンの形成されたＸ線マスクが得られる。 In the method for manufacturing an X-ray mask according to another aspect of the present invention, after forming a resist pattern on an X-ray transparent film, an X-ray transparent material and an X-ray absorbing material are alternately deposited multiple times on the resist pattern. Then, since the resist pattern is removed, an X-ray mask having an X-ray absorption band pattern of a multilayer film structure is obtained.
以下、この発明の実施例について説明する。 Examples of the present invention will be described below.
第１図は本発明の別の発明の一実施例による多
層膜構造のＸ線吸収帯パターンを有するＸ線マス
クの製造方法を工程順に示し、第１図ｄに示す最
終生成物が本発明の一実施例によるＸ線マスクで
ある。図において、１，１ａ，２は従来例と同一
符号は同一ものである。４はレジストパターン、
５は多層膜構造のＸ線吸収帯、５ａはそのパター
ンである。 FIG. 1 shows a method for manufacturing an X-ray mask having a multilayer film structure and an X-ray absorption band pattern according to another embodiment of the present invention in the order of steps, and the final product shown in FIG. 1 is an X-ray mask according to one embodiment. In the figure, numerals 1, 1a, and 2 are the same as in the conventional example. 4 is a resist pattern,
5 is the X-ray absorption band of the multilayer film structure, and 5a is its pattern.
第２図はＸ線吸収帯パターン５ａの多層膜構造
を示す。図において、６はＸ線吸収係数の大きい
物質からなる薄膜で、これはAupd合金膜、Ｗ膜、
ReW膜等である。７はＣ（炭素）等のＸ線透過性
物質からなる薄膜、８は入射するＸ線、９は上記
薄膜６，７の境界面を節とする定在波である。 FIG. 2 shows the multilayer structure of the X-ray absorption band pattern 5a. In the figure, 6 is a thin film made of a material with a large X-ray absorption coefficient, which is an Aupd alloy film, a W film,
ReW film etc. 7 is a thin film made of an X-ray transparent substance such as C (carbon), 8 is an incident X-ray, and 9 is a standing wave whose node is the interface between the thin films 6 and 7.
次に本実施例によるＸ線マスクの製造方法につ
いて説明する。まず第１図ａに示すように、Ｘ線
透過膜２上にレジストパターン４を形成する。次
に第１図ｂに示すように上記レジストパターン４
を形成したものの上にMBE、イオンクラスタビ
ーム等によつて（AuPd、Ｃ）、（Ｗ、Ｃ）、
（ReW、Ｃ）等の薄膜６，７を適当な間隔で交互
に蒸着していき多層膜構造のＸ線吸収帯５を形成
する。次に第１図ｃに示すように、上記レジスト
パターン４及びその上のＸ線吸収帯５を除去し、
第１図ｄに示すように基板１を支持台１ａを残す
ようにエツチングする。このようにして、多層膜
構造を持つたＸ線吸収帯パターン５ａを有するＸ
線マスクが形成される。 Next, a method for manufacturing an X-ray mask according to this embodiment will be explained. First, as shown in FIG. 1a, a resist pattern 4 is formed on the X-ray transparent film 2. Next, as shown in FIG. 1b, the resist pattern 4 is
(AuPd, C), (W, C), by MBE, ion cluster beam, etc.
Thin films 6 and 7 such as (ReW, C) are deposited alternately at appropriate intervals to form an X-ray absorption band 5 having a multilayer film structure. Next, as shown in FIG. 1c, the resist pattern 4 and the X-ray absorption band 5 thereon are removed,
As shown in FIG. 1d, the substrate 1 is etched so as to leave the support 1a. In this way, the X-ray absorption band pattern 5a having the multilayer film structure is
A line mask is formed.
このような多層膜構造のＸ線吸収帯パターン５
ａでは、第２図で示すように、これにＸ線８が入
射すると、Ｘ線吸収物質からなる薄膜６と透過性
物質からなる薄膜７との境界面で上記入射Ｘ線８
の何割かが反射され、上記薄膜６内で上記境界面
を節とする定在波９が形成され、しかも該定在波
９は下層ほど振幅の小さいものである。したがつ
てＸ線吸収帯パターン５ａを透過するＸ線束は、
入射Ｘ線束−（反射Ｘ線束＋吸収Ｘ線束）となり、
このＸ線吸収帯パターン５ａを透過するＸ線は極
めて少なくなるので、マスクコントラストの高い
Ｘ線マスクが得られる。また、これによりＸ線吸
収帯パターンの膜厚を厚くしなくても、急峻なエ
ツジプロフアイルを持つた微細なレジストパター
ンが得られる。 X-ray absorption band pattern 5 of such a multilayer film structure
As shown in FIG. 2, when X-rays 8 are incident on a, the incident X-rays 8 are absorbed at the interface between the thin film 6 made of an X-ray absorbing material and the thin film 7 made of a transparent material.
Some percentage of this is reflected, and a standing wave 9 is formed within the thin film 6 with the boundary surface as a node, and the amplitude of the standing wave 9 is smaller as the layer is lower. Therefore, the X-ray flux transmitted through the X-ray absorption band pattern 5a is
Incident X-ray flux - (Reflected X-ray flux + Absorbed X-ray flux),
Since the amount of X-rays transmitted through this X-ray absorption band pattern 5a is extremely small, an X-ray mask with high mask contrast can be obtained. Further, as a result, a fine resist pattern having a steep edge profile can be obtained without increasing the film thickness of the X-ray absorption band pattern.
以上のようにこの発明によれば、Ｘ線吸収帯パ
ターンを、Ｘ線透過性物質とＸ線吸収係数の大き
い物質とが交互に重畳した多層膜構造としたの
で、より高いマスクコントラストを持つたＸ線マ
スクが得られ、より急峻なエツジプロフアイルを
持つた微細なレジストパターンを形成できる効果
がある。
As described above, according to the present invention, the X-ray absorption band pattern has a multilayer structure in which X-ray transparent materials and materials with large X-ray absorption coefficients are alternately superimposed, so that higher mask contrast can be achieved. An X-ray mask can be obtained and a fine resist pattern with a steeper edge profile can be formed.
第１図は本発明の別の発明の一実施例によるＸ
線マスクの製造方法を示す工程別断面図、第２図
は本発明の一実施例によるＸ線マスクのＸ線吸収
帯パターンを示す断面図、第３図は従来のＸ線マ
スクを示す断面図である。
図において、１は基板、１ａはＸ線マスク支持
台、２はＸ線透過膜、３はAuからなるＸ線吸収
帯パターン、４はレジストパターン、５は多層膜
構造のＸ線吸収帯、５ａはそのパターン、６はＸ
線吸収係数の大きい物質からなる薄膜、７はＸ線
透過性物質からなる薄膜、８は入射Ｘ線、９は定
在波である。なお図中同一符号は同一又は相当部
分を示す。
FIG. 1 shows an X according to another embodiment of the present invention.
2 is a sectional view showing the X-ray absorption band pattern of an X-ray mask according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a sectional view showing a conventional X-ray mask. It is. In the figure, 1 is a substrate, 1a is an X-ray mask support, 2 is an X-ray transparent film, 3 is an X-ray absorption band pattern made of Au, 4 is a resist pattern, 5 is an X-ray absorption band of a multilayer film structure, 5a is the pattern, 6 is X
A thin film made of a substance with a large linear absorption coefficient, 7 a thin film made of an X-ray transparent substance, 8 an incident X-ray, and 9 a standing wave. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
てなるＸ線マスクにおいて、 上記Ｘ線吸収帯パターンが、Ｘ線透過性物質と
Ｘ線吸収係数の大きい物質とを交互に重畳した多
層膜構造からなることを特徴とするＸ線マスク。 ２ 上記Ｘ線透過性物質は炭素(C)であり、上記Ｘ
線吸収係数の大きい物質はレニウムタングステン
（ReW）、タングステン(W)又は金パラジウム
（AuPd）であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＸ線マスク。 ３ マスク基板上にＸ線吸収帯パターンを形成し
てなるＸ線マスクの製造方法において、 Ｘ線吸収帯パターンを形成する工程が、 Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形成する工
程と、 上記レジストパターンを形成したものの上に、
Ｘ線透過性物質とＸ線吸収係数の大きい物質とを
交互に複数回蒸着して多層膜を形成する工程と、 上記レジストパターンを除去する工程とからな
ることを特徴とするＸ線マスクの製造方法。 ４ 上記Ｘ線透過性物質は炭素(C)であり、上記Ｘ
線吸収係数の大きい物質はレニウムタングステン
（ReW）、タングステン(W)又は金パラジウム
（AuPd）であることを特徴とする特許請求の範
囲第３項記載のＸ線マスクの製造方法。[Scope of Claims] 1. In an X-ray mask formed by forming an X-ray absorption band pattern on a mask substrate, the X-ray absorption band pattern alternately includes an X-ray transparent material and a material with a large X-ray absorption coefficient. An X-ray mask characterized by consisting of a multilayer film structure superimposed on the . 2 The above-mentioned X-ray transparent substance is carbon (C), and the above-mentioned
2. The X-ray mask according to claim 1, wherein the material having a large linear absorption coefficient is rhenium tungsten (ReW), tungsten (W), or gold palladium (AuPd). 3. In a method for manufacturing an X-ray mask in which an X-ray absorption band pattern is formed on a mask substrate, the step of forming the X-ray absorption band pattern includes the step of forming a resist pattern on an X-ray transparent film; On top of what formed the pattern,
Production of an X-ray mask comprising the steps of: forming a multilayer film by alternately depositing an X-ray transparent substance and a substance with a large X-ray absorption coefficient multiple times; and removing the resist pattern. Method. 4 The above-mentioned X-ray transparent substance is carbon (C), and the above-mentioned
4. The method of manufacturing an X-ray mask according to claim 3, wherein the material having a large linear absorption coefficient is rhenium tungsten (ReW), tungsten (W), or gold palladium (AuPd).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286807A JPS62144328A (en) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | X-ray mask and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286807A JPS62144328A (en) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | X-ray mask and its manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144328A JPS62144328A (en) | 1987-06-27 |
| JPH031821B2 true JPH031821B2 (en) | 1991-01-11 |
Family
ID=17709302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286807A Granted JPS62144328A (en) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | X-ray mask and its manufacturing method |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144328A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294421A (en) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | X-ray exposure mask |
| DE10150874A1 (en) * | 2001-10-04 | 2003-04-30 | Zeiss Carl | Optical element and method for its production as well as a lithography device and a method for the production of a semiconductor component |
| JP4857001B2 (en) * | 2006-03-24 | 2012-01-18 | 積水化成品工業株式会社 | Snow melting equipment |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60286807A patent/JPS62144328A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62144328A (en) | 1987-06-27 |
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