JPH0318389B2 - - Google Patents
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- JPH0318389B2 JPH0318389B2 JP56186354A JP18635481A JPH0318389B2 JP H0318389 B2 JPH0318389 B2 JP H0318389B2 JP 56186354 A JP56186354 A JP 56186354A JP 18635481 A JP18635481 A JP 18635481A JP H0318389 B2 JPH0318389 B2 JP H0318389B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- region
- shift register
- vertical shift
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送装置を用いた撮像装置に関す
るものである。
るものである。
電荷転送装置は固体撮像装置の特徴である小型
軽量，低消電力，高信頼性という観点から急速に
開発が進められている。
軽量，低消電力，高信頼性という観点から急速に
開発が進められている。
しかし撮像装置として電荷転送装置の利害得失
を考えると、先に述べた固体撮像の利点の外に、
雑音，残像焼き付け等では現在使用されている撮
像管より優れているが、高集積化が困難であるた
め分解能に大きな問題を残している。
を考えると、先に述べた固体撮像の利点の外に、
雑音，残像焼き付け等では現在使用されている撮
像管より優れているが、高集積化が困難であるた
め分解能に大きな問題を残している。
電荷転送装置を用いた撮像装置は、フレーム転
送方式，インターライン転送方式と呼ばれる方式
が開発されているが、本発明はインターライン転
送方式の電荷転送撮像装置に関するものである。
送方式，インターライン転送方式と呼ばれる方式
が開発されているが、本発明はインターライン転
送方式の電荷転送撮像装置に関するものである。
従来のインターライン転送方式による電荷転送
撮像装置は第１図に示すように同一電荷転送電極
群で駆動する複数列の垂直シフトレジスタ１と、
各垂直シフトレジスタの一側に隣接し、且つ互い
に電気的に分離され、マトリツクス状に配列され
た光変換部２と、垂直シフトレジスタと光電変換
部間の信号電荷を制御する転送電極３と、各垂直
シフトレジスタの一端に電気的に結合した電荷転
送水平シフトレジスタ４と、水平シフトレジスタ
の一端に信号電荷を検出する装置（出力部）５か
ら構成されている。
撮像装置は第１図に示すように同一電荷転送電極
群で駆動する複数列の垂直シフトレジスタ１と、
各垂直シフトレジスタの一側に隣接し、且つ互い
に電気的に分離され、マトリツクス状に配列され
た光変換部２と、垂直シフトレジスタと光電変換
部間の信号電荷を制御する転送電極３と、各垂直
シフトレジスタの一端に電気的に結合した電荷転
送水平シフトレジスタ４と、水平シフトレジスタ
の一端に信号電荷を検出する装置（出力部）５か
ら構成されている。
２相駆動インターライン転送方式の単位セルの
構成図を第２図ａに示す。単位セルは光電変換部
１と、転送電極３と、バリヤ領域６とストレージ
領域７とからなる垂直シフトレジスタ１と、隣接
するセルを分離するため設けられたチヤネルスト
ツプ領域８とから構成されている。即ち水平方向
の１ピツチｌの間に光電変換部２と、転送電極３
と、垂直シフトレジスタ１と、チヤネルストツプ
領域８との４つ領域で構成されている。インター
ライン転送方式で水平方向の解像度度を上げるた
め絵素数を増すためには、１ピツチｌのまま絵素
数を単純に増すか、１ピツチｌを小さくして増す
方法が考えられる。ピツチを変えずに絵素数を増
すとチツプ面積が増大し歩留り低下する。またピ
ツチｌを小さくして絵素数を増加させるためには
光電変換部２と、転送電極３と、垂直シフトレジ
スタ１と、チヤネルストツプ領域８の４つ各領域
のパターン寸法を小さくしなければならない。パ
ターン寸法の微細化はプロセスと係りあつていて
パターン寸法法の微細化には限界がある。
構成図を第２図ａに示す。単位セルは光電変換部
１と、転送電極３と、バリヤ領域６とストレージ
領域７とからなる垂直シフトレジスタ１と、隣接
するセルを分離するため設けられたチヤネルスト
ツプ領域８とから構成されている。即ち水平方向
の１ピツチｌの間に光電変換部２と、転送電極３
と、垂直シフトレジスタ１と、チヤネルストツプ
領域８との４つ領域で構成されている。インター
ライン転送方式で水平方向の解像度度を上げるた
め絵素数を増すためには、１ピツチｌのまま絵素
数を単純に増すか、１ピツチｌを小さくして増す
方法が考えられる。ピツチを変えずに絵素数を増
すとチツプ面積が増大し歩留り低下する。またピ
ツチｌを小さくして絵素数を増加させるためには
光電変換部２と、転送電極３と、垂直シフトレジ
スタ１と、チヤネルストツプ領域８の４つ各領域
のパターン寸法を小さくしなければならない。パ
ターン寸法の微細化はプロセスと係りあつていて
パターン寸法法の微細化には限界がある。
そこで単位セルを角度θだけ回転した場合を第
２図ｂに示す。水平方向のピツチはl′＝lsinθとな
りsinθ≦１であることよりピツチl′はｌより小さ
くなる。すなわち単位セルを角度θだけ回転して
マトリツクス状に配列すると同一チツプ内で水平
方向の寸法は縮まる。ところが垂直方向のピツチ
はｍ／sinθ（ｍ：回転する前の垂直方向のピツチ）
となり増加し、垂直方向のチツプ寸法が増加し問
題となる。
２図ｂに示す。水平方向のピツチはl′＝lsinθとな
りsinθ≦１であることよりピツチl′はｌより小さ
くなる。すなわち単位セルを角度θだけ回転して
マトリツクス状に配列すると同一チツプ内で水平
方向の寸法は縮まる。ところが垂直方向のピツチ
はｍ／sinθ（ｍ：回転する前の垂直方向のピツチ）
となり増加し、垂直方向のチツプ寸法が増加し問
題となる。
本発明の目的は上記の欠点をなくした新しい構
造の固体撮像装置を提供することにある。
造の固体撮像装置を提供することにある。
本発明によれば、半導体基板上に形成され、複
数の位相パルスで駆動できる複数の電荷転送電極
群と、前記複数の電荷転送電極群で駆動でき、電
荷蓄積領域と電過通過領域で構成され、互いに電
気的に分離された複数列の電荷転送を行う垂直シ
フトレジスタ群と、前記垂直シフトレジスタ間に
チヤネルストツプ手段によつて互いに電気的分離
され、マトリツクス状に配置され、電荷の蓄積が
可能な光電変換部と、光電変換部と前記電荷蓄積
領域の間に設けられた光電変換部で光電変換され
た電荷を前記電荷蓄積領域へ、転送する転送制御
部領域と、前記各垂直シフトレジスタの一端に電
気的に結合された電荷転送水平シフトレジスタ
と、前記水平シフトレジスタの一端に電荷検出装
置を有する電荷転送撮像装置において、前記光電
変換部と前記転送制御領域と前記垂直シフトレジ
スタの電荷通過領域と電荷蓄積領域とから成る第
Ｎ番目の単位セルが水平シフトレジスタに対し角
度を0゜＜θ＜90゜をもつてマトリクス状に配列さ
れると共に、上記垂直シフトレジスタの電荷通過
領域の下縁が第Ｎ番目の単位セルの垂直シフトレ
ジスタの電荷蓄積領域の上縁と一致し、かつこの
電荷通過領域の上縁が第（Ｎ−１）番目の単位セ
ルの垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域の下縁と
も一致し、さらに垂直シフトレジスタが前記水平
レジスタに垂直となることを特徴とする電荷転送
撮像装置が得られる。
数の位相パルスで駆動できる複数の電荷転送電極
群と、前記複数の電荷転送電極群で駆動でき、電
荷蓄積領域と電過通過領域で構成され、互いに電
気的に分離された複数列の電荷転送を行う垂直シ
フトレジスタ群と、前記垂直シフトレジスタ間に
チヤネルストツプ手段によつて互いに電気的分離
され、マトリツクス状に配置され、電荷の蓄積が
可能な光電変換部と、光電変換部と前記電荷蓄積
領域の間に設けられた光電変換部で光電変換され
た電荷を前記電荷蓄積領域へ、転送する転送制御
部領域と、前記各垂直シフトレジスタの一端に電
気的に結合された電荷転送水平シフトレジスタ
と、前記水平シフトレジスタの一端に電荷検出装
置を有する電荷転送撮像装置において、前記光電
変換部と前記転送制御領域と前記垂直シフトレジ
スタの電荷通過領域と電荷蓄積領域とから成る第
Ｎ番目の単位セルが水平シフトレジスタに対し角
度を0゜＜θ＜90゜をもつてマトリクス状に配列さ
れると共に、上記垂直シフトレジスタの電荷通過
領域の下縁が第Ｎ番目の単位セルの垂直シフトレ
ジスタの電荷蓄積領域の上縁と一致し、かつこの
電荷通過領域の上縁が第（Ｎ−１）番目の単位セ
ルの垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域の下縁と
も一致し、さらに垂直シフトレジスタが前記水平
レジスタに垂直となることを特徴とする電荷転送
撮像装置が得られる。
次に本発明についてその実施例を示す図面を用
いて説明する。
いて説明する。
第３図は本発明の固体撮像装置を説明するため
の構造模式図で、第４図は第３図の２つのセルを
示す本発明の拡大図、第５図は本発明の他実施例
である。
の構造模式図で、第４図は第３図の２つのセルを
示す本発明の拡大図、第５図は本発明の他実施例
である。
インターライン転送方式の電荷転送撮像装置で
水平方向は光電変換部と、転送電極と、垂直シフ
トレジスタと、チヤネルストツプ領域との４つ領
域で構成されているため、水平方向の縮小は困難
である。しかし単位セルを角度θだけ回転させる
と水平方向にsinθ倍だけ縮小できるが、垂直方向
は１／sunθ倍に拡大されることは既に述べた。
インターライン転送方式の垂直方向は光電変換部
とチヤネルストツプ領域、または垂直シフトレジ
スタはバリヤ領域と、ストレージ領域とそれぞれ
２つの領域より構成されているので、水平方向と
比較して縮小が可能である。このことよりインタ
ーライン転送方式では単位セルを水平シフトレジ
スタに対して角度θだけ回転させ、垂直方向のパ
ターン寸法を縮小することにより、同一のチツプ
面積で水平方向の絵素数を増加させることが可能
である。第３図は従来のインターライン転送装置
を説明した第１図に対応するもので本発明の基本
的な構成を示すす模式図である。本発明の電荷転
送撮像装置は半導体基板上に形成され複数の位相
パルスで駆動できる複数の電荷転送電極群と、前
記複数の電荷転送電極群で駆動でき、且つ互いに
電気的に分離された３列の垂直シフトレジスタ
R1〜R3、と該垂直シフトレジスタ間にチヤネル
ストツプ１１によつて互いに電気的に分離され、
３×３のマトリツクス状に配置され、電荷の蓄積
が可能な光電変換部P11〜P33と、垂直シフトレジ
スタと光電変換部の信号電荷転送を制御する転送
制御領域T11〜T33と、各垂直シフトレジスタR1
〜R3の一端に電気的に結合した電荷転送水平シ
フトレジスタと、水平シフトレジスタの一端に信
号電荷を検出する装置１０から構成されている。
なお、第３図には図面が複雑となるため垂直シフ
トレジスタR1〜R3を駆動する電荷転送電極は省
略されている。本発明の電荷転送撮像装置におけ
る単位セルは例えば光電変換部P11と、転送制御
領域T11と、電荷通過領域11と、電荷蓄積領域S11
で構成されており、水平シフトレジスタに対して
角度θ1だけ回転して配置されていることが特徴で
ある。本発明の電荷転送撮像装置から撮像出力を
得るには、第３図において光電変換部P11〜P33で
入射光量に応じて蓄積した信号電荷を転送制御領
域T11〜T33を介してそれぞれ対応する垂直シフ
トレジスタの電荷蓄積領域S11〜S33に転送し、次
いで垂直シフトレジスタは順次転送すると共に、
水平シフトレジスタ９を通じて信号電荷を１水平
走査毎に読み出す。このようにすれば、水平シフ
トレジスタ９の出力部より目的の撮像出力が得ら
れる。
水平方向は光電変換部と、転送電極と、垂直シフ
トレジスタと、チヤネルストツプ領域との４つ領
域で構成されているため、水平方向の縮小は困難
である。しかし単位セルを角度θだけ回転させる
と水平方向にsinθ倍だけ縮小できるが、垂直方向
は１／sunθ倍に拡大されることは既に述べた。
インターライン転送方式の垂直方向は光電変換部
とチヤネルストツプ領域、または垂直シフトレジ
スタはバリヤ領域と、ストレージ領域とそれぞれ
２つの領域より構成されているので、水平方向と
比較して縮小が可能である。このことよりインタ
ーライン転送方式では単位セルを水平シフトレジ
スタに対して角度θだけ回転させ、垂直方向のパ
ターン寸法を縮小することにより、同一のチツプ
面積で水平方向の絵素数を増加させることが可能
である。第３図は従来のインターライン転送装置
を説明した第１図に対応するもので本発明の基本
的な構成を示すす模式図である。本発明の電荷転
送撮像装置は半導体基板上に形成され複数の位相
パルスで駆動できる複数の電荷転送電極群と、前
記複数の電荷転送電極群で駆動でき、且つ互いに
電気的に分離された３列の垂直シフトレジスタ
R1〜R3、と該垂直シフトレジスタ間にチヤネル
ストツプ１１によつて互いに電気的に分離され、
３×３のマトリツクス状に配置され、電荷の蓄積
が可能な光電変換部P11〜P33と、垂直シフトレジ
スタと光電変換部の信号電荷転送を制御する転送
制御領域T11〜T33と、各垂直シフトレジスタR1
〜R3の一端に電気的に結合した電荷転送水平シ
フトレジスタと、水平シフトレジスタの一端に信
号電荷を検出する装置１０から構成されている。
なお、第３図には図面が複雑となるため垂直シフ
トレジスタR1〜R3を駆動する電荷転送電極は省
略されている。本発明の電荷転送撮像装置におけ
る単位セルは例えば光電変換部P11と、転送制御
領域T11と、電荷通過領域11と、電荷蓄積領域S11
で構成されており、水平シフトレジスタに対して
角度θ1だけ回転して配置されていることが特徴で
ある。本発明の電荷転送撮像装置から撮像出力を
得るには、第３図において光電変換部P11〜P33で
入射光量に応じて蓄積した信号電荷を転送制御領
域T11〜T33を介してそれぞれ対応する垂直シフ
トレジスタの電荷蓄積領域S11〜S33に転送し、次
いで垂直シフトレジスタは順次転送すると共に、
水平シフトレジスタ９を通じて信号電荷を１水平
走査毎に読み出す。このようにすれば、水平シフ
トレジスタ９の出力部より目的の撮像出力が得ら
れる。
本発明の構成模式図第３図を拡大したものを第
４図に示す。単位セルは光電変換部P32と、転送
領域T12と、垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域
S22と、垂直シフトレジスタの電荷通過領域B32
と、チヤネルストツプ領域１２とで構成されてい
る。単位セルは水平シフトレジスタと角度θ1だけ
回転させており、垂直方向に関して垂直シフトレ
ジスタの電荷通過領域B22の寸法を小さくしてい
る。垂直シフトレジスタの電荷通過領域B22は垂
直シフトレジスタの電荷蓄積領域S22と電荷蓄積
領域S32との信号電荷の通過領域としているため、
チヤネル幅、チヤネル長とも小さくできる。この
ため同一のチツプサイズにおいて、本構造を用い
ることにより水平方向の絵素数を増加することが
できる。また電荷通過領域B32の上縁は、単位セ
ルを回転しても前段の垂直シフトレジスタの電荷
蓄積領域S22の下縁に一致させる必要があり垂直
シフトレジスタが水平シフトレジスタに対し垂直
に配置されていることも必要である。信号電荷が
垂直に転送されない場合、撮像出力に異常をきた
すことになる。第４図に示す垂直シフトレジスタ
は同じ転送電極で電荷通過領域B32と、電荷蓄積
領域S32とより構成されている。電荷通過領域B32
のチヤネル幅が狭められていると狭チヤネル効果
により異に電荷通過領域B32のチヤネル電位は電
荷蓄積積領域のチヤネル電位より浅くなるためバ
リヤ領域の働きをして信号電荷転送の方向性が出
てくる。即ち２相駆動で動作させることができ
る。また２相駆動の電荷転送の方向性をつけるた
め電荷通過領域を基板半導体と異つた導電型で形
成しても良い。駆動は２相だけでなく１〜ｎ相で
も駆動できる。
４図に示す。単位セルは光電変換部P32と、転送
領域T12と、垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域
S22と、垂直シフトレジスタの電荷通過領域B32
と、チヤネルストツプ領域１２とで構成されてい
る。単位セルは水平シフトレジスタと角度θ1だけ
回転させており、垂直方向に関して垂直シフトレ
ジスタの電荷通過領域B22の寸法を小さくしてい
る。垂直シフトレジスタの電荷通過領域B22は垂
直シフトレジスタの電荷蓄積領域S22と電荷蓄積
領域S32との信号電荷の通過領域としているため、
チヤネル幅、チヤネル長とも小さくできる。この
ため同一のチツプサイズにおいて、本構造を用い
ることにより水平方向の絵素数を増加することが
できる。また電荷通過領域B32の上縁は、単位セ
ルを回転しても前段の垂直シフトレジスタの電荷
蓄積領域S22の下縁に一致させる必要があり垂直
シフトレジスタが水平シフトレジスタに対し垂直
に配置されていることも必要である。信号電荷が
垂直に転送されない場合、撮像出力に異常をきた
すことになる。第４図に示す垂直シフトレジスタ
は同じ転送電極で電荷通過領域B32と、電荷蓄積
領域S32とより構成されている。電荷通過領域B32
のチヤネル幅が狭められていると狭チヤネル効果
により異に電荷通過領域B32のチヤネル電位は電
荷蓄積積領域のチヤネル電位より浅くなるためバ
リヤ領域の働きをして信号電荷転送の方向性が出
てくる。即ち２相駆動で動作させることができ
る。また２相駆動の電荷転送の方向性をつけるた
め電荷通過領域を基板半導体と異つた導電型で形
成しても良い。駆動は２相だけでなく１〜ｎ相で
も駆動できる。
第５図は本発明の他のセル形状の実施例を示す
構成模式図である。単位セルは光電変換部P11と
転送領域T11，垂直シフトレジスタの電荷蓄積領
域S11と、垂直シフトレジスタの電荷通過領域B11
と、チヤネルストツプ領域１１とで構成されてい
る。第３図お異る点は光電変換部のセル形状を楕
円形にすることにより、高密度した時感度が低下
することができるだけ少くできる形状にしたとい
うことである。この様に単位セルが、第３図に示
す矩形のセル形状だけでなく、他の単位セル形状
についても本発明の実施が可能である。
構成模式図である。単位セルは光電変換部P11と
転送領域T11，垂直シフトレジスタの電荷蓄積領
域S11と、垂直シフトレジスタの電荷通過領域B11
と、チヤネルストツプ領域１１とで構成されてい
る。第３図お異る点は光電変換部のセル形状を楕
円形にすることにより、高密度した時感度が低下
することができるだけ少くできる形状にしたとい
うことである。この様に単位セルが、第３図に示
す矩形のセル形状だけでなく、他の単位セル形状
についても本発明の実施が可能である。
尚本発明において、単位セルの水平シフトレジ
スタに対する角度θは45゜のとき最も理想的にな
るが、0゜＜θ＜90゜において好ましい結果が得ら
れる。また、半導体基板はＮ型，Ｐ型でもよく、
光電変換部はMOS型キヤパシタ，Ｐ−Ｎ接合で
も良く、垂直シフトレジスタは表面チヤネル型，
埋込みチヤネル型でも全く変りない動作が実現で
きる。
スタに対する角度θは45゜のとき最も理想的にな
るが、0゜＜θ＜90゜において好ましい結果が得ら
れる。また、半導体基板はＮ型，Ｐ型でもよく、
光電変換部はMOS型キヤパシタ，Ｐ−Ｎ接合で
も良く、垂直シフトレジスタは表面チヤネル型，
埋込みチヤネル型でも全く変りない動作が実現で
きる。
第１図は従来の電荷転送撮像装置の構成図、第
２図は本発明の原理を説明するための図、第３図
は本発明によるる電荷転送撮像装置の構造模式
図、第４図は第３図の部分的拡大図、第５図は他
の応用例を示す。 図において、１……垂直シフトレジスタ、２…
…光電変換部、３……転送電極、４……水平シフ
トレジスタ、５……出力部、６……バリヤ領域、
７……ストレージ領域、８……チヤネルストツプ
領域、９……水平シフトレジスタ、１０……出力
部、１１……チヤネルストツプ領域、１２……チ
ヤネルストツプ領域、１３，１４……垂直シフト
レジスタの転送電極、１５……チヤネルストツプ
領域、１６……水平シフトレジスタ、１７……出
力部、P11〜P33……光電変換部、S11〜S33……垂
直シフトレジスタの電荷蓄積領域、B11〜B33…
…垂直シフトレジスタの電荷通過領域、T11〜
T33…光電変換部から垂直シフトレジスタの電荷
蓄積領域への転送制御領域である。
２図は本発明の原理を説明するための図、第３図
は本発明によるる電荷転送撮像装置の構造模式
図、第４図は第３図の部分的拡大図、第５図は他
の応用例を示す。 図において、１……垂直シフトレジスタ、２…
…光電変換部、３……転送電極、４……水平シフ
トレジスタ、５……出力部、６……バリヤ領域、
７……ストレージ領域、８……チヤネルストツプ
領域、９……水平シフトレジスタ、１０……出力
部、１１……チヤネルストツプ領域、１２……チ
ヤネルストツプ領域、１３，１４……垂直シフト
レジスタの転送電極、１５……チヤネルストツプ
領域、１６……水平シフトレジスタ、１７……出
力部、P11〜P33……光電変換部、S11〜S33……垂
直シフトレジスタの電荷蓄積領域、B11〜B33…
…垂直シフトレジスタの電荷通過領域、T11〜
T33…光電変換部から垂直シフトレジスタの電荷
蓄積領域への転送制御領域である。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に形成され、複数の位相パルス
で駆動できる複数の電荷転送電極群と、前記複数
の電荷転送電極群で駆動でき、電荷蓄積領域と電
荷通過領域で構成され、互いに電気的に分離され
た複数列の電荷転送を行う垂直シフトレジスタ群
と、前記垂直シフトレジスタ間にチヤネルストツ
プ手段によつて互いに電気的分離され、マトリク
ス状に配置され、電荷の蓄積が可能な光電変換部
と、光電変換部と前記電荷蓄積領域の間に設けら
れ光電変換部で光電変換された電荷を前記電荷蓄
積領域へ転送する転送制御領域と、前記各垂直シ
フトレジスタの一端に電気的に結合された電荷転
送水平シフトレジスタと、前記水平シフトレジス
タの一端に電荷検出装置を有する電荷転送撮像装
置において、前記光電変換部と前記転送制御領域
と前記垂直シフトレジスタの電荷通過領域と電荷
蓄積領域とから成る第Ｎ番目の単位セルが水平シ
フトレジスタに対し角度を0゜＜θ＜90゜をもつて
マトリクス状に配列されると共に、上記垂直シフ
トレジスタの電荷通過領域の下縁が第Ｎ番目の単
位セルの垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域の上
縁と一致し、かつこの電荷通過領域の上縁が第
（Ｎ−１）番目の単位セルの垂直シフトレジスタ
の電荷蓄積領域の下縁と一致し、さらに垂直シフ
トレジスタが前記水平レジスタに垂直となること
を特徴とする電荷転送撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186354A JPS5888976A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 電荷転送撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186354A JPS5888976A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 電荷転送撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888976A JPS5888976A (ja) | 1983-05-27 |
| JPH0318389B2 true JPH0318389B2 (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16186890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186354A Granted JPS5888976A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 電荷転送撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888976A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613575A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
| US5488239A (en) * | 1994-07-14 | 1996-01-30 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Solid state image sensor with shaped photodiodes |
| US5793071A (en) * | 1996-09-27 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-State imaging device |
| US6037643A (en) * | 1998-02-17 | 2000-03-14 | Hewlett-Packard Company | Photocell layout for high-speed optical navigation microchips |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56186354A patent/JPS5888976A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5888976A (ja) | 1983-05-27 |
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