JPH03184384A - 光モジュール用サブマウント及びその製造方法 - Google Patents
光モジュール用サブマウント及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03184384A JPH03184384A JP1324331A JP32433189A JPH03184384A JP H03184384 A JPH03184384 A JP H03184384A JP 1324331 A JP1324331 A JP 1324331A JP 32433189 A JP32433189 A JP 32433189A JP H03184384 A JPH03184384 A JP H03184384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- forming
- optical
- electrode
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信等の送受信に用いる光モジュール用の
サブマウントとその製造方法に関する。
サブマウントとその製造方法に関する。
光通信は光ファイバ、半導体レーザ（ＬＤ）、発光ダイ
オード（ＬＥＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の光半
導体素子を始めとして、光スィッチ、光変調器、光アイ
ソレータ、光導波路等の能動、受動素子の高性能、高機
能化により応用範囲が拡大されつつある。近年、より多
くの情報を伝達する要求が高まる中で、コンピュータ端
末間、交換機や大型コンピュータ間のデータ伝送を実時
間で並列に行う並列伝送が注目されつつある。この機能
を満足するものとして、複数の発光あるいは受光素子と
複数の光ファイバを一体化した並列光伝送モジュールが
ある。通常、発光（受光）素子は同一半導体基板上にモ
ノリシックに複数個配列したＬＥＤあるいはＬＤ、ＰＤ
アレイが用いられ、また光ファイバは、一方向に複数本
配列した光フアイバアレイが用いられている。その中で
、ＬＥＤアレイは、ヒートシンクを兼ねたＳｉやＡｆｆ
Ｎ製のサブマウントに搭載されている。この様な構成の
並列伝送光モジュールは、１９８９年電子情報通信学会
春期全国大会予講集、番号Ｂ−７３５、第４−１１１頁
所載の長堀氏による論文に記載されている。
オード（ＬＥＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の光半
導体素子を始めとして、光スィッチ、光変調器、光アイ
ソレータ、光導波路等の能動、受動素子の高性能、高機
能化により応用範囲が拡大されつつある。近年、より多
くの情報を伝達する要求が高まる中で、コンピュータ端
末間、交換機や大型コンピュータ間のデータ伝送を実時
間で並列に行う並列伝送が注目されつつある。この機能
を満足するものとして、複数の発光あるいは受光素子と
複数の光ファイバを一体化した並列光伝送モジュールが
ある。通常、発光（受光）素子は同一半導体基板上にモ
ノリシックに複数個配列したＬＥＤあるいはＬＤ、ＰＤ
アレイが用いられ、また光ファイバは、一方向に複数本
配列した光フアイバアレイが用いられている。その中で
、ＬＥＤアレイは、ヒートシンクを兼ねたＳｉやＡｆｆ
Ｎ製のサブマウントに搭載されている。この様な構成の
並列伝送光モジュールは、１９８９年電子情報通信学会
春期全国大会予講集、番号Ｂ−７３５、第４−１１１頁
所載の長堀氏による論文に記載されている。
第３図は一般的な並列伝送光モジュールのＬＥＤアレイ
を搭載するサブマウントの斜視図である。サブマウント
基板１１上面には、中央に向かって左右から交互に電極
パターン１２が形戒され、中央部の電極パターン１２に
半田電極２３が形戒されている。
を搭載するサブマウントの斜視図である。サブマウント
基板１１上面には、中央に向かって左右から交互に電極
パターン１２が形戒され、中央部の電極パターン１２に
半田電極２３が形戒されている。
第４図は一般的な同軸型の並列伝送光モジュールで、内
部の素子が見えるように図中の破線部を切り欠いている
。ＬＥＤアレイ１４は、サブマウント基板１１の表面に
搭載されており、光ファイバとの接続部は、中空円筒状
スリーブ２６が基板２１上にＬＥＤアレイ１４とほぼ中
心軸を一致して固定されている。光フアイバアレイ２４
を保持した金属製のフェルール２５はＬＥＤアレイ１４
からの出射光が効率よく入射するように位置調整した後
に接着後、半田或は溶接によってスループ２６に固定さ
れる。
部の素子が見えるように図中の破線部を切り欠いている
。ＬＥＤアレイ１４は、サブマウント基板１１の表面に
搭載されており、光ファイバとの接続部は、中空円筒状
スリーブ２６が基板２１上にＬＥＤアレイ１４とほぼ中
心軸を一致して固定されている。光フアイバアレイ２４
を保持した金属製のフェルール２５はＬＥＤアレイ１４
からの出射光が効率よく入射するように位置調整した後
に接着後、半田或は溶接によってスループ２６に固定さ
れる。
通常、光モジュールは、プリント基板に組み込まれてい
るため、その薄型化が必要とされている。また、光モジ
ュールは、高速化に対応して信号ラインを短くする必要
があるため、ＬＥＤアレイを駆動する駆動ＩＣが、光モ
ジュール内部に組み込まれていることが望ましい。しか
し、上記の構成では、ＬＥＤアレイと駆動ＩＣを同一サ
ブマウント基板の表面上に実装し、その上に光ファイバ
の入射端面がくるように光ファイバを配置するため、光
モジュールの高さが高くなり、プリント基板上への組み
込みが困難になるという大きな問題があった。
るため、その薄型化が必要とされている。また、光モジ
ュールは、高速化に対応して信号ラインを短くする必要
があるため、ＬＥＤアレイを駆動する駆動ＩＣが、光モ
ジュール内部に組み込まれていることが望ましい。しか
し、上記の構成では、ＬＥＤアレイと駆動ＩＣを同一サ
ブマウント基板の表面上に実装し、その上に光ファイバ
の入射端面がくるように光ファイバを配置するため、光
モジュールの高さが高くなり、プリント基板上への組み
込みが困難になるという大きな問題があった。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、光モジュールの
薄型化が容易なサブマウントを提供することにある。
薄型化が容易なサブマウントを提供することにある。
本発明は、発光あるいは受光素子等の光半導体素子を搭
載した光モジュール用サブマウントであって、サブマウ
ント基板の表面と側面にパターン化された電極を各々備
え、前記表面の前記パターン化された電極上に前記光半
導体素子を駆動する電子回路を搭載し、かつ前記側面の
前記パターン化された電極上に光半導体素子を搭載した
ことを特徴とする構成になっている。
載した光モジュール用サブマウントであって、サブマウ
ント基板の表面と側面にパターン化された電極を各々備
え、前記表面の前記パターン化された電極上に前記光半
導体素子を駆動する電子回路を搭載し、かつ前記側面の
前記パターン化された電極上に光半導体素子を搭載した
ことを特徴とする構成になっている。
さらに、側面に光半導体素子と表面に該光半導体素子を
駆動する半導体素子を搭載した上記の光モジュール用サ
ブマウントにおいて、前記光モジュール用サブマウント
基板の前記表面と前記側面とが交差するエツジ部に面取
りを施した構成にすると信頼性が向上する。
駆動する半導体素子を搭載した上記の光モジュール用サ
ブマウントにおいて、前記光モジュール用サブマウント
基板の前記表面と前記側面とが交差するエツジ部に面取
りを施した構成にすると信頼性が向上する。
光半導体素子と該光半導体素子を駆動する半導体素子を
搭載した光モジュール用サブマウントを製造する本発明
の製造方法は、サブマウント基板の前記表面と前記側面
とが交差するエツジ部を面取り研磨する研磨工程と、前
記表面と前記側面及び前記エツジ部に薄膜を形成する成
膜工程と、該薄膜をパターンニングし、前記表面と前記
側面及びエツジ部に電極パターンを形戒するパターン二
ング工程と、前記側面に高分子材料を形状する塗布工程
と、前記電極パターン上の前記高分子材料に穴を形成す
るダム形成工程と、該ダムから露出した前記電極パター
ン上に前記半田バンブを形状するバンブ形成工程と、前
記基板を加熱し、前記半田バンブを球状あるいは山状に
するためのウェットバック工程と、前記基板表面に光半
導体素子駆動用、または信号処理用の電子回路を搭載し
、前記基板側面の電極に光半導体素子を接着する工程と
を少くとも有することを特徴とする構成になっている。
搭載した光モジュール用サブマウントを製造する本発明
の製造方法は、サブマウント基板の前記表面と前記側面
とが交差するエツジ部を面取り研磨する研磨工程と、前
記表面と前記側面及び前記エツジ部に薄膜を形成する成
膜工程と、該薄膜をパターンニングし、前記表面と前記
側面及びエツジ部に電極パターンを形戒するパターン二
ング工程と、前記側面に高分子材料を形状する塗布工程
と、前記電極パターン上の前記高分子材料に穴を形成す
るダム形成工程と、該ダムから露出した前記電極パター
ン上に前記半田バンブを形状するバンブ形成工程と、前
記基板を加熱し、前記半田バンブを球状あるいは山状に
するためのウェットバック工程と、前記基板表面に光半
導体素子駆動用、または信号処理用の電子回路を搭載し
、前記基板側面の電極に光半導体素子を接着する工程と
を少くとも有することを特徴とする構成になっている。
本発明のサブマウントは、サブマウント基板の表面にＬ
ＥＤアレイを駆動する駆動ＩＣを搭載し、また、側面に
ＬＥＤアレイを搭載しているため、光ファイバの入射端
面をサブマウントの側面側に配置することができる。そ
のため、サブマウントと光ファイバを平面上に配置する
ことができ、光モジュール形状を平面型にすることが可
能となる。これにより、光モジュールの薄型化が容易と
なる。一方、前記表面と側面とが交差するエツジ部に面
取りを施すことにより、エツジ部のチッピングが防止で
きる。このため、前記表面と側面及びエツジ部に電極パ
ターンを形成することにより電極パターンの断線がなく
ＬＥＤアレイと駆動ＩＣを容易に接続できる。
ＥＤアレイを駆動する駆動ＩＣを搭載し、また、側面に
ＬＥＤアレイを搭載しているため、光ファイバの入射端
面をサブマウントの側面側に配置することができる。そ
のため、サブマウントと光ファイバを平面上に配置する
ことができ、光モジュール形状を平面型にすることが可
能となる。これにより、光モジュールの薄型化が容易と
なる。一方、前記表面と側面とが交差するエツジ部に面
取りを施すことにより、エツジ部のチッピングが防止で
きる。このため、前記表面と側面及びエツジ部に電極パ
ターンを形成することにより電極パターンの断線がなく
ＬＥＤアレイと駆動ＩＣを容易に接続できる。
以下、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施例で、同図（
ａ）はＬＥＤアレイと駆動ＩＣを搭載したサブマウント
の斜視図で、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図であ
る０図において、サブマウント基板１は、熱伝導性の優
れた材料の例えばＡＩ！Ｎを用い、下地にＣ「膜と電極
にＮｉ膜を用いた２層構造の電極パターン２が表面と側
面に形成されている。さらに、サブマウント基板１の側
面には、山状の半田バンブ３が形状されており、該半田
バンブ３とＬＥＤアレイ４のＡｕ電極５が融着接合され
ている。半田バンブ３は、大きさ１５０Ｘ６００μｍの
長方形で高さ５０μｍの山形状をしており、ピッチはＬ
ＥＤアレイ４のビットと同一の２５０μｍである。半田
バンブ３の周囲には、半田の電気メツキ時のマスク及び
、半田の融着時の流出防止に例えば感光性ポリイミド樹
脂製のダム６を設けている。サブマウント基板１の表面
には、駆動ＩＣ７がダイボンディングによって固定され
、ボンディングワイヤ８で電極パターン２に接続されて
いる。図示されていないがサブマウント基板１は、リー
ド付きのモジュールパッケージの中に固定され、リード
と電極パターン２がボンディングワイヤ８で接続されて
いる。
ａ）はＬＥＤアレイと駆動ＩＣを搭載したサブマウント
の斜視図で、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図であ
る０図において、サブマウント基板１は、熱伝導性の優
れた材料の例えばＡＩ！Ｎを用い、下地にＣ「膜と電極
にＮｉ膜を用いた２層構造の電極パターン２が表面と側
面に形成されている。さらに、サブマウント基板１の側
面には、山状の半田バンブ３が形状されており、該半田
バンブ３とＬＥＤアレイ４のＡｕ電極５が融着接合され
ている。半田バンブ３は、大きさ１５０Ｘ６００μｍの
長方形で高さ５０μｍの山形状をしており、ピッチはＬ
ＥＤアレイ４のビットと同一の２５０μｍである。半田
バンブ３の周囲には、半田の電気メツキ時のマスク及び
、半田の融着時の流出防止に例えば感光性ポリイミド樹
脂製のダム６を設けている。サブマウント基板１の表面
には、駆動ＩＣ７がダイボンディングによって固定され
、ボンディングワイヤ８で電極パターン２に接続されて
いる。図示されていないがサブマウント基板１は、リー
ド付きのモジュールパッケージの中に固定され、リード
と電極パターン２がボンディングワイヤ８で接続されて
いる。
第２図は、本発明のもう１つの実施例で、面取りを施さ
れたサブマウントの斜視図である０図において、サブマ
ウント基板１の表面と側面の電極パターン２が直交する
エツジ部に面取り９が施されている。この他の部分は第
１図の実施例と同じである。
れたサブマウントの斜視図である０図において、サブマ
ウント基板１の表面と側面の電極パターン２が直交する
エツジ部に面取り９が施されている。この他の部分は第
１図の実施例と同じである。
次に本発明のサブマウント基板の製造工程を詳細に説明
する。まず、寸法が例えば５０Ｘ９Ｘ６．５開のＡｆＮ
基板上面と両側面のエツジ部に０．５ｍｍのＣ面取り研
磨をする研磨工程を行い、次に基板上面と両側面全体に
下地層として例えばＣｒを約１０００人真空蒸着で設け
、その上に約２μｍ厚さのＮｉメツキをする成膜工程を
行い、次に、フォトリソグラフィー技術によって基板上
に電極パターン２を形状するパターンニング工程を行う
０次にパターンニング工程と同様にフォトリソグラフィ
技術で半田バンブ３を形成する電極にＮｉが露出するよ
うなダム６を設けるダム形成工程を行う。次は電気メツ
キによって厚さ３０μｍの半田をダム６内に露出してい
る電極パターン２に形成するバンブ形成工程を行い、次
に半田バンブ部にフラックスを塗布し、ホットプレート
上で約２００℃に加熱溶融させ、バンプ形状を山状にす
るウェットバック工程を行う。
する。まず、寸法が例えば５０Ｘ９Ｘ６．５開のＡｆＮ
基板上面と両側面のエツジ部に０．５ｍｍのＣ面取り研
磨をする研磨工程を行い、次に基板上面と両側面全体に
下地層として例えばＣｒを約１０００人真空蒸着で設け
、その上に約２μｍ厚さのＮｉメツキをする成膜工程を
行い、次に、フォトリソグラフィー技術によって基板上
に電極パターン２を形状するパターンニング工程を行う
０次にパターンニング工程と同様にフォトリソグラフィ
技術で半田バンブ３を形成する電極にＮｉが露出するよ
うなダム６を設けるダム形成工程を行う。次は電気メツ
キによって厚さ３０μｍの半田をダム６内に露出してい
る電極パターン２に形成するバンブ形成工程を行い、次
に半田バンブ部にフラックスを塗布し、ホットプレート
上で約２００℃に加熱溶融させ、バンプ形状を山状にす
るウェットバック工程を行う。
サブマウントのＬＥＤアレイの実装は、サブマウント基
板１の半田バンブ３にフラックスを塗布し、半田バンプ
３上にＬＥＤアレイ４を各々のＡｕ電極５に合わせて乗
せる。次にホットプレート上で約２００℃に加熱溶融し
、半田バンプ３とＬＥＤアレイ４のＡｕ電極５との融着
を行う、この時、半田バンプの表面張力によるセルフア
ライメント効果によって１０μｍ以下の位置合わせ精度
が達成される。
板１の半田バンブ３にフラックスを塗布し、半田バンプ
３上にＬＥＤアレイ４を各々のＡｕ電極５に合わせて乗
せる。次にホットプレート上で約２００℃に加熱溶融し
、半田バンプ３とＬＥＤアレイ４のＡｕ電極５との融着
を行う、この時、半田バンプの表面張力によるセルフア
ライメント効果によって１０μｍ以下の位置合わせ精度
が達成される。
駆動ＩＣの実装は、導電性ペーストでサブマウント基板
１の上面にグイボンディングし、電極パターン２にワイ
ヤボンディングする。
１の上面にグイボンディングし、電極パターン２にワイ
ヤボンディングする。
以上説明したように本発明によれば、光ファイバの入射
端面は、ＬＥＤアレイ４が搭載されているサブマウント
基板１の側面側に配置されるため、サブマウント基板１
と光ファイバを平面上に備えることが出来る。これによ
り、光モジュールの薄型化が容易となった。また、更に
サブマウント基板１の表面と側面とが交差するエツジ部
に面取り９を設けることにより、エツジ部のチッピング
が防止でき、そのことにより電極パターン２の断線を低
減できた。この結果、薄型で信頼性の高い光モジュール
用サブマウントが実現できる。
端面は、ＬＥＤアレイ４が搭載されているサブマウント
基板１の側面側に配置されるため、サブマウント基板１
と光ファイバを平面上に備えることが出来る。これによ
り、光モジュールの薄型化が容易となった。また、更に
サブマウント基板１の表面と側面とが交差するエツジ部
に面取り９を設けることにより、エツジ部のチッピング
が防止でき、そのことにより電極パターン２の断線を低
減できた。この結果、薄型で信頼性の高い光モジュール
用サブマウントが実現できる。
尚、本実施例では、ＬＥＤアレイについて説明したが、
これに限定されず、例えば、ＬＤアレイ、ＰＤアレイで
も良く、また、単体のＬＥＤ、ＬＤ、ＰＤでも良い。
これに限定されず、例えば、ＬＤアレイ、ＰＤアレイで
も良く、また、単体のＬＥＤ、ＬＤ、ＰＤでも良い。
第１図（ａ）、（ｂ）はＬＥＤアレイと駆動ＩＣを搭載
した本発明の一実施例を示すサブマウントの図で、同図
（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図
、第２図は本発明の実施例を示す面取りを施したサブマ
ウントの斜視図、第３図は一般的な並列伝送光モジュー
ルのＬＥＤアレイを搭載する従来のサブマウントの斜視
図、第４図は一般的な同軸型の並列伝送光モジュールの
斜視図である。 １．１１・・・サブマウント基板、２．１２・・・電極
パターン、３・・・半田バンプ、４，１４・・・ＬＥＤ
アレイ、５・・・Ａｕ電極、６・・・ダム、７・・・駆
動ＩＣｌ３・・・ボンディングワイヤ、９・・・面取り
、２３・・・半田電極、２４・・・光フアイバアレイ、
２５・・・フェルール、 ２６・・・スリーブ。
した本発明の一実施例を示すサブマウントの図で、同図
（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図
、第２図は本発明の実施例を示す面取りを施したサブマ
ウントの斜視図、第３図は一般的な並列伝送光モジュー
ルのＬＥＤアレイを搭載する従来のサブマウントの斜視
図、第４図は一般的な同軸型の並列伝送光モジュールの
斜視図である。 １．１１・・・サブマウント基板、２．１２・・・電極
パターン、３・・・半田バンプ、４，１４・・・ＬＥＤ
アレイ、５・・・Ａｕ電極、６・・・ダム、７・・・駆
動ＩＣｌ３・・・ボンディングワイヤ、９・・・面取り
、２３・・・半田電極、２４・・・光フアイバアレイ、
２５・・・フェルール、 ２６・・・スリーブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、直方体形状のサブマウント基板の表面と側面にパタ
ーン化された電極を各々備え、前記表面の前記パターン
化された電極上に前記光半導体素子を駆動する電子回路
を搭載し、前記側面の前記パターン化された電極上に前
記光半導体素子を搭載したことを特徴とする光モジュー
ル用サブマウント。 ２、側面に光半導体素子と表面に該光半導体素子を駆動
する半導体素子を搭載した請求項１記載の光モジュール
用サブマウントにおいて、サブマウント基板の前記表面
と前記側面とが交差するエッジ部に面取りを施したこと
を特徴とする光モジュール用サブマウント。 ３、サブマウント基板の表面と側面とが交差するエッジ
部を面取り研磨する研磨工程と、前記表面と前記側面及
び前記エッジ部に薄膜を形成する成膜工程と、該薄膜を
パターンニングし、前記表面と前記側面及びエッジ部に
電極パターンを形成するパターンニング工程と、前記側
面に高分子材料を形成する塗布工程と、前記電極パター
ン上の前記高分子材料に穴を形成するダム形成工程と、
該ダムから露出した前記電極パターン上に前記半田バン
プを形成するバンプ形成工程と、前記サブマウント基板
を加熱し、前記半田バンプを球状あるいは山状にするた
めのウェットバック工程と、前記基板表面に電子回路を
搭載し、前記基板側面の電極に光半導体素子を接着する
工程とを少くとも有することを特徴とする光モジュール
用サブマウントの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324331A JP2527054B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 光モジュ―ル用サブマウント及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324331A JP2527054B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 光モジュ―ル用サブマウント及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184384A true JPH03184384A (ja) | 1991-08-12 |
| JP2527054B2 JP2527054B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=18164594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1324331A Expired - Fee Related JP2527054B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 光モジュ―ル用サブマウント及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527054B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0926530A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nec Corp | 光モジュール |
| US5621225A (en) * | 1996-01-18 | 1997-04-15 | Motorola | Light emitting diode display package |
| EP0893861A3 (en) * | 1997-07-25 | 2000-01-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Optical module |
| WO2008110829A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Intense Limited | Contact pads on arrays of optical devices |
| JP2008277438A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品、基板、並びに、電子部品及び基板の製造方法 |
| WO2010140604A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 先端フォトニクス株式会社 | サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法 |
| JP2019087656A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
| WO2021100484A1 (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光半導体装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118439U (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-28 | ||
| JPS6428830A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-31 | Ibiden Co Ltd | Substrate for mounting semiconductor |
| JPH0167050U (ja) * | 1987-05-20 | 1989-04-28 | ||
| JPH01122462A (ja) * | 1987-11-07 | 1989-05-15 | Alps Electric Co Ltd | 光書込みヘッド |
| JPH01173946U (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-11 |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP1324331A patent/JP2527054B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118439U (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-28 | ||
| JPH0167050U (ja) * | 1987-05-20 | 1989-04-28 | ||
| JPS6428830A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-31 | Ibiden Co Ltd | Substrate for mounting semiconductor |
| JPH01122462A (ja) * | 1987-11-07 | 1989-05-15 | Alps Electric Co Ltd | 光書込みヘッド |
| JPH01173946U (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-11 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0926530A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nec Corp | 光モジュール |
| US5621225A (en) * | 1996-01-18 | 1997-04-15 | Motorola | Light emitting diode display package |
| US5780321A (en) * | 1996-01-18 | 1998-07-14 | Motorola, Inc. | LED display packaging with substrate removal and method of fabrication |
| EP0893861A3 (en) * | 1997-07-25 | 2000-01-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Optical module |
| WO2008110829A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Intense Limited | Contact pads on arrays of optical devices |
| JP2008277438A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品、基板、並びに、電子部品及び基板の製造方法 |
| WO2010140604A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 先端フォトニクス株式会社 | サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法 |
| US9240527B2 (en) | 2009-06-05 | 2016-01-19 | Advanced Photonics, Inc. | Submount, optical module provided with submount, and submount manufacturing method |
| JP2019087656A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
| WO2021100484A1 (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2527054B2 (ja) | 1996-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4892377A (en) | Alignment of fibre arrays | |
| JP3731542B2 (ja) | 光モジュール及び光モジュールの実装方法 | |
| JP2002214500A (ja) | 光学装置システムと光学レンズシステムとが位置合わせされて構成される光電装置 | |
| JPH04152682A (ja) | アレイ状光素子用サブ基板の作製方法 | |
| JPH09138325A (ja) | 光ファイバ実装構造とその製造方法 | |
| US6959125B2 (en) | Printed board unit for optical transmission and mounting method | |
| JP3405402B2 (ja) | 並列伝送型光モジュールおよびその製造方法 | |
| US6695492B2 (en) | Optical module and production method therefor | |
| JP4429564B2 (ja) | 光部品及び電気部品の実装構造及びその方法 | |
| JP2527054B2 (ja) | 光モジュ―ル用サブマウント及びその製造方法 | |
| JP2001343560A (ja) | 光モジュール | |
| JP4304717B2 (ja) | 光モジュールおよびその製造方法 | |
| JP2994235B2 (ja) | 光受発光素子モジュール及びその製作方法 | |
| US7029185B2 (en) | Optical chip module and optical chip module device | |
| JPH06308356A (ja) | 並列伝送光モジュール | |
| JP2903095B2 (ja) | フォトカップラ装置 | |
| JPH02154208A (ja) | 並列伝送光モジュール | |
| JPH04221912A (ja) | 並列伝送光モジュール | |
| KR100317397B1 (ko) | 자유공간 광연결 모듈 구조 | |
| JP3348122B2 (ja) | 光伝送モジュール及びその製造方法 | |
| WO1997013170A1 (fr) | Module optoelectronique, procede de montage d'un dispositif optoelectronique et systeme optique comprenant ledit module optoelectronique | |
| JP3884903B2 (ja) | 光モジュール、光伝送装置及びその製造方法 | |
| JPH05152605A (ja) | アレイ状光素子及びその実装基板 | |
| JP2002062448A (ja) | 光サブモジュールおよびハイブリッド光集積回路 | |
| JPH0395978A (ja) | 並列伝送光モジュールのサブマウント及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |