JPH03185771A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
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- JPH03185771A JPH03185771A JP1325660A JP32566089A JPH03185771A JP H03185771 A JPH03185771 A JP H03185771A JP 1325660 A JP1325660 A JP 1325660A JP 32566089 A JP32566089 A JP 32566089A JP H03185771 A JPH03185771 A JP H03185771A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は■−Ｖ族半導体結晶のへテロ接合を用いた受光
素子に利用する。特に、分光感度特性の改善に関する。
素子に利用する。特に、分光感度特性の改善に関する。
本発明は、■−Ｖ族半導体結晶のへテロ接合を用い、受
光面にキャップ層および反射防止膜が設けられた受光素
子において、 受光領域のＩｎＰキャップ層の厚さを電極形成領域より
薄くすることにより、 電極形成の信頼性を損ねることなく分光感度特性を改善
するものである。
光面にキャップ層および反射防止膜が設けられた受光素
子において、 受光領域のＩｎＰキャップ層の厚さを電極形成領域より
薄くすることにより、 電極形成の信頼性を損ねることなく分光感度特性を改善
するものである。
従来から、近赤外など波長の比較的長い光を受光するた
めには、特殊な場合を除き、ゲルマニウムＧｅやガリウ
ム・インジウム・ヒ素リンＧａ１ｎＡｓＰを材料とする
受光素子が用いられてきた。特にＧａ、＋１１１−ｘＡ
ｓｙＰ＋−ｙ （ただしＸ％ｙは混晶比〉は、その混晶
比を適当に選択することにより、格子定数がＩｎＰ結晶
に一致するようにして、バンドギャップエネルギを変化
させることができる。これにより、はぼ１〜１．７μｍ
の波長帯域において、必要な分光感度波長帯域の光吸収
層をＩｎＰ結晶基板上にエピタキシャル成長させること
ができる。さらにこのＧａｊｒ＋１−ＪＳｙＰ Ｉ−７
層上にＩｎＰキャップ層を形成した受光素子も公知であ
る。また最近では、暗電流、周波数応答特性、増倍雑音
特性などの電気的特性や約１．５μｍより長波長側の分
光感度特性の点で、Ｇｅ受光素子より優れたＧａ１ｎＡ
ｓＰ受光素子が製造されている。詳しくは、酒井士部
他、電子通信学会論文誌、第Ｊ６２−Ｃ巻、第１０号、
’ ７９／１０に示されている。
めには、特殊な場合を除き、ゲルマニウムＧｅやガリウ
ム・インジウム・ヒ素リンＧａ１ｎＡｓＰを材料とする
受光素子が用いられてきた。特にＧａ、＋１１１−ｘＡ
ｓｙＰ＋−ｙ （ただしＸ％ｙは混晶比〉は、その混晶
比を適当に選択することにより、格子定数がＩｎＰ結晶
に一致するようにして、バンドギャップエネルギを変化
させることができる。これにより、はぼ１〜１．７μｍ
の波長帯域において、必要な分光感度波長帯域の光吸収
層をＩｎＰ結晶基板上にエピタキシャル成長させること
ができる。さらにこのＧａｊｒ＋１−ＪＳｙＰ Ｉ−７
層上にＩｎＰキャップ層を形成した受光素子も公知であ
る。また最近では、暗電流、周波数応答特性、増倍雑音
特性などの電気的特性や約１．５μｍより長波長側の分
光感度特性の点で、Ｇｅ受光素子より優れたＧａ１ｎＡ
ｓＰ受光素子が製造されている。詳しくは、酒井士部
他、電子通信学会論文誌、第Ｊ６２−Ｃ巻、第１０号、
’ ７９／１０に示されている。
第５図は従来例受光素子の断面図を示す。
この受光素子は、ｎ＋形［ｎＰ基板ｌ５ＩｎＰバッファ
層２、ｎ−形Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層３およびｎ形１ｎＰ
キャップ層４がエピタキシャルに形成された構造をもつ
。キャップ層４から光吸収層３にかけては、Ｚｎ拡散に
よりｐ゛領域５が形成される。ｐ＋領域５の表面にはｐ
゛側電極６が設けられ、基板１の裏面にはｎ１側電極７
が設けられる。キャップ層４の表面には、反射防止膜と
してＳｉ、Ｎ、膜８およびＳｉ口、膜９が設けられる。
層２、ｎ−形Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層３およびｎ形１ｎＰ
キャップ層４がエピタキシャルに形成された構造をもつ
。キャップ層４から光吸収層３にかけては、Ｚｎ拡散に
よりｐ゛領域５が形成される。ｐ＋領域５の表面にはｐ
゛側電極６が設けられ、基板１の裏面にはｎ１側電極７
が設けられる。キャップ層４の表面には、反射防止膜と
してＳｉ、Ｎ、膜８およびＳｉ口、膜９が設けられる。
Ｇａｊｎｌ −ＪｓｙＰ ｌ−ｙのうち特に混晶比がｘ
＝０．４７、ｙ＝１のもの、すなわちＧａｏ、 ＜ｔ
ｌｎｏ、 ｓｓ八へは、格子定数がＩｎＰに一致するも
ののうち、バンドギャップエネルギが室温で０．７５ｅ
Ｖと最も小さい。したがってこれを光吸収層３として用
いると、約０．９〜１．７μｍの分光感度波長が得られ
る。
＝０．４７、ｙ＝１のもの、すなわちＧａｏ、 ＜ｔ
ｌｎｏ、 ｓｓ八へは、格子定数がＩｎＰに一致するも
ののうち、バンドギャップエネルギが室温で０．７５ｅ
Ｖと最も小さい。したがってこれを光吸収層３として用
いると、約０．９〜１．７μｍの分光感度波長が得られ
る。
第６図はこの受光素子の分光感度特性の理論計算値を示
す。
す。
この特性は、伊藤良−監修、「化合物半導体デバイスハ
ンドブック」、昭和３１年９日２０日、サイエンスフォ
ーラム社刊に示された理論計算方法により求めたもので
あり、キャップＮ４の厚さを１μｍとした。また、キャ
ップ層４を基板とする反射防止膜の透過率対波長特性が
第７図に示した曲線を描くものとした。
ンドブック」、昭和３１年９日２０日、サイエンスフォ
ーラム社刊に示された理論計算方法により求めたもので
あり、キャップＮ４の厚さを１μｍとした。また、キャ
ップ層４を基板とする反射防止膜の透過率対波長特性が
第７図に示した曲線を描くものとした。
第６図に示した特性において、短波長側、すなわち１μ
ｍ以下の分光感度の低下は、キャップＮ４の光吸収によ
る。
ｍ以下の分光感度の低下は、キャップＮ４の光吸収によ
る。
しかし、従来の受光素子では、二つの大きな問題がある
。
。
第一の問題点は、ＩｎＰキャップ層が約１〜１．７μｍ
の波長帯で透明な窓となるため、反射防止膜が実際には
Ｓｌ［１２膜、Ｓｉ、Ｎ４膜および］ｎＰキャップ層の
三層構造となることである。このため、入射光の反射お
よび干渉が生じる。
の波長帯で透明な窓となるため、反射防止膜が実際には
Ｓｌ［１２膜、Ｓｉ、Ｎ４膜および］ｎＰキャップ層の
三層構造となることである。このため、入射光の反射お
よび干渉が生じる。
第８図に分光感度特性の一例を示す。横軸は波長であり
、縦軸は外部量子効率を示す。外部量子効率の値は、５
１０２膜、Ｓｉ、Ｎ、膜およびｌｎＰキャップ層の厚さ
をそれぞれ０．１４μｍ、０．１３μＣＩ、０．９μｍ
とし、Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層の厚さを１．３μｍとした
ときの測定値および計算値を示す。実線が測定値であり
、破線が計算値である。この計算値は、上述した酒井等
の論文に示されている。外部量子効率η。０は、 η。１＝分光感度／絶対分光感度 により求められ、理論計算値とほぼ一致する。
、縦軸は外部量子効率を示す。外部量子効率の値は、５
１０２膜、Ｓｉ、Ｎ、膜およびｌｎＰキャップ層の厚さ
をそれぞれ０．１４μｍ、０．１３μＣＩ、０．９μｍ
とし、Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層の厚さを１．３μｍとした
ときの測定値および計算値を示す。実線が測定値であり
、破線が計算値である。この計算値は、上述した酒井等
の論文に示されている。外部量子効率η。０は、 η。１＝分光感度／絶対分光感度 により求められ、理論計算値とほぼ一致する。
第８図に示したように、波長的１〜１．７μｍの分光感
度は、５１０２膜、５１３ＮＪ膜および１ｎＰキャップ
層の三層構造により入射光の反射および干渉が生じるた
め、緩やかな凹凸を生じてしまう。
度は、５１０２膜、５１３ＮＪ膜および１ｎＰキャップ
層の三層構造により入射光の反射および干渉が生じるた
め、緩やかな凹凸を生じてしまう。
反射防止膜としてＳｉ３Ｎ、膜だけを用いた場合でも、
Ｓｉ３Ｎ、膜とＩｎＰキャップ層との二層構造により同
様に分光感度特性の凹凸が生じる。
Ｓｉ３Ｎ、膜とＩｎＰキャップ層との二層構造により同
様に分光感度特性の凹凸が生じる。
同一波長を同一条件で受光する場合には、分光感度が波
長により変動しても問題となることはない。しかし、例
えば受光素子の温度が変動すると、特性が波長方向に移
動し、入射光強度が同じでも受光出力が変動してしまう
。したがって、分光感度はフラットであることが望まし
い。
長により変動しても問題となることはない。しかし、例
えば受光素子の温度が変動すると、特性が波長方向に移
動し、入射光強度が同じでも受光出力が変動してしまう
。したがって、分光感度はフラットであることが望まし
い。
第二の問題点は、ＩｎＰは波長約１μｍ以下における吸
収係数が大きく、ＩｎＰキャップ層による入射光の吸収
が生じて分光感度が低下することである。
収係数が大きく、ＩｎＰキャップ層による入射光の吸収
が生じて分光感度が低下することである。
これを解決するには、ＩｎＰキャーツブ層を薄くすれば
よい。しかし、ＩｎＰキャップ層を薄くすると、電極形
成時の熱処理（シンタリング〉による電極金属の拡散が
生じ、その後の経時変化により素子の信頼性が低下する
などの問題が生じる。
よい。しかし、ＩｎＰキャップ層を薄くすると、電極形
成時の熱処理（シンタリング〉による電極金属の拡散が
生じ、その後の経時変化により素子の信頼性が低下する
などの問題が生じる。
本発明は、以上の課題を解決し、■−Ｖ族半導体結晶の
へテロ接合を用いた受光素子の電極形成時の信頼性を損
なうことなく、受光波長帯域が広く平坦な分光感度特性
をもつ受光素子を提供することを目的とする。
へテロ接合を用いた受光素子の電極形成時の信頼性を損
なうことなく、受光波長帯域が広く平坦な分光感度特性
をもつ受光素子を提供することを目的とする。
本発明の受光素子は、キャップ層の受光領域が電極の形
成された領域に比較して薄く形成されたことを特徴とす
る。
成された領域に比較して薄く形成されたことを特徴とす
る。
キャリアの表面再結合の影響が大きくなって分光感度が
低下し′ない程度にキャップ層を薄くすることにより、
分光感度特性が平坦となり、しかも波長約１μｍ以下に
おける分光感度の低下を抑えることができる。また、電
極が形成される領域については厚くし、電極金属の拡散
の影響が受光素子の接合部に達しないようにする。
低下し′ない程度にキャップ層を薄くすることにより、
分光感度特性が平坦となり、しかも波長約１μｍ以下に
おける分光感度の低下を抑えることができる。また、電
極が形成される領域については厚くし、電極金属の拡散
の影響が受光素子の接合部に達しないようにする。
第１図は本発明第一実施例受光素子の断面図を示す。
この受光素子は、入射光を吸収して電気信号に変換する
ｎ−形Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層３と、この光吸収層３の入
射側に設けられたｎ形１ｎＰキャップ層４および反射防
止膜と、キャップ層４に接して形成されたｐ゛側電極６
とを備え、キャップ層４は光吸収Ｎ３よりバンドギャッ
プの大きい材料で形成される。
ｎ−形Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層３と、この光吸収層３の入
射側に設けられたｎ形１ｎＰキャップ層４および反射防
止膜と、キャップ層４に接して形成されたｐ゛側電極６
とを備え、キャップ層４は光吸収Ｎ３よりバンドギャッ
プの大きい材料で形成される。
光吸収層３は、ｎ゛形１ｎＰ基板１上に、ＩｎＰバッフ
ァ層２を介して形成される。キャップ層４から光吸収層
３にかけては、Ｚｎ拡散によりｐ＋領域５が形成される
。基板１の裏面にはｎ゛側電極７が設けられる。反射防
止膜としては、ＳＩ３Ｎ４膜８および５Ｉ０２膜９の二
層構造を用いる。
ァ層２を介して形成される。キャップ層４から光吸収層
３にかけては、Ｚｎ拡散によりｐ＋領域５が形成される
。基板１の裏面にはｎ゛側電極７が設けられる。反射防
止膜としては、ＳＩ３Ｎ４膜８および５Ｉ０２膜９の二
層構造を用いる。
ここで本実施例の特徴とするところは、キャップ層４の
厚さに変化が設けられ、受光領域が電極６の形成された
領域（以下「電極形成領域」という）に比較して薄く形
成されたことにある。受光領域の厚さは、例えば０．１
μｍ以下にするー。また、電極形成領域の厚さは、例え
ば１μｍ以上にする。
厚さに変化が設けられ、受光領域が電極６の形成された
領域（以下「電極形成領域」という）に比較して薄く形
成されたことにある。受光領域の厚さは、例えば０．１
μｍ以下にするー。また、電極形成領域の厚さは、例え
ば１μｍ以上にする。
第２図は入射光波長に対する透過率の計算値の一例を示
す。破線はＳｉ３Ｎ４膜８および５ｉ０２膜９からなる
反射防止膜の透過率を示し、四つの実線はキャップ層４
を透過して光吸収層３に達する透過率を示す。
す。破線はＳｉ３Ｎ４膜８および５ｉ０２膜９からなる
反射防止膜の透過率を示し、四つの実線はキャップ層４
を透過して光吸収層３に達する透過率を示す。
この例では、反射防止膜の反射率が波長１．５μｍの入
射光に対して最小となるように、Ｓｉ、Ｎ、膜８の厚さ
を０．１３μｍ、 ５Ｉ０２膜９の厚さを０．ｌｈｍと
した。
射光に対して最小となるように、Ｓｉ、Ｎ、膜８の厚さ
を０．１３μｍ、 ５Ｉ０２膜９の厚さを０．ｌｈｍと
した。
反射防止膜を透過した入射光は、０．９μｍ以上の波長
の光に対して透明なＩｎＰのキャップ層４を通って、光
吸収層３に導入される。このとき、キャップＮ４でも光
の干渉が生じ、光吸収層３への透過率が変化する。第２
図には、キャップ層４の膜厚が０．０５μｍ、 ０．１
μｍ、０．５．ｃｃ＋＋＋および１μｍの場合につい
て、光吸収層３への透過率を示した。図示したように、
キャップ層４の膜厚が増加するにつれて、透過率が大き
く変動するようになる。特にキャップ層４の膜厚が１μ
ｍを越える場合には、素子の分光感度波長帯域で透過率
が大きく変化することになる。これに対して膜厚を０．
５μｍ以下に薄くした場合には、透過率の変化が小さく
緩やかになる。
の光に対して透明なＩｎＰのキャップ層４を通って、光
吸収層３に導入される。このとき、キャップＮ４でも光
の干渉が生じ、光吸収層３への透過率が変化する。第２
図には、キャップ層４の膜厚が０．０５μｍ、 ０．１
μｍ、０．５．ｃｃ＋＋＋および１μｍの場合につい
て、光吸収層３への透過率を示した。図示したように、
キャップ層４の膜厚が増加するにつれて、透過率が大き
く変動するようになる。特にキャップ層４の膜厚が１μ
ｍを越える場合には、素子の分光感度波長帯域で透過率
が大きく変化することになる。これに対して膜厚を０．
５μｍ以下に薄くした場合には、透過率の変化が小さく
緩やかになる。
第３図はキャップ層４の膜厚を変化させたときの分光感
度特性の計算値を示す。横軸は波長であり、縦軸は外部
量子効率を示す。
度特性の計算値を示す。横軸は波長であり、縦軸は外部
量子効率を示す。
キャップ層４を薄くすると光吸収も小さくなり、光吸収
層３に達する波長０．９μｍ以下の光が増加する。これ
により、分光感度波長領域が短波長側にも拡張される。
層３に達する波長０．９μｍ以下の光が増加する。これ
により、分光感度波長領域が短波長側にも拡張される。
キャップ層４の電極形成領域は、電極形成時のシンタリ
ングその他の熱処理によって電極金属が拡散しても接合
に達しないように、受光領域より厚くなっている。これ
により、従来の素子と同等の信頼性を保つことができる
。
ングその他の熱処理によって電極金属が拡散しても接合
に達しないように、受光領域より厚くなっている。これ
により、従来の素子と同等の信頼性を保つことができる
。
本実施例の素子を製造するには、例えばキャップ層４を
選択的にエツチングして薄くしてもよく、電極形成領域
のみを選択的にエピタキシャル成長させてもよい。
選択的にエツチングして薄くしてもよく、電極形成領域
のみを選択的にエピタキシャル成長させてもよい。
第４図は本発明第二実施例受光素子の断面図を示す。
この実施例は、キャップ層４と電極６との間に、接触抵
抗を小さくするためのＧａｌｎＡｓ層１０が形成された
ことが第一実施例と異なる。このＧａＩｎＡｓ層１０は
電極のオーム性接合の抵抗を下げる効果があり、電極形
成領域だけに設けられ、受光領域には設けられていない
。この実施例の場合にも、電極形成領域が受光領域より
厚く形成される。
抗を小さくするためのＧａｌｎＡｓ層１０が形成された
ことが第一実施例と異なる。このＧａＩｎＡｓ層１０は
電極のオーム性接合の抵抗を下げる効果があり、電極形
成領域だけに設けられ、受光領域には設けられていない
。この実施例の場合にも、電極形成領域が受光領域より
厚く形成される。
以上の実施例では、反射防止膜としてＳｉ、Ｎ、膜と５
ｉｎ２膜との二層構造を用いた例を示したが、他の膜、
例えばＳｉ３Ｎ４の単層膜を用いた場合でも本発明を同
様に実施できる。
ｉｎ２膜との二層構造を用いた例を示したが、他の膜、
例えばＳｉ３Ｎ４の単層膜を用いた場合でも本発明を同
様に実施できる。
以上説明したように、本発明の受光素子は、受光領域の
ＩｎＰキャップ層の厚さを電極形成領域より薄くするこ
とにより、電極形成の信頼性を損ねることなく分光感度
特性を改善できる効果がある。
ＩｎＰキャップ層の厚さを電極形成領域より薄くするこ
とにより、電極形成の信頼性を損ねることなく分光感度
特性を改善できる効果がある。
また、本発明の受光素子は、従来の素子に比較して受光
領域の選択的エツチングまたは電極形成領域の選択的エ
ピタキシャル成長が必要となるが、素子の製造は容易で
ある。
領域の選択的エツチングまたは電極形成領域の選択的エ
ピタキシャル成長が必要となるが、素子の製造は容易で
ある。
第１図は本発明第一実施例受光素子の断面図。
第２図は入射光波長に対する透過率の計算値の一例を示
す図。 第３図はキャップ層の膜厚を変化させたときの分光感度
特性の計算値を示す図。 第４図は本発明第二実施例受光素子の断面図。 第５図は従来例受光素子の断面図を示す。 第６図はこの受光素子の分光感度特性の理論計算値を示
す図。 第７図は反射防止膜の透過率対波長特性を示す図。 第８図はキャップ層がある場合の分光感度特性の一例を
示す図。 １・・・基板、２・・・バッファ層、３・・・光吸収層
、４・・・キャップ層、５・・・ｐ゛領域６．７・・・
電極、８・Ｓｉ、Ｎ、膜、９−５ｉＯ□膜、１Ｏ−Ｇａ
ＴｎＡｓ層。
す図。 第３図はキャップ層の膜厚を変化させたときの分光感度
特性の計算値を示す図。 第４図は本発明第二実施例受光素子の断面図。 第５図は従来例受光素子の断面図を示す。 第６図はこの受光素子の分光感度特性の理論計算値を示
す図。 第７図は反射防止膜の透過率対波長特性を示す図。 第８図はキャップ層がある場合の分光感度特性の一例を
示す図。 １・・・基板、２・・・バッファ層、３・・・光吸収層
、４・・・キャップ層、５・・・ｐ゛領域６．７・・・
電極、８・Ｓｉ、Ｎ、膜、９−５ｉＯ□膜、１Ｏ−Ｇａ
ＴｎＡｓ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、入射光を吸収して電気信号に変換する光吸収層と、 この光吸収層の入射側に設けられたキャップ層および反
射防止膜と、 前記キャップ層に接して形成された電極と を備え、 上記キャップ層は上記光吸収層よりバンドギャップの大
きい材料で形成された 受光素子において、 上記キャップ層の受光領域が電極の形成された領域に比
較して薄く形成された ことを特徴とする受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325660A JP2844097B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325660A JP2844097B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185771A true JPH03185771A (ja) | 1991-08-13 |
| JP2844097B2 JP2844097B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=18179297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325660A Expired - Fee Related JP2844097B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2844097B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100636093B1 (ko) * | 1999-07-12 | 2006-10-19 | 삼성전자주식회사 | 광검출기 디바이스 및 그 제조방법 |
| JP2010056147A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子 |
| JP2013518414A (ja) * | 2010-01-21 | 2013-05-20 | ローパー サイエンティフィック インコーポレイテッド | 固体裏面照射型光子センサおよびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254473A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ３−ｖ族多元化合物半導体ｐｉｎフオトダイオ−ド |
| JPS63227053A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体受光素子 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1325660A patent/JP2844097B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254473A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ３−ｖ族多元化合物半導体ｐｉｎフオトダイオ−ド |
| JPS63227053A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体受光素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100636093B1 (ko) * | 1999-07-12 | 2006-10-19 | 삼성전자주식회사 | 광검출기 디바이스 및 그 제조방법 |
| JP2010056147A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子 |
| JP2013518414A (ja) * | 2010-01-21 | 2013-05-20 | ローパー サイエンティフィック インコーポレイテッド | 固体裏面照射型光子センサおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2844097B2 (ja) | 1999-01-06 |
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