JPS5814503A - チツプ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はレーザトリミング性に潰ｎた厚膜テ、プ抵抗
器において被榎ガラス層釦２層にしたチ、プ抵抗器に関
する。

ｍ１図、帛２図は従来のチップ抵抗器の構造を示す平面
図および断面図である。第１図、第２図において、くす
にブロック体の絶縁基材、（２）は電極、（２ａ本その
外Ｓ接続′ｄｔ極、（３）に抵抗体、（旬は被検かラス
を示す。こｎらは公知の厚膜形成技術によりセラミック
ス絶縁基材（すを支持体として形成さｎる。上主面の抵
抗体（３）　［、その電極（２）と電気的に接続し、基
材（りの側面から裏面の一部に設けた外部接続電極（２
ａ）とも連らなり、その上部には被覆ガラス（４）がコ
ートさｎている。この時、電極（２）、（２ａ）にｆｌ
　Ａｌｆ系あるイＦＩＡ７ノーＰｄ系の導体ペーストが
、抵抗体（３）にｈ　Ｐ　ｕ　Ｏ１系の抵抗ペーストが
、被覆ガラス（４すには鉛系の非晶質ガラスペーストな
どが一般に使用さｎる。

チップ抵抗器に前述の構成によって同一基板上に抵抗体
素子群を多数個形成し、角錐状の個片に分分割したもの
で、電子機器に塔載する機能ブロック回路や、印刷ＩＯ
１路板に半田付けしたり、導電性接着剤で取り付けるな
どして使用するものでるる。

このような目的に使用するチップ抵抗器の電極（２）、
（２ａ）には通常酸性浴に−よるニッケルメッキが施さ
ｎている。こｆ′Ｌに半田付けに除しＩＥ極の濡ｎ性を
良くすると共に′Ｉａ極に含まｎるＡ１．″成分が半田
質中に移行するの全防止する役目がるる。ししかしＮ１
メッキｔ−施すに際しては従来の被覆ガラス層の標準的
な厚みでめった１層当９２０μ前後の抜機ガラス１％で
は前記Ｎ１　メッキ時のば性浴に対し、抵抗体を保護す
るには十分といえず、被覆ガラス層を厚くする必要がめ
った。更にはテップ抵抗器は個片での堆扱いが因難なの
で、一般にプラスチック製のマガジンに積み重ねて使用
する。

しかし被覆ガラスが１層程度では積み重ねらｎたチップ
間同志が抑圧さｆしてくっ付き、前記マガジンから取り
出す際に２〜３個程度が連結状態になり易い欠点がろる
友め、被覆ガラス層の厚みを２層以上に配し、電極部の
上部において部分的な突起構造を持たせる必要がめった
。

しかしながら、前述の１りな２つの理由から被−ガラス
厚を増すことによって、抵抗体のレーザトリミングに際
して次のような問題が生じる。すなわちレーザ）、ｌＪ
ミングにおいては基材（すと被覆ガラス（４）との間に
検層さｎた抵抗体のみｔ有効に焼き切ることが困難なの
で、一般に抵抗体（３）と併せて被覆ガラス（４）と同
時に焼き切る。したがって該ガラス厚を増すことは当然
レーザビーム強度を増加させる結果となり、抵抗体（３
）は熱論、下地盆なす基材（１）にもより大きな損傷を
与へる結果となり、過度なトリミングは抵゛抗体の均質
性を低下せしめる。特にレーザトリミングにおいてレー
ザビームが強過ぎる場曾、トリミング個所にそった燭辺
の抵抗体層にマイクロクラックが発生する欠点がろり、
信頼性上好ましくないことが知らｎる。

本発明は従来の欠点を除、去し、レーザトリミング性を
低下せしめることなく電極へのメッキに際しての耐酸性
能、あるいはマガジン詰めが可能なチップ抵抗器を得る
こと全目的とする。

本発明艷図面に基いて説明する。

第５１凶および９４図は本発明の一実施例になるチップ
抵抗器の平面図、およびそのｈ面図を示す。

図において、（５）は絶縁基材、（６）は電極、（６ａ
）はその外部接続電極、（７）は抵抗体、（８）と（９
）に被覆ガラス、（９ａ）は開口部、を示す。

゛第５図、第４図において′＃ＩＬ極（６）Ｉ　（６ａ
、）−ゴム１系あるいはｊ、ｙ’　−Ｐ　ａ　系の導体
ペースト、抵抗体（７）はＲｕ０１系らるいはＡ／’−
Ｐｄ　糸の抵抗ペースト、被覆ガラス（８）および（９
）は鉛系の非晶質あるいは結晶化ガラスペーストからな
る。こｎらに公知の厚膜形成技術によりアルミナ系のセ
ラミックス絶縁基材（５）を支持体として形成したも゛
のである。

この時、主面上の電極（６）と抵抗体（７）は電気的に
接続しており、基材（５）“の側面か５襄而の一部に設
けた外部接続電極（６ａ）とも連らなるものである。

抵抗体（７）の上部には抵抗体（７）の被覆保護全目的
とした上下２層の被覆ガラス（８）、“（９）が設けで
ある。

ガラス層（ａ）　ｅ　（９）は上、下各層とも２０μ前
後の厚みを有するものであって、下層ｔなすｖｇｌの被
覆ガラス（８）は直接抵抗体（７）と凄し、その全面？
ｌ−覆いかくすものである。また上層ｔなす第２の被覆
ガラス（９）　ｔ！　％この後トリミングに供する部位
を除くｍｌの被覆ガラス（８）の部分上に構成するもの
でろって、前記トリミングに供する部位には開口部（９
ａ）が設けである。この開口ｆｆ１ｌ（９ａ）に少なく
とも抵抗体（７）上の一部に開口部を与へるものであっ
て、トリミングに際して障害とならない範囲において、
その形状、大きさに関し特に制限音訓えないものである
。このことは開口部を有する核種ガラスがよ５厚くても
良いことｔ示している。

前記構造になるチップ抵抗器の開口部（９ａ）には、被
覆ガラス（８）を介して抵抗体（７）に対するレーザト
リミングがなさｎる。前記トリミングは、レーザビーム
で抵抗体の一部全焼き切ることによって抵抗体の形状を
幾可学的に変化させ、抵抗ｋｔ変えるものである。

本発明のチップ抵抗器の構成に基けば、抵抗体ｔトリミ
ングすべき部位の上部には第１の被伽がガラス層のみが
形成さｎているので、従来のものと比べて薄く構成しう
る、このため２層以上に構成した被接ガラス層ｔ−焼き
切って行なう従来品に比ベレーザビーム強度は数段少な
くてすむ、この結果は当然に抵抗体を始め下部の絶ｉ１
基材を含めたトリミング部位の損傷が軽微と１に＃）、
マイクロクラックの発生全除去し、トリミング性能およ
び信頼性能の向上がはかｎる、本発明によ；る構成では
“トリミング部位食除く他の部分上にＭ２の−１！ｌｉ
伽ガラス層を設けているので、メッキ処理に際して抵抗
体を保膿する耐酸性およびマガジン収納時の隣接チップ
間どうしの付着を防止できる、などの作用効果を生ずる
。

【図面の簡単な説明】

従来例のチップ抵抗器の第１０図は平面図、第２図はそ
の断面図、第３図、第４図は本発萌にかかるるチップ抵
抗器の平面図と断面図、を示す。 ５：絶縁基材　　６：電極　　６ａ：外部接続電極　　
７：抵抗体　　８：第１の抜機ガラス９：帛２の被覆ガ
ラス　　９ａ：開口部特許出願人　松下電器産業株式会
社 代理人弁理士　阿　部　　　功 ４　　　　　　　　　　　２ 第２図 ホ３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. セラミック絶縁基材表面の上主面に導電＠を設けた電極
   、抵抗体１層専電層が基材の側面および裏面の一部に運
   なる外ｆｆ１Ｉ接続電極および前記抵抗体層上に設けら
   ｎｆｃ被情ガラス鳩を備えたチップ抵抗器において、前
   記被撫ガラス層勿上下２　ｈａ　Ｋ　ｍねて配設し、Ｈ
   １１記上郡ｔなす被板ガラス層にはトリミングに供する
   部位に開口部を設けたチップ抵抗器。