JPH0318332B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0318332B2 JPH0318332B2 JP56501206A JP50120681A JPH0318332B2 JP H0318332 B2 JPH0318332 B2 JP H0318332B2 JP 56501206 A JP56501206 A JP 56501206A JP 50120681 A JP50120681 A JP 50120681A JP H0318332 B2 JPH0318332 B2 JP H0318332B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- rotor
- tab
- carrier
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
Description
請求の範囲
1 筐体と、
該筐体に支持され、側壁、端壁および該端壁に
対向する開口を含むタブと、 第1の端部および第2の端部を有し、該タブの
端壁を通つて水平よりわずかに大きいか、または
小さい角度で、回転するように封着され、第1の
端部が該タブの中にあり、第2の端部が該タブの
外にある駆動軸と、 該タブの中にあつて該駆動軸の第1の端部に接
続され、該駆動軸を実質的に該駆動軸の角度にし
て該タブの中で回転させるロータ手段と、 密接に配置された複数枚のウエハを担持し、前
記タブによつて該タブの中で該ロータ手段によつ
て回転するように支持され、該担持されたウエハ
の回転軸が実質的に前記駆動軸の角度になるよう
な向きにする担持手段と、 前記タブの側壁を通して接続され、該タブの中
に流体を注入して前記担持手段に担持されたウエ
ハを処理する流体注入手段と、 該タブの底部の側壁部に位置して流体を除去す
る排出手段と、 前記端壁に対向するタブの開放端にあつて該タ
ブを開閉するように装着された封止手段と、 前記駆動軸の第2の端部に結合され、該駆動軸
を回転させて前記ロータ手段、担持手段、および
該担持手段に担持されたウエハをも回転させる駆
動手段とを含むことを特徴とする半導体型ウエハ
の処理装置。
対向する開口を含むタブと、 第1の端部および第2の端部を有し、該タブの
端壁を通つて水平よりわずかに大きいか、または
小さい角度で、回転するように封着され、第1の
端部が該タブの中にあり、第2の端部が該タブの
外にある駆動軸と、 該タブの中にあつて該駆動軸の第1の端部に接
続され、該駆動軸を実質的に該駆動軸の角度にし
て該タブの中で回転させるロータ手段と、 密接に配置された複数枚のウエハを担持し、前
記タブによつて該タブの中で該ロータ手段によつ
て回転するように支持され、該担持されたウエハ
の回転軸が実質的に前記駆動軸の角度になるよう
な向きにする担持手段と、 前記タブの側壁を通して接続され、該タブの中
に流体を注入して前記担持手段に担持されたウエ
ハを処理する流体注入手段と、 該タブの底部の側壁部に位置して流体を除去す
る排出手段と、 前記端壁に対向するタブの開放端にあつて該タ
ブを開閉するように装着された封止手段と、 前記駆動軸の第2の端部に結合され、該駆動軸
を回転させて前記ロータ手段、担持手段、および
該担持手段に担持されたウエハをも回転させる駆
動手段とを含むことを特徴とする半導体型ウエハ
の処理装置。
2 請求の範囲第1項記載の装置において、流体
シールが前記タブ端壁によつて支持され、前記駆
動軸は該流体シールを通して装着され、その第2
の端部で軸受手段に接続され、該流体シールおよ
び軸受手段は処理流体が前記タブから漏出するの
を防止し、プーリ手段を配設して前記駆動手段を
該軸受手段および駆動軸に接続することを特徴と
する処理装置。
シールが前記タブ端壁によつて支持され、前記駆
動軸は該流体シールを通して装着され、その第2
の端部で軸受手段に接続され、該流体シールおよ
び軸受手段は処理流体が前記タブから漏出するの
を防止し、プーリ手段を配設して前記駆動手段を
該軸受手段および駆動軸に接続することを特徴と
する処理装置。
3 請求の範囲第1項記載の装置において、ウエ
ハ支持手段が前記タブ内に装着され、該ウエハ支
持手段は前記担持手段で担持されたウエハを保持
するように位置し、これによつて、ウエハを担持
する担持手段が前記タブに挿入されて前記ロータ
手段で支持されると、該ウエハ支持手段は、該担
持手段が反対の位置に回転したときに該担持手段
に担持されたウエハを支持するように位置するこ
とを特徴とする処理装置。
ハ支持手段が前記タブ内に装着され、該ウエハ支
持手段は前記担持手段で担持されたウエハを保持
するように位置し、これによつて、ウエハを担持
する担持手段が前記タブに挿入されて前記ロータ
手段で支持されると、該ウエハ支持手段は、該担
持手段が反対の位置に回転したときに該担持手段
に担持されたウエハを支持するように位置するこ
とを特徴とする処理装置。
4 請求の範囲第1項記載の装置において、前記
タブ封止手段は流体密閉シールを含み、これによ
つて、該封止手段を閉じたときは前記タブ内の実
質的にすべての流体が該タブの中に保持されるこ
とを特徴とする処理装置。
タブ封止手段は流体密閉シールを含み、これによ
つて、該封止手段を閉じたときは前記タブ内の実
質的にすべての流体が該タブの中に保持されるこ
とを特徴とする処理装置。
5 請求の範囲第4項記載の装置において、前記
封止手段は外気を前記タブに導入する通気手段を
含み、これによつて流体を該タブの排出手段から
除去するのを助長することを特徴とする処理装
置。
封止手段は外気を前記タブに導入する通気手段を
含み、これによつて流体を該タブの排出手段から
除去するのを助長することを特徴とする処理装
置。
6 請求の範囲第1項記載の装置において、前記
タブは、ステンレススチール、ポリプロピレンお
よびポリエチレンからなる群から選択された耐腐
蝕性の耐溶剤材料からなることを特徴とする処理
装置。
タブは、ステンレススチール、ポリプロピレンお
よびポリエチレンからなる群から選択された耐腐
蝕性の耐溶剤材料からなることを特徴とする処理
装置。
7 請求の範囲第1項記載の装置において、前記
流体注入手段は、前記タブに注入前に処理流体ま
たは処理気体を加熱する加熱手段を含むことを特
徴とする処理装置。
流体注入手段は、前記タブに注入前に処理流体ま
たは処理気体を加熱する加熱手段を含むことを特
徴とする処理装置。
8 請求の範囲第1項記載の装置において、前記
排出手段は、前記タブから排出される流体の比抵
抗を測定する比抵抗監視手段を含み、これによつ
てタブおよびウエハの処理流体が完全に除去され
た時点に関する情報を得ることを特徴とする処理
装置。
排出手段は、前記タブから排出される流体の比抵
抗を測定する比抵抗監視手段を含み、これによつ
てタブおよびウエハの処理流体が完全に除去され
た時点に関する情報を得ることを特徴とする処理
装置。
9 請求の範囲第1項記載の装置において、前記
駆動軸の角度は、約91゜から約135゜まで、および
225゜から約269゜までの範囲、ならびにその補角か
ら選択され、この場合、羅針盤の90゜から270゜ま
での角度が水平として定義されることを特徴とす
る処理装置。
駆動軸の角度は、約91゜から約135゜まで、および
225゜から約269゜までの範囲、ならびにその補角か
ら選択され、この場合、羅針盤の90゜から270゜ま
での角度が水平として定義されることを特徴とす
る処理装置。
10 請求の範囲第1項記載の装置において、前
記駆動軸の角度は、約95゜から約105゜まで、およ
び約255゜から約265゜までの範囲、ならびにその補
角から選択され、この場合、羅針盤の90゜から
270゜までの角度が水平として定義されることを特
徴とする処理装置。
記駆動軸の角度は、約95゜から約105゜まで、およ
び約255゜から約265゜までの範囲、ならびにその補
角から選択され、この場合、羅針盤の90゜から
270゜までの角度が水平として定義されることを特
徴とする処理装置。
11 請求の範囲第1項記載の装置において、前
記駆動軸の角度は約100゜および約260゜、ならびに
その補角から選択され、この場合、羅針盤の90゜
から270゜までの角度が水平として定義されること
を特徴とする処理装置。
記駆動軸の角度は約100゜および約260゜、ならびに
その補角から選択され、この場合、羅針盤の90゜
から270゜までの角度が水平として定義されること
を特徴とする処理装置。
12 請求の範囲第1項記載の装置において、前
記ロータ手段は複数の支持棒を含み、各支持棒は
1対の対向する端部を有し、前記駆動軸とは実質
的に平行でこれから離間し、前記ウエハ担持手段
に対する支持および位置決めを与えることを特徴
とする処理装置。
記ロータ手段は複数の支持棒を含み、各支持棒は
1対の対向する端部を有し、前記駆動軸とは実質
的に平行でこれから離間し、前記ウエハ担持手段
に対する支持および位置決めを与えることを特徴
とする処理装置。
13 請求の範囲第12項記載の装置において、
前記ロータ手段は1対の実質的に円形の支持部材
を含み、該円形支持部材は互いに実質的に平行で
該ロータの両端において互いに離間しており、前
記駆動軸の延長上に実質的に垂直であり、該円形
支持部材の両端はそれぞれ前記円形支持部材の一
方に結合されていることを特徴とする処理装置。
前記ロータ手段は1対の実質的に円形の支持部材
を含み、該円形支持部材は互いに実質的に平行で
該ロータの両端において互いに離間しており、前
記駆動軸の延長上に実質的に垂直であり、該円形
支持部材の両端はそれぞれ前記円形支持部材の一
方に結合されていることを特徴とする処理装置。
発明の背景
本発明は半導体ウエハの処理装置、より具体的
には半導体ウエハ処理の歩留りを向上させた機械
動作装置に関するものである。
には半導体ウエハ処理の歩留りを向上させた機械
動作装置に関するものである。
集積回路の製造において、半導体ウエハ、すな
わちチツプを切り出す基板は多数の工程で処理さ
れる。ウエハ用の基礎基板材料は、たとえばシリ
コン、ガラスセラミツク材料、または他の同様の
材料の非常に薄いウエハ形状をなす。この基礎基
板材料はコーテイング、エツチングおよび洗浄の
各工程を受ける。各処理工程で可能な歩留りを最
高にして製造原価を低減させることが非常に重要
である。
わちチツプを切り出す基板は多数の工程で処理さ
れる。ウエハ用の基礎基板材料は、たとえばシリ
コン、ガラスセラミツク材料、または他の同様の
材料の非常に薄いウエハ形状をなす。この基礎基
板材料はコーテイング、エツチングおよび洗浄の
各工程を受ける。各処理工程で可能な歩留りを最
高にして製造原価を低減させることが非常に重要
である。
従来、半導体ウエハは、米国特許第3760822号
に記載のように、たとえば真空チヤツクなどの
様々な保持機構でウエハを垂直に積み重ね、垂直
軸を中心として回転させることによつて処理して
いた。しかしこれではウエハの下面の処理速度が
上面よりはるかに遅いため、同時にはウエハの片
側しか効率的に処理できない。
に記載のように、たとえば真空チヤツクなどの
様々な保持機構でウエハを垂直に積み重ね、垂直
軸を中心として回転させることによつて処理して
いた。しかしこれではウエハの下面の処理速度が
上面よりはるかに遅いため、同時にはウエハの片
側しか効率的に処理できない。
たとえば米国特許第3970471号に記載のように、
他の処理装置では各ウエハを別々に水平軸を中心
として処理している。しかしこのような装置では
各部ごとに1枚のウエハしか処理できないので、
時間がかかり高価である。
他の処理装置では各ウエハを別々に水平軸を中心
として処理している。しかしこのような装置では
各部ごとに1枚のウエハしか処理できないので、
時間がかかり高価である。
同時に複数枚のウエハを処理し、ウエハの両面
とも同じ速度で効率的に処理できる従来技術は知
られていない。
とも同じ速度で効率的に処理できる従来技術は知
られていない。
発明の概要
本発明によれば次のような装置が開示される。
すなわちこの装置では、半導体ウエハ、ガラスフ
オトマスク板などを特別の担持体に挿入し、次に
ウエハが実質的にその水平軸を中心として回転す
る向きにロータの中にこの担持体を設定すること
によつてこれらを処理する。この場合、水平とは
羅針盤の270゜と90゜の間を走る仮想線として定義
される。そこでウエハの回転中、スプレーノズル
から様々な流体をウエハに均一にかけることがで
きる。回転軸がほぼ水平であるため、エツチング
などの化学処理も両面とも同じ速度で行なうこと
ができる。好ましい実施例では、スプレーノズル
が担持体の側方の上部に位置しているので、スプ
レー動作を比較的低圧で行なうことができる。こ
れは、スプレー工程に危険な材料を使用する場合
とくに望ましい。また、スプレーノズルが担持体
の側方にあることは、乾燥工程中にノズルからウ
エハ上に漏洩すなわち液滴が落下して良好なウエ
ハを損傷する危険を防止するのに有効である。本
発明の担持体を本発明のロータの中に設定するの
は実質的に水平なローデイングであるので簡単で
ある。他の利点としては、装置内にシヨツクアブ
ソーバが設けられているので、回転動作によるど
んな振動も操作部に伝達されない。
すなわちこの装置では、半導体ウエハ、ガラスフ
オトマスク板などを特別の担持体に挿入し、次に
ウエハが実質的にその水平軸を中心として回転す
る向きにロータの中にこの担持体を設定すること
によつてこれらを処理する。この場合、水平とは
羅針盤の270゜と90゜の間を走る仮想線として定義
される。そこでウエハの回転中、スプレーノズル
から様々な流体をウエハに均一にかけることがで
きる。回転軸がほぼ水平であるため、エツチング
などの化学処理も両面とも同じ速度で行なうこと
ができる。好ましい実施例では、スプレーノズル
が担持体の側方の上部に位置しているので、スプ
レー動作を比較的低圧で行なうことができる。こ
れは、スプレー工程に危険な材料を使用する場合
とくに望ましい。また、スプレーノズルが担持体
の側方にあることは、乾燥工程中にノズルからウ
エハ上に漏洩すなわち液滴が落下して良好なウエ
ハを損傷する危険を防止するのに有効である。本
発明の担持体を本発明のロータの中に設定するの
は実質的に水平なローデイングであるので簡単で
ある。他の利点としては、装置内にシヨツクアブ
ソーバが設けられているので、回転動作によるど
んな振動も操作部に伝達されない。
上述の、および他の特徴および利点、ならびに
本発明は全般に、添付図面を参照して以下の説明
からさらに良く理解できる。
本発明は全般に、添付図面を参照して以下の説明
からさらに良く理解できる。
第1図は本発明の装置の部分切欠き斜視図、
第2図は本装置のロータ担持体部の拡大斜視
図、 第3図は洗浄装置もあわせて概略的に示した第
1図の装置の断面図、 第4図は第3図の線4−4における断面図であ
る。
図、 第3図は洗浄装置もあわせて概略的に示した第
1図の装置の断面図、 第4図は第3図の線4−4における断面図であ
る。
発明の説明
ここで図面を参照すると、ウエハすなわち半導
体素子を処理する装置10が第1図に示されてい
る。本発明の装置は既存のフロントロード型洗浄
機にいくぶん類似の構成要素および機能関係を有
し、この類似性は以下の説明から明らかとなろ
う。
体素子を処理する装置10が第1図に示されてい
る。本発明の装置は既存のフロントロード型洗浄
機にいくぶん類似の構成要素および機能関係を有
し、この類似性は以下の説明から明らかとなろ
う。
第1図に示すように装置10は、いくぶん長方
形の外形および前部開口を有する。この型の装置
はそのロード位置からフロントロード型装置と称
することがある。装置10は筐体アセンブリ11
を有し、これは前部開口13を有する固定タブ1
2を備えている。筐体11にヒンジ付扉14が配
設され、タブ開口13を封止してこのタブと扉に
よつて閉じた流体処理室が形成される。また、扉
14は開閉可能な通気孔16および液密観察窓8
を有する。
形の外形および前部開口を有する。この型の装置
はそのロード位置からフロントロード型装置と称
することがある。装置10は筐体アセンブリ11
を有し、これは前部開口13を有する固定タブ1
2を備えている。筐体11にヒンジ付扉14が配
設され、タブ開口13を封止してこのタブと扉に
よつて閉じた流体処理室が形成される。また、扉
14は開閉可能な通気孔16および液密観察窓8
を有する。
タブ12は、たとえばステンレススチールなど
の耐腐蝕性の耐溶剤材料で構成することが好まし
い。タブ12は第3図および第4図に示すよう
に、その底部に凹形ドレーン23を有する円筒状
容器であり、これによつて処理工程中、処理液の
除去が容易になる。
の耐腐蝕性の耐溶剤材料で構成することが好まし
い。タブ12は第3図および第4図に示すよう
に、その底部に凹形ドレーン23を有する円筒状
容器であり、これによつて処理工程中、処理液の
除去が容易になる。
タブ12の中に同心的にロータ15が配置さ
れ、これは固定支持部材26および可動支持ロツ
ド28を有する。ロータ15はタブ12の中に装
着され、中心駆動軸18(第3図)との結合によ
つて回転し、この駆動軸は軸受マウント19に封
入支持されている。軸受マウント19の中心軸の
延長がロータ15の回転軸となる。タブ12の外
のプーリ・ベルト接続によつて駆動軸18が軸受
マウント19を介してモータ21と結合される。
したがつてモータ21はロータ15をタブ12の
中で回転させる駆動手段となる。
れ、これは固定支持部材26および可動支持ロツ
ド28を有する。ロータ15はタブ12の中に装
着され、中心駆動軸18(第3図)との結合によ
つて回転し、この駆動軸は軸受マウント19に封
入支持されている。軸受マウント19の中心軸の
延長がロータ15の回転軸となる。タブ12の外
のプーリ・ベルト接続によつて駆動軸18が軸受
マウント19を介してモータ21と結合される。
したがつてモータ21はロータ15をタブ12の
中で回転させる駆動手段となる。
タブ12は基本的には固定状態にあり、筐体1
1に結合され、シヨツクアブソーバ17によつて
振動を吸収するように支持されている。タブ12
の中へは複数のスプレー部材、たとえば33およ
び35が結合され、これは第4図に示すように処
理中のウエハの側方の上部にある。
1に結合され、シヨツクアブソーバ17によつて
振動を吸収するように支持されている。タブ12
の中へは複数のスプレー部材、たとえば33およ
び35が結合され、これは第4図に示すように処
理中のウエハの側方の上部にある。
担持体38はデイスクを配置する溝を複数本有
するが、ロータ15に摺動して出し入れでき、ロ
ータの中に設定したときは支持体26とぴつたり
係合する。
するが、ロータ15に摺動して出し入れでき、ロ
ータの中に設定したときは支持体26とぴつたり
係合する。
本発明を実施する場合、担持体38の中に半導
体ウエハを設定し、次に第2図に示すようにロー
タ15の支持部材26の中に担持体38を設定す
る。第2図に示すように、最初にロータ15が比
較的低速回転中は支持ロツド28で半導体ウエハ
が担持体38の中に保持される。ロータ15の回
転速度が増すにつれ、半導体ウエハは遠心力で所
定の位置に保たれる。これらの半導体ウエハはス
プレー部材33および35によつて様々な液をか
けることによつて処理する。ロータ15はほぼ水
平な軸を中心として回転するが、好ましい実施例
ではロータ15の回転軸の角度は水平よりわずか
に大きいか、または小さい。この角度によつて、
密に配置された半導体ウエハが処理中互いに接触
するのを防止している。もし半導体ウエハが処理
中互いに接触すれば、液の停滞が生じ、すなわち
表面張力が生じて接触部分の半導体ウエハの処理
が妨げられたり、たがいに濡れることが妨げられ
たりすることがあり、歩留りが低下してしまう。
ロータ15の軸角度を正確な水平より大きく、ま
たは小さくすることによつて、表面張力の問題は
避けられる。好ましい実施例では、ロータ15の
軸の角度は第3図に示すように水平より上に約
10゜ある。この角度によつて半導体ウエハの設定
も容易になるが、それは、この角度があるために
保持装置を用いないでも担持体38が支持部材2
6の中へ重力で容易に導入され、装置10から担
持体38が脱落するのを防いでいるためである。
体ウエハを設定し、次に第2図に示すようにロー
タ15の支持部材26の中に担持体38を設定す
る。第2図に示すように、最初にロータ15が比
較的低速回転中は支持ロツド28で半導体ウエハ
が担持体38の中に保持される。ロータ15の回
転速度が増すにつれ、半導体ウエハは遠心力で所
定の位置に保たれる。これらの半導体ウエハはス
プレー部材33および35によつて様々な液をか
けることによつて処理する。ロータ15はほぼ水
平な軸を中心として回転するが、好ましい実施例
ではロータ15の回転軸の角度は水平よりわずか
に大きいか、または小さい。この角度によつて、
密に配置された半導体ウエハが処理中互いに接触
するのを防止している。もし半導体ウエハが処理
中互いに接触すれば、液の停滞が生じ、すなわち
表面張力が生じて接触部分の半導体ウエハの処理
が妨げられたり、たがいに濡れることが妨げられ
たりすることがあり、歩留りが低下してしまう。
ロータ15の軸角度を正確な水平より大きく、ま
たは小さくすることによつて、表面張力の問題は
避けられる。好ましい実施例では、ロータ15の
軸の角度は第3図に示すように水平より上に約
10゜ある。この角度によつて半導体ウエハの設定
も容易になるが、それは、この角度があるために
保持装置を用いないでも担持体38が支持部材2
6の中へ重力で容易に導入され、装置10から担
持体38が脱落するのを防いでいるためである。
ロータ15によつて半導体ウエハが高速回転す
るのでスプレー部材33および35から与えられ
る処理液の圧力は低くてよく、これによつて高圧
装置をなくして価格を下げることができる。好ま
しい実施例ではスプレー部材33および35は
別々に、たとえば処理液と窒素を導入して安全適
正動作を達成することができる。
るのでスプレー部材33および35から与えられ
る処理液の圧力は低くてよく、これによつて高圧
装置をなくして価格を下げることができる。好ま
しい実施例ではスプレー部材33および35は
別々に、たとえば処理液と窒素を導入して安全適
正動作を達成することができる。
スプレーおよび乾燥動作中、半導体ウエハは扉
14の窓8から観察することができる。処理工程
中、窒素を使用する場合以外は、通気孔16から
タブの中に空気を導入して処理液をドレーン23
から効果的に排出することができる。
14の窓8から観察することができる。処理工程
中、窒素を使用する場合以外は、通気孔16から
タブの中に空気を導入して処理液をドレーン23
から効果的に排出することができる。
好ましい実施例では、扉14を閉じてロツクス
イツチ42で確実にロツクしないかぎり装置10
は動作しない。半導体ウエハの回転速度はスイツ
チ43および45で調節する。たとえば、洗浄タ
イマRPM調節部43で液体処理工程中の速度を
調節し、乾燥タイマ/RPM調節部45で乾燥工
程中の速度を調節する。
イツチ42で確実にロツクしないかぎり装置10
は動作しない。半導体ウエハの回転速度はスイツ
チ43および45で調節する。たとえば、洗浄タ
イマRPM調節部43で液体処理工程中の速度を
調節し、乾燥タイマ/RPM調節部45で乾燥工
程中の速度を調節する。
操作を説明すると、半導体ウエハを担持体38
の中に配置し、これをロータ15の支持部材26
に挿入する。扉14を閉じてスイツチ42をロツ
クすると、第1図に示す電源スイツチ66を投入
し、スタート/ストツプ・スイツチ68を操作す
ることによつて装置10を起動することができ
る。洗浄タイマ/RPMユニツト43で液体処理
工程の適切な時間と速度を与える。
の中に配置し、これをロータ15の支持部材26
に挿入する。扉14を閉じてスイツチ42をロツ
クすると、第1図に示す電源スイツチ66を投入
し、スタート/ストツプ・スイツチ68を操作す
ることによつて装置10を起動することができ
る。洗浄タイマ/RPMユニツト43で液体処理
工程の適切な時間と速度を与える。
洗浄工程中は様々な液体がスプレー部材33か
ら分配され、半導体ウエハの洗浄処理を行なう。
好ましい実施例では、スプレー23の洗浄水を
D.I.比抵抗計40で監視することによつて洗浄工
程が完了したか否かを判定する。前述のように通
気孔16からタブ12の中に空気を流入させるこ
とによつて排出を助長する。洗浄水の比抵抗がス
プレー部材33から分散された水または他の洗浄
液の比抵抗にほぼ近くなつたと判定されると、乾
燥タイマ/RPMユニツト45が作動する。第4
図を参照すると、乾燥工程中、窒素がスプレー部
材35の中の加熱部材37によつて加熱され、回
転中の半導体ウエハに十分な圧力で吹き付けら
れ、外気は通気孔16から中へ流入することがで
きない。
ら分配され、半導体ウエハの洗浄処理を行なう。
好ましい実施例では、スプレー23の洗浄水を
D.I.比抵抗計40で監視することによつて洗浄工
程が完了したか否かを判定する。前述のように通
気孔16からタブ12の中に空気を流入させるこ
とによつて排出を助長する。洗浄水の比抵抗がス
プレー部材33から分散された水または他の洗浄
液の比抵抗にほぼ近くなつたと判定されると、乾
燥タイマ/RPMユニツト45が作動する。第4
図を参照すると、乾燥工程中、窒素がスプレー部
材35の中の加熱部材37によつて加熱され、回
転中の半導体ウエハに十分な圧力で吹き付けら
れ、外気は通気孔16から中へ流入することがで
きない。
半導体ウエハおよび担持体38は常に一定の重
さであるとは限らないので、担持体38はわずか
に偏心して回転するように構成されている。した
がつて高い回転速度では遠心力によつて半導体ウ
エハを担持体38の中に保持することができる。
シヨツクアブソーバ17は、装置10を設置して
ある面に振動エネルギーが伝わるのを防ぐのに有
効である。ロータ15は、厳密に水平ではないが
ほぼ水平の軸を中心として回転する。
さであるとは限らないので、担持体38はわずか
に偏心して回転するように構成されている。した
がつて高い回転速度では遠心力によつて半導体ウ
エハを担持体38の中に保持することができる。
シヨツクアブソーバ17は、装置10を設置して
ある面に振動エネルギーが伝わるのを防ぐのに有
効である。ロータ15は、厳密に水平ではないが
ほぼ水平の軸を中心として回転する。
駆動軸18、ロータ15、担持体38の回転
軸、および担持体38に担持されたウエハの回転
軸は、約91゜から約135゜、または225゜から269゜の範
囲、およびこれらの補角であつてよい。好ましい
角度は約95゜から約105゜、または約255゜から約265゜
の範囲内にあり、図示の角度は水平より約10゜上、
すなわち約100゜である。ここで用いたように、水
平とは羅針盤の90゜から270゜に走る仮想線として
定義される。
軸、および担持体38に担持されたウエハの回転
軸は、約91゜から約135゜、または225゜から269゜の範
囲、およびこれらの補角であつてよい。好ましい
角度は約95゜から約105゜、または約255゜から約265゜
の範囲内にあり、図示の角度は水平より約10゜上、
すなわち約100゜である。ここで用いたように、水
平とは羅針盤の90゜から270゜に走る仮想線として
定義される。
本発明の特定の実施例を示して説明したが、本
発明の広範な態様においてその精神と範囲を逸脱
することなく変更および修正を加えることができ
ることは明らかである。
発明の広範な態様においてその精神と範囲を逸脱
することなく変更および修正を加えることができ
ることは明らかである。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/127,660 US4300581A (en) | 1980-03-06 | 1980-03-06 | Centrifugal wafer processor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57501257A JPS57501257A (ja) | 1982-07-15 |
| JPH0318332B2 true JPH0318332B2 (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=22431237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56501206A Expired - Lifetime JPH0318332B2 (ja) | 1980-03-06 | 1981-02-27 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4300581A (ja) |
| EP (1) | EP0047308B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0318332B2 (ja) |
| WO (1) | WO1981002533A1 (ja) |
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- 1981-02-27 WO PCT/US1981/000257 patent/WO1981002533A1/en not_active Ceased
- 1981-02-27 EP EP81900893A patent/EP0047308B1/en not_active Expired
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