JPH03185718A - 半導体ウェハー熱処理装置 - Google Patents
半導体ウェハー熱処理装置Info
- Publication number
- JPH03185718A JPH03185718A JP1325127A JP32512789A JPH03185718A JP H03185718 A JPH03185718 A JP H03185718A JP 1325127 A JP1325127 A JP 1325127A JP 32512789 A JP32512789 A JP 32512789A JP H03185718 A JPH03185718 A JP H03185718A
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- Japan
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- boat
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- semiconductor wafer
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハーを積載したボートを炉芯管にロ
ードあるいはアンロードする機構を備えた半導体ウェハ
ー熱処理装置に関する。
ードあるいはアンロードする機構を備えた半導体ウェハ
ー熱処理装置に関する。
従来、この種の半導体ウェハー熱処理装置は、第７図及
び第８図の側断面図に示すように、ボート保持治具４上
に置かれたボート７に半導体ウェハー１を積載し、炉芯
管５の中にロードさせ熱処理を行い、その後炉芯管外に
アンロードさせる間、半導体ウェハーのボートへの積載
ピッチは一定であった。
び第８図の側断面図に示すように、ボート保持治具４上
に置かれたボート７に半導体ウェハー１を積載し、炉芯
管５の中にロードさせ熱処理を行い、その後炉芯管外に
アンロードさせる間、半導体ウェハーのボートへの積載
ピッチは一定であった。
上述した従来の半導体ウェハー熱処理装置は、熱処理時
には、ボートへ積載された半導体ウェハーへの均一なガ
スの回り込みが必要であり、そのため半導体ウェハーの
ボートへの適正な［２ピツチが必要であった。従って、
半導体ウェハーが積載されたボートを炉芯管の中にロー
ドさせる際、あるいは炉芯管の外にアンロードさせる際
には、半導体ウェハー積載部の長さが長いために、ロー
ドあるいはアンロード完了まで非常に時間がかかり、空
気中の微細なごみや酸素をまきこんだり、半導体ウェハ
ー間の熱履歴に大きな差が発生するという欠点がある。
には、ボートへ積載された半導体ウェハーへの均一なガ
スの回り込みが必要であり、そのため半導体ウェハーの
ボートへの適正な［２ピツチが必要であった。従って、
半導体ウェハーが積載されたボートを炉芯管の中にロー
ドさせる際、あるいは炉芯管の外にアンロードさせる際
には、半導体ウェハー積載部の長さが長いために、ロー
ドあるいはアンロード完了まで非常に時間がかかり、空
気中の微細なごみや酸素をまきこんだり、半導体ウェハ
ー間の熱履歴に大きな差が発生するという欠点がある。
本発明は半導体ウェハーが積載されたボートを炉芯管に
ロードあるいはアンロードする機構を備えた半導体ウェ
ハー熱処理装置において、前記ボートが半導体ウェハー
積載長を伸縮自在とするパンクグラフ機構を有する半導
体ウェハー熱処理装置である。
ロードあるいはアンロードする機構を備えた半導体ウェ
ハー熱処理装置において、前記ボートが半導体ウェハー
積載長を伸縮自在とするパンクグラフ機構を有する半導
体ウェハー熱処理装置である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の側断面図で半導体ウェハ
ー１を積載したボート６の長さを最小にして炉芯管５の
中にロードさせた状態を示し、第２図は、ロードが完了
した後熱処理に必要なだけ半導体ウェハー１を積載した
ボートの積載ピッチを伸長させた時のｆｌｌｌ断面図で
ある。
ー１を積載したボート６の長さを最小にして炉芯管５の
中にロードさせた状態を示し、第２図は、ロードが完了
した後熱処理に必要なだけ半導体ウェハー１を積載した
ボートの積載ピッチを伸長させた時のｆｌｌｌ断面図で
ある。
本実施例においては、ボート６がパンタグラフ機構を有
しており、半導体ウェハー１を１枚ずつ保持し、ボート
保持治具４上を炉芯管５の軸方向に伸縮自在にスライド
する。パンタグラフ機構を有するボート６の最端部には
、ピッチ可変装置３が接続されており、第３図の拡大平
面図に示すように、ピッチ可変装置３を伸ばすとボート
６が炉芯管５の軸方向に縮み、また第４図の拡大平面図
に示すようにピッチ可変装置３を縮めると、ボート６が
炉芯管５の軸方向に伸びる。
しており、半導体ウェハー１を１枚ずつ保持し、ボート
保持治具４上を炉芯管５の軸方向に伸縮自在にスライド
する。パンタグラフ機構を有するボート６の最端部には
、ピッチ可変装置３が接続されており、第３図の拡大平
面図に示すように、ピッチ可変装置３を伸ばすとボート
６が炉芯管５の軸方向に縮み、また第４図の拡大平面図
に示すようにピッチ可変装置３を縮めると、ボート６が
炉芯管５の軸方向に伸びる。
ボート６を炉芯管５の中にロードさせる際は、ピッチ可
変装置３を最大に伸ばし、ボート６を最小の長さにして
行なう。熱処理を開始する際はピッチ可変装置３を適当
な長さに調節し、必要とされる半導体ウェハー１のボー
ト６への積載ピッチを得る。アンロードの際はロードの
際と同様にボート６を最小の長さにして行なう。
変装置３を最大に伸ばし、ボート６を最小の長さにして
行なう。熱処理を開始する際はピッチ可変装置３を適当
な長さに調節し、必要とされる半導体ウェハー１のボー
ト６への積載ピッチを得る。アンロードの際はロードの
際と同様にボート６を最小の長さにして行なう。
また、第５図は第４図を六方向から見た正面図、第６図
は第４図をＢ方向から見た側面図である。
は第４図をＢ方向から見た側面図である。
以上説明したように本発明は、半導体ウェハーのボート
への積載ピッチを変化させることにより、半導体ウェハ
ーが積載されたボートを炉芯管の中にロードさせる際、
あるいは炉芯管の外にアンロードさせる際、半導体ウェ
ハー積載部の長さを可能な限り短くでき、ロードあるい
はアンロード完了までの時間を非常に短縮でき、空気中
の微細なごみや酸素のまきこみを防ぎ、半導体ウェハー
間の熱履歴の差を最小にとどめることができ、さらに半
導体ウェハー熱処理中に半導体ウェハーへのガスのまわ
りこみを適正化させることが可能となる効果がある。
への積載ピッチを変化させることにより、半導体ウェハ
ーが積載されたボートを炉芯管の中にロードさせる際、
あるいは炉芯管の外にアンロードさせる際、半導体ウェ
ハー積載部の長さを可能な限り短くでき、ロードあるい
はアンロード完了までの時間を非常に短縮でき、空気中
の微細なごみや酸素のまきこみを防ぎ、半導体ウェハー
間の熱履歴の差を最小にとどめることができ、さらに半
導体ウェハー熱処理中に半導体ウェハーへのガスのまわ
りこみを適正化させることが可能となる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示すそれぞれ側
断面図、第３図及び第４図はその実施例の一部を示すそ
れぞれ拡大平面図、第５図及び第６図は第４図のそれぞ
れ正面図及び側面図、第７図及び第８図は従来の熱処理
装置のそれぞれ側断面図である。 ｌ・・・・・・半導体ウェハー、２・・・・・・ガス供
給孔、３・・・・・・ピッチ可変装置、４・・・・・・
ボート保持治具、５・・・・・・炉芯管、６・・・・・
・ボート、７・・・・・・ボート。
断面図、第３図及び第４図はその実施例の一部を示すそ
れぞれ拡大平面図、第５図及び第６図は第４図のそれぞ
れ正面図及び側面図、第７図及び第８図は従来の熱処理
装置のそれぞれ側断面図である。 ｌ・・・・・・半導体ウェハー、２・・・・・・ガス供
給孔、３・・・・・・ピッチ可変装置、４・・・・・・
ボート保持治具、５・・・・・・炉芯管、６・・・・・
・ボート、７・・・・・・ボート。
Claims (1)
- 半導体ウェハーが積載されたボートを炉芯管にロード
あるいはアンロードする機構を備えた半導体ウェハー熱
処理装置において、前記ボートが半導体ウェハー積載長
を伸縮自在とするパンタグラフ機構を有することを特徴
とする半導体ウェハー熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325127A JP2555895B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体ウェハー熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325127A JP2555895B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体ウェハー熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185718A true JPH03185718A (ja) | 1991-08-13 |
| JP2555895B2 JP2555895B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=18173380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325127A Expired - Lifetime JP2555895B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 半導体ウェハー熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555895B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10273579B2 (en) * | 2013-03-22 | 2019-04-30 | Beneq Oy | Apparatus for processing two or more substrates in a batch process |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61202448A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Toshiba Corp | 熱処理治具 |
| JPS62116547U (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-24 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1325127A patent/JP2555895B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61202448A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Toshiba Corp | 熱処理治具 |
| JPS62116547U (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-24 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10273579B2 (en) * | 2013-03-22 | 2019-04-30 | Beneq Oy | Apparatus for processing two or more substrates in a batch process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2555895B2 (ja) | 1996-11-20 |
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