JPH03184320A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
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- JPH03184320A JPH03184320A JP1323214A JP32321489A JPH03184320A JP H03184320 A JPH03184320 A JP H03184320A JP 1323214 A JP1323214 A JP 1323214A JP 32321489 A JP32321489 A JP 32321489A JP H03184320 A JPH03184320 A JP H03184320A
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- JP
- Japan
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- hmds
- treated
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体ウェハの製造工程に関し、特に半導体ウ
ェハ表面処理方法に係る。
ェハ表面処理方法に係る。
［従来の技術］
半導体ウェハ製造におけるホトレジスト処理工程は、ウ
ェハ上に積層されたＳｉＯ２等の薄膜上にレジスト塗布
し、所望のパターンに露光、現像して薄膜上にパターン
を形成している。通常、レジスト塗布前の半導体ウェハ
上の薄膜は大気中の水気を吸収し、表面に○Ｈ基が吸着
して親水性となっている。親水性表面に対してポジレジ
ストを塗布した場合、レジストの接着性が弱いため現像
処理中にレジストの剥離が生じることがある。
ェハ上に積層されたＳｉＯ２等の薄膜上にレジスト塗布
し、所望のパターンに露光、現像して薄膜上にパターン
を形成している。通常、レジスト塗布前の半導体ウェハ
上の薄膜は大気中の水気を吸収し、表面に○Ｈ基が吸着
して親水性となっている。親水性表面に対してポジレジ
ストを塗布した場合、レジストの接着性が弱いため現像
処理中にレジストの剥離が生じることがある。
このためレジストの接着性強化のためにＨＭＤＳ（ヘキ
サメチルジシラザン（ＣＨ，）、５ｉＮＨ８ｉ（ＣＨ３
）３） ）を用いてウェハ表面で以下の反応式に示す処
理により疎水性化処理（アトヒユージョン処理）が行わ
れている。
サメチルジシラザン（ＣＨ，）、５ｉＮＨ８ｉ（ＣＨ３
）３） ）を用いてウェハ表面で以下の反応式に示す処
理により疎水性化処理（アトヒユージョン処理）が行わ
れている。
ＨＭＤＳの処理方法は通常薬液使用量の少ないＨＭＤＳ
ベーパにより、アトヒユージョン処理が施されている。
ベーパにより、アトヒユージョン処理が施されている。
［発明が解決すべき課題］
ベーパ処理のＨＭＤＳ処理装置は第５図に示すように液
状のＨＭＤＳの収納容器１にＮ２ガスを供給し、Ｎ２ガ
スのバブルにより、液状ＨＭＤＳを気化させ密閉状の処
理装置２内に配置された半導体ウェハ３上に供給してい
る。しかし、この種の処理装置２では、ＨＭＤＳの供給
量、濃度等はＮ２ガスの供給量によりコントロールをし
ていたが十分広い濃度範囲でＨＭＤＳ発生濃度コントロ
ールができず、原理的に低濃度域に限定されていた。そ
のためウェハの薄膜上に供給されるＨＭＤＳは濃度が希
薄でしかも設定しうる濃度の範囲が狭く、半導体ウェハ
３の疎水処理条件が適正でないため、レジスト剥離が生
じたり、あるいは過剰のＨＭＤＳを供給して無駄になる
という欠点があった。
状のＨＭＤＳの収納容器１にＮ２ガスを供給し、Ｎ２ガ
スのバブルにより、液状ＨＭＤＳを気化させ密閉状の処
理装置２内に配置された半導体ウェハ３上に供給してい
る。しかし、この種の処理装置２では、ＨＭＤＳの供給
量、濃度等はＮ２ガスの供給量によりコントロールをし
ていたが十分広い濃度範囲でＨＭＤＳ発生濃度コントロ
ールができず、原理的に低濃度域に限定されていた。そ
のためウェハの薄膜上に供給されるＨＭＤＳは濃度が希
薄でしかも設定しうる濃度の範囲が狭く、半導体ウェハ
３の疎水処理条件が適正でないため、レジスト剥離が生
じたり、あるいは過剰のＨＭＤＳを供給して無駄になる
という欠点があった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたものであ
って、半導体ウェハの表面処理を行うにあたり気化され
た処理液の適正濃度の気体を過不足なく被処理体上に供
給可能な表面処理方法を提供することを目的とする。
って、半導体ウェハの表面処理を行うにあたり気化され
た処理液の適正濃度の気体を過不足なく被処理体上に供
給可能な表面処理方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため本発明の表面処理方法は、処
理液を気化し、該処理液の気体にキャリアガスを混合し
、該キャリアガス混合量により前記気体の流量及び濃度
を調整して被処理体を処理する。
理液を気化し、該処理液の気体にキャリアガスを混合し
、該キャリアガス混合量により前記気体の流量及び濃度
を調整して被処理体を処理する。
さらに前記処理液の気化容器を加温して、前記気体の発
生速度を調整するものである。
生速度を調整するものである。
［作用］
本発明の表面処理方法は、気化容器に処理液である液体
のＨＭＤＳを定量供給して発生させたＨＭＤＳペーパー
に流量をコントロールしたキャリアガスを流入し、これ
によりウェハの表面上に供給するＨＭＤＳの流量、濃度
をコントロールして表面処理を行う。さらに、液体のＨ
ＭＤＳの気化流量とキャリアガスの流量をコントロール
すると供にＨＭＤＳのキャリアガスの気化容器に加温手
段を設け、ＨＮＤＳの気化流量を精密にコントロールす
ることにより処理液の供給量、濃度の微調整を行うこと
が可能になる。
のＨＭＤＳを定量供給して発生させたＨＭＤＳペーパー
に流量をコントロールしたキャリアガスを流入し、これ
によりウェハの表面上に供給するＨＭＤＳの流量、濃度
をコントロールして表面処理を行う。さらに、液体のＨ
ＭＤＳの気化流量とキャリアガスの流量をコントロール
すると供にＨＭＤＳのキャリアガスの気化容器に加温手
段を設け、ＨＮＤＳの気化流量を精密にコントロールす
ることにより処理液の供給量、濃度の微調整を行うこと
が可能になる。
［実施例コ
本発明の表面処理方法を半導体ウェハ製造のホトレジス
ト処理工程におけるレジスト接着強化処理装置に適用し
た一実施例を図面を参照して説明する。
ト処理工程におけるレジスト接着強化処理装置に適用し
た一実施例を図面を参照して説明する。
第１図に図示のレジスト接着強化処理装置の表面処理装
置２０において、処理液である液体のＨＭＤＳの気化容
器１０に接続されたＨＭＤＳ供給系１１から液状のＨＭ
ＤＳが定量供給される。上気気化容器１０の加熱により
気化容器ｌｏ中の液体ＨＭＤＳの気化が促され配管工２
を通って処理部１３に導入される。配管１２にはキャリ
アガスＣの供給量を調整するバルブＶの開閉をコントロ
ールする調整手段を有するキャリアガス供給体１４から
キャリアガスＣが流入する流入口１５が設けられる。
置２０において、処理液である液体のＨＭＤＳの気化容
器１０に接続されたＨＭＤＳ供給系１１から液状のＨＭ
ＤＳが定量供給される。上気気化容器１０の加熱により
気化容器ｌｏ中の液体ＨＭＤＳの気化が促され配管工２
を通って処理部１３に導入される。配管１２にはキャリ
アガスＣの供給量を調整するバルブＶの開閉をコントロ
ールする調整手段を有するキャリアガス供給体１４から
キャリアガスＣが流入する流入口１５が設けられる。
さらに、配管１２に接続された処理部１３にはキャリア
ガスＣが混合された気体のＨＭＤＳが供給される。載置
台１６上には被処理体である半導体ウェハ３０が搬入載
置されており、この半導体ウェハ３０の表面全域上に気
体状ＨＭＤＳが均一に噴出されるよう半導体ウェハ３０
に対面して多数の孔１７が穿孔され、温度調節機構を備
えた拡散板１８が設けられる。また処理部１３は必要で
あれば減圧装置に接続される。
ガスＣが混合された気体のＨＭＤＳが供給される。載置
台１６上には被処理体である半導体ウェハ３０が搬入載
置されており、この半導体ウェハ３０の表面全域上に気
体状ＨＭＤＳが均一に噴出されるよう半導体ウェハ３０
に対面して多数の孔１７が穿孔され、温度調節機構を備
えた拡散板１８が設けられる。また処理部１３は必要で
あれば減圧装置に接続される。
さらに、ＨＭＤＳ液の収納容器１０には、ＨＭＤＳ温度
を調整するようヒーター等の加温手段１９が具備される
。
を調整するようヒーター等の加温手段１９が具備される
。
以上のような構成の表面処理袋Ｗ２０の作用を説明する
。
。
処理部１３の載置台１６上に図示しない搬送装置により
半導体ウェハ３０を搬入載置したのち、処理部１３を密
閉する。必要であれば減圧をかける。この減圧をかける
ことにより、低温で気化速度を増大させることができる
。すなわち、低温化をはかることができる。その後ＨＭ
ＤＳ供給系１１から所定量の液状のＨＭＤＳを気化容器
１ｏに供給し、液状ＨＭＤＳの気化を促す。ＨＭＤＳの
気化を促すためには加温手段１９を作動させて液状ＨＭ
ＤＳの気化温度に昇温させ、この温度によリＨＭＤＳの
気化速度を調整する。気化されたＨＭＤＳは例えば１分
間０．１−１０Ｑ量となって配管１２を通り、一方キャ
リアガス供給系１４からバルブＶを操作して所望のＨＭ
ＤＳの濃度になるようキャリアガス例えばＮ２ガスの供
給量をコントロールする。キャリアガスＣ例えば１分間
にＩＯＱの窒素Ｎ２ガスを流入口１５より配管１２に流
入させて、ＨＭＤＳの気体にＨＭＤＳ濃度調整のために
供給されたＮ２ガスを混合させ、この混合気体を処理部
１３に供給する。キャリアガスＣとしてはＨＭＤＳと反
応しないものならば何れのものでも使用でき、不活性ガ
スのＮ２ガス等が好適である。処理部１３において温度
調節機構により所望の温度（例えば２０℃）に調整され
た拡散板１８により載置台１６上の半導体ウェハ３０の
全面に気体が過不足なく行き亘り、ＨＭＤＳがベーパも
しくはミスト状液状となって半導体ウェハ３０上に噴霧
される。Ｈ’ＭＤＳの濃度及び流量はＨＭＤＳの気化流
量とキャリアガスＣの流量で微妙に調節することができ
、キャリアガスＣを多くするかまたはＨＭＤＳの気化流
量を小さくすることにより半導体ウェハ３０上に形成さ
れるＨＭＤＳ膜厚は薄くなり、キャリアガスＣを少くす
るかまたはＨＭＤＳの気化流量を大きくするとＨＭＤＳ
膜は厚くなる。従って、後工程のレジスト塗布された時
に第２図に示すように形成される水滴と半導体ウェハ３
０とのなす接触角θにより、表面処理状況が判断できる
。即ち、θが十分大きければ完全な疎水処理がなされて
いることが確認でき、レジスト膜と半導体ウェハとの接
着力のコントロールも可能となる。
半導体ウェハ３０を搬入載置したのち、処理部１３を密
閉する。必要であれば減圧をかける。この減圧をかける
ことにより、低温で気化速度を増大させることができる
。すなわち、低温化をはかることができる。その後ＨＭ
ＤＳ供給系１１から所定量の液状のＨＭＤＳを気化容器
１ｏに供給し、液状ＨＭＤＳの気化を促す。ＨＭＤＳの
気化を促すためには加温手段１９を作動させて液状ＨＭ
ＤＳの気化温度に昇温させ、この温度によリＨＭＤＳの
気化速度を調整する。気化されたＨＭＤＳは例えば１分
間０．１−１０Ｑ量となって配管１２を通り、一方キャ
リアガス供給系１４からバルブＶを操作して所望のＨＭ
ＤＳの濃度になるようキャリアガス例えばＮ２ガスの供
給量をコントロールする。キャリアガスＣ例えば１分間
にＩＯＱの窒素Ｎ２ガスを流入口１５より配管１２に流
入させて、ＨＭＤＳの気体にＨＭＤＳ濃度調整のために
供給されたＮ２ガスを混合させ、この混合気体を処理部
１３に供給する。キャリアガスＣとしてはＨＭＤＳと反
応しないものならば何れのものでも使用でき、不活性ガ
スのＮ２ガス等が好適である。処理部１３において温度
調節機構により所望の温度（例えば２０℃）に調整され
た拡散板１８により載置台１６上の半導体ウェハ３０の
全面に気体が過不足なく行き亘り、ＨＭＤＳがベーパも
しくはミスト状液状となって半導体ウェハ３０上に噴霧
される。Ｈ’ＭＤＳの濃度及び流量はＨＭＤＳの気化流
量とキャリアガスＣの流量で微妙に調節することができ
、キャリアガスＣを多くするかまたはＨＭＤＳの気化流
量を小さくすることにより半導体ウェハ３０上に形成さ
れるＨＭＤＳ膜厚は薄くなり、キャリアガスＣを少くす
るかまたはＨＭＤＳの気化流量を大きくするとＨＭＤＳ
膜は厚くなる。従って、後工程のレジスト塗布された時
に第２図に示すように形成される水滴と半導体ウェハ３
０とのなす接触角θにより、表面処理状況が判断できる
。即ち、θが十分大きければ完全な疎水処理がなされて
いることが確認でき、レジスト膜と半導体ウェハとの接
着力のコントロールも可能となる。
また、第３図に示すＨＭＤＳの濃度とアトヒユージョン
処理所要時間の関係からＨＭＤＳベーパの濃度が高いほ
ど処理時間を短縮することができるため、必要最小限の
処理時間でアトヒユージョン処理を終了することができ
る。
処理所要時間の関係からＨＭＤＳベーパの濃度が高いほ
ど処理時間を短縮することができるため、必要最小限の
処理時間でアトヒユージョン処理を終了することができ
る。
次に、本発明の他の一実施例について説明する。
第４図に示すように、ＨＭＤＳの気化容器１０Ａに接続
されたＨＭＤＳ供給系１１から液状のＨＭＤＳが定量供
給され上記気化容器で気化するように構成されている。
されたＨＭＤＳ供給系１１から液状のＨＭＤＳが定量供
給され上記気化容器で気化するように構成されている。
また、上記気化容器内１０Ａには配管３１が接続されて
おり、キャリアガスＣの供給量を調整するバルブＶの開
閉をコントロールするｔＡ整平手段有するキャリアガス
供給体１４からキャリアガスＣが上記気化容器１０Ａ内
に導入される。さらに、上記気化容器１０Ａの周囲には
加温手段１９が設けられている。そして、ＨＭＤＳの気
体とキャリアガスＣ例えば窒素Ｎ２ガスの混合気体が配
管３２を通って処理部（図示せず）に供給される。
おり、キャリアガスＣの供給量を調整するバルブＶの開
閉をコントロールするｔＡ整平手段有するキャリアガス
供給体１４からキャリアガスＣが上記気化容器１０Ａ内
に導入される。さらに、上記気化容器１０Ａの周囲には
加温手段１９が設けられている。そして、ＨＭＤＳの気
体とキャリアガスＣ例えば窒素Ｎ２ガスの混合気体が配
管３２を通って処理部（図示せず）に供給される。
なお、この実施例の動作作用・効果等については第１図
に示す一実施例と同等であるためその説明は省略する。
に示す一実施例と同等であるためその説明は省略する。
上記実施例では液状ＨＭＤＳの気化手段として蒸気圧温
度に設定した例について説明したが、超音波手段により
霧状化させてもよい。上記実施例では、ＨＭＤＳによる
アトヒユージョン処理工程に適用した例について説明し
たが、表面被処理体に気体状処理物による処理であれば
何れにも適用できる。
度に設定した例について説明したが、超音波手段により
霧状化させてもよい。上記実施例では、ＨＭＤＳによる
アトヒユージョン処理工程に適用した例について説明し
たが、表面被処理体に気体状処理物による処理であれば
何れにも適用できる。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明の表面処理方
法によれば、ＨＭＤＳの気化流量とキャリアガスの流量
を調整することによりＨＭＤＳ濃度の濃度の調整が可能
となる。従って、広範囲の濃度で均一なＨＭＤＳ処理を
行い、半導体ウェハ上に形成されるＨＭＤＳ膜厚をコン
トロールして半導体ウェハとレジストの接着力を調整す
ることができる。しかもアトヒユージョンに要する処理
時間も適正値に短縮することができるので時間的にも必
要最少限で処理を行うことができるため。
法によれば、ＨＭＤＳの気化流量とキャリアガスの流量
を調整することによりＨＭＤＳ濃度の濃度の調整が可能
となる。従って、広範囲の濃度で均一なＨＭＤＳ処理を
行い、半導体ウェハ上に形成されるＨＭＤＳ膜厚をコン
トロールして半導体ウェハとレジストの接着力を調整す
ることができる。しかもアトヒユージョンに要する処理
時間も適正値に短縮することができるので時間的にも必
要最少限で処理を行うことができるため。
半導体ウェハの高精度なパターン形成を短時間で行うこ
とができる。
とができる。
第１図は本発明の表面処理方法に係る一実施例を示す構
成図、第２図及び第３図は表面処理方法を説明する図、
第４図は本発明の他の一実施例の要部を示す構成図、第
５図は従来の表面処理方法に係る装置を示す図である。 １０・・・・・気化容器 ２０・・・・・表面処理装置 ３０・・・・・半導体ウェハ（被処理体）工４・・・・
・キャリアガス供給体 上９・・・・・加温手段 ＨＭＤＳ・・・・・・処理液
成図、第２図及び第３図は表面処理方法を説明する図、
第４図は本発明の他の一実施例の要部を示す構成図、第
５図は従来の表面処理方法に係る装置を示す図である。 １０・・・・・気化容器 ２０・・・・・表面処理装置 ３０・・・・・半導体ウェハ（被処理体）工４・・・・
・キャリアガス供給体 上９・・・・・加温手段 ＨＭＤＳ・・・・・・処理液
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、処理液を気化し、該処理液の気体にキャリアガスを
混合し、該キャリアガス混合量により前記気体の流量及
び濃度を調整して被処理体を処理することを特徴とする
表面処理方法。 ２、前記処理液の気化容器を加温して、前記気体の発生
を調整することを特徴とする第１項記載の表面処理方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1323214A JP3011728B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1323214A JP3011728B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184320A true JPH03184320A (ja) | 1991-08-12 |
| JP3011728B2 JP3011728B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=18152311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1323214A Expired - Fee Related JP3011728B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3011728B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5525551A (en) * | 1993-09-20 | 1996-06-11 | Fujitsu Limited | Method for forming insulating film in semiconductor device using a TEOS or HMDS pre-treatment |
| JP2005226048A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤及び回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法 |
| JP2009194246A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、基板処理装置、基板処理方法並びに記憶媒体 |
| JP2010258068A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| KR20110020731A (ko) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 기억 매체 |
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| JP2016066811A (ja) * | 2008-06-16 | 2016-04-28 | 株式会社東芝 | 基板処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211643A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 密着強化剤塗布方法 |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP1323214A patent/JP3011728B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62211643A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 密着強化剤塗布方法 |
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| JP2011044671A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置、疎水化処理方法及び記憶媒体 |
| US8430967B2 (en) | 2009-08-24 | 2013-04-30 | Tokyo Electron Limited | Hydrophobicizing apparatus, hydrophobicizing method and storage medium |
| TWI479536B (zh) * | 2009-08-24 | 2015-04-01 | 東京威力科創股份有限公司 | Hydrophobic treatment device and hydrophobic treatment method |
| JP2012038868A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、基板処理装置、塗布現像装置、および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3011728B2 (ja) | 2000-02-21 |
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