JPH03183103A

JPH03183103A - 厚膜チップ抵抗器の製造方法

Info

Publication number: JPH03183103A
Application number: JP1322921A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Kanbara; 滋蒲原
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1989-12-12
Filing date: 1989-12-12
Publication date: 1991-08-09
Anticipated expiration: 2010-05-24
Also published as: JPH0748404B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、チップ型の基板の表面に、厚膜の抵抗膜を形
成して成るいわゆる厚膜チップ抵抗器の製造方法に関す
るものである。

〔従来の技術〕

従来、第１３図及び第１４図に示す前記厚膜チップ抵抗
器１１を製造するに際しては、以下に述べる方法を採用
している（例えば、特開平１−１５１２０４号公報等）
。

■、先づ、多数個のチップ基板１２ごとに分割するため
の縦筋目線と横筋面線とを格子状に備えた素材基板を用
意し、該素材基板の表面における各チップ基板１２の左
右両側に、Ａｇ−Ｐｄペースト等の導電性ペーストを塗
着したのち、８３０〜８７０℃の温度で焼成することに
より、上面電極膜１３ａ、１３ｂを形成する。

００次に、前記各チップ基板１２の上面に、ＲｕＯ２系
の抵抗膜用ペーストを、前記雨上面電極膜１３ａ、１３
ｂに跨るように帯状に塗着したのち、８３０〜８７０℃
の温度で焼成することにより、厚膜状の抵抗膜１４を形
成する。

■８次に、前記各チップ基板１２の上面に、ガラスペー
ストを、前記抵抗１！ｌ！１４の全体を覆うように塗着
したのち、適宜温度（例えば、約５５０℃）で焼成する
ことにより、第１ガラス保護膜１５を形成する。

■０次に、前記抵抗膜１４に、レーザ又はサンドブラス
トによってトリミング溝１６を刻設して、両上面電極膜
１３３．１３ｂの間における全抵抗値が、所定の抵抗値
の範囲内に入るように調節する。

００次に、前記各チップ基板１２の上面に、ガラスペー
ストを、前記第１ガラス保護膜１５の全体を覆うように
塗着したのち、適宜温度（例えば、５５０℃）で焼成す
ることにより、第２ガラス保護膜１７を形成する。

■１次に、前記第２ガラス保護膜１７ｑ）表面に、当該
第２ガラス保護ＩＷ１７と同様の方法によって第３ガラ
ス保護ｌｌＡ１８を形成したのち、この第３ガラス保護
膜１８の表面に、抵抗値又は製造者を表示する表印を施
す。

０６次に、前記素材基板を、横筋目線に沿って棒状の素
材基板にブレークする。

■０次に、前記棒状素材基板における各チップ基板１２
の左右両側面に、Ａｇ−Ｐｄペースト等の導電性ペース
トを、前記上面電極膜１３ａ。

１３ｂに一部が重なるように塗着したのち、８３０〜８
７０℃の温度で焼成することにより、側面電極Ｍ！ｉ！
１９ａ、１９ｂを形成する（なお、この場合、前記側面
電極膜１９ａ、１９ｂを形成するための焼成によって、
前記第２ガラス保護ｌＩｗ１７及び第３ガラス保護欣１
８を形成するための焼成を同時に行うことも行なわれて
いる）■、そして、前記棒状基板を、縦筋目線に沿って
各チップ基板１２ごとにブレークしたのち、前記両上面
電極膜１３ａ、１３ｂ及び両側面電極膜１９ａ、１９ｂ
の表面に、ニッケルメッキに次いで半田メツキを施すこ
とによって、第１３図及び第１４図に示すようなチップ
抵抗器１１を製造する。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、この従来の製造方法は、抵抗膜１４にトリミン
グ溝１６を刻設することによって、その全抵抗値が所定
の抵抗値の範囲内に入るように調節したのち、各チップ
基板１２の側面に、Ａｇ・Ｐｄペースト等の導電ペース
トを塗着したのち焼成することによって、側面電極膜１
９ａ、１９ｂを形成するものであって、この両側面電極
膜１９ａ、１９ｂの形成に際しては、第１ガラス保護膜
１５及び第２ガラス保護膜１７並びに第３ガラス保護膜
１８を形成するときの焼成温度よりも遥かに高い８３０
〜８７０°Ｃと云う高温で焼成しなければならず、この
高温での焼成に際して、前記抵抗膜１４が、大きい熱的
負荷を受けることにより、その全抵抗値が、前記トリミ
ング溝１６の刻設によって調節したときの値よりも大幅
に変化して、所定の抵抗値の範囲よりも大きく外れるこ
とになるから、不良品の発生率が高いのであり、特に、
この不良品の発生率が高いことは、前記抵抗膜１４が、
ＲｕＯ２系の抵抗膜の場合において顕著であった・しかも、従来の製造方法では、前記トリミング溝１６の
刻設に次いで第２ガラス保護膜１７に覆ったのち、更に
、第３ガラス保護欣１８にて覆うように構成しているが
、この第２ガラス保護膜１７及び第３ガラス保護膜１８
には、棒状素材基板Ａ１を各チップ基板１ごとにブレー
クする工程、各電極膜に対するメソキ工程及びその後に
おける取扱中において、剥離又は欠けが発生するから、
不良品の発生率を更に助長すると云う点も問題であった
・本発明は、これらの問題を解消するようにした厚膜チッ
プ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。

〔課題を解決するための手段〕

この目的を遠戚するため本発明は、「チップ基板の上面における左右両側に上面電極膜を、
導電性ペーストを塗着したのち焼成して形成する工程と
、前記チップ基板の上面に厚膜状抵抗膜を、抵抗膜用ペ
ーストを塗着したのち焼成して形成する工程と、第１ガ
ラス保護膜を前記抵抗膜の全体を覆うように形成する工
程と、前記抵抗膜に全抵抗値調節用のトリミング溝を刻
設する工程と、前記トリミング溝の刻設後において第２
ガラス保護膜を前記第１ガラス保護膜の全体を覆うよう
に形成する工程とから代り、前記第２ガラス保護欣の表
面に、合成樹脂のペーストを塗着したのち乾燥して合成
樹脂製の保護膜を形成し、次いで、前記チップ基板にお
ける左右両側面に、導電性ポリマを塗着したのち乾燥し
て導電性合成樹脂製の側面電極膜を形成する」と云う方法を採用した。

〔作　　　用〕

本発明の製造方法は、第２ガラス保護膜の表面に、前記
従来のように、第３ガラス保護膜を形成することに代え
て、合成樹脂製の保護膜を形成したものであるから、こ
の合成樹脂製の保護膜の存在により、前記第２ガラス保
護膜に剥離又は欠けが発生することを防止できると共に
、当該合成樹脂製の保護膜にも、剥離又は欠けが発生す
ることはないのである。

また、本発明の製造方法は、チップ基板における左右両
側面に側面電極膜を形成するに際して、前記従来のよう
に、導電性ペスートを塗着したのち、８３０〜８７０℃
の高温で焼成することによって側面電極膜を形成するこ
とに代えて、導電性ポリマを塗着したのち乾燥すること
によって導電性合成樹脂製の側面電極膜を形成するもの
であって、この導電性合成樹脂製の側面電極膜を形成す
るに際しては、当該側面電極膜を形成することのために
、前記従来のように、８３０〜８７０℃の高温に加熱す
る必要がなく、換言すると、全抵抗値をトリミング溝の
刻設によって調節した後における抵抗膜を、８３０〜８
７０℃の高温に加熱することを回避できるから、抵抗値
調節のためのトリミング溝を刻設した後における全抵抗
値が、側面電極膜を形成することのために変化すること
を、前記従来の場合よりも著しく小さくできるのである
。

〔発明の効果〕

従って本発明によると、厚膜チップ抵抗器の製造に際し
て、各種の保護膜に剥離又は欠けが発生することを防止
できると共に、全抵抗値が所定の抵抗値の範囲よりも外
れることを低減でき、製品の歩留り率を確実に向上でき
るから、製造コストを大幅に低減できる効果を有する。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面（第１図〜第１０図〉につ
いて説明すると、第１図において符号Ａは、多数個のチ
ップ基板２ごとに分割するための縦筋目線ａ１と横筋面
線ａ２とを格子状に備えた素材基板を示す。

■、先づ、前記素材基板への表面における各チップ基板
２の左右両側に、Ａｇ−Ｐｄペースト等の導電性ペース
トを塗着したのち、８３０〜８７０℃の温度で焼成する
ことにより、各チップ基板２の上面に、第２図に示すよ
うに、上面電極膜３ａ、３ｂを形成する。

■０次に、前記各チップ基板２の上面に、ＲｕＯユ系の
抵抗膜用ペーストを、前記雨上面電極膜３ａ、３ｂに跨
るように帯状に塗着したのち、８３０〜８７０℃の温度
で焼成することにより、第３図に示すように、厚膜状の
抵抗膜４を形成する。

■０次に、前記各チップ基板２の上面に、ガラスペース
トを、前記抵抗膜４の全体を覆うように塗着したのち、
適宜温度（例えば４９０〜５３０℃）で焼成することに
より、第４図に示すように、第１ガラス保護膜５を形成
する。

■１次に、前記各抵抗膜４に、第５図に示すように、レ
ーザ又はサンドブラストによってトリミング溝６を刻設
して、雨上面電極ＩＱ３ａ、３ｂの間における全抵抗値
が、所定の抵抗値の範囲内に入るように調節する。

■０次に、前記各チップ基板２の上面に、ガラスペース
トを、前記第１ガラス保護膜５の全体を覆うように塗着
したのち、適宜温度（例えば４９０〜５３０℃）で焼成
することにより、第６図に示すように、第２ガラス保護
膜７を形成する。

ここまでは従来と同し方法である。

■、そして、前記第２ガラス保護膜７の表面に、シリコ
ン樹脂、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂専の合成樹脂
を、溶剤で熔かしたペーストの状態で塗着したのち乾燥
・硬化することによって、第７図に示すように、合成樹
脂製の保護膜８を形成し、次いでこの合成樹脂製の保護
膜８の表面に、抵抗値又は製造者を表示する標印を施す
。

■１次に、前記素材基板Ａを、第８図に示すように、横
筋目線ａ２に沿って棒状の素材基板Ａ１にブレークする
。

■１次に、前記棒状素材基板Ａ１における各チップ基板
２の左右両側面に、例えば、ポリ　（３アルキルチオフ
エン〉埠のπ−共役系高分子材料にドーピング処理を施
すか、或いは、合！ｆｉ；を樹脂に金属微粉末等の導電
性フィラー等を混合することによって導電性を付与して
威る導電性ポリマを、溶剤で熔かしたペーストの状態で
、前記上面電極膜３ａ、３ｂに重なるように塗着したの
ち乾燥・硬化することにより、第９図に示すように、合
成樹脂製の側面電極膜９ａ、９ｂを形成する。

■、そして、前記棒状基板Ａｌを、第１０図に示すよう
に、縦筋目線ａ１に沿って各チップ基板２ごとにブレー
クしたのち、前記両側面電極膜３ａ、３ｂ及び両側面電
極膜９ａ、９ｂの表面に、ニッケルメッキに次いで半田
メツキを施すことによって、第１１図及び第１２図に示
すようなチップ抵抗器］を製造する。

このような製造方法によると、第２ガラス保護膜７の表
面を、合成樹脂製の保護膜８によって覆うので、各種の
取扱い中において、前記第１ガラス保護膜５及び第２ガ
ラス保護膜７に２１１離又は欠けが発生することを確実
に防止できると共に、当該合成樹脂製の保護膜８に、剥
離又は欠けが発生することもないのである。

また、前記導電性合＄、樹脂製の側面電極膜９ａ９ｂを
形成するに際しては、前記従来のように、高い温度で焼
成する必要がないから、全抵抗値を調節したあとの抵抗
膜４に与える熱負荷が小さくて、当該抵抗膜４における
全抵抗値が大きく変化することを確実に防止できるので
ある。

なお、前記製造方法においては、台底樹脂製保護股８の
表面標印を施した上に、更に、前記合成樹脂製の保護膜
８と同様にして、合成樹脂製の保護膜を形成するように
しても良いのである。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１０図は本発明製造方法の実施例を示し、第
１図は素材基板の平面図、第２図は上面電極膜を形成し
た状態の平面図、第３図は抵抗膜を形成した状態の平面
図、第４図は第１ガラス保護膜を形成した状態の平面図
、第５図は抵抗膜にトリミング溝を刻設した状態の平面
図、第６図は第２ガラス保護膜を形成した状態の平面図
、第７図は合成樹脂製の保護膜を形成した状態の平面図
、第８図は素材基板を棒状素材基板にブレークした状態
の平面図、第９図は側面電極膜を形成した状態の平面図
、第１０図は棒状素材基板をチップ基板ごとにブレーク
した状態の平面図、第１１図は本発明の製造方法による
チップ抵抗器の一部切欠斜視図、第１２図は第１１図の
ｘｎ−ｘｎ視断面図、第１３図は従来の製造方法による
チップ抵抗器の一部切欠斜視図、第１４図は第１３図の
ＸＩＶｘＮ視断面図である。Ａ・・・・素材基板、ａｌ・・・・縦筋目線、ａｌ・・
・・横筋面線、Ａ１・・・・棒状素材基板、■・・・・
チップ抵抗器、２・・・・チップ基板、３ａ、３ｂ・・
・・上面電極膜、４・・・・抵抗膜、５・・・・第１ガ
ラス保護膜、６・・・・トリミング溝、７・・・・第２
ガラス保護膜、８・・・・合成樹脂製の保護膜、９ａ、
９ｂ・・・・側面電極膜。第２図第４図第１図第３図第９図第１１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）．チップ基板の上面における左右両側に上面電極
膜を、導電性ペーストを塗着したのち焼成して形成する
工程と、前記チップ基板の上面に厚膜状抵抗膜を、抵抗
膜用ペーストを塗着したのち焼成して形成する工程と、
第１ガラス保護膜を前記抵抗模の全体を覆うように形成
する工程と、前記抵抗膜に全抵抗値調節用のトリミング
溝を刻設する工程と、前記トリミング溝の刻設後におい
て第２ガラス保護膜を前記第１ガラス保護膜の全体を覆
うように形成する工程とから成り、前記第２ガラス保護
膜の表面に、合成樹脂のペーストを塗着したのち乾燥し
て合成樹脂製の保護膜を形成し、次いで、前記チップ基
板における左右両側面に、導電性ポリマを塗着したのち
乾燥して導電性合成樹脂製の側面電極膜を形成すること
を特徴とする厚膜チップ抵抗器の製造方法。