JPH031821B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH031821B2 JPH031821B2 JP28680785A JP28680785A JPH031821B2 JP H031821 B2 JPH031821 B2 JP H031821B2 JP 28680785 A JP28680785 A JP 28680785A JP 28680785 A JP28680785 A JP 28680785A JP H031821 B2 JPH031821 B2 JP H031821B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- mask
- absorption band
- pattern
- ray absorption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、軟Ｘ線源を光源としたＸ線露光に
おいて使用するＸ線マスクとその製造方法に関す
るものである。
おいて使用するＸ線マスクとその製造方法に関す
るものである。
第３図は、従来のＸ線マスクであり、図におい
て、１ａはシリコン等よりなるＸ線マスクの支持
台、２はＸ線透過膜、３はAu等よりなるＸ線吸
収帯パターンである。
て、１ａはシリコン等よりなるＸ線マスクの支持
台、２はＸ線透過膜、３はAu等よりなるＸ線吸
収帯パターンである。
従来、Ｘ線マスクを製造するにおいて、そのＸ
線吸収帯パターン３は、Si3N4、BN等のＸ線透
過膜２上に形成したレジストパターンを使うAu
メツキ法、あるいはＸ線透過膜２上に蒸着した
Auの膜の反応性イオンエツチング（RIE）、スパ
ツタエツチ等によつて形成していた。
線吸収帯パターン３は、Si3N4、BN等のＸ線透
過膜２上に形成したレジストパターンを使うAu
メツキ法、あるいはＸ線透過膜２上に蒸着した
Auの膜の反応性イオンエツチング（RIE）、スパ
ツタエツチ等によつて形成していた。
Ｘ線マスクのコントラストを高めるためには、
Au等のＸ線吸収帯の膜厚を0.5μｍ〜1.0μｍ以上
の厚さにする必要があり、そのためにはAuメツ
キ法がすぐれているが、これでは微細パターン形
成が難しい。又RIE、スパツタエツチ等の方法に
よるＸ線吸収パターンの形成は微細パターン形成
には良いが、膜厚をあまり厚くできず十分なマス
クコントラストを得られないという問題点があつ
た。
Au等のＸ線吸収帯の膜厚を0.5μｍ〜1.0μｍ以上
の厚さにする必要があり、そのためにはAuメツ
キ法がすぐれているが、これでは微細パターン形
成が難しい。又RIE、スパツタエツチ等の方法に
よるＸ線吸収パターンの形成は微細パターン形成
には良いが、膜厚をあまり厚くできず十分なマス
クコントラストを得られないという問題点があつ
た。
この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、膜厚が厚くなくても十分に
高いマスクコントラストを有し、かつ微細パター
ンを形成することのできるＸ線マスク及びその製
造方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、膜厚が厚くなくても十分に
高いマスクコントラストを有し、かつ微細パター
ンを形成することのできるＸ線マスク及びその製
造方法を提供することを目的とする。
本発明に係るＸ線マスクは、Ｘ線吸収帯パター
ンを、Ｘ線吸収係数の大きい物質からなる薄膜と
Ｘ線透過性物質からなる薄膜とが交互に重畳した
多層膜構造としたものである。
ンを、Ｘ線吸収係数の大きい物質からなる薄膜と
Ｘ線透過性物質からなる薄膜とが交互に重畳した
多層膜構造としたものである。
また、本発明の別の発明に係るＸ線マスクの製
造方法は、Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形
成し、その上にＸ線透過性物質とＸ線吸収係数の
大きい物質とを交互に複数回蒸着して多層膜のＸ
線吸収帯を形成し、その後上記レジストパターン
及びその上のＸ線吸収帯を除去するものである。
造方法は、Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形
成し、その上にＸ線透過性物質とＸ線吸収係数の
大きい物質とを交互に複数回蒸着して多層膜のＸ
線吸収帯を形成し、その後上記レジストパターン
及びその上のＸ線吸収帯を除去するものである。
本発明のＸ線マスクにおいては、Ｘ線吸収帯パ
ターンはＸ線吸収物質と透過性物質との多層膜構
造であるので、該吸収物質と透過性物質との境界
面が入射Ｘ線を反射するＸ線ミラーとして機能し
て上記境界面を節とする、下層ほど振幅の小さい
定在波が上記各吸収物質層内で形成され、上記吸
収帯パターンを透過する入射Ｘ線束は著しく少な
くなつてＸ線マスクのマスクコントラストが高ま
る。
ターンはＸ線吸収物質と透過性物質との多層膜構
造であるので、該吸収物質と透過性物質との境界
面が入射Ｘ線を反射するＸ線ミラーとして機能し
て上記境界面を節とする、下層ほど振幅の小さい
定在波が上記各吸収物質層内で形成され、上記吸
収帯パターンを透過する入射Ｘ線束は著しく少な
くなつてＸ線マスクのマスクコントラストが高ま
る。
また、本発明の別の発明のＸ線マスクの製造方
法においては、Ｘ線透過膜上にレジストパターン
を形成した後、その上にＸ線透過性物質と吸収物
質とを交互に複数回蒸着し、その後上記レジスト
パターンを除去するので、多層膜構造のＸ線吸収
帯パターンの形成されたＸ線マスクが得られる。
法においては、Ｘ線透過膜上にレジストパターン
を形成した後、その上にＸ線透過性物質と吸収物
質とを交互に複数回蒸着し、その後上記レジスト
パターンを除去するので、多層膜構造のＸ線吸収
帯パターンの形成されたＸ線マスクが得られる。
以下、この発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の別の発明の一実施例による多
層膜構造のＸ線吸収帯パターンを有するＸ線マス
クの製造方法を工程順に示し、第１図ｄに示す最
終生成物が本発明の一実施例によるＸ線マスクで
ある。図において、１，１ａ，２は従来例と同一
符号は同一ものである。４はレジストパターン、
５は多層膜構造のＸ線吸収帯、５ａはそのパター
ンである。
層膜構造のＸ線吸収帯パターンを有するＸ線マス
クの製造方法を工程順に示し、第１図ｄに示す最
終生成物が本発明の一実施例によるＸ線マスクで
ある。図において、１，１ａ，２は従来例と同一
符号は同一ものである。４はレジストパターン、
５は多層膜構造のＸ線吸収帯、５ａはそのパター
ンである。
第２図はＸ線吸収帯パターン５ａの多層膜構造
を示す。図において、６はＸ線吸収係数の大きい
物質からなる薄膜で、これはAupd合金膜、Ｗ膜、
ReW膜等である。７はＣ（炭素）等のＸ線透過性
物質からなる薄膜、８は入射するＸ線、９は上記
薄膜６，７の境界面を節とする定在波である。
を示す。図において、６はＸ線吸収係数の大きい
物質からなる薄膜で、これはAupd合金膜、Ｗ膜、
ReW膜等である。７はＣ（炭素）等のＸ線透過性
物質からなる薄膜、８は入射するＸ線、９は上記
薄膜６，７の境界面を節とする定在波である。
次に本実施例によるＸ線マスクの製造方法につ
いて説明する。まず第１図ａに示すように、Ｘ線
透過膜２上にレジストパターン４を形成する。次
に第１図ｂに示すように上記レジストパターン４
を形成したものの上にMBE、イオンクラスタビ
ーム等によつて（AuPd、Ｃ）、（Ｗ、Ｃ）、
（ReW、Ｃ）等の薄膜６，７を適当な間隔で交互
に蒸着していき多層膜構造のＸ線吸収帯５を形成
する。次に第１図ｃに示すように、上記レジスト
パターン４及びその上のＸ線吸収帯５を除去し、
第１図ｄに示すように基板１を支持台１ａを残す
ようにエツチングする。このようにして、多層膜
構造を持つたＸ線吸収帯パターン５ａを有するＸ
線マスクが形成される。
いて説明する。まず第１図ａに示すように、Ｘ線
透過膜２上にレジストパターン４を形成する。次
に第１図ｂに示すように上記レジストパターン４
を形成したものの上にMBE、イオンクラスタビ
ーム等によつて（AuPd、Ｃ）、（Ｗ、Ｃ）、
（ReW、Ｃ）等の薄膜６，７を適当な間隔で交互
に蒸着していき多層膜構造のＸ線吸収帯５を形成
する。次に第１図ｃに示すように、上記レジスト
パターン４及びその上のＸ線吸収帯５を除去し、
第１図ｄに示すように基板１を支持台１ａを残す
ようにエツチングする。このようにして、多層膜
構造を持つたＸ線吸収帯パターン５ａを有するＸ
線マスクが形成される。
このような多層膜構造のＸ線吸収帯パターン５
ａでは、第２図で示すように、これにＸ線８が入
射すると、Ｘ線吸収物質からなる薄膜６と透過性
物質からなる薄膜７との境界面で上記入射Ｘ線８
の何割かが反射され、上記薄膜６内で上記境界面
を節とする定在波９が形成され、しかも該定在波
９は下層ほど振幅の小さいものである。したがつ
てＸ線吸収帯パターン５ａを透過するＸ線束は、
入射Ｘ線束−（反射Ｘ線束＋吸収Ｘ線束）となり、
このＸ線吸収帯パターン５ａを透過するＸ線は極
めて少なくなるので、マスクコントラストの高い
Ｘ線マスクが得られる。また、これによりＸ線吸
収帯パターンの膜厚を厚くしなくても、急峻なエ
ツジプロフアイルを持つた微細なレジストパター
ンが得られる。
ａでは、第２図で示すように、これにＸ線８が入
射すると、Ｘ線吸収物質からなる薄膜６と透過性
物質からなる薄膜７との境界面で上記入射Ｘ線８
の何割かが反射され、上記薄膜６内で上記境界面
を節とする定在波９が形成され、しかも該定在波
９は下層ほど振幅の小さいものである。したがつ
てＸ線吸収帯パターン５ａを透過するＸ線束は、
入射Ｘ線束−（反射Ｘ線束＋吸収Ｘ線束）となり、
このＸ線吸収帯パターン５ａを透過するＸ線は極
めて少なくなるので、マスクコントラストの高い
Ｘ線マスクが得られる。また、これによりＸ線吸
収帯パターンの膜厚を厚くしなくても、急峻なエ
ツジプロフアイルを持つた微細なレジストパター
ンが得られる。
以上のようにこの発明によれば、Ｘ線吸収帯パ
ターンを、Ｘ線透過性物質とＸ線吸収係数の大き
い物質とが交互に重畳した多層膜構造としたの
で、より高いマスクコントラストを持つたＸ線マ
スクが得られ、より急峻なエツジプロフアイルを
持つた微細なレジストパターンを形成できる効果
がある。
ターンを、Ｘ線透過性物質とＸ線吸収係数の大き
い物質とが交互に重畳した多層膜構造としたの
で、より高いマスクコントラストを持つたＸ線マ
スクが得られ、より急峻なエツジプロフアイルを
持つた微細なレジストパターンを形成できる効果
がある。
第１図は本発明の別の発明の一実施例によるＸ
線マスクの製造方法を示す工程別断面図、第２図
は本発明の一実施例によるＸ線マスクのＸ線吸収
帯パターンを示す断面図、第３図は従来のＸ線マ
スクを示す断面図である。 図において、１は基板、１ａはＸ線マスク支持
台、２はＸ線透過膜、３はAuからなるＸ線吸収
帯パターン、４はレジストパターン、５は多層膜
構造のＸ線吸収帯、５ａはそのパターン、６はＸ
線吸収係数の大きい物質からなる薄膜、７はＸ線
透過性物質からなる薄膜、８は入射Ｘ線、９は定
在波である。なお図中同一符号は同一又は相当部
分を示す。
線マスクの製造方法を示す工程別断面図、第２図
は本発明の一実施例によるＸ線マスクのＸ線吸収
帯パターンを示す断面図、第３図は従来のＸ線マ
スクを示す断面図である。 図において、１は基板、１ａはＸ線マスク支持
台、２はＸ線透過膜、３はAuからなるＸ線吸収
帯パターン、４はレジストパターン、５は多層膜
構造のＸ線吸収帯、５ａはそのパターン、６はＸ
線吸収係数の大きい物質からなる薄膜、７はＸ線
透過性物質からなる薄膜、８は入射Ｘ線、９は定
在波である。なお図中同一符号は同一又は相当部
分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスク基板上にＸ線吸収帯パターンを形成し
てなるＸ線マスクにおいて、 上記Ｘ線吸収帯パターンが、Ｘ線透過性物質と
Ｘ線吸収係数の大きい物質とを交互に重畳した多
層膜構造からなることを特徴とするＸ線マスク。 ２ 上記Ｘ線透過性物質は炭素(C)であり、上記Ｘ
線吸収係数の大きい物質はレニウムタングステン
（ReW）、タングステン(W)又は金パラジウム
（AuPd）であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＸ線マスク。 ３ マスク基板上にＸ線吸収帯パターンを形成し
てなるＸ線マスクの製造方法において、 Ｘ線吸収帯パターンを形成する工程が、 Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形成する工
程と、 上記レジストパターンを形成したものの上に、
Ｘ線透過性物質とＸ線吸収係数の大きい物質とを
交互に複数回蒸着して多層膜を形成する工程と、 上記レジストパターンを除去する工程とからな
ることを特徴とするＸ線マスクの製造方法。 ４ 上記Ｘ線透過性物質は炭素(C)であり、上記Ｘ
線吸収係数の大きい物質はレニウムタングステン
（ReW）、タングステン(W)又は金パラジウム
（AuPd）であることを特徴とする特許請求の範
囲第３項記載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286807A JPS62144328A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286807A JPS62144328A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144328A JPS62144328A (ja) | 1987-06-27 |
| JPH031821B2 true JPH031821B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=17709302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286807A Granted JPS62144328A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144328A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294421A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | Ｘ線露光マスク |
| DE10150874A1 (de) * | 2001-10-04 | 2003-04-30 | Zeiss Carl | Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung sowie ein Lithographiegerät und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| JP4857001B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2012-01-18 | 積水化成品工業株式会社 | 融雪装置 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60286807A patent/JPS62144328A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62144328A (ja) | 1987-06-27 |
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