JPH03182978A - Pattern collation method - Google Patents

Pattern collation method

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JPH03182978A
JPH03182978A JP1321102A JP32110289A JPH03182978A JP H03182978 A JPH03182978 A JP H03182978A JP 1321102 A JP1321102 A JP 1321102A JP 32110289 A JP32110289 A JP 32110289A JP H03182978 A JPH03182978 A JP H03182978A
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JP
Japan
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pattern
edge
area
reference pattern
sub
Prior art date
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Pending
Application number
JP1321102A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Ito
稔 伊藤
Toshibumi Watanabe
俊文 渡辺
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NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Publication of JPH03182978A publication Critical patent/JPH03182978A/en
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Abstract

PURPOSE:To exclude a large quantity of pseudo faults which occur in an edge part by giving a limited edge width to the edge of a reference pattern so as to generate an edge area and setting the pseudo fault part of an observation pattern area corresponding to the edge area to be an area beyond the object of comparison/collation. CONSTITUTION:The limited edge width is given to the edge of the reference pattern consisting of the area of a value '0' and the area of a value '1' and the edge area 3 is generated. The pattern of the edge area 3 is set to be an auxiliary reference pattern, an input pattern is compared and collated to the reference pattern and a compared result pattern showing a difference between the patterns is compared with the auxiliary reference pattern. A coincident part is judged to be a collation indefinite area. Thus, the pseudo fault of the edge part is excluded while an isolated pattern fault, a pattern cut, the short of the pattern and the lack of the pattern can be detected.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、LSIパターンや印刷パターンの2値又は多
値のパターンを基準パターンと比較照合してパターン間
の相違を抽出するパターン照合方式に関するものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a pattern matching method that compares and matches a binary or multivalued pattern such as an LSI pattern or a printed pattern with a reference pattern to extract differences between the patterns.

〔従来技術〕[Prior art]

LSIパターンや印刷パターンを顕微鏡等により読み取
ってパターン画像を得て、基準パターンの画像と比較照
合することにより、パターンに含まれる欠陥を検出する
ことができる。この場合基準パターンは位置、濃淡とも
精度が著しく高い生の観測パターンから得たもの、ある
いは、設計データから得たものが可能である。観測パタ
ーン画像には雑音、倍率誤差が含まれるため、基準パタ
ーンの画像と比較照合する時、パターンが仮に理想的に
作られていても偽欠陥が検出されてしまう。
Defects included in the pattern can be detected by reading the LSI pattern or printed pattern with a microscope or the like to obtain a pattern image, and comparing and collating the pattern image with an image of a reference pattern. In this case, the reference pattern can be obtained from a raw observation pattern with extremely high accuracy in terms of position and density, or it can be obtained from design data. Since the observed pattern image contains noise and magnification errors, when comparing it with the reference pattern image, false defects will be detected even if the pattern is ideally created.

また、基準パターンの画像が2値画像である時にはパタ
ーン画像を2値化して比較照合するわけであるが、2値
化しきい値の設定によってパターンのエツジが正しく得
られず、やはり偽欠陥が生じる。そのため、従来は、比
較照合して得た欠陥画像に拡大・縮小又は縮小・拡大を
施し、エツジ部の細長い偽欠陥や、雑音による小さい孤
立点つまり偽孤立欠陥を排除することができた。
In addition, when the reference pattern image is a binary image, the pattern image is binarized and compared and matched, but due to the setting of the binarization threshold, the edges of the pattern cannot be obtained correctly, resulting in false defects. . Therefore, in the past, defect images obtained through comparison and verification were enlarged/reduced or reduced/enlarged to eliminate elongated false defects at edges and small isolated points due to noise, that is, false isolated defects.

この例を第7図に示す。実線AはLSIウェハの観測パ
ターン画像の輪郭、破線Bは設計パターンの輪郭である
。比較照合して違いが検出された部分を斜線Cで示す。
An example of this is shown in FIG. The solid line A is the outline of the observed pattern image of the LSI wafer, and the broken line B is the outline of the designed pattern. A diagonal line C indicates a portion where a difference is detected after comparison.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、パターン境界部分、すなわちエツジの位置は
前述したように画像の雑音1分解能、倍率誤差さらに場
合によってはパターン位置ずれによって不確かであるた
め、エツジ密度程度に多量に検出されるが、エツジ部の
斜線部は偽欠陥とし排除したいことが多い。そこで、こ
の偽欠陥を排除するため縮小拡大、拡大縮小を施す。そ
の結果斜線部c1. C7,C4,C6,C7は消え、
C3,C5が欠陥として区別される。しかし、本来欠陥
として識別されるべきものは、ノ、(増パターンのエツ
ジ部にはないもの、すなわち、C2,C3,C4゜C5
,C6,C7であり、前記方法ではC7,C4゜C6お
よびC7は識別されないこととなる。
By the way, as mentioned above, the position of the pattern boundary part, that is, the edge part, is uncertain due to image noise, 1 resolution, magnification error, and in some cases, pattern position shift, so it is detected in large quantities similar to the edge density. The shaded areas are often treated as false defects and should be eliminated. Therefore, in order to eliminate these false defects, scaling and scaling are performed. As a result, the shaded area c1. C7, C4, C6, C7 disappear,
C3 and C5 are distinguished as defects. However, the defects that should originally be identified are:
, C6, C7, and in the above method, C7, C4°C6 and C7 are not identified.

特に、CGおよびC7はLSIパターンでは重大な欠陥
であるが、それが識別されないことは多量に発生するエ
ツジ領域の偽欠陥を排除したことによる犠牲であり重大
な問題である。従ってエツジ部の偽欠陥を排除すること
と小さい重大な欠陥を見落さないことの両方を満たすこ
とができなかった。
In particular, CG and C7 are serious defects in LSI patterns, but the fact that they are not identified is a sacrifice made by eliminating false defects in edge regions that occur in large numbers, and is a serious problem. Therefore, it has not been possible to eliminate false defects at edges and not overlook small serious defects.

本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
ある。
The present invention has been made to solve the above problems.

本発明の目的は、エツジ部の偽欠陥を排除しながら孤立
したパターン欠陥、パターン切れ、パターンの短絡、パ
ターンの中のパターン抜は等を検出することが可能なパ
ターン照合方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a pattern matching method that can detect isolated pattern defects, pattern breaks, pattern short circuits, pattern omissions, etc. while eliminating false defects at edges. be.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

前記目的を遠戚するために、本発明は、入力パターンと
基準パターンを比較照合するパターン照合方法において
、基準パターンのエツジに有限のエツジ幅を付与してエ
ツジ領域を作威し、該エツジ領域のパターンを副基準パ
ターンとし、入力パターンと基準パターンの間で比較照
合を行い、パターン間の相違を示す比較結果パターンを
得て、該比較結果パターンと前記の副基準パターンを比
較し一致する部分を照合不確定領域であると判定するこ
とを最も主要な特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a pattern matching method for comparing and matching an input pattern and a reference pattern, in which a finite edge width is given to the edge of the reference pattern to create an edge area, and the edge area is The pattern is set as a sub-reference pattern, a comparison is made between the input pattern and the reference pattern, a comparison result pattern indicating a difference between the patterns is obtained, and the comparison result pattern and the above-mentioned sub-reference pattern are compared and matching portions are obtained. The most important feature is to determine that the area is a verification uncertainty region.

また、前記基準パターンのエツジに有限のエツジ幅を付
与してエツジ領域を作製し、該エツジ領域のパターンを
副基車パターンとし、該副基準パターンと前記基準パタ
ーンの各画素のコードを論理脅威して両方のパターンの
コードを兼ね備えるようにした合成基準パターンを作製
し、該合成基準パターンと前記入力パターンを比較して
パターンの一致部分、不一致部分、照合不確定部分を抽
出することを特徴とする。
Further, an edge area is created by giving a finite edge width to the edge of the reference pattern, the pattern of the edge area is used as a sub-base car pattern, and the code of each pixel of the sub-reference pattern and the reference pattern is used as a logical threat. A synthetic reference pattern is created that combines the codes of both patterns, and the synthetic reference pattern and the input pattern are compared to extract matched parts, mismatched parts, and uncertain matching parts of the patterns. do.

〔作用〕[Effect]

前述の手段によれば、基準パターンのエツジに有限のエ
ツジ幅を付与してエツジ領域を作成し、該エツジ領域の
パターンを副基準パターンとし、入力パターンと基準パ
ターンの間で比較照合を行い、パターン間の相違を示す
比較結果パターンを得て、該比較結果パターンと前記の
副基準パターンを比較し一致する部分を照合不確定領域
であると判定するか、あるいは、前記エツジ領域のパタ
ーンを副基準パターンとし、該副基準パターンと前記基
準パターンの各画素のコードを論理脅威して両方のパタ
ーンのコードを兼ね備えるようにした合成基準パター、
ンを作製し、該合成基準パターンと前記入力パタ′−ン
を比較してパターンの一致部分、不一致部分、照合不確
定部分を抽出するので、エツジ部の偽欠陥を排除しなが
ら孤立したパターン欠陥、パターン切れ、パターンの短
絡、パターンの中のパターン抜は等を検出することがで
きる。
According to the above-mentioned means, an edge region is created by giving a finite edge width to the edges of a reference pattern, the pattern of the edge region is used as a sub-reference pattern, and a comparison is performed between the input pattern and the reference pattern; Either a comparison result pattern indicating a difference between the patterns is obtained, the comparison result pattern is compared with the sub-reference pattern, and the matching portion is determined to be a matching uncertain region, or the pattern in the edge region is sub-referenced. a synthetic reference pattern which is a reference pattern and combines the codes of both patterns by logically interpolating the code of each pixel of the sub-reference pattern and the reference pattern;
The synthesis reference pattern is compared with the input pattern to extract matched parts, mismatched parts, and uncertain matching parts, so that isolated pattern defects can be eliminated while eliminating false defects at edges. , pattern breakage, pattern short circuit, pattern omission within a pattern, etc. can be detected.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be specifically described using the drawings.

なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
Note that throughout the description of the embodiments, parts having the same functions are given the same reference numerals, and repeated explanations thereof will be omitted.

〔実施例1〕 第1A図及び第1B図は、本発明のパターン照合方法の
実施例1を説明するための図であり、第1A図は、本実
施例1の基準パターンを示す図であって、値110″′
の領域と値゛′1″′の領域から戊る。破線は値II 
O++の領域と値LL I I+領領域境界を示し、第
7図の破線と同じである。
[Example 1] Figures 1A and 1B are diagrams for explaining Example 1 of the pattern matching method of the present invention, and Figure 1A is a diagram showing the reference pattern of Example 1. So, the value is 110″′
and the area of value ``1''.The dashed line is the value II
It shows the O++ region and the value LL I I+ region region boundary, and is the same as the broken line in FIG.

第1B図は、本実施例1のパターン境界の両側に幅をつ
け、それをエツジ領域とし、値“3′″を付与した副基
準パターンである。
FIG. 1B shows a sub-reference pattern in which widths are added to both sides of the pattern boundary of the first embodiment, which are used as edge regions, and a value of "3'" is assigned.

第2図は1本実施例1のパターン照合方法を実施するた
めの装置の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of an apparatus for carrying out the pattern matching method of the first embodiment.

第2図において、1はデータ入力装置であり、例えば、
キーボード、マウス等を用いる。2はパターン入力装置
であり、例えば、走査型顕微鏡を用い、例えばLSIウ
ェハ上のパターンを光学像に変換し、それを走査して画
像データとして入力する。3は処理装置であり、コンピ
ュータからなる。4は出力装置であり、前記処理装置3
で処理された結果を出力する。5は前記処理装置3を制
御する制御プログラムを格納するプログラムメモリであ
る。6は処理演算等が行われる画像を格納する処理用メ
モリである。7は画像やデータを格納しておくための外
部メモリであり、例えば、磁気ディスク、光ディスク、
磁気テープ等を用いる。
In FIG. 2, 1 is a data input device, for example,
Use a keyboard, mouse, etc. A pattern input device 2 converts a pattern on an LSI wafer into an optical image using, for example, a scanning microscope, scans it, and inputs it as image data. 3 is a processing device consisting of a computer. 4 is an output device, and the processing device 3
Output the processed results. A program memory 5 stores a control program for controlling the processing device 3. Reference numeral 6 denotes a processing memory that stores images on which processing operations and the like are performed. 7 is an external memory for storing images and data, such as a magnetic disk, an optical disk,
Use magnetic tape, etc.

次に、本実施例工のパターン照合方法の処理手順を説明
する。
Next, the processing procedure of the pattern matching method of this embodiment will be explained.

第3図は、本実施例1のパターン照合方法の処理手順を
示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing the processing procedure of the pattern matching method of the first embodiment.

本実施例のパターン照合方法の処理手順は、第=8− 3図に示すように、第2図に示すパターン入力装置2に
より観測パターンの画像を入力する(ステップ101)
。この観測パターンの画像の2値化閾値を処理装置3に
より算出しくステップ102)、この2値化閾値により
観測パターンの画像を2値化(“0″又は“1”)する
(ステップ103)。この2値化された観測パターンの
画像データは、処理用メモリ6に一時格納される。
The processing procedure of the pattern matching method of this embodiment is as shown in Fig. 8-3, in which an image of an observed pattern is input using the pattern input device 2 shown in Fig. 2 (step 101).
. The processing device 3 calculates a binarization threshold value for the image of the observation pattern (step 102), and binarizes the image of the observation pattern (to "0" or "1") using this binarization threshold value (step 103). This binarized image data of the observation pattern is temporarily stored in the processing memory 6.

一方、基準パターン(第1A図)をパターン入力袋M2
により入力しくステップ104)、この基準パターンの
エツジを処理装置3により検出する(ステップ↓05)
。この検出されたエツジにエツジ幅領域を作成しくステ
ップ106)、このエツジ幅領域に値″3”を付与して
副基準パターン(“O++  111”に“3”が加わ
って修正された基準パターン)を得て(ステップ107
)、処理用メモリ6に一時格納される。
On the other hand, the reference pattern (Fig. 1A) is input into pattern input bag M2.
The edge of this reference pattern is detected by the processing device 3 (step ↓05).
. An edge width area is created for this detected edge (step 106), and a value "3" is assigned to this edge width area to create a sub-reference pattern (a reference pattern modified by adding "3" to "O++111"). (step 107
), are temporarily stored in the processing memory 6.

次に、処理用メモリ6から2値化された観測パターンの
画像データと副基準パターン値を読み出して、両者の差
を算出する(ステップ108)。
Next, the binarized image data of the observed pattern and the sub-reference pattern values are read out from the processing memory 6, and the difference between them is calculated (step 108).

この差の値を分類(欠陥抽出)シ(ステップ109)、
ファイル出力して(ステップ110)、出力装置4に表
示する(ステップ111)。
This difference value is classified (defect extraction) (step 109);
A file is output (step 110) and displayed on the output device 4 (step 111).

第4図は、第7図のうちの2値観測パターンを値“01
7,111+1で表わし、第1B図の副基準パターンを
減じたものである。
Figure 4 shows the binary observation pattern in Figure 7 with the value “01”.
7,111+1, subtracted from the sub-reference pattern of FIG. 1B.

副基準パターンでの値″0”又はII I IIに対し
ては、減算値は1”又は“O”又はrr  1”となり
、値“1″は過剰パターン又は短絡、値“l″″はパタ
ーン抜は又はパターン切れ、値II O++は一致を表
わす。
For the value "0" or II II II in the sub-reference pattern, the subtraction value is 1" or "O" or rr 1", the value "1" is an excess pattern or short circuit, and the value "l" is a pattern A cutout or pattern cutout, the value II O++ represents a match.

一方、副基準パターン値II 3 ++に対しては値−
2″又は“−3″になる。このため、減算値が−1より
小さい領域を比較照合対象外又は強制一致領域とするこ
とができる。この時、第7図のC2、C3、C4、Cs
 、Cs 、C7は、減算値がLL I ++111”
  111+1   1”  −1”I ++となり、
過剰パターン、パターン抜け、パターン短絡、パターン
切れが明確に検出できる。
On the other hand, for the sub-reference pattern value II 3 ++, the value -
2" or "-3". Therefore, areas where the subtraction value is less than -1 can be excluded from comparison or matching areas. At this time, C2, C3, C4, Cs in FIG.
, Cs, C7, the subtraction value is LL I ++111"
111+1 1”-1”I ++,
Excessive patterns, pattern omissions, pattern short circuits, and pattern breaks can be clearly detected.

なお、所望サイズ以上の欠陥を抽出するならば、この段
階で縮小・拡大および拡大・縮小を施せばよい。
Note that if defects larger than a desired size are to be extracted, reduction/enlargement and enlargement/reduction may be performed at this stage.

〔実施例2〕 本実施例2のパターン照合方法の処理手順を説明する。[Example 2] The processing procedure of the pattern matching method of the second embodiment will be explained.

第5図は、本実施例2のパターン照合方法の処理手順を
示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing the processing procedure of the pattern matching method of the second embodiment.

本実施例2のパターン照合方法の処理手順は、第3図に
示すように、第2図に示すパターン入力装置2により観
測パターンの画像を入力する(ステップ201)。この
観測パターンの画像の2値化閾値を処理装置3により算
出しくステップ202)、この2値化閾値により観測パ
ターンの画像を2値化(II OII又は+i 1 n
 )する(ステップ203)。この2植化された観測パ
ターンの画像データは、処理用メモリ6に一時格納され
る。そして、基準パターン(第1A図)をパターン入力
装置2により入力しくステップ204) 、前記処理用
メモリ6から2値化された観測パターンの画像データを
読み出し、両者の差を算出する(ステツブ205)。
In the processing procedure of the pattern matching method of the second embodiment, as shown in FIG. 3, an image of an observed pattern is input using the pattern input device 2 shown in FIG. 2 (step 201). The processing device 3 calculates a binarization threshold for the image of this observation pattern (step 202), and binarizes the image of the observation pattern using this binarization threshold (II OII or +i 1 n
) (step 203). The image data of this two-planted observation pattern is temporarily stored in the processing memory 6. Then, the reference pattern (FIG. 1A) is inputted into the pattern input device 2 (step 204), the binarized image data of the observation pattern is read out from the processing memory 6, and the difference between the two is calculated (step 205). .

一方、前記J& 1<’jパターン(第1AI¥1)の
エツジを処理装置3により検出する(ステップ206)
On the other hand, edges of the J&1<'j pattern (first AI\1) are detected by the processing device 3 (step 206).
.

この検出されたエツジにエツジ幅領域を作成し、このエ
ツジ幅領域に′3″を付与した側基憎パターンを得る(
ステップ207)。
An edge width area is created for this detected edge, and a side base pattern is obtained by adding '3'' to this edge width area (
Step 207).

次に、前記算出された差がII OI+以外で、かつ、
側基やパターン値u 3 IIの゛′0″以外かつ副基
準パターンにおいて“3″となっている画素に、rr 
3 uを付与しくステップ208)、これをファイル出
力して(ステップ209)、出力装置4に−1”又は“
1”を表示する(ステップ210)。
Next, the calculated difference is other than II OI+, and
For pixels other than ``'0'' of the side group or pattern value u 3 II and which is ``3'' in the sub-reference pattern, rr
3 Add u (Step 208), output this to a file (Step 209), and output -1" or " to the output device 4.
1” is displayed (step 210).

つまり1本実施例2のパターン照合方法は、第6図に示
すように、2値観測パターンが′O″′″1”で構成さ
れており、その分布は第7図に示されているものと同じ
とする。
In other words, in the pattern matching method of Embodiment 2, as shown in FIG. 6, the binary observed pattern consists of ``O''''''1'', and its distribution is as shown in FIG. Assume that it is the same as

第7図に示す2値観測パターンから第1A図に示す基準
パターンを減じると、第7図の斜線部が′l″又は“−
1”となり、他はLL OIIとなる。
When the reference pattern shown in FIG. 1A is subtracted from the binary observation pattern shown in FIG. 7, the shaded area in FIG.
1”, and the others are LL OII.

次に、基準パターンのエツジ領域を表わす第1B図を副
基準パターンとし、第7図のパターンと第1B図のパタ
ーンの比較を行う。この場合、副基準パターンはエツジ
領域と非エツジ領域との区別がつけばよいからエツジ領
域は“工”、他は“O”でもよい。第1B図に示した番
号付けとする場合、第1A図及び第1B図の“3”の領
域にある第7図の斜線部をLL 3 IIに変換すると
第6図となりII I T+又は111+1を識別すれ
ば、偽欠陥C□を排除し、過剰パターン、パターン抜け
、パターン短絡、パターン切れを示すC21c3. c
、、 c、。
Next, the pattern in FIG. 7 and the pattern in FIG. 1B are compared by using FIG. 1B representing the edge area of the reference pattern as a sub-reference pattern. In this case, since it is sufficient for the sub-reference pattern to distinguish between an edge area and a non-edge area, the edge area may be "D" and the others may be "O". In the case of numbering as shown in Figure 1B, converting the shaded part in Figure 7 in the area "3" in Figures 1A and 1B to LL 3 II results in Figure 6, which is II I T+ or 111+1. If identified, false defects C□ will be eliminated, and C21c3. c.
,,c,.

C,、C,を明確に識別できる。C,,C,can be clearly identified.

以上の説明かられかるように、前記実施例1゜2によれ
ば、基準パターンのエツジに有限のエツジ幅を付与して
エツジ領域II 3 IIを作製し、エツジ領域+13
1+に対応する観測パターン領域の偽欠陥部分を比較照
合対象外領域又は強制一致領域とすることにより、エツ
ジ部以外にある過剰パターン、パターン抜け、短絡、パ
ターン切れを保存しつつ、エツジ部に発生する多量の偽
欠陥を排除することができる。
As can be seen from the above description, according to the embodiment 1-2, the edge region II 3 II is created by giving a finite edge width to the edge of the reference pattern, and the edge region +13
By setting the false defect part of the observed pattern area corresponding to 1+ as the area not subject to comparison or matching, or the forced matching area, excessive patterns, missing patterns, short circuits, and broken patterns that occur outside the edge area can be preserved while preserving them. A large number of false defects can be eliminated.

なお、エツジ部の細かい小さいパターン欠けや突起は、
そのサイズがエツジ幅より小さければ排除されるのでそ
れの検出には本発明は向かない。
In addition, fine small pattern chips and protrusions on the edges,
If the size is smaller than the edge width, it will be rejected, so the present invention is not suitable for detecting this.

しかし、エツジ部の小さい突起や欠けは一般には重要で
なくほとんどの場合無視してよい。このため、エツジ部
の小さい突起や欠けの検出を排除することは通゛・常検
査条件にマツチしている。
However, small protrusions or chips on the edges are generally unimportant and can be ignored in most cases. Therefore, excluding the detection of small protrusions and chips at the edges generally meets the normal inspection conditions.

また、前記実施例1,2では、2値画像又は、2値化処
理により得た2値画像を対象としたが、エツジ領域を他
と区別できることだけが条件であるから多値画像をも対
象とすることができることは明白である。
In addition, in Examples 1 and 2, binary images or binary images obtained by binarization processing were targeted, but since the only condition is that edge regions can be distinguished from others, multivalued images are also targeted. It is clear that this can be done.

以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において神々変更可能であること
は言うまでもない。
The present invention has been specifically explained above based on examples, but
It goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be modified without departing from the spirit thereof.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、説明したように、本発明によれば、基準パターン
のエツジに有限のエツジ幅を付与してエツジ領域を作製
し、エツジ領域に対応する観測パターン領域の偽欠陥部
分を比較照合対象外領域又は強制一致領域とすることに
より、エツジ部以外にある過剰パターン、パターン抜け
、短絡、パターン切れを保存しつつ、エツジ部に発生す
る多量の偽欠陥を排除することができる。
As described above, according to the present invention, an edge region is created by giving a finite edge width to the edge of a reference pattern, and a false defect portion of an observed pattern region corresponding to the edge region is compared with the non-verification target region. Alternatively, by forming a forced matching area, it is possible to eliminate a large number of false defects occurring at the edge portions while preserving excessive patterns, missing patterns, short circuits, and broken patterns outside the edge portions.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1A図及び第1B図は、本発明のパターン照合方法の
実施例1を説明するための図、第2図は、本実施例1の
パターン照合方法を実施するための装置の概略構成を示
すブロック図、第3図は、本実施例1のパターン照合方
法の処理手順を示すフローチャート、 第4図は、観測パターンと副基準パターンとの比較照合
結果を示す図。 第5図は、本実施例2のパターン照合方法の処理手順を
示すフローチャート、 第6図は、本発明のパターン照合方法の実施例2を説明
するための図、 第7図は、従来のパターン照合方法の問題点を説明する
ための図である。 図中、1・・データ入力装置、2・パターン入力装置、
3・・・処理装置、4・・・出力装置、5・・・プログ
ラムメモリ6・・・処理用メモリ、7・・・外部メモリ
1A and 1B are diagrams for explaining a first embodiment of the pattern matching method of the present invention, and FIG. 2 shows a schematic configuration of an apparatus for implementing the pattern matching method of the first embodiment. 3 is a flowchart showing the processing procedure of the pattern matching method of the first embodiment; FIG. 4 is a diagram showing the results of comparison between the observed pattern and the sub-reference pattern; FIG. FIG. 5 is a flowchart showing the processing procedure of the pattern matching method of the second embodiment, FIG. 6 is a diagram for explaining the second embodiment of the pattern matching method of the present invention, and FIG. 7 is a diagram showing the conventional pattern matching method. FIG. 3 is a diagram for explaining problems with the matching method. In the figure, 1...data input device, 2. pattern input device,
3... Processing device, 4... Output device, 5... Program memory 6... Processing memory, 7... External memory.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)入力パターンと基準パターンを比較照合するパタ
ーン照合方法において、基準パターンのエッジに有限の
エッジ幅を付与してエッジ領域を作製し、該エッジ領域
のパターンを副基準パターンとし、入力パターンと基準
パターンの間で比較照合を行い、パターン間の相違を示
す比較結果パターンを得て、該比較結果パターンと前記
の副基準パターンを比較し一致する部分を照合不確定領
域であると判定することを特徴とするパターン照合方法
(1) In a pattern matching method that compares and matches an input pattern and a reference pattern, an edge region is created by adding a finite edge width to the edge of the reference pattern, and the pattern in the edge region is used as a sub-reference pattern, and the input pattern and Comparing and matching the reference patterns, obtaining a comparison result pattern indicating a difference between the patterns, comparing the comparison result pattern with the sub-reference pattern, and determining a matching portion as a matching uncertain region. A pattern matching method characterized by:
(2)入力パターンと基準パターンを比較照合するパタ
ーン照合方法において、基準パターンのエッジに有限の
エッジ幅を付与してエッジ領域を作製し、該エッジ領域
のパターンを副基準パターンとし、該副基準パターンと
前記基準パターンの各画素のコードを論理合成して両方
のパターンのコードを兼ね備えるようにした合成基準パ
ターンを作製し、該合成基準パターンと前記入力パター
ンを比較してパターンの一致部分、不一致部分、及び照
合不確定部分を抽出することを特徴とするパターン照合
方法。
(2) In a pattern matching method that compares and matches an input pattern and a reference pattern, an edge area is created by adding a finite edge width to the edge of the reference pattern, the pattern in the edge area is used as a sub-reference pattern, and the sub-reference pattern is A synthetic reference pattern is created by logically synthesizing the code of each pixel of the pattern and the reference pattern, and combines the codes of both patterns.The synthetic reference pattern and the input pattern are compared to determine whether the patterns match or do not match. A pattern matching method characterized by extracting a part and a part whose matching is uncertain.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07210684A (en) * 1994-01-20 1995-08-11 Asia Electron Inc Method for inspecting picture

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JPH07210684A (en) * 1994-01-20 1995-08-11 Asia Electron Inc Method for inspecting picture

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