JPH03183695A - 気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法 - Google Patents
気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法Info
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- JPH03183695A JPH03183695A JP1322259A JP32225989A JPH03183695A JP H03183695 A JPH03183695 A JP H03183695A JP 1322259 A JP1322259 A JP 1322259A JP 32225989 A JP32225989 A JP 32225989A JP H03183695 A JPH03183695 A JP H03183695A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法
に係り、詳しくは、基板上に予め気相合成された下地ダ
イヤモンド薄膜表面上の希望部分に、気相合成によって
ダイヤモンド薄膜を新たに形成し得るようにした、気相
合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法に関するものであ
る。
に係り、詳しくは、基板上に予め気相合成された下地ダ
イヤモンド薄膜表面上の希望部分に、気相合成によって
ダイヤモンド薄膜を新たに形成し得るようにした、気相
合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法に関するものであ
る。
周知のように、ダイヤモンドは物質中最高の硬さを持ち
、熱伝導率が大きく、さらに耐熱性、耐放射線性に優れ
ている。そのため、気相合成されたダイヤモンドを用い
て、これらの特性を備えた、耐環境性電子デバイス、半
導体素子等の開発が進められている。
、熱伝導率が大きく、さらに耐熱性、耐放射線性に優れ
ている。そのため、気相合成されたダイヤモンドを用い
て、これらの特性を備えた、耐環境性電子デバイス、半
導体素子等の開発が進められている。
このような電子技術分野への気相合成ダイヤモンドの適
用に際しては、Ｓｉ基板（Ｓｉウェハ）表面上の希望部
分に選択的にダイヤモンド薄膜を形成できる技術の確立
が要請されていた。このため、本出廓人は以下のような
ダイヤモンドの気相合成方法を提案している（特開昭６
２−２９７２９８号）。
用に際しては、Ｓｉ基板（Ｓｉウェハ）表面上の希望部
分に選択的にダイヤモンド薄膜を形成できる技術の確立
が要請されていた。このため、本出廓人は以下のような
ダイヤモンドの気相合成方法を提案している（特開昭６
２−２９７２９８号）。
すなわち、Ｓｉ基板上にダイヤモンドを気相合成するに
当たり、この基板表面上のダイヤモンドが形成されるべ
き部分をマスク部材で被覆するとともに、このマスク部
材で被覆された部分以外の残余の部分を、アモルファス
Ｓｉ等のアモルファス性材料で被覆する。次いで、前記
マスク部材を除去して基板表面を露出し、気相合成を行
うことにより露出された基板表面部分にダイヤモンド薄
膜を形成するようにしたものである。
当たり、この基板表面上のダイヤモンドが形成されるべ
き部分をマスク部材で被覆するとともに、このマスク部
材で被覆された部分以外の残余の部分を、アモルファス
Ｓｉ等のアモルファス性材料で被覆する。次いで、前記
マスク部材を除去して基板表面を露出し、気相合成を行
うことにより露出された基板表面部分にダイヤモンド薄
膜を形成するようにしたものである。
上記の従来技術によれば、Ｓｉ基板表面上に希望するパ
ターンに従ってダイヤモンド薄膜を形成できるので、ダ
イヤモンド半導体などのデバイスの試作研究が一層進め
易くなった。
ターンに従ってダイヤモンド薄膜を形成できるので、ダ
イヤモンド半導体などのデバイスの試作研究が一層進め
易くなった。
しかしながら、下地基板がＳｉ基板であると、デバイス
としての電気的耐圧が下地基板としてのＳｉによって制
限されること、高温状態下で使用する際に膨張率の違い
からデバイスが損傷を受ける可能性があること、等の問
題がある。
としての電気的耐圧が下地基板としてのＳｉによって制
限されること、高温状態下で使用する際に膨張率の違い
からデバイスが損傷を受ける可能性があること、等の問
題がある。
そのため、Ｓｉ基板上に予め気相合成された下地ダイヤ
モンド薄膜表面上に、気相合成によってダイヤモンド薄
膜を希望するパターンに従って新たに形成し得るように
した技術が確立されれば、この技術に基づいて半導体な
どのデバイスを形成したのち、Ｓｉ基板のみを溶かし去
れば、上記のような間郡を解決し得ることになる。
モンド薄膜表面上に、気相合成によってダイヤモンド薄
膜を希望するパターンに従って新たに形成し得るように
した技術が確立されれば、この技術に基づいて半導体な
どのデバイスを形成したのち、Ｓｉ基板のみを溶かし去
れば、上記のような間郡を解決し得ることになる。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであ
って、基板上に予め気相合成された下地ダイヤモンド薄
膜の表面に、気相合成によってダイヤモンド薄膜を希望
するパターンに従って新たに形成できる、気相合成ダイ
ヤモンド薄膜の選択形成方法の提供を目的とする。
って、基板上に予め気相合成された下地ダイヤモンド薄
膜の表面に、気相合成によってダイヤモンド薄膜を希望
するパターンに従って新たに形成できる、気相合成ダイ
ヤモンド薄膜の選択形成方法の提供を目的とする。
上記の目的を達成するために、この発明による気相合成
ダイヤモンド薄膜の選択形成方法は、基板上に予め気相
合成された下地ダイヤモンド薄膜の表面に、気相合成に
よってダイヤモンド薄膜を領域選択的に新たに形成する
気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法であって、前
記下地ダイヤモンド薄膜表面上のダイヤモンドが形成さ
れるべき特定部分以外の残余の部分を、耐熱温度がダイ
ヤモンドを気相合成するための基板温度より高く、かつ
ダイヤモンドに対するエツチング選択比が大きい材料で
被覆し、その後気相合成を行うことにより前記下地ダイ
ヤモンド薄膜表面上の前記特定部分にダイヤモンド薄膜
を形成することを特徴としている。
ダイヤモンド薄膜の選択形成方法は、基板上に予め気相
合成された下地ダイヤモンド薄膜の表面に、気相合成に
よってダイヤモンド薄膜を領域選択的に新たに形成する
気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法であって、前
記下地ダイヤモンド薄膜表面上のダイヤモンドが形成さ
れるべき特定部分以外の残余の部分を、耐熱温度がダイ
ヤモンドを気相合成するための基板温度より高く、かつ
ダイヤモンドに対するエツチング選択比が大きい材料で
被覆し、その後気相合成を行うことにより前記下地ダイ
ヤモンド薄膜表面上の前記特定部分にダイヤモンド薄膜
を形成することを特徴としている。
〔作 用］
上記のように構成されるこの発明による気相合成ダイヤ
モンド薄膜の選択形成方法においては、耐熱温度がダイ
ヤモンドを気相合成するための基板温度より高く、かつ
ダイヤモンドに対するエツチング選択比が大きい材料で
被覆されている部分、つまり新たにダイヤモンド薄膜を
形成させたくない部分では、ダイヤ粒子の核発生を起こ
す確率が極めて低いのでダイヤモンド薄膜の形成が強く
抑制される。このことにより、下地ダイヤモンド薄膜表
面上の希望する部分に、ダイヤモンド薄膜を新たに形成
し得る。また、たとえ上記材料を用いた被覆膜表面にダ
イヤモンドがわずかに形成されたとしても、密着性が極
めて弱く容易に除去し得るので、この発明の目的を達成
する上で何の不都合もない。
モンド薄膜の選択形成方法においては、耐熱温度がダイ
ヤモンドを気相合成するための基板温度より高く、かつ
ダイヤモンドに対するエツチング選択比が大きい材料で
被覆されている部分、つまり新たにダイヤモンド薄膜を
形成させたくない部分では、ダイヤ粒子の核発生を起こ
す確率が極めて低いのでダイヤモンド薄膜の形成が強く
抑制される。このことにより、下地ダイヤモンド薄膜表
面上の希望する部分に、ダイヤモンド薄膜を新たに形成
し得る。また、たとえ上記材料を用いた被覆膜表面にダ
イヤモンドがわずかに形成されたとしても、密着性が極
めて弱く容易に除去し得るので、この発明の目的を達成
する上で何の不都合もない。
この発明における新たにダイヤモンド薄膜を形成させた
くない部分を被覆するための被覆材料は、上記のように
ダイヤ粒子の核発生を抑制できるとともに、ダイヤモン
ドに対するエツチング選択比が大きいという特性を備え
たものである。この「ダイヤモンドに対するエツチング
の選択比が大きい」とは、下地ダイヤモンド薄膜上に新
たにダイヤモンド薄膜を形成した後、この被覆材料が取
り除かれる際に、その材料を除去し得る薬品、ガス等に
よってダイヤモンドが？容けるなどのダイヤモンドに対
して悪影響を与えない、という意味である。
くない部分を被覆するための被覆材料は、上記のように
ダイヤ粒子の核発生を抑制できるとともに、ダイヤモン
ドに対するエツチング選択比が大きいという特性を備え
たものである。この「ダイヤモンドに対するエツチング
の選択比が大きい」とは、下地ダイヤモンド薄膜上に新
たにダイヤモンド薄膜を形成した後、この被覆材料が取
り除かれる際に、その材料を除去し得る薬品、ガス等に
よってダイヤモンドが？容けるなどのダイヤモンドに対
して悪影響を与えない、という意味である。
さらに、上記被覆材料の耐熱温度としては、ダイヤモン
ドを気相合成するための基板温度より高いことが必要で
ある。これはダイヤモンドを気相合成するときの基板の
加熱によって新たに形成すべきダイヤモンド薄膜の形を
規制するための被覆膜が型くずれすることを防ぐためで
ある。なお、例えば、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
るダイャモンドの気相合成では、基板温度を８００°Ｃ
程度に保持させてダイヤモンドの気相合成が行われてい
る。
ドを気相合成するための基板温度より高いことが必要で
ある。これはダイヤモンドを気相合成するときの基板の
加熱によって新たに形成すべきダイヤモンド薄膜の形を
規制するための被覆膜が型くずれすることを防ぐためで
ある。なお、例えば、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
るダイャモンドの気相合成では、基板温度を８００°Ｃ
程度に保持させてダイヤモンドの気相合成が行われてい
る。
このような特性を備えた材料としては、アモルファスＳ
ｉ、また酸化ケイ素や窒化ケイ素などのアモルファス・
セラミックス、さらに微結晶Ｓｉなどが挙げられる。な
お、被覆の容易さの点からは、アモルファスＳ１が好ま
しい。
ｉ、また酸化ケイ素や窒化ケイ素などのアモルファス・
セラミックス、さらに微結晶Ｓｉなどが挙げられる。な
お、被覆の容易さの点からは、アモルファスＳ１が好ま
しい。
また、この発明においては、新たに形成されるダイヤモ
ンド薄膜としては、下地ダイヤモンド薄膜に比較して、
ダレインサイズの大きなものが得られる。すなわち、下
地層としてのダイヤモンド薄膜においては、表面がダイ
ヤモンド・ペーストを用いてパフ研磨されたＳｉ基基土
上形成されるので、初期核発生の密度が高く、成長初期
の結晶粒は小さい。そして、成長させるに従って、結晶
同士の成長競争の結果、結晶の数が減少して結晶粒が大
きくなって行く。これに対して、新たに形成されるダイ
ヤモンド薄膜においては、下地ダイヤモンド薄膜の結晶
秩序に従って成長（エピタキシャル成長）するので、そ
の結晶粒は大きなものとなる。なお、下地ダイヤモンド
薄膜を気相合成するときには、制御性は悪いが生成速度
の速い成膜法を用いればよく、この上に積層されるダイ
ヤモンド薄膜を気相合成するときには、その膜厚がそれ
ほど必要とされないことが多いので、制御性良くゆっく
りと成長させてやればよい。
ンド薄膜としては、下地ダイヤモンド薄膜に比較して、
ダレインサイズの大きなものが得られる。すなわち、下
地層としてのダイヤモンド薄膜においては、表面がダイ
ヤモンド・ペーストを用いてパフ研磨されたＳｉ基基土
上形成されるので、初期核発生の密度が高く、成長初期
の結晶粒は小さい。そして、成長させるに従って、結晶
同士の成長競争の結果、結晶の数が減少して結晶粒が大
きくなって行く。これに対して、新たに形成されるダイ
ヤモンド薄膜においては、下地ダイヤモンド薄膜の結晶
秩序に従って成長（エピタキシャル成長）するので、そ
の結晶粒は大きなものとなる。なお、下地ダイヤモンド
薄膜を気相合成するときには、制御性は悪いが生成速度
の速い成膜法を用いればよく、この上に積層されるダイ
ヤモンド薄膜を気相合成するときには、その膜厚がそれ
ほど必要とされないことが多いので、制御性良くゆっく
りと成長させてやればよい。
以下、実施例に基づいてこの発明を説明する。
策上尖施班
第１図はこの発明の一実施例の工程を示す概略説明図で
ある。予め、所定寸法のＳｉ基板１の表面をダイヤモン
ド・ペーストを用いてパフ研磨し、このＳｉ基板１上に
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて下地層としての
下地ダイヤモンド薄ｎ＃２を厚み５μｍで形成した。以
下に、この実施例をその手順に従って説明する。
ある。予め、所定寸法のＳｉ基板１の表面をダイヤモン
ド・ペーストを用いてパフ研磨し、このＳｉ基板１上に
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて下地層としての
下地ダイヤモンド薄ｎ＃２を厚み５μｍで形成した。以
下に、この実施例をその手順に従って説明する。
■ まず、公知のフォトリソグラフィ技術によって、下
地ダイヤモンド薄膜２上におけるダイヤモンドを新たに
形成すべき表面部分２ａに、厚み約１μｍとなるように
フォトレジスト膜３を被覆した〔第１図（ａ）〕。
地ダイヤモンド薄膜２上におけるダイヤモンドを新たに
形成すべき表面部分２ａに、厚み約１μｍとなるように
フォトレジスト膜３を被覆した〔第１図（ａ）〕。
■ 次いで、下地ダイヤモンド薄膜２、フォトレジスト
膜３上の全面に、第１図（ｂ）に示すように、アモルフ
ァスＳｉを堆積させた。
膜３上の全面に、第１図（ｂ）に示すように、アモルフ
ァスＳｉを堆積させた。
■ フォトレジスト膜３を除去する。このとき、フォト
レジスト膜３上に堆積していたアモルファスＳｉも同時
に除去される。これにより、下地ダイヤモンド薄膜２上
におけるダイヤモンドを新たに形成すべき表面部分２ａ
以外の表面部分２ｂのみに、アモルファスＳｉからなる
被覆膜４が形成される〔第１図（Ｃ）〕。
レジスト膜３上に堆積していたアモルファスＳｉも同時
に除去される。これにより、下地ダイヤモンド薄膜２上
におけるダイヤモンドを新たに形成すべき表面部分２ａ
以外の表面部分２ｂのみに、アモルファスＳｉからなる
被覆膜４が形成される〔第１図（Ｃ）〕。
■ 次いで、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて、
Ｓｉｉ板１を約８００ ’Ｃに保持して、７時間の気相
合成を行った。その結果、被覆膜４の型くずれを生しる
ことなく、下地ダイヤモンドＦ［２上のダイヤモンドを
形成すべき表面部分２ａの形状に従った厚み１． ５μ
ｍのダイヤモンド薄膜５が形成された〔第１図（ｄ）］
、あとは、第１図（ｅ）に示すように、フッ硝酸水溶液
を用いて被覆膜４を除去した。
Ｓｉｉ板１を約８００ ’Ｃに保持して、７時間の気相
合成を行った。その結果、被覆膜４の型くずれを生しる
ことなく、下地ダイヤモンドＦ［２上のダイヤモンドを
形成すべき表面部分２ａの形状に従った厚み１． ５μ
ｍのダイヤモンド薄膜５が形成された〔第１図（ｄ）］
、あとは、第１図（ｅ）に示すように、フッ硝酸水溶液
を用いて被覆膜４を除去した。
第ｍ組例
第２同はこの発明の他の実施例の工程を示す概略説明図
である。第１実施例と同様にして、予め、Ｓｉ基板ｌｌ
上に下地ダイヤモンド薄膜１２を厚み５μｍで形成した
。以下に、この実施例をその手順に従って説明する。
である。第１実施例と同様にして、予め、Ｓｉ基板ｌｌ
上に下地ダイヤモンド薄膜１２を厚み５μｍで形成した
。以下に、この実施例をその手順に従って説明する。
■ まず、下地ダイヤモンド薄膜１２上全面にアモルフ
ァスＳｉからなる被覆膜１４を厚み数百オングストロー
ムで形成してから、この被覆膜１４上に、下地ダイヤモ
ンド薄膜１２上におけるダイヤモンドを新たに形成すべ
き表面部分１２ａ以外の表面部分１２ｂに対応させて、
フォトリソグラフィ技術によりフォトレジスト膜１３を
被覆した［第２図（ａ）］。
ァスＳｉからなる被覆膜１４を厚み数百オングストロー
ムで形成してから、この被覆膜１４上に、下地ダイヤモ
ンド薄膜１２上におけるダイヤモンドを新たに形成すべ
き表面部分１２ａ以外の表面部分１２ｂに対応させて、
フォトリソグラフィ技術によりフォトレジスト膜１３を
被覆した［第２図（ａ）］。
■ 次いで、フォトレジスト膜１３のない部分、つまり
、ダイヤモンドを新たに形成すべき表面部分１２ａの被
覆１１１１４を除去した〔第２図（ロ）〕。
、ダイヤモンドを新たに形成すべき表面部分１２ａの被
覆１１１１４を除去した〔第２図（ロ）〕。
■ フォトレジスト膜１３を除去する。これにより、下
地ダイヤモンド薄膜１２上におけるダイヤモンドを新た
に形成すべき表面部分１２ａ以外の表面部分１２ｂのみ
に、アモルファスＳｉからなる被覆膜１４が形成される
〔第２図（Ｃ）〕。
地ダイヤモンド薄膜１２上におけるダイヤモンドを新た
に形成すべき表面部分１２ａ以外の表面部分１２ｂのみ
に、アモルファスＳｉからなる被覆膜１４が形成される
〔第２図（Ｃ）〕。
■ 次に、第１実施例と同様にして、マイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置を用いて気相合成を行った。
マＣＶＤ装置を用いて気相合成を行った。
その結果、下地ダイヤモンド薄膜１２上のダイヤモンド
を形成すべき表面部分１２ａにその形状に従った厚み１
．５μｍのダイヤモンド薄膜１５が形成された（第２図
（ｄ）〕。あとは、第２図（ｅ）に示すように、フン硝
酸水溶液を用いて被覆膜１４を除去すればよい。
を形成すべき表面部分１２ａにその形状に従った厚み１
．５μｍのダイヤモンド薄膜１５が形成された（第２図
（ｄ）〕。あとは、第２図（ｅ）に示すように、フン硝
酸水溶液を用いて被覆膜１４を除去すればよい。
なお、アモルファス性材料としては、上記両実施例では
アモルファスＳｉを用いたが、酸化ケイ素や窒化ケイ素
などのアモルファス・セラミックス、あるいは微結晶Ｓ
ｉを使用してもよい。
アモルファスＳｉを用いたが、酸化ケイ素や窒化ケイ素
などのアモルファス・セラミックス、あるいは微結晶Ｓ
ｉを使用してもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、この発明による気相合成ダイヤモ
ンド薄膜の選択形成方法によれば、基板上に予め気相合
成された下地ダイヤモンド薄膜表面のダイヤモンドを形
成すべき特定部分以外の残余の部分を、耐熱温度がダイ
ヤモンドを気相合成するための基板塩度より高く、かつ
ダイヤモンドに対するエンチング選択比が大きい材料で
被覆し、その後、気相合成を行うようにしたので、下地
ダイヤモンド薄膜表面上の希望する部分に、その形状パ
ターンに従ってダイヤモンド薄膜を新たに形成すること
ができる。
ンド薄膜の選択形成方法によれば、基板上に予め気相合
成された下地ダイヤモンド薄膜表面のダイヤモンドを形
成すべき特定部分以外の残余の部分を、耐熱温度がダイ
ヤモンドを気相合成するための基板塩度より高く、かつ
ダイヤモンドに対するエンチング選択比が大きい材料で
被覆し、その後、気相合成を行うようにしたので、下地
ダイヤモンド薄膜表面上の希望する部分に、その形状パ
ターンに従ってダイヤモンド薄膜を新たに形成すること
ができる。
これにより、この発明による選択形成方法に基づいて半
導体デバイスを形成した後、下地ダイヤモンド薄膜ｔ膜
を成長させたＳｉ等からなる基板を除去すれば、そのデ
バイスはダイヤモンド自身の持つ優れた特性を備えたも
のとなる。したがって、電気的耐圧が飛躍的に向上し、
高温状態における膨張率の違いによる損傷の心配等のな
い優れた性能を備えたダイヤモンド半導体デバイスなど
の開発に寄与することができる。
導体デバイスを形成した後、下地ダイヤモンド薄膜ｔ膜
を成長させたＳｉ等からなる基板を除去すれば、そのデ
バイスはダイヤモンド自身の持つ優れた特性を備えたも
のとなる。したがって、電気的耐圧が飛躍的に向上し、
高温状態における膨張率の違いによる損傷の心配等のな
い優れた性能を備えたダイヤモンド半導体デバイスなど
の開発に寄与することができる。
第１図はこの発明の一実施例の工程を示す概略説明図、
第２図はこの発明の他の実施例の工程を示す概略説明口
である。 １．１１・・・−５ｉ基板、２．１２−下地ダイヤモン
ド薄膜、３．１３−フォトレジスト膜、 ４．１４− アモルファスＳｉからなる被覆膜、５．１
５−ダイヤモンド薄膜。
第２図はこの発明の他の実施例の工程を示す概略説明口
である。 １．１１・・・−５ｉ基板、２．１２−下地ダイヤモン
ド薄膜、３．１３−フォトレジスト膜、 ４．１４− アモルファスＳｉからなる被覆膜、５．１
５−ダイヤモンド薄膜。
Claims (1)
- （１）基板上に予め気相合成された下地ダイヤモンド薄
膜の表面に、気相合成によってダイヤモンド薄膜を領域
選択的に新たに形成する気相合成ダイヤモンド薄膜の選
択形成方法であって、前記下地ダイヤモンド薄膜表面上
のダイヤモンドが形成されるべき特定部分以外の残余の
部分を、耐熱温度がダイヤモンドを気相合成するための
基板温度より高く、かつダイヤモンドに対するエッチン
グ選択比が大きい材料で被覆し、その後気相合成を行う
ことにより前記下地ダイヤモンド薄膜表面上の前記特定
部分にダイヤモンド薄膜を形成することを特徴とする、
気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322259A JP2690796B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法 |
| GB9000473A GB2228745B (en) | 1989-01-10 | 1990-01-09 | Process for the selective deposition of thin diamond film by gas phase synthesis |
| US07/845,790 US5304461A (en) | 1989-01-10 | 1992-03-09 | Process for the selective deposition of thin diamond film by gas phase synthesis |
| GB9224173A GB2260341B (en) | 1989-01-10 | 1992-11-18 | Process for the selective deposition of thin diamond film by chemical vapour deposition |
| GB9224174A GB2260342B (en) | 1989-01-10 | 1992-11-18 | Process for the selective deposition of thin diamond film by chemical vapour deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322259A JP2690796B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183695A true JPH03183695A (ja) | 1991-08-09 |
| JP2690796B2 JP2690796B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=18141658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1322259A Expired - Fee Related JP2690796B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-12-11 | 気相合成ダイヤモンド薄膜の選択形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690796B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017526809A (ja) * | 2014-08-01 | 2017-09-14 | ハリバートン エナジー サヴィシーズ インコーポレイテッド | 化学蒸着修飾した多結晶ダイヤモンド |
| JP2021089267A (ja) * | 2020-06-03 | 2021-06-10 | 五郎 五十嵐 | 放射性物質を封入する金属製容器 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1322259A patent/JP2690796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017526809A (ja) * | 2014-08-01 | 2017-09-14 | ハリバートン エナジー サヴィシーズ インコーポレイテッド | 化学蒸着修飾した多結晶ダイヤモンド |
| JP2021089267A (ja) * | 2020-06-03 | 2021-06-10 | 五郎 五十嵐 | 放射性物質を封入する金属製容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2690796B2 (ja) | 1997-12-17 |
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