JPH03185701A - 厚膜サーミスタ組成物 - Google Patents
厚膜サーミスタ組成物Info
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- JPH03185701A JPH03185701A JP1324424A JP32442489A JPH03185701A JP H03185701 A JPH03185701 A JP H03185701A JP 1324424 A JP1324424 A JP 1324424A JP 32442489 A JP32442489 A JP 32442489A JP H03185701 A JPH03185701 A JP H03185701A
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- thick film
- film thermistor
- thermistor
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- conductive material
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は絶縁基板上に印刷形成される厚膜サーミスタ用
の厚膜サーミスタ組成物に関する。
の厚膜サーミスタ組成物に関する。
（従来の技術）
従来の厚膜サーミスタ組成物としては、Ｍｎ。
Ｃｏ５Ｆｃ５Ｎｉなどのサーミスタ特性を有する金属酸
化物と、導電材料としてのＲｕＯ２とさらにガラス粉末
を混合したものが知られている。
化物と、導電材料としてのＲｕＯ２とさらにガラス粉末
を混合したものが知られている。
そしてこの組成物を絶縁基板上に形成された第１の電極
上に一部を重ね合わせて印刷し、さらにこの上に第２の
電極を重ね合わせて形成したサンドイッチ形の厚膜サー
ミスタがある。このサンドイッチ形厚膜サーミスタは、
同一平面上の電極間にサーミスタ組成物を印刷したシー
ト状の厚膜サーミスタと比べて抵抗値を低くすることが
できる。しかし、このサンドイッチ形の厚膜サーミスタ
でも抵抗値は２にΩ程度が限度であり、それ以下の抵抗
値を出すには、サーミスタ特性を有する金属酸化物に、
更に直接ＣｕまたはＣ１１酸化物（以下、Ｃｕと略す）
を加えていた。
上に一部を重ね合わせて印刷し、さらにこの上に第２の
電極を重ね合わせて形成したサンドイッチ形の厚膜サー
ミスタがある。このサンドイッチ形厚膜サーミスタは、
同一平面上の電極間にサーミスタ組成物を印刷したシー
ト状の厚膜サーミスタと比べて抵抗値を低くすることが
できる。しかし、このサンドイッチ形の厚膜サーミスタ
でも抵抗値は２にΩ程度が限度であり、それ以下の抵抗
値を出すには、サーミスタ特性を有する金属酸化物に、
更に直接ＣｕまたはＣ１１酸化物（以下、Ｃｕと略す）
を加えていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、サーミスタ特性を有する金属酸化物に、Ｃｕを
直接添加した場合は、添加量に比例して抵抗値は下るが
、同時にＢ定数（抵抗値変化率を知る定数で一般にはＢ
＝２０００に〜５０００にである。）も低下してしまい
、高いＢ定数を有しながら低い抵抗値を得るのは困難で
あった。
直接添加した場合は、添加量に比例して抵抗値は下るが
、同時にＢ定数（抵抗値変化率を知る定数で一般にはＢ
＝２０００に〜５０００にである。）も低下してしまい
、高いＢ定数を有しながら低い抵抗値を得るのは困難で
あった。
またＣｕは熱安定性に欠け、１２５℃、１００時間で＋
１０％〜＋１５％の抵抗値変化を起すという問題がある
。
１０％〜＋１５％の抵抗値変化を起すという問題がある
。
本発明は上述の問題点に鑑み、添加されたＣｕの耐熱変
化を抑え、高いＢ定数を有しながらも抵抗値を下げるこ
とができる厚膜サーミスタ組成物を提供するものである
。
化を抑え、高いＢ定数を有しながらも抵抗値を下げるこ
とができる厚膜サーミスタ組成物を提供するものである
。
（課題を解決するための手段）
本発明の厚膜サーミスタ組成物は、Ｍｎ、 Ｃｏ、Ｆｅ
、 Ｎｉの夫々の酸化物のうちから選ばれたサーミスタ
特性を有する少なくとも２種の金属酸化物と、第１の導
電性物質としてのＲｕＯ２と、第２の導電性物質として
のＣｕまたはＣｕＯと２価の原子価を有する元素の化合
物とを混合焼結した複合酸化物と、ガラスとよりなるも
のである。
、 Ｎｉの夫々の酸化物のうちから選ばれたサーミスタ
特性を有する少なくとも２種の金属酸化物と、第１の導
電性物質としてのＲｕＯ２と、第２の導電性物質として
のＣｕまたはＣｕＯと２価の原子価を有する元素の化合
物とを混合焼結した複合酸化物と、ガラスとよりなるも
のである。
（作用）
本発明の厚膜サーミスタ組成物は、サーミスタ特性を有
する金属酸化物と、ＲｕＯ２よりなる第１の導電性物質
とガラスとよりなる厚膜サーミスタ材料にさらに第２の
導電性物質として、ＣｕまたはＣｕＯと２価の原子価を
有する元素の化合物を混合焼結した複合酸化物を添加し
たことによりＣｕを直接添加した場合のようにＢ定数を
低下させたり、熱による抵抗値変化率を増大させるよう
なことがなく厚膜サーミスタの抵抗値を低下させるもの
である。
する金属酸化物と、ＲｕＯ２よりなる第１の導電性物質
とガラスとよりなる厚膜サーミスタ材料にさらに第２の
導電性物質として、ＣｕまたはＣｕＯと２価の原子価を
有する元素の化合物を混合焼結した複合酸化物を添加し
たことによりＣｕを直接添加した場合のようにＢ定数を
低下させたり、熱による抵抗値変化率を増大させるよう
なことがなく厚膜サーミスタの抵抗値を低下させるもの
である。
（実施例）
ＣｕＯと２価の原子価を有する元素の化合物としてのＣ
ｕＯを重量比で１＝１になるように秤量し、自動混合機
またはボールミルにより充分に混合する。（ボールミル
を使う場合は、ＣｕＯは水と反応するためブチルカルピ
トールアセテートなどを用いる）混合粉末を磁性ルツボ
に入れ、１０００℃で２時間固相反応をさせて焼結した
第２の導電性物質としての複合酸化物とし、その後この
複合酸化物を粉砕機またはボールミルにかけ粉末にする
。
ｕＯを重量比で１＝１になるように秤量し、自動混合機
またはボールミルにより充分に混合する。（ボールミル
を使う場合は、ＣｕＯは水と反応するためブチルカルピ
トールアセテートなどを用いる）混合粉末を磁性ルツボ
に入れ、１０００℃で２時間固相反応をさせて焼結した
第２の導電性物質としての複合酸化物とし、その後この
複合酸化物を粉砕機またはボールミルにかけ粉末にする
。
次にＭｎ、 ０４ 、Ｃｏ３Ｏ４、Ｆｅ、 ０４を
ｌ：１Ｇ、２の重量比で固相反応させて得た金属酸化物
粉末３９ｗｔ％、第１の導電性物質としてのＲｕＯ２粉
末８ｖ１％、ホウケイ酸鉛ガラス粉末４０ｗ１％、前記
Ｃｕ−Ｃａ複合酸化物粉末１３Ｗ（％を混合して混合物
とする。ここに有機ビヒクルとして８ｗ１％のエチルセ
ルロースを含むブチルカルピトールを前記混合物の３Ｇ
ｗｔ９６となる様に加え、３本ロール等で充分に混合し
厚膜サーミスタペーストを作成した。得られた厚膜サー
ミスタペーストを用い、図に示すように、基板１上に対
向面積０．２５ｍｍ２となるように上下に対向して形成
される電極２．２間に膜厚５０＋＋ｍとなるようにサン
ドイッチ形に厚膜サーミスタ体３を印刷、焼成により形
成し厚膜サーミスタを得た。
ｌ：１Ｇ、２の重量比で固相反応させて得た金属酸化物
粉末３９ｗｔ％、第１の導電性物質としてのＲｕＯ２粉
末８ｖ１％、ホウケイ酸鉛ガラス粉末４０ｗ１％、前記
Ｃｕ−Ｃａ複合酸化物粉末１３Ｗ（％を混合して混合物
とする。ここに有機ビヒクルとして８ｗ１％のエチルセ
ルロースを含むブチルカルピトールを前記混合物の３Ｇ
ｗｔ９６となる様に加え、３本ロール等で充分に混合し
厚膜サーミスタペーストを作成した。得られた厚膜サー
ミスタペーストを用い、図に示すように、基板１上に対
向面積０．２５ｍｍ２となるように上下に対向して形成
される電極２．２間に膜厚５０＋＋ｍとなるようにサン
ドイッチ形に厚膜サーミスタ体３を印刷、焼成により形
成し厚膜サーミスタを得た。
得られた厚膜サーミスタの抵抗値１００Ω、Ｂ定数２５
５０に、１２５℃、５００時間加熱の抵抗値変化率＋ｔ
、ｏｇ％できわめて安定した特性であった。
５０に、１２５℃、５００時間加熱の抵抗値変化率＋ｔ
、ｏｇ％できわめて安定した特性であった。
別表に、従来の厚膜サーミスタ試料１．２．３と本発明
の複合酸化物を添加した厚膜サーミスタ試料１．２．３
．４．５の抵抗値、Ｂ定数、１２５℃ミ５００時間の抵
抗値変化率を示す。
の複合酸化物を添加した厚膜サーミスタ試料１．２．３
．４．５の抵抗値、Ｂ定数、１２５℃ミ５００時間の抵
抗値変化率を示す。
表において実施例１〜３のＣｕ−Ｃｌは、ＣｕＯとＣＩ
Ｏをｌ：１で混合して焼結し粉砕した複合酸化物の粉末
、実施例４．５のＣｕ−３ｒはＣｕＯとＳｒＯを１：１
で混合して焼結し粉砕した複合酸化物の粉末を示す。
Ｏをｌ：１で混合して焼結し粉砕した複合酸化物の粉末
、実施例４．５のＣｕ−３ｒはＣｕＯとＳｒＯを１：１
で混合して焼結し粉砕した複合酸化物の粉末を示す。
なお、以上の実施例では、第２の導電性物質のＣｕ源と
してのＣｌｌ０を用いたが他のＣｕ化合物でもよい。ま
た、２価の原子価を有する元素の化合物としてはＣｒＯ
の他に、ＳｒＯ、ＢａＯなどの酸化物または炭酸塩を用
いることもできる。
してのＣｌｌ０を用いたが他のＣｕ化合物でもよい。ま
た、２価の原子価を有する元素の化合物としてはＣｒＯ
の他に、ＳｒＯ、ＢａＯなどの酸化物または炭酸塩を用
いることもできる。
この表より従来の厚膜サーミスタに比べて本発明の組成
物を用いて形成した厚膜サーミスタは低抵抗で高いＢ定
数を有し、さらに熱に対して抵抗値変化率が少いことが
わかる。
物を用いて形成した厚膜サーミスタは低抵抗で高いＢ定
数を有し、さらに熱に対して抵抗値変化率が少いことが
わかる。
本発明によれば、サーミスタ特性を有する金属酸化物、
第２の導電材料としてのＲ１１０２とガラスよりなる厚
膜サーミスタ材料に、さらに第２の導電材料としてＣｕ
またはＣｕＯと、２価の原子価を有する元素の化合物と
の複合酸化物を添加したため抵抗値を低下させることが
でき、Ｃｕを直接添加した場合のようにＢ定数を低下さ
せたり、耐熱安定外に欠けるようなことがなく、低低抗
でＢ定数が高く、軌に対する抵抗値変化率の少ない厚膜
サーミスタを得ることができる。
第２の導電材料としてのＲ１１０２とガラスよりなる厚
膜サーミスタ材料に、さらに第２の導電材料としてＣｕ
またはＣｕＯと、２価の原子価を有する元素の化合物と
の複合酸化物を添加したため抵抗値を低下させることが
でき、Ｃｕを直接添加した場合のようにＢ定数を低下さ
せたり、耐熱安定外に欠けるようなことがなく、低低抗
でＢ定数が高く、軌に対する抵抗値変化率の少ない厚膜
サーミスタを得ることができる。
また、第１、第２の導電材料を配合したから、夫々の添
加景を変化させることにより幅の広い抵抗ｆ直とＢ定数
の組合わせが可能になる。
加景を変化させることにより幅の広い抵抗ｆ直とＢ定数
の組合わせが可能になる。
図は本発明の厚膜サーミスタ組代物を用いて形成された
厚膜サーミスタの縦断正面間である。
厚膜サーミスタの縦断正面間である。
Claims (1)
- （１）Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの夫々の酸化物のうちか
ら選ばれたサーミスタ特性を有する少なくとも２種の金
属酸化物と、 第１の導電性物質としてのＲｕＯ＿２と、 第２の導電性物質としてのＣｕまたはＣｕＯと２価の原
子価を有する元素の化合物とを混合焼結した複合酸化物
と、 ガラス とよりなることを特徴とする厚膜サーミスタ組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324424A JPH03185701A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 厚膜サーミスタ組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324424A JPH03185701A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 厚膜サーミスタ組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185701A true JPH03185701A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18165644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1324424A Pending JPH03185701A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 厚膜サーミスタ組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270402A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54115799A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-08 | Hitachi Ltd | Thermistor composition |
| JPS54119695A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-17 | Hitachi Ltd | Composite material for thick film thermistor |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1324424A patent/JPH03185701A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54115799A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-08 | Hitachi Ltd | Thermistor composition |
| JPS54119695A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-17 | Hitachi Ltd | Composite material for thick film thermistor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270402A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
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