JPH065505A - フォトレジスト塗布前処理装置 - Google Patents
フォトレジスト塗布前処理装置Info
- Publication number
- JPH065505A JPH065505A JP4165214A JP16521492A JPH065505A JP H065505 A JPH065505 A JP H065505A JP 4165214 A JP4165214 A JP 4165214A JP 16521492 A JP16521492 A JP 16521492A JP H065505 A JPH065505 A JP H065505A
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- JP
- Japan
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- chemical
- atmosphere
- concentration
- pressure
- chamber
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- Withdrawn
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レジスト塗布前処理装置の密閉式チャンバー内
において、薬液雰囲気の濃度及び圧力変化によるレジス
トの密着性変化を防ぐ。 【構成】レジスト塗布前のウェハ１を密閉式チャンバー
３に収納し薬液雰囲気配管５により薬液雰囲気を送気す
る。チャンバー上部に設置した濃度センサー１２により
チャンバー内の薬液雰囲気濃度を測定し、濃度制御回路
１１で合流する窒素の流量をマスフローコントローラ１
４を制御する。また、圧力センサー１７により密閉式チ
ャンバー内の圧力を測定し、圧力制御回路１６で排気配
管４の途中に設けられた可変流量制御弁１５を制御す
る。
において、薬液雰囲気の濃度及び圧力変化によるレジス
トの密着性変化を防ぐ。 【構成】レジスト塗布前のウェハ１を密閉式チャンバー
３に収納し薬液雰囲気配管５により薬液雰囲気を送気す
る。チャンバー上部に設置した濃度センサー１２により
チャンバー内の薬液雰囲気濃度を測定し、濃度制御回路
１１で合流する窒素の流量をマスフローコントローラ１
４を制御する。また、圧力センサー１７により密閉式チ
ャンバー内の圧力を測定し、圧力制御回路１６で排気配
管４の途中に設けられた可変流量制御弁１５を制御す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におい
て、半導体基板（以下、ウェハという）へのフォトレジ
スト塗布前処理である密着性強化処理を行うフォトレジ
スト塗布前処理装置に関するものである。
て、半導体基板（以下、ウェハという）へのフォトレジ
スト塗布前処理である密着性強化処理を行うフォトレジ
スト塗布前処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、レジストの密
着性を向上させるために、薬液雰囲気中でウェハ表面を
疎水性になる様な処理を行う従来技術の装置を図３を用
いて説明する。
着性を向上させるために、薬液雰囲気中でウェハ表面を
疎水性になる様な処理を行う従来技術の装置を図３を用
いて説明する。
【０００３】レジスト塗布前のウェハ１を密閉式チャン
バー３に収納しヒータ２で熱しながら薬液雰囲気配管５
により密閉式チャンバー上部から薬液雰囲気を送気し、
ある一定時間、密閉式チャンバー内で処理しながら排気
配管４により排気する。
バー３に収納しヒータ２で熱しながら薬液雰囲気配管５
により密閉式チャンバー上部から薬液雰囲気を送気し、
ある一定時間、密閉式チャンバー内で処理しながら排気
配管４により排気する。
【０００４】薬液雰囲気は、窒素自動供給装置６から供
給された窒素を薬液容器９内の薬液中でのバブラー１０
によるバブリングにより薬液雰囲気を発生させる。
給された窒素を薬液容器９内の薬液中でのバブラー１０
によるバブリングにより薬液雰囲気を発生させる。
【０００５】薬液容器から薬液雰囲気を送気すると薬液
の蒸発により薬液面が徐々に下がるので下限点を決めて
薬液自動供給装置７より薬液を上限まで供給する。
の蒸発により薬液面が徐々に下がるので下限点を決めて
薬液自動供給装置７より薬液を上限まで供給する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフォト
レジスト塗布前処理装置では、処理に伴う薬液の蒸発に
より薬液容器内の薬液面が徐々に下降し、十分なバブリ
ングができなくなることにより薬液雰囲気の濃度が低下
する。このため従来技術では薬液容器内の薬液面の変化
に伴い薬液雰囲気の濃度が変化してしまうという欠点が
ある。
レジスト塗布前処理装置では、処理に伴う薬液の蒸発に
より薬液容器内の薬液面が徐々に下降し、十分なバブリ
ングができなくなることにより薬液雰囲気の濃度が低下
する。このため従来技術では薬液容器内の薬液面の変化
に伴い薬液雰囲気の濃度が変化してしまうという欠点が
ある。
【０００７】この欠点によりレジストの密着性が変化
し、レジストパターン形成時にレジストの裾引き（形状
異常）が起きたり、エッチング工程の処理でレジスト剥
れが起きる等の不良が発生し易いという問題点があっ
た。
し、レジストパターン形成時にレジストの裾引き（形状
異常）が起きたり、エッチング工程の処理でレジスト剥
れが起きる等の不良が発生し易いという問題点があっ
た。
【０００８】また、これらの問題点は、次工程での処理
後に判明するもので歩留りの低下をもたらしてしまうこ
とになる。
後に判明するもので歩留りの低下をもたらしてしまうこ
とになる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトレジスト
塗布前処理装置は、半導体基板を収納する密閉式チャン
バーと、フォトレジスト塗布前処理用薬液の雰囲気を発
生させるバブリング機能を備えた薬液容器と、その処理
室内の薬液雰囲気濃度を測定し、適正な濃度にするよう
フィードバック制御する機構と、密閉式チャンバー内を
適正な圧力に制御する機構とを有している。
塗布前処理装置は、半導体基板を収納する密閉式チャン
バーと、フォトレジスト塗布前処理用薬液の雰囲気を発
生させるバブリング機能を備えた薬液容器と、その処理
室内の薬液雰囲気濃度を測定し、適正な濃度にするよう
フィードバック制御する機構と、密閉式チャンバー内を
適正な圧力に制御する機構とを有している。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の第１の実施例を示す概略図であ
る。レジスト塗布前のウェハ１を密閉式チャンバー３に
収納しヒーター２で熱しながら薬液雰囲気配管５により
薬液雰囲気を送気する。この薬液雰囲気は、薬液自動供
給装置７から薬液を薬液容器９に供給し、そこに窒素自
動供給装置６から窒素ガスを導入し、バブラー１０で生
成される。
る。図１は、本発明の第１の実施例を示す概略図であ
る。レジスト塗布前のウェハ１を密閉式チャンバー３に
収納しヒーター２で熱しながら薬液雰囲気配管５により
薬液雰囲気を送気する。この薬液雰囲気は、薬液自動供
給装置７から薬液を薬液容器９に供給し、そこに窒素自
動供給装置６から窒素ガスを導入し、バブラー１０で生
成される。
【００１１】一方、密閉式チャンバー３の上部に設置し
た濃度センサー１２により密着式チャンバー内の薬液雰
囲気濃度を測定し、濃度制御回路１１で薬液雰囲気配管
に合流する窒素供給装置１３からの窒素の流量をマスフ
ローコントローラ１４で制御する事により、密閉式チャ
ンバー内の薬液雰囲気の濃度を一定に保つことができ
る。
た濃度センサー１２により密着式チャンバー内の薬液雰
囲気濃度を測定し、濃度制御回路１１で薬液雰囲気配管
に合流する窒素供給装置１３からの窒素の流量をマスフ
ローコントローラ１４で制御する事により、密閉式チャ
ンバー内の薬液雰囲気の濃度を一定に保つことができ
る。
【００１２】この時、排気変動の影響により密閉式チャ
ンバー内の圧力が不安定になるのを防ぐ為、圧力センサ
ー１７により密閉式チャンバー内の圧力を測定し、圧力
制御回路１６で排気配管４の途中に設けられた可変流量
制御弁１５を制御することにより、密閉式チャンバーの
圧力を一定に保つことができる。
ンバー内の圧力が不安定になるのを防ぐ為、圧力センサ
ー１７により密閉式チャンバー内の圧力を測定し、圧力
制御回路１６で排気配管４の途中に設けられた可変流量
制御弁１５を制御することにより、密閉式チャンバーの
圧力を一定に保つことができる。
【００１３】図２は、本発明の第２の実施例を示す概略
図である。
図である。
【００１４】この第２の実施例では排気配管４の途中に
はリリーフ弁１８が設置されており密閉式チャンバー内
を一定圧力に保つことができる。
はリリーフ弁１８が設置されており密閉式チャンバー内
を一定圧力に保つことができる。
【００１５】排気変動のほとんど無い環境で本装置を使
用する場合には、第２の実施例の圧力制御方法を用いる
ことも可能である。
用する場合には、第２の実施例の圧力制御方法を用いる
ことも可能である。
【００１６】これにより、第１の実施例と比べて装置の
価格低減ができるという効果がある。
価格低減ができるという効果がある。
【００１７】
【発明の効果】このように本発明では、処理チャンバー
内の薬液雰囲気の濃度制御及び圧力制御を行うことによ
り、枚葉処理環境が一定になって、薬液雰囲気の状態の
変化によるレジスト塗布前処理の不均一が解消され製品
の歩留りを向上できる。
内の薬液雰囲気の濃度制御及び圧力制御を行うことによ
り、枚葉処理環境が一定になって、薬液雰囲気の状態の
変化によるレジスト塗布前処理の不均一が解消され製品
の歩留りを向上できる。
【図１】本発明の第１の実施例のレジスト塗布前処理装
置を示す概要図。
置を示す概要図。
【図２】本発明の第２の実施例のレジスト塗布前処理装
置を示す概要図。
置を示す概要図。
【図３】従来技術のレジスト塗布前処理装置を示す概要
図。
図。
【符号の説明】 １ ウェハ ２ ヒーター ３ 密閉式チャンバー ４ 排気配管 ５ 薬液雰囲気配管 ６ 窒素自動供給装置 ７ 薬液自動供給装置 ８ 窒素ガス ９ 薬液容器 １０ バブラー １１ 濃度制御回路 １２ 濃度センサー １３ 窒素供給装置 １４ マスフローコントローラ １５ 可変流量制御弁 １６ 圧力制御回路 １７ 圧力センサー １８ リリーフ弁
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を収納する密閉式チャンバー
と、バブリング機能を備えた薬液容器によりフォトレジ
スト塗布前処理用の薬液の雰囲気を発生させ密閉式チャ
ンバー内に送気する機構と、この送気薬液雰囲気の濃度
制御を行う機構と、密閉式チャンバー内の圧力制御を行
う機構とを具備することを特徴とするフォトレジスト塗
布前処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4165214A JPH065505A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | フォトレジスト塗布前処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4165214A JPH065505A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | フォトレジスト塗布前処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065505A true JPH065505A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15808020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4165214A Withdrawn JPH065505A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | フォトレジスト塗布前処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065505A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312329A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化処理装置および密着強化処理方法 |
| JP2001313252A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| KR20020083375A (ko) * | 2001-04-27 | 2002-11-02 | 윤희선 | 포토레지스트 공급 장치 및 이를 이용한 포토레지스트공급방법 |
| JP2005334810A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Alps Electric Co Ltd | スプレーコート装置及びスプレーコート方法 |
| KR100819095B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 포토스피너설비의 분사제어장치 |
| KR20200072419A (ko) * | 2018-12-12 | 2020-06-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 처리액 농축 방법 |
| JP2022104883A (ja) * | 2020-12-30 | 2022-07-12 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP4165214A patent/JPH065505A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312329A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化処理装置および密着強化処理方法 |
| JP2001313252A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| KR20020083375A (ko) * | 2001-04-27 | 2002-11-02 | 윤희선 | 포토레지스트 공급 장치 및 이를 이용한 포토레지스트공급방법 |
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| KR20200072419A (ko) * | 2018-12-12 | 2020-06-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 처리액 농축 방법 |
| JP2022104883A (ja) * | 2020-12-30 | 2022-07-12 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US11789364B2 (en) | 2020-12-30 | 2023-10-17 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate and method for treating substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |