JPH03184355A - ウエハプローバ - Google Patents

ウエハプローバ

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JPH03184355A
JPH03184355A JP1321470A JP32147089A JPH03184355A JP H03184355 A JPH03184355 A JP H03184355A JP 1321470 A JP1321470 A JP 1321470A JP 32147089 A JP32147089 A JP 32147089A JP H03184355 A JPH03184355 A JP H03184355A
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JP
Japan
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wafer
probes
gas
electrode pads
probe
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JP1321470A
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English (en)
Inventor
Kazuhisa Okada
和久 岡田
Ichiro Kusumoto
楠本 一郎
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/04Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウェハチップの電気的特性の試験を行うウ
エハプローバに関する。
〔従来の技術〕
一般に、ウェハチップの電気的特性を試験する際には、
チップ上の複数の微小な電極パッドにそれぞれ探針を接
触させ、これらの探針を介して電気的な試験を行ってい
る。第5A〜5D図に従来のウエハブローバにおける試
験開始時がら終了時までのウェハチップの一電極パッド
と探針との接触動作を示す。
まず、第5A図に示すように、ウェハチップ(3)上に
形成された^1電極パッド(2〉に探針(1)を接近さ
せる。尚、ウェハチップ(3)上には電極パッド(2)
の近傍に内部旧配線(4)が形成されている。次に、第
5B図に示すように、探針(1)を所定の圧力で電極パ
ッド(2)に接触させるが、このとき探針(1)に加え
られた圧力及び探針(1)の弾力性により探針(1)の
先端部は電極パッド(2)の表面をある程度削ることに
なる。従って、探針(1)の先端部の周辺には削られた
電極パッド(2)の^1ぐず(5)が残っている。
この状態で図示しない試験装置により探針(1)を介し
てウェハチップ(3〉の電気的試験が行われる。そして
試験が終了すると、第5C図のように、探針(1)がウ
ェハチップ(3〉の電極パッド(2)から離されるが、
このとき探針(1)の弾力性によってその先端部周辺に
存在していた^lくず(5)は周囲に飛散されてしまう
。このため、ウェハチップ〈3)上の電極パッド〈2)
とこれに隣接する内部^1配線(4)との隙間に八1<
ず(5)が詰まることがあった。
また、第5D図に示すように、一つのウェハチップク3
)の試験終了後に次のチップの試験を行うために探針(
1)をウェハチップ(3)がら相対的に移動させるとき
に、探針(1)の先端部に付着していた^!くず(5)
が落下して電極パッド(2〉と内部^1配線(4)との
隙間に入り込む場合もある。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、半導体装置の微細化に伴い、内部配線間
の間隔は極めて小さくなってきている。
従って、上述したようにウェハチップ(3)上に形成さ
れた電極パッド(2)と内部へ1配線(4)との隙間に
^Iくず(5〉が詰まると容易にこれら電極パッド(2
)と内部訓配線(4)とが電気的に短絡する現象が発生
してしまう。その結果、試験により不良品と判定される
チップが増加して製造歩留まりが低下するという問題点
があった。また、良品と判定されたチップにその後^1
くず(5〉が付着して不良品となっても、そのままグラ
スコートでカバーされたりモールドされて製品化されて
しまう恐れもあった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、半導体装置の製造歩留まりの向上及び製品の品
質向上を図ることができるウエハブローバを提供するこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るウエハブローバは、表面に複数の電極パ
ッドが形成されたウェハを支持する支持手段と、支持手
段に支持されたウェハの複数の電極パッドにそれぞれ接
触してこのウェハと電気的に接続される複数の探針と、
複数の探針を介してウェハの電気的特性を試験する試験
手段と、少なくとも複数の探針がウェハの複数の電極パ
ッドに接触している間はこれらの接触部にガスを吹き付
ける吹き付け手段と、複数の探針とウェハの複数の電極
パッドとの接触により発生したくずを吹き付け手段から
吹き付けられたガスと共に吸引する吸引手段とを備えた
ものである。
〔作用〕
この発明においては、複数の探針がウェハの複数の電極
パッドに接触している間中、吹き付け手段がこれらの接
触部にガスを吹き付けてウェハへのくずの付着を防止し
、そのくずを吸引手段が吸引する。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
第1図はこの発明の一実施例に係るウエハブローバの構
成を示すブロック図である。ウエハブローバは 試験!
、上う1するりエバ(30)を支持するためのウェハテ
ーブル(6〉を有している。このウェハテーブル(6)
は駆動装置(7)により上下左右に移動自在に設けられ
ている。ウェハテーブル(6)上には支持されたウェハ
(30)を挟むように吹き付けノズル〈8)及び吸引ダ
クト(9)が配置されており、吹き付けノズル(8〉は
ガス供給装置(10)に、吸引ダクト(9)は吸引装置
(11)にそれぞれ接続されている。また、ウェハテー
ブル(6)上に支持されるウェハ(30)の上方には、
複数の探針(1)が設けられたプローブカード(12)
が配置されており、このプローブカード(12〉の複数
の探針(1〉がそれぞれテスタ(13)に電気的に接続
されている。また、このテスタ(13)には駆動装置(
7)が電気的に接続されている。
ウェハテーブル(6)及び駆動装置(7)により支持手
段が、吹き付けノズル(8)及びガス供給装置り10)
により吹き付け手段が、吸引ダクト(9)及び吸引装置
く11)により吸引手段が、テスタ(13)により試験
手段がそれぞれ構成されている。
また、第2図に示すように、吹き付けノズル(8)及び
吸引ダクト(9)は偏平な断面形状を有しており、ウニ
ハク30)の全面上に同時にガスを吹き付けると共にそ
のガスを吸引することができるようになっている。
次に、この実施例の動作を説明する。まず、試験しよう
とするウェハ(30〉をウェハテーブル(6〉上に支持
させる。このウェハ(30)には複数のチップ(図示せ
ず)が形成され、各チップ毎にその表面に複数の電極パ
ッド(図示せず)が形成されている。
次に、ガス供給装置(10)及び吸引装置(11〉を駆
動させてガス供給装置(10)から供給されたガスをノ
ズル(8)からウェハ(30)上に吹き付けると共にそ
のガスをダク1−(9)より吸引する。このガスの吹き
付けは、一つのウェハ(30)の試験が全て終了するま
で絶えず行われる。
この状態て、テスタ(13〉の指示に従って駆動装置(
7)がウェハテーブル(6)を移動させ、ウェハ(30
)内の始めに試験しようとするチップをプローブカード
(12)の複数の探針(1)の直下に位置させる。さら
に、ウェハテーブル(6)を上昇させてそのチップの複
数の電極パッドを複数の探針(1〉に接触させる。これ
により、ウェハ(30)内のチップとテスタ(13〉と
が電気的に接続される。その後、複数の探針(1)を介
してテスタ(13)によりそのチップの電気的特性が試
験される。
そして、一つのチップの試験が終了すると、駆動装置(
7〉によりウェハテーブル(6)が下降し、チップの複
数の電極パッドが複数の探針(1)から離される。さら
に、ウェハテーブル(6)は次のチップが複数の探針(
1)の直下に位置するまで水平方向に移動し、同様にし
て次のチップの試験が実施される。
このようにしてウェハ(30)の全てのチップについて
試験が完了すると、ガス供給袋! (10)及び吸引装
置(11)を停止することによりガスの吹き付けを停止
し、試験済みのウェハ(30)を次の未試験のウェハと
交換する。
この実施例では、一つのウェハ(30)の試験が全て終
了するまで絶えずガスの吹き付けが行われるので、第3
図に示すように、探針(1)とウェハチップ(3)上の
電極パッド(2)とが接触する際、あるいは離れる際に
探針(1)の先端部により電極パッド(2〉が削られて
発生する^1くず(5〉はガスの流れAによって吹き飛
ばされ、ダクト(9)に吸引される。
従って、電極パッド(2)と内部^1配線<4〉との隙
間あるいは互いに隣接する内部^l配線(4)間に^1
くず(5)が詰まって電気的短絡を生じさせることが防
止される。また、次のウェハチップの試験を行おうとし
てウェハテーブル(6)を移動させる際に探針(1)の
先端部に付着していた^1くず(5)が落下しても、ノ
ズル(8)から吹き付けられたガスによりダクト(9)
内に吸引されることとなる。
尚、ガス供給装置(10)から供給されるガスとしては
、N2等の不活性ガスやドライエアを用いることができ
る。
また、ウェハ(30)の試験にきわせでガスの吹き付け
を行うようにガス供給装置 (10)及び吸引装置(1
1)の駆動をテスタ(13〉により制御させることもで
きる。
さらに、吹き付けノズル(8)及び吸引ダクト(9)は
それぞれ一つに限るものではなく、複数個設けてもよい
上記実施例では、プローブカード(12)を固定すると
共にウェハテーブル(6)を移動自在に設けたが、これ
とは逆にウェハテーブル(6〉を固定し、プローブカー
ド(12)を移動自在に設けることもできる。
ウェハ(30)へのガスの吹き付けの方式としては、第
4図に示すようなベルヌーイ方式を用いてもよい。プロ
ーブカード(12)全体を覆うようにカバー(14)を
設けると共に探針(1)を通すためにプローブカード(
12)の中央部に形成されている貫通孔(15〉の上部
に開口する吸引ダクト(16)を設けて二重管構造を形
成する。カバー(14)内にガスを供給すると、ガスは
プローブカード(12)の外周部を回り込んで探針(1
)とウェハ(30〉との接触部に吹き付けられ、ここで
発生したくずと共にプローブカード(12)の貫通孔(
15)内を通って吸引ダクト(16)へと吸引される。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明に係るウエハブローバは
、表面に複数の電極パッドが形成されたウェハを支持す
る支持手段と、支持手段に支持されたウェハの複数の電
極パッドにそれぞれ接触してこのウェハと電気的に接続
される複数の探針と、複数の探針を介してウェハの電気
的特性を試験する試験手段と、少なくとも複数の探針が
ウェハの複数の電極パッドに接触している間はこれらの
接触部にガスを吹き付ける吹き付け手段と、複数の探針
とウェハの複数の電極パッドとの接触により発生したく
ずを吹き付け手段から吹き付けられたガスと共に吸引す
る吸引手段とを備えているので、半導体装置の製造歩留
まりの向上及び製品の品質向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係るウエハブローバのt
R戊を示すブロック図、第2図は第1図の要部を示す斜
視図、第3図は実施例の動作を示す断面図、第4図は他
の実施例の要部を示す断面図、第5A〜5D図はそれぞ
れ従来のウエハプローバにおける試験開始時から終了時
までのウェハチップの一電極パッドと探針との接触動作
を示す断面図である。 図において、(1)は探針、(2)は電極パッド、(5
)は旧くず、(6)はウェハテーブル、(7)は駆動装
置、(8)は吹き付けノズル、(9)及び(16)は吸
引ダクト、(10)はガス供給装置、(11)は吸引装
置、(13)はテスタ、(14)はカバー、(30)は
ウェハである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 表面に複数の電極パッドが形成されたウェハを支持する
    支持手段と、 前記支持手段に支持されたウェハの複数の電極パッドに
    それぞれ接触してこのウェハと電気的に接続される複数
    の探針と、 前記複数の探針を介して前記ウェハの電気的特性を試験
    する試験手段と、 少なくとも前記複数の探針が前記ウェハの複数の電極パ
    ッドに接触している間はこれらの接触部にガスを吹き付
    ける吹き付け手段と、 前記複数の探針と前記ウェハの複数の電極パッドとの接
    触により発生したくずを前記吹き付け手段から吹き付け
    られたガスと共に吸引する吸引手段と を備えたことを特徴とするウェハプローバ。
JP1321470A 1989-12-13 1989-12-13 ウエハプローバ Pending JPH03184355A (ja)

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