JPH03182978A - パターン照合方法 - Google Patents
パターン照合方法Info
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- JPH03182978A JPH03182978A JP1321102A JP32110289A JPH03182978A JP H03182978 A JPH03182978 A JP H03182978A JP 1321102 A JP1321102 A JP 1321102A JP 32110289 A JP32110289 A JP 32110289A JP H03182978 A JPH03182978 A JP H03182978A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＬＳＩパターンや印刷パターンの２値又は多
値のパターンを基準パターンと比較照合してパターン間
の相違を抽出するパターン照合方式に関するものである
。
値のパターンを基準パターンと比較照合してパターン間
の相違を抽出するパターン照合方式に関するものである
。
ＬＳＩパターンや印刷パターンを顕微鏡等により読み取
ってパターン画像を得て、基準パターンの画像と比較照
合することにより、パターンに含まれる欠陥を検出する
ことができる。この場合基準パターンは位置、濃淡とも
精度が著しく高い生の観測パターンから得たもの、ある
いは、設計データから得たものが可能である。観測パタ
ーン画像には雑音、倍率誤差が含まれるため、基準パタ
ーンの画像と比較照合する時、パターンが仮に理想的に
作られていても偽欠陥が検出されてしまう。
ってパターン画像を得て、基準パターンの画像と比較照
合することにより、パターンに含まれる欠陥を検出する
ことができる。この場合基準パターンは位置、濃淡とも
精度が著しく高い生の観測パターンから得たもの、ある
いは、設計データから得たものが可能である。観測パタ
ーン画像には雑音、倍率誤差が含まれるため、基準パタ
ーンの画像と比較照合する時、パターンが仮に理想的に
作られていても偽欠陥が検出されてしまう。
また、基準パターンの画像が２値画像である時にはパタ
ーン画像を２値化して比較照合するわけであるが、２値
化しきい値の設定によってパターンのエツジが正しく得
られず、やはり偽欠陥が生じる。そのため、従来は、比
較照合して得た欠陥画像に拡大・縮小又は縮小・拡大を
施し、エツジ部の細長い偽欠陥や、雑音による小さい孤
立点つまり偽孤立欠陥を排除することができた。
ーン画像を２値化して比較照合するわけであるが、２値
化しきい値の設定によってパターンのエツジが正しく得
られず、やはり偽欠陥が生じる。そのため、従来は、比
較照合して得た欠陥画像に拡大・縮小又は縮小・拡大を
施し、エツジ部の細長い偽欠陥や、雑音による小さい孤
立点つまり偽孤立欠陥を排除することができた。
この例を第７図に示す。実線ＡはＬＳＩウェハの観測パ
ターン画像の輪郭、破線Ｂは設計パターンの輪郭である
。比較照合して違いが検出された部分を斜線Ｃで示す。
ターン画像の輪郭、破線Ｂは設計パターンの輪郭である
。比較照合して違いが検出された部分を斜線Ｃで示す。
ところで、パターン境界部分、すなわちエツジの位置は
前述したように画像の雑音１分解能、倍率誤差さらに場
合によってはパターン位置ずれによって不確かであるた
め、エツジ密度程度に多量に検出されるが、エツジ部の
斜線部は偽欠陥とし排除したいことが多い。そこで、こ
の偽欠陥を排除するため縮小拡大、拡大縮小を施す。そ
の結果斜線部ｃ１． Ｃ７，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ７は消え、
Ｃ３，Ｃ５が欠陥として区別される。しかし、本来欠陥
として識別されるべきものは、ノ、（増パターンのエツ
ジ部にはないもの、すなわち、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４゜Ｃ５
，Ｃ６，Ｃ７であり、前記方法ではＣ７，Ｃ４゜Ｃ６お
よびＣ７は識別されないこととなる。
前述したように画像の雑音１分解能、倍率誤差さらに場
合によってはパターン位置ずれによって不確かであるた
め、エツジ密度程度に多量に検出されるが、エツジ部の
斜線部は偽欠陥とし排除したいことが多い。そこで、こ
の偽欠陥を排除するため縮小拡大、拡大縮小を施す。そ
の結果斜線部ｃ１． Ｃ７，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ７は消え、
Ｃ３，Ｃ５が欠陥として区別される。しかし、本来欠陥
として識別されるべきものは、ノ、（増パターンのエツ
ジ部にはないもの、すなわち、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４゜Ｃ５
，Ｃ６，Ｃ７であり、前記方法ではＣ７，Ｃ４゜Ｃ６お
よびＣ７は識別されないこととなる。
特に、ＣＧおよびＣ７はＬＳＩパターンでは重大な欠陥
であるが、それが識別されないことは多量に発生するエ
ツジ領域の偽欠陥を排除したことによる犠牲であり重大
な問題である。従ってエツジ部の偽欠陥を排除すること
と小さい重大な欠陥を見落さないことの両方を満たすこ
とができなかった。
であるが、それが識別されないことは多量に発生するエ
ツジ領域の偽欠陥を排除したことによる犠牲であり重大
な問題である。従ってエツジ部の偽欠陥を排除すること
と小さい重大な欠陥を見落さないことの両方を満たすこ
とができなかった。
本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、エツジ部の偽欠陥を排除しながら孤立
したパターン欠陥、パターン切れ、パターンの短絡、パ
ターンの中のパターン抜は等を検出することが可能なパ
ターン照合方法を提供することにある。
したパターン欠陥、パターン切れ、パターンの短絡、パ
ターンの中のパターン抜は等を検出することが可能なパ
ターン照合方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
前記目的を遠戚するために、本発明は、入力パターンと
基準パターンを比較照合するパターン照合方法において
、基準パターンのエツジに有限のエツジ幅を付与してエ
ツジ領域を作威し、該エツジ領域のパターンを副基準パ
ターンとし、入力パターンと基準パターンの間で比較照
合を行い、パターン間の相違を示す比較結果パターンを
得て、該比較結果パターンと前記の副基準パターンを比
較し一致する部分を照合不確定領域であると判定するこ
とを最も主要な特徴とする。
基準パターンを比較照合するパターン照合方法において
、基準パターンのエツジに有限のエツジ幅を付与してエ
ツジ領域を作威し、該エツジ領域のパターンを副基準パ
ターンとし、入力パターンと基準パターンの間で比較照
合を行い、パターン間の相違を示す比較結果パターンを
得て、該比較結果パターンと前記の副基準パターンを比
較し一致する部分を照合不確定領域であると判定するこ
とを最も主要な特徴とする。
また、前記基準パターンのエツジに有限のエツジ幅を付
与してエツジ領域を作製し、該エツジ領域のパターンを
副基車パターンとし、該副基準パターンと前記基準パタ
ーンの各画素のコードを論理脅威して両方のパターンの
コードを兼ね備えるようにした合成基準パターンを作製
し、該合成基準パターンと前記入力パターンを比較して
パターンの一致部分、不一致部分、照合不確定部分を抽
出することを特徴とする。
与してエツジ領域を作製し、該エツジ領域のパターンを
副基車パターンとし、該副基準パターンと前記基準パタ
ーンの各画素のコードを論理脅威して両方のパターンの
コードを兼ね備えるようにした合成基準パターンを作製
し、該合成基準パターンと前記入力パターンを比較して
パターンの一致部分、不一致部分、照合不確定部分を抽
出することを特徴とする。
前述の手段によれば、基準パターンのエツジに有限のエ
ツジ幅を付与してエツジ領域を作成し、該エツジ領域の
パターンを副基準パターンとし、入力パターンと基準パ
ターンの間で比較照合を行い、パターン間の相違を示す
比較結果パターンを得て、該比較結果パターンと前記の
副基準パターンを比較し一致する部分を照合不確定領域
であると判定するか、あるいは、前記エツジ領域のパタ
ーンを副基準パターンとし、該副基準パターンと前記基
準パターンの各画素のコードを論理脅威して両方のパタ
ーンのコードを兼ね備えるようにした合成基準パター、
ンを作製し、該合成基準パターンと前記入力パタ′−ン
を比較してパターンの一致部分、不一致部分、照合不確
定部分を抽出するので、エツジ部の偽欠陥を排除しなが
ら孤立したパターン欠陥、パターン切れ、パターンの短
絡、パターンの中のパターン抜は等を検出することがで
きる。
ツジ幅を付与してエツジ領域を作成し、該エツジ領域の
パターンを副基準パターンとし、入力パターンと基準パ
ターンの間で比較照合を行い、パターン間の相違を示す
比較結果パターンを得て、該比較結果パターンと前記の
副基準パターンを比較し一致する部分を照合不確定領域
であると判定するか、あるいは、前記エツジ領域のパタ
ーンを副基準パターンとし、該副基準パターンと前記基
準パターンの各画素のコードを論理脅威して両方のパタ
ーンのコードを兼ね備えるようにした合成基準パター、
ンを作製し、該合成基準パターンと前記入力パタ′−ン
を比較してパターンの一致部分、不一致部分、照合不確
定部分を抽出するので、エツジ部の偽欠陥を排除しなが
ら孤立したパターン欠陥、パターン切れ、パターンの短
絡、パターンの中のパターン抜は等を検出することがで
きる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
〔実施例１〕
第１Ａ図及び第１Ｂ図は、本発明のパターン照合方法の
実施例１を説明するための図であり、第１Ａ図は、本実
施例１の基準パターンを示す図であって、値１１０″′
の領域と値゛′１″′の領域から戊る。破線は値ＩＩ
Ｏ＋＋の領域と値ＬＬ Ｉ Ｉ＋領領域境界を示し、第
７図の破線と同じである。
実施例１を説明するための図であり、第１Ａ図は、本実
施例１の基準パターンを示す図であって、値１１０″′
の領域と値゛′１″′の領域から戊る。破線は値ＩＩ
Ｏ＋＋の領域と値ＬＬ Ｉ Ｉ＋領領域境界を示し、第
７図の破線と同じである。
第１Ｂ図は、本実施例１のパターン境界の両側に幅をつ
け、それをエツジ領域とし、値“３′″を付与した副基
準パターンである。
け、それをエツジ領域とし、値“３′″を付与した副基
準パターンである。
第２図は１本実施例１のパターン照合方法を実施するた
めの装置の概略構成を示すブロック図である。
めの装置の概略構成を示すブロック図である。
第２図において、１はデータ入力装置であり、例えば、
キーボード、マウス等を用いる。２はパターン入力装置
であり、例えば、走査型顕微鏡を用い、例えばＬＳＩウ
ェハ上のパターンを光学像に変換し、それを走査して画
像データとして入力する。３は処理装置であり、コンピ
ュータからなる。４は出力装置であり、前記処理装置３
で処理された結果を出力する。５は前記処理装置３を制
御する制御プログラムを格納するプログラムメモリであ
る。６は処理演算等が行われる画像を格納する処理用メ
モリである。７は画像やデータを格納しておくための外
部メモリであり、例えば、磁気ディスク、光ディスク、
磁気テープ等を用いる。
キーボード、マウス等を用いる。２はパターン入力装置
であり、例えば、走査型顕微鏡を用い、例えばＬＳＩウ
ェハ上のパターンを光学像に変換し、それを走査して画
像データとして入力する。３は処理装置であり、コンピ
ュータからなる。４は出力装置であり、前記処理装置３
で処理された結果を出力する。５は前記処理装置３を制
御する制御プログラムを格納するプログラムメモリであ
る。６は処理演算等が行われる画像を格納する処理用メ
モリである。７は画像やデータを格納しておくための外
部メモリであり、例えば、磁気ディスク、光ディスク、
磁気テープ等を用いる。
次に、本実施例工のパターン照合方法の処理手順を説明
する。
する。
第３図は、本実施例１のパターン照合方法の処理手順を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
本実施例のパターン照合方法の処理手順は、第＝８−
３図に示すように、第２図に示すパターン入力装置２に
より観測パターンの画像を入力する（ステップ１０１）
。この観測パターンの画像の２値化閾値を処理装置３に
より算出しくステップ１０２）、この２値化閾値により
観測パターンの画像を２値化（“０″又は“１”）する
（ステップ１０３）。この２値化された観測パターンの
画像データは、処理用メモリ６に一時格納される。
より観測パターンの画像を入力する（ステップ１０１）
。この観測パターンの画像の２値化閾値を処理装置３に
より算出しくステップ１０２）、この２値化閾値により
観測パターンの画像を２値化（“０″又は“１”）する
（ステップ１０３）。この２値化された観測パターンの
画像データは、処理用メモリ６に一時格納される。
一方、基準パターン（第１Ａ図）をパターン入力袋Ｍ２
により入力しくステップ１０４）、この基準パターンの
エツジを処理装置３により検出する（ステップ↓０５）
。この検出されたエツジにエツジ幅領域を作成しくステ
ップ１０６）、このエツジ幅領域に値″３”を付与して
副基準パターン（“Ｏ＋＋ １１１”に“３”が加わ
って修正された基準パターン）を得て（ステップ１０７
）、処理用メモリ６に一時格納される。
により入力しくステップ１０４）、この基準パターンの
エツジを処理装置３により検出する（ステップ↓０５）
。この検出されたエツジにエツジ幅領域を作成しくステ
ップ１０６）、このエツジ幅領域に値″３”を付与して
副基準パターン（“Ｏ＋＋ １１１”に“３”が加わ
って修正された基準パターン）を得て（ステップ１０７
）、処理用メモリ６に一時格納される。
次に、処理用メモリ６から２値化された観測パターンの
画像データと副基準パターン値を読み出して、両者の差
を算出する（ステップ１０８）。
画像データと副基準パターン値を読み出して、両者の差
を算出する（ステップ１０８）。
この差の値を分類（欠陥抽出）シ（ステップ１０９）、
ファイル出力して（ステップ１１０）、出力装置４に表
示する（ステップ１１１）。
ファイル出力して（ステップ１１０）、出力装置４に表
示する（ステップ１１１）。
第４図は、第７図のうちの２値観測パターンを値“０１
７，１１１＋１で表わし、第１Ｂ図の副基準パターンを
減じたものである。
７，１１１＋１で表わし、第１Ｂ図の副基準パターンを
減じたものである。
副基準パターンでの値″０”又はＩＩ Ｉ ＩＩに対し
ては、減算値は１”又は“Ｏ”又はｒｒ １”となり
、値“１″は過剰パターン又は短絡、値“ｌ″″はパタ
ーン抜は又はパターン切れ、値ＩＩ Ｏ＋＋は一致を表
わす。
ては、減算値は１”又は“Ｏ”又はｒｒ １”となり
、値“１″は過剰パターン又は短絡、値“ｌ″″はパタ
ーン抜は又はパターン切れ、値ＩＩ Ｏ＋＋は一致を表
わす。
一方、副基準パターン値ＩＩ ３ ＋＋に対しては値−
２″又は“−３″になる。このため、減算値が−１より
小さい領域を比較照合対象外又は強制一致領域とするこ
とができる。この時、第７図のＣ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃｓ
、Ｃｓ 、Ｃ７は、減算値がＬＬ Ｉ ＋＋１１１”
１１１＋１ １” −１”Ｉ ＋＋となり、
過剰パターン、パターン抜け、パターン短絡、パターン
切れが明確に検出できる。
２″又は“−３″になる。このため、減算値が−１より
小さい領域を比較照合対象外又は強制一致領域とするこ
とができる。この時、第７図のＣ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃｓ
、Ｃｓ 、Ｃ７は、減算値がＬＬ Ｉ ＋＋１１１”
１１１＋１ １” −１”Ｉ ＋＋となり、
過剰パターン、パターン抜け、パターン短絡、パターン
切れが明確に検出できる。
なお、所望サイズ以上の欠陥を抽出するならば、この段
階で縮小・拡大および拡大・縮小を施せばよい。
階で縮小・拡大および拡大・縮小を施せばよい。
〔実施例２〕
本実施例２のパターン照合方法の処理手順を説明する。
第５図は、本実施例２のパターン照合方法の処理手順を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
本実施例２のパターン照合方法の処理手順は、第３図に
示すように、第２図に示すパターン入力装置２により観
測パターンの画像を入力する（ステップ２０１）。この
観測パターンの画像の２値化閾値を処理装置３により算
出しくステップ２０２）、この２値化閾値により観測パ
ターンの画像を２値化（ＩＩ ＯＩＩ又は＋ｉ １ ｎ
）する（ステップ２０３）。この２植化された観測パ
ターンの画像データは、処理用メモリ６に一時格納され
る。そして、基準パターン（第１Ａ図）をパターン入力
装置２により入力しくステップ２０４） 、前記処理用
メモリ６から２値化された観測パターンの画像データを
読み出し、両者の差を算出する（ステツブ２０５）。
示すように、第２図に示すパターン入力装置２により観
測パターンの画像を入力する（ステップ２０１）。この
観測パターンの画像の２値化閾値を処理装置３により算
出しくステップ２０２）、この２値化閾値により観測パ
ターンの画像を２値化（ＩＩ ＯＩＩ又は＋ｉ １ ｎ
）する（ステップ２０３）。この２植化された観測パ
ターンの画像データは、処理用メモリ６に一時格納され
る。そして、基準パターン（第１Ａ図）をパターン入力
装置２により入力しくステップ２０４） 、前記処理用
メモリ６から２値化された観測パターンの画像データを
読み出し、両者の差を算出する（ステツブ２０５）。
一方、前記Ｊ＆ １＜’ｊパターン（第１ＡＩ￥１）の
エツジを処理装置３により検出する（ステップ２０６）
。
エツジを処理装置３により検出する（ステップ２０６）
。
この検出されたエツジにエツジ幅領域を作成し、このエ
ツジ幅領域に′３″を付与した側基憎パターンを得る（
ステップ２０７）。
ツジ幅領域に′３″を付与した側基憎パターンを得る（
ステップ２０７）。
次に、前記算出された差がＩＩ ＯＩ＋以外で、かつ、
側基やパターン値ｕ ３ ＩＩの゛′０″以外かつ副基
準パターンにおいて“３″となっている画素に、ｒｒ
３ ｕを付与しくステップ２０８）、これをファイル出
力して（ステップ２０９）、出力装置４に−１”又は“
１”を表示する（ステップ２１０）。
側基やパターン値ｕ ３ ＩＩの゛′０″以外かつ副基
準パターンにおいて“３″となっている画素に、ｒｒ
３ ｕを付与しくステップ２０８）、これをファイル出
力して（ステップ２０９）、出力装置４に−１”又は“
１”を表示する（ステップ２１０）。
つまり１本実施例２のパターン照合方法は、第６図に示
すように、２値観測パターンが′Ｏ″′″１”で構成さ
れており、その分布は第７図に示されているものと同じ
とする。
すように、２値観測パターンが′Ｏ″′″１”で構成さ
れており、その分布は第７図に示されているものと同じ
とする。
第７図に示す２値観測パターンから第１Ａ図に示す基準
パターンを減じると、第７図の斜線部が′ｌ″又は“−
１”となり、他はＬＬ ＯＩＩとなる。
パターンを減じると、第７図の斜線部が′ｌ″又は“−
１”となり、他はＬＬ ＯＩＩとなる。
次に、基準パターンのエツジ領域を表わす第１Ｂ図を副
基準パターンとし、第７図のパターンと第１Ｂ図のパタ
ーンの比較を行う。この場合、副基準パターンはエツジ
領域と非エツジ領域との区別がつけばよいからエツジ領
域は“工”、他は“Ｏ”でもよい。第１Ｂ図に示した番
号付けとする場合、第１Ａ図及び第１Ｂ図の“３”の領
域にある第７図の斜線部をＬＬ ３ ＩＩに変換すると
第６図となりＩＩ Ｉ Ｔ＋又は１１１＋１を識別すれ
ば、偽欠陥Ｃ□を排除し、過剰パターン、パターン抜け
、パターン短絡、パターン切れを示すＣ２１ｃ３． ｃ
、、 ｃ、。
基準パターンとし、第７図のパターンと第１Ｂ図のパタ
ーンの比較を行う。この場合、副基準パターンはエツジ
領域と非エツジ領域との区別がつけばよいからエツジ領
域は“工”、他は“Ｏ”でもよい。第１Ｂ図に示した番
号付けとする場合、第１Ａ図及び第１Ｂ図の“３”の領
域にある第７図の斜線部をＬＬ ３ ＩＩに変換すると
第６図となりＩＩ Ｉ Ｔ＋又は１１１＋１を識別すれ
ば、偽欠陥Ｃ□を排除し、過剰パターン、パターン抜け
、パターン短絡、パターン切れを示すＣ２１ｃ３． ｃ
、、 ｃ、。
Ｃ，、Ｃ，を明確に識別できる。
以上の説明かられかるように、前記実施例１゜２によれ
ば、基準パターンのエツジに有限のエツジ幅を付与して
エツジ領域ＩＩ ３ ＩＩを作製し、エツジ領域＋１３
１＋に対応する観測パターン領域の偽欠陥部分を比較照
合対象外領域又は強制一致領域とすることにより、エツ
ジ部以外にある過剰パターン、パターン抜け、短絡、パ
ターン切れを保存しつつ、エツジ部に発生する多量の偽
欠陥を排除することができる。
ば、基準パターンのエツジに有限のエツジ幅を付与して
エツジ領域ＩＩ ３ ＩＩを作製し、エツジ領域＋１３
１＋に対応する観測パターン領域の偽欠陥部分を比較照
合対象外領域又は強制一致領域とすることにより、エツ
ジ部以外にある過剰パターン、パターン抜け、短絡、パ
ターン切れを保存しつつ、エツジ部に発生する多量の偽
欠陥を排除することができる。
なお、エツジ部の細かい小さいパターン欠けや突起は、
そのサイズがエツジ幅より小さければ排除されるのでそ
れの検出には本発明は向かない。
そのサイズがエツジ幅より小さければ排除されるのでそ
れの検出には本発明は向かない。
しかし、エツジ部の小さい突起や欠けは一般には重要で
なくほとんどの場合無視してよい。このため、エツジ部
の小さい突起や欠けの検出を排除することは通゛・常検
査条件にマツチしている。
なくほとんどの場合無視してよい。このため、エツジ部
の小さい突起や欠けの検出を排除することは通゛・常検
査条件にマツチしている。
また、前記実施例１，２では、２値画像又は、２値化処
理により得た２値画像を対象としたが、エツジ領域を他
と区別できることだけが条件であるから多値画像をも対
象とすることができることは明白である。
理により得た２値画像を対象としたが、エツジ領域を他
と区別できることだけが条件であるから多値画像をも対
象とすることができることは明白である。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において神々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において神々変更可能であること
は言うまでもない。
以上、説明したように、本発明によれば、基準パターン
のエツジに有限のエツジ幅を付与してエツジ領域を作製
し、エツジ領域に対応する観測パターン領域の偽欠陥部
分を比較照合対象外領域又は強制一致領域とすることに
より、エツジ部以外にある過剰パターン、パターン抜け
、短絡、パターン切れを保存しつつ、エツジ部に発生す
る多量の偽欠陥を排除することができる。
のエツジに有限のエツジ幅を付与してエツジ領域を作製
し、エツジ領域に対応する観測パターン領域の偽欠陥部
分を比較照合対象外領域又は強制一致領域とすることに
より、エツジ部以外にある過剰パターン、パターン抜け
、短絡、パターン切れを保存しつつ、エツジ部に発生す
る多量の偽欠陥を排除することができる。
第１Ａ図及び第１Ｂ図は、本発明のパターン照合方法の
実施例１を説明するための図、第２図は、本実施例１の
パターン照合方法を実施するための装置の概略構成を示
すブロック図、第３図は、本実施例１のパターン照合方
法の処理手順を示すフローチャート、 第４図は、観測パターンと副基準パターンとの比較照合
結果を示す図。 第５図は、本実施例２のパターン照合方法の処理手順を
示すフローチャート、 第６図は、本発明のパターン照合方法の実施例２を説明
するための図、 第７図は、従来のパターン照合方法の問題点を説明する
ための図である。 図中、１・・データ入力装置、２・パターン入力装置、
３・・・処理装置、４・・・出力装置、５・・・プログ
ラムメモリ６・・・処理用メモリ、７・・・外部メモリ
。
実施例１を説明するための図、第２図は、本実施例１の
パターン照合方法を実施するための装置の概略構成を示
すブロック図、第３図は、本実施例１のパターン照合方
法の処理手順を示すフローチャート、 第４図は、観測パターンと副基準パターンとの比較照合
結果を示す図。 第５図は、本実施例２のパターン照合方法の処理手順を
示すフローチャート、 第６図は、本発明のパターン照合方法の実施例２を説明
するための図、 第７図は、従来のパターン照合方法の問題点を説明する
ための図である。 図中、１・・データ入力装置、２・パターン入力装置、
３・・・処理装置、４・・・出力装置、５・・・プログ
ラムメモリ６・・・処理用メモリ、７・・・外部メモリ
。
Claims (2)
- （１）入力パターンと基準パターンを比較照合するパタ
ーン照合方法において、基準パターンのエッジに有限の
エッジ幅を付与してエッジ領域を作製し、該エッジ領域
のパターンを副基準パターンとし、入力パターンと基準
パターンの間で比較照合を行い、パターン間の相違を示
す比較結果パターンを得て、該比較結果パターンと前記
の副基準パターンを比較し一致する部分を照合不確定領
域であると判定することを特徴とするパターン照合方法
。 - （２）入力パターンと基準パターンを比較照合するパタ
ーン照合方法において、基準パターンのエッジに有限の
エッジ幅を付与してエッジ領域を作製し、該エッジ領域
のパターンを副基準パターンとし、該副基準パターンと
前記基準パターンの各画素のコードを論理合成して両方
のパターンのコードを兼ね備えるようにした合成基準パ
ターンを作製し、該合成基準パターンと前記入力パター
ンを比較してパターンの一致部分、不一致部分、及び照
合不確定部分を抽出することを特徴とするパターン照合
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321102A JPH03182978A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | パターン照合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321102A JPH03182978A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | パターン照合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182978A true JPH03182978A (ja) | 1991-08-08 |
Family
ID=18128843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321102A Pending JPH03182978A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | パターン照合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03182978A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07210684A (ja) * | 1994-01-20 | 1995-08-11 | Asia Electron Inc | 画像検査方法 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1321102A patent/JPH03182978A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07210684A (ja) * | 1994-01-20 | 1995-08-11 | Asia Electron Inc | 画像検査方法 |
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