JPH03185736A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［ａ業上の利用分野］′ 本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

［従来の技術］ 従来、絶縁基板上の薄膜トランジスタ（以下ＴＰＴと称
す）は、第２図に示すように、ガラスなどの絶縁基板３
１上に、半導体薄膜３２を形成し、そこに素子を作り込
んで構成されていた。

また、近年、ＴＰＴの特性向上のため、半導体薄膜とし
て、結晶性半導体薄膜を用いることがよく見られる。こ
こで言う結晶性半導体とは、通常使用されている単結晶
ウェハーに比べると、欠陥が数多く存在している単結晶
半導体や、内部に１個以上の結晶粒界を持つ多結晶半導
体を言う。

〔発明が解決しようとするＸ！題〕

しかしながら、上記従来例では、第３図に示すように結
晶性半導体薄膜３２と基板３１との界面や結晶性半導体
薄膜３２とゲート絶縁［３３との界面に、数多くの界面
準位３４，３５が存在し、結晶性半導体薄膜３２に、例
えば、図のようにＭＯＳＦＥＴを形成した場合、この界
面準位の影響で、チャネル部でキャリアが界面準位３４
゜３５にトラップされ、いわゆるバックチャネルを形成
し、しきい値電圧の変動や、信号のｏｎ１０ｆｆ比の低
下など、素子特性の劣化をもたらしていた。

また、結晶性半導体薄膜として、多結晶シリコン薄膜を
用いることがよく見られるが、多結晶シリコン薄膜内に
存在する結晶粒界３６には、数多くの界面準位３７が存
在し、これらが、キャリアをトラップすることにより、
チャネル部でのキャリアの移動度を低下させてしまう。

また、基板にアルカリイオン含有量の多いガラスなどの
安価な材料を用いると、基板材料中Ｃ含まれるＮａ”な
どのアルカリイオン３８が、製造プロセス中の熱処理に
よって半導体薄膜の方へ移動し、基板との界面やシリコ
ン等の半導体薄膜中に可動イオンとして存在し、素子特
性の劣化や、信頼性に問題を生じさせていた。

これらの問題を解決する方法として、例えば、素子形成
後、素子の保護膜として、プラズマＣＶＤ法により窒化
シリコン膜を形成し、この保護膜による水素パッシベー
ションを用いて、シリコン薄膜内の局在準位を減らし、
移動度を高くすることが行われてきた。また、アルカリ
イオン汚染防止のために、高純度石英や無アルカリガラ
スなどを基板として用いる方法をとっていた。

しかしながら、上記の方法によっても、結晶粒界のパッ
シベーション、ならびに、基板との界面のパッシベーシ
ョンは完全でない。すなわち、上記の方法では、半導体
薄膜の中に水素が導入される過程と、逆に、半導体薄膜
から水素が放出される過程とが共存し、さらに、半導体
薄膜中の粒界、界面以外の結晶性のよい場所にも水素が
拡散しており、有効に、粒界、界面のパッシベーション
を行なう為には更に改善すべき余地が多く残されていた
。

また、高純度石英や無アルカリガラスなどの基板は、高
価であり、大面積の基板に安価な素子を形成すべく採用
されるＴＰＴ本来の１つの利点を失う結果となってしま
う。

［ｎＢを解決するための手段］ 本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁基体上に、結晶
性半導体薄膜を形成して成る半導体装置の製造方法にお
いて、前記結晶性半導体薄膜の上下両側に、水素の拡散
にたいしてバリアとなる第１、第２の絶ａｍをそれぞれ
形成する工程と、前記結晶性半導体薄膜中に水素を導入
する工程と、光を照射し、前記結晶性半導体薄膜の粒界
近傍または界面近傍の局所部分のみを加熱する工程と、
を含むことを特徴とする。

［作用］ 本発明では、結晶性半導体薄膜に水素を導入し、かつ光
照射することにより、結晶性半導体薄膜内の結晶粒界や
欠陥あるいは結晶性半導体薄膜と基体との界面などが、
選択的に加熱し、こうした場所に存在するトラップ準位
が有効に水素で終端し、トラップ準位の数を減らすこと
ができるので、ＴＰＴ等の半導体装置の電気特性を向上
させることが期待できる。

また、ＴＰＴのソース・ドレインなどに導入された不純
物の空間的位置をほとんど変えずに、結晶粒界や欠陥、
または、半導体薄膜と基体との界面などを、選択的に加
熱することができるので、微細トランジスタの製造が容
易になる。

さらに、結晶性半導体薄膜のみを加熱することができる
ことから、ガラスなどの基板からのＮａ’″などのアル
カリイオンの侵入を防止でき、信頼性の向上が期待でき
る。

また、半導体薄膜上に、水素の拡散にたいしてバリアと
なる絶縁膜を形成しているため、薄膜中に拡散した水素
のｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎを防止し、上述の効果を
さらに安定して得ることが期待できる。

なお、水素の拡散にたいしてバリアとなる絶縁膜として
、窒化シリコン膜を基体と結晶性半導体薄膜との間に形
成する場合には、ガラスなどの基体からのＮａ”などの
アルカリイオンに対するブロッキングの効果も生じ、信
頼性の向上はさらに期待できる。

［実施態様例］ 以下に図面を参照しながら本発明の好適な実施態様につ
いて説明する。

（第１実施態様例） 第１図は、本発明方法により製造した半導体装置例の断
面図である。

本発明の第１の実施態様としては、まず、ガラス等の絶
縁基板２１上に、水素の拡散にたいしてバリアとなる第
１の絶縁膜・とじて、例えば、プラズマＣＶＤ法により
、基板温度２００ｔ：〜３００℃で窒化シリコン１ｉ２
２を形成する０本例ではこの窒化シリコン膜２２中には
数％〜数十％の水素を含ませておく。

その後、窒化シリコン１ＩＩ２２を形成した時の温度と
同程度かそれ以下の温度で結晶性半導体薄膜として例え
ば結晶性シリコン薄膜２３を形成する。結晶性シリコン
薄＠２３としては、スパッタリング法、減圧ＣＶＤ法、
プラズマＣＶＤ法により形成された多結晶シリコンや、
スパッタリング法やＣＶＤ法（より形成された非晶質シ
リコンをアニールし再結晶化したものや、本出願人が別
途提案しているプラズマＣＶＤ法において、成膜雰囲気
中へのＨＣｆ等のハロゲン化水素ガスの添加効果によっ
てえられた大粒径多結晶シリコンや、本出願人が特願昭
６２−７３６２９号公報、特願昭６２−７３６３０号公
報で提案しているところの大粒径多結晶シリコンや、本
出願人が特開昭６３−１０７０１６号公報で提案してい
るところの非晶質基板上に形成した単結晶シリコン等が
用いられる。

次に、水素の拡散にたいしてバリアとなる第２の絶縁膜
２４を結晶性シリコン２３上に形成する。水素の拡散に
たいしてバリアとなる第２の絶縁１］ｉ２４としては、
減圧ＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜や、第１の絶縁
膜と同様にして、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリ
コン膜や窒化酸化シリコン膜を用いることができる。

次に、照射光として、例えば近赤外光を、結晶性シリコ
ン薄１ｉ２３の界面近傍、結晶粒界近傍に照射する。近
赤外光は、例えば、キセノンランプ（波長０．８μｍ）
等が適している。０．８μｍ程度の波長の光を照射する
と、シリコン薄膜２３中で、電子・正孔対が発生する。

光照射により発生した電子および正孔は、シリコン薄膜
の結晶の中を、比較的長い寿命をもって、それぞれ、導
電帯および価電子帯中を走行する。これらのうち、粒界
、欠陥、または界面に達したものは、そこに存在するダ
グリングボンドなどに起因する捕獲準位を介して再結合
を起こす、再結合によって失った電子・正孔のエネルギ
ーは、格子振動、すなわち、熱エネルギーに変換される
。換言すれば、シリコン薄膜中に含まれる粒界、欠陥、
または界面が、選択的に、電子・正孔再結合（よる熱で
加熱されることになる。この熱エネルギーにより、粒界
、欠陥、または界面の捕獲準位を、すでに膜中に存在し
ている水素で終端することができ、結晶欠陥を回復する
ことができる。

ここで、波長０．８μｍの光はエネルギーに換算すると
、１．５ｋｅＶに対応し、吸収係数は、結晶シリコンの
場合、約Ｉ　Ｘ　１０”　ａｍ−’であり、透過深さは
、表面より１　／　ｅの強度の点で約１０μｍである。

０．８μｍよりも十分に波長の短い光（例えば、可視光
、赤外光など）では、光の持っているエネルギーが高く
、光照射によって発生した電子が、導電帯の高エネルギ
一方向まで存在するようになり、導電帯中の電子の衝突
により、薄膜全体が加熱されてしまい、基板の加熱、水
素の離脱、ドーピングされた不純物の拡散を弓き起こし
てしまう。

逆に、０．８μｍよりも十分に波長の長い光（例えば、
波長１〜数μｍの光）では、膜が厚い場合、光が表面か
らかなり深くまで浸透し、これにより、表面だけでなく
、かなり深いところでも、電子・正孔対が発生し、再結
合を起こし発熱してしまう、したがって、デバイス動作
に必要となる薄膜の表面付近のみを、効率よく加熱する
ことができなくなるおそれがある。

以上から、０．７μｍより大きく、１．０μｍより小さ
い波長、好適には０．８μｍ程度の波長を持った近赤外
光による光照射が、本発明では最適である。

また、このときＣ発生する熱は、薄膜中の水素の拡散が
起こり始める３００℃より高く、また、薄膜中の水素が
再び外へ拡散しない６００℃よりも低い温度で行うこと
が好ましく、これは、照射光の光量を調節することで実
現できる。

この光照射を行う際の雰囲気ガスとしては、Ｎ、、Ａｒ
、Ｈ，あるいはそれらの混合ガスなどがあげられる。

この光照射中に、窒化シリコン膜中に存在する水素が、
結晶性シリコン薄膜中に拡散することにより、選択的に
加熱された下地界面に存在する界面準位や、結晶性シリ
コン薄膜中の欠陥準位や、結晶性シリコンの粒界に存在
する界面準位を終端し、下地界面でのバックチャネルの
発生を抑制し、かつ、粒界のポテンシャルを小さくし、
移動度を大きくする。

また、基板と結晶性シリコン薄膜との間に窒化シリコン
膜を形成することで、ガラス等の基板からのＮａ“等の
アルカリイオンに対してブロッキングの効果を持たせる
ことができ、信頼性がより一層向上する。

また、結晶性シリコン薄膜両面に、水素の拡散に対して
バリアとなる絶縁膜を形成することにより、熱処理によ
って水素が拡散する際、結晶性シリコン薄膜表面からの
ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎを防止でき、水素によるパ
シベーション効果をさらに高めることができる。

（第２実施態様例〉 第１実施態様例では、窒化シリコンｗＡ２２中には数％
〜数十％の水素を含ませていたが、本例ではそれに替え
、プラズマＣＶＤ装置を用いて、チャンバー内に水素ガ
スを導入した後、放電を起し、水素プラズマにより、結
晶性シリコン薄膜中に水素を導入する。

本例でも、光照射を行うが、この光照射中に、プラズマ
中から導入された水素が、結晶性シリコン薄膜中に拡散
することにより、選択的に加熱された下地界面に存在す
る界面準位や結晶性シリコン薄膜中の欠陥準位や、結晶
性シリコンの粒界に存在する界面準位を終端し、下地界
面でのバックチャネルの発生を抑制し、かつ、粒界のポ
テンシャルを小さくし、移動度を大きくする。また、こ
の光照射中に発生する熱は水素の拡散が起こり始める３
００℃より高く、また、膜中の水素が再び外へ拡散しな
い６００℃よりも低い温度で行う必要があり、これは、
照射光の光量を調節することで実現できることは第１実
施態様例と同様である。

（第３実施態様例） 本例では、窒化シリコン膜２２中には数％〜数十％の水
素を含ませておくことに替え、水素を、通常のイオン注
入方法により、結晶性シリコン薄膜中に導入する。

本例でも、光照射を行うが、この光照射中に、イオン注
入法により注入された水素が、結晶性シリコン薄膜中に
拡散することにより、選択的に加熱された下地界面に存
在する界面単位や、結晶性シリコン薄膜中の欠陥準位や
、結晶性シリコンの粒界に存在する界面準位を終端し、
下地界面でのバックチャネルの発生を抑制し、かつ、粒
界のポテンシャルを小さくし、移動度を大きくする。

＊ｆＳ７ｅ＞専昭鼾中り一讐串する軌は、水素の拡散が
起こり始める３００℃より高く、また、膜中の水素が再
び外へ拡散しない６００℃よりも低い温度で行う必要が
あり、これは、照射光の光量を調節することで実現でき
ることは第１実施態様例と同様である。

［実施例］ 本発明の実施例を、図面を用いて詳細に述べる。

第２図は、本発明によるＭＯＳＦＥＴの製造工程を示す
模式的断面図である。

（実施例１） ガラス基板上２′１に、水素の拡散にたいしてバリアと
なる第１の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法で、ＳｉＨ
，／ＮＨ３混合ガス系により、窒化シリコン膜２２を１
０００人堆積した。堆積条件としては、平行平板型プラ
ズマＣＶＤ装置を用い、５ｉｎ４　（１０％Ｈ２希釈）
流量１５ｓｃａｎ、ＮＨ２流量１０１０５ｃ、圧力０．
１６Ｔｏｒｒ、放電パワー３．５Ｗ、基板温度３００℃
の条件で、３５分間堆積を行った。この条件で堆積した
窒化シリコン膜中には、ＩＲ（赤外分光）分析の結果、
約１０％の水素が含まれていることが分かった（第２図
（ａ）〉。

次に、ＦｔＦブラズｖＣＶＤ法により、Ｓ　ｉ　Ｈ。

Ｃｆｔｚ　／　ＨＣＪｌ　／　Ｈ２混合ガス系にて、窒
化シリコン膜２２上に、多結晶シリコン薄膜２３を１０
００人堆積した。堆積条件としては、５ｉ）（、（ｕ２
：Ｑ、９ｓｃｃｍ、ＨＣｌ２：１３０ｓｅｃｍ、Ｈ，：
２００ｓｃｃｍ、圧カニ２、０Ｔｏｒｒ％ＲＦｐｏｗｅ
ｒ　：　６０Ｗ、基板温度＝２３０℃で行った。この条
件下では、窒化シリコン膜２２上には、粒径が約１゜０
μｍの多結晶シリコン薄膜が堆積した（第２図（ｂ））
。

次に、スパッタ法により、ゲート絶縁膜として５ｉ０２
膜２４を５００人堆積させた後、スパッタ法によりＡｎ
を堆積し、バターニングを行いゲート電極２５を形成し
た（第２図（Ｃ））。

次に、イオン注入法により、Ｐ９を注入し、ソース・ド
レイン領域２６を形成した（第２図（ｄ））。

次に、水素の拡散にたいしてバリアとなる第２の絶縁膜
として、第１の絶縁膜２２と同様の方法にて、プラズマ
ＣＶＤ法により、窒化シリコン膜２７を５０００人堆積
した。

次に、光波長０．８μｍ、パワー１０００Ｗのキセノン
ランプをＨ，ガス雰囲気のもとで距離約１０ｃｍのとこ
ろから照射した。このときキセノンランプの実行パワー
は、４０Ｗ／ｃｍ’程度と考えられる（第２図（ｅ））
。

次ニ、所望の領域にコンタクトを開孔し、ＡＪ２を堆積
させバターニングしてソース、ドレイン電極２８及びゲ
ート電極２９を形成した。

ガラス基板上に直接多結晶シリコン薄膜を形成した基板
に形成したＭＯＳ　Ｆ　ＥＴと、本実施例により作成し
たＭＯＳ　Ｆ　ＥＴの電気特性の測定の比較したところ
、本例では、電子移動度は２倍以上となり、しきい値電
圧の変動幅は１／２以下に縮小された。

このことは、熱処理によって、窒化シリコン膜２２から
、多結晶シリコン薄膜２３中に水素が拡散し、下地界面
、及び、多結晶シリコン薄ＩＩ！２３中の結晶粒界に存
在する界面準位を終端し、準位の数が減少し、下地界面
でのバックチャネルの発生が抑制され、かつ、粒界のポ
テンシャルバリアが低下したためと考えられる。このこ
とは、ＥＳＲ（電子スピン共鳴）測定をした結果、多結
晶シリコンｆｉｌ＠中のダングリングボンドの密度が、
熱処理によって、１桁以上低下していたという事実から
も明らかである。

さらに、このとき、選択的に界面準位近傍が加熱された
ために、ソース・ドレイン領域２６の不純物の拡散は起
こっていないことも確かめられた。

また、水素の拡散にたいしてバリアとなる窒化シリコン
１ｉ２２，２７の効果については、例えば、この窒化シ
リコン１ｉ２７の有無により、多結晶シリコン薄膜２３
中に存在する水素の密度が、Ｉ　Ｘ　１０”ａｍ−’の
オーダーから１Ｘ１０”Ｃｍ−３のオーダー以下に低下
していることから、この膜が、水素のｏｕｔ−ｄｉｆｆ
ｕｓｉｏｎに対してバリアとして作用していることが分
かった。

また、信頼性試験においては、高温高温試験によっても
、電気特性の変化は殆ど無く、信頼性も十分なものであ
った。

これは、窒化シリコン膜２２が、ガラス基板からのアル
カリイオンの拡散にたいして、ブロッキングしているた
めと考えられる。

また、本実施例において、光照射により、水素を拡散す
るのと同時に、ソース・ドレイン領域の活性化も可能で
あることが、電気特性の測定から明らかとなった。

（実施例２） 第１の実施例で用いた、ゲート絶縁＠２４の５ｉ０２５
００Åのかわりに、第２の実施例として、スパッタ法に
よりＳ　ｉ　０２膜を２００人、つづいて、水素の拡散
にたいしてバリアとなる絶縁膜として、プラズマＣＶＤ
法により、窒化シリコン膜を３００人堆積させた後、ゲ
ート電極２５を形成した。ｓ　ｉ　０２　＠を先に堆積
させたのは、よく知られたように、窒化シリコン膜だけ
で、ゲート絶＋１！膜を構成したときの膜中の分極によ
るＭＯＳＦＥＴの電気的特性の劣化を防ぐためである。

他の工程は、第１の実施例と同様である。

本実施例において、水素の拡散にたいしてバリアとなる
第２の絶縁膜として、窒化シリコン膜の膜厚を３００人
としても、多結晶シリコン薄膜中の水素の密度は、窒化
シリコン膜厚を５０００人とした場合と全く変化無かっ
た。

また、保護膜として、Ｓｉｎ、膜５０００人を用いた場
合についても、水素の密度に変化はなかったことから、
窒化シリコンｌｌ［３００λでも十分バリアとして作用
していることが分かった。

また、ゲート絶縁膜として窒化シリコン膜と酸化シリコ
ン膜の２層構造を用いたが、これについても、ｓ　ｉ　
０２１１ｉを用いた場合と比較して、電気特性の劣化は
、殆ど認められなかった。

また、本実施例では、バリア膜として、プラズマＣＶＤ
法による窒化シリコン膜を用いたが、減圧ＣＶＤ法によ
り堆積した窒化シリコン膜を用いても、同様の効果があ
った。

（実施例３） 第１の実施例で述べた、ゲート絶縁膜２４の５ｉ０２５
００人のかわりに、第３の実施例として、ゲート絶縁膜
として、水素の拡散に対してバリアとなる絶縁膜として
プラズマＣＶＤ法Ｃより窒化酸化シリコン膜５００λ堆
積させた。窒化酸化シリコン膜は、よく知られているよ
うに、膜中の窒素と酸素の組成比をうまく選ぶことで、
シリコン膜と窒化酸化シリコン膜の両方の性質を兼ね備
えることが可能である。ここでは、ＳｉＨ４／ＮＨ３／
Ｎ２０混合ガス系を用いて、堆積条件を再適化すること
により、膜の組成比をＳｉが１に対してＮは３．０〜２
になるようにした。

他の工程は第１の実施例と同様である。

本実施例において、水素の拡散にたいしてバリアとなる
第２の絶縁膜として、窒化酸化シリコン膜を用いても、
多結晶シリコン薄膜中の水素の密度は、窒化シリコン膜
を用いた場合と全く変化無かった。

また、ゲート絶縁膜として窒化酸化シリコン膜を用いた
が、これについても、５ｉ０２膜を用いた場合と比較し
て、電気特性の劣化は、殆ど認められなかった。

（実施例４） 第１の実施例で述べた、ゲート絶縁ＩＩ！２４のＳｉｎ
、５００λを堆積し、ゲート電極２５を形成したのちに
、ここでは、水素の導入法として、Ｎ４の実施例として
、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、水素プラズマ
を照射した。

水素プラズマ条件としては、圧力０．１６Ｔｏｒｒ、放
電出力６００Ｗ、基板温度３００℃、照射時間３０分で
行なった。

他の工程は、第１の実施例と同様である。

本実施例においても、ＭＯＳＦＥＴの電気特性の改善に
たいして、第１の実施例と同様の効果が得られた。

（実施例５） 第１の実施例で述べた、ゲート絶！１ＷＡ２４の５ｉ０
２５００人を堆積し、ゲート電極２５を形成したのちに
、ここでは、水素の導入法として、第５の実施例として
、イオン注入法により、水素を、ドーズ量ＩＥ１６ｃｍ
−”、加速電圧２゜ｋｅＶの条件で、多結晶シリコン薄
膜全面に注入した。

他の工程は、第１の実施例と同様である。

本実施例においても、ＭＯＳＦＥＴの電気特性の改善に
対して、第１の実施例と同様の効果が得られた。

以上、本実施例において、結晶性半導体薄膜としては、
本出願人が提案しているプラズマＣＶＤ法にて形成した
大粒多結晶シリコン、および、プラズマＣＶＤ法により
形成した非晶質シリコンを熱処理にて結晶化した多結晶
シリコンについてその効果を示したが、他の結晶性半導
体薄膜、例えば、減圧ＣＶＤ法により形成された多結晶
シリコンや、多結晶シリコンにＳｉ１を注入して非晶質
化した非晶質シリコンをアニールし、再結晶化したもの
や、本出願人が特願昭６２−７３６２９号公報、特願昭
６２−７３６３０号公報で提案しているところの大粒径
多結晶シリコンや、本出願人が特開昭６３−１０７０１
６号公報で提案しているところの非晶質基板上に形成し
た単結晶シリコンなどを用いても、同様の効果があった
ことは言うまでもない。

［発明の効果］ 本発明によれば、半導体薄膜下地界面の界面準位を減ら
し、バックチャネル効果を抑制することができ、かつ、
半導体薄膜内に存在する準位をも低減でき、その結果、
しきい値電圧の変！／ｒ［の縮小やキャリア移動度の向
上等、ＴＰＴの電気的特性を向上させることができた。

なお、水素の拡散にたいしてバリアとなる絶縁膜として
、窒化シリコン膜を用いる場合には、基体からのＮａ”
などのアルカリイオンの侵入をブロッキングすることが
でき、ＴＰＴの信頼性が向上させることができた。

この結果、安価なガラス基板上に、電気特性、及び、信
頼性の優れたＴＰＴを、容易に形成することができるよ
うになった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を特徴づける半導体装置の断面図であ
る。第２図は、本発明によるＭＯＳＦＥＴの製造工程を
示す模式的断面図である。第３図は従来技術の問題点を
説明するための該略図である。 （記号の説明） ２１・・・基板、２２・・・水素の拡散にたいしてバリ
アとなる第１の絶縁膜、２３．３２・・・半導体薄膜、
２７・・・水素の拡散にたいしてバリアとなる第２の絶
縁膜。 第 図 ｌ今 シμ 図 （ｄ） （ｅ） （ｆ） 第 図

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基体上に、結晶性半導体薄膜を形成して成る
   半導体装置の製造方法において、前記結晶性半導体薄膜
   の上下両側に、水素の拡散にたいしてバリアとなる第１
   、第２の絶縁膜をそれぞれ形成する工程と、前記結晶性
   半導体薄膜中に水素を導入する工程と、光を照射し、前
   記結晶性半導体薄膜の粒界近傍または界面近傍の局所部
   分のみを加熱する工程と、を含むことを特徴とする半導
   体装置の製造方法。
2. （２）前記第１、第２の絶縁膜の形成工程は、減圧ＣＶ
   Ｄ法、あるいは、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン
   膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１記載
   の半導体装置の製造方法。
3. （３）前記第１、第２の絶縁膜の形成工程は、プラズマ
   ＣＶＤ法により窒化酸化シリコン膜を形成する工程であ
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
   法。
4. （４）前記結晶性半導体薄膜材料が、シリコンであるこ
   とを特徴とする請求項１ないし請求項３記載の半導体装
   置の製造方法。
5. （５）前記水素の導入は、水素を含んだ前記絶縁膜から
   の水素の拡散によることを特徴とする請求項１ないし請
   求項４記載の半導体装置の製造方法。
6. （６）前記水素の導入は、水素を含んだプラズマを用い
   て行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４記載の
   半導体装置の製造方法。
7. （７）前記水素の導入は、イオン注入により行うことを
   特徴とする請求項１ないし請求項４記載の半導体装置の
   製造方法。
8. （８）前記照射光が、近赤外光であることを特徴とする
   請求項１ないし請求項７記載の半導体装置の製造方法。