JPH03185818A - 熱処理方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、熱処理技術、特に、熱処理装置におけるｇ１
＠冷却技術に関するもので、例えば、半導体ｉＩＮの塑
造工程において、不鈍物を拡散処理するのに利用して有
効なものに関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造工程において、半導体ウェハに不純物
をデポジション、および引伸し拡散する方法として、複
数枚のウェハをｌＩ！置したボートを比較的低温（例え
ば、８００〜９００℃）でプロセスチューブに搬入した
後、所定の温度（例えｃＬ１０００〜１２００″Ｃ）ま
で炉温度を上昇させて所定時間の処理を実施し、その後
、炉温度を低温まで降温させてから、ウェハを載置した
ボートをプロセスチューブより搬出するように構成され
ている所謂炉熱炉冷プロセスと呼ばれている方法がある
。

なお、このような炉熱炉冷プロセスを述べである例とし
ては、特開昭５８−３３０８３号公報がある。

このような炉熱炉冷プロセスに使用される拡散装置にお
いては、加熱用ヒータ、ヒータを固定した断熱材、プロ
セスチューブ、およびこれらの間に設置された均熱管（
Ｓ　ｉ　Ｃ）等の熱容量が太き（、炉熱炉冷プロセスに
おける降温（炉冷）時の速度が小さく、特に、比較的低
温（１０００℃以下）において顕著になり、そのため、
処理サイクル時間が長くなり、作業効率、炉効率が低く
なる。

また、比較的短時間処理のプロセス（例えば、２０分以
下）においては、炉熱炉冷プロセス法そのものの適用も
難しい。

そして、ウェハ径がさらに大口径化された場合にはウェ
ハ変形、割れ、熱応力転位等が発生し易くなるため、炉
熱炉冷プロセス法における低温度をさらに低下（例えば
、９００℃→８００℃）させる必要があり、かつ、プロ
セスチューブの大型化に伴い熱容量も増大するため、問
題はより一層大きくなる。

そこで、従来、特開昭５８−３３０８３号公報に記載さ
れているように、炉熱炉冷プロセスにおける降温時の速
度を高める技術として、ヒータと、断熱材との間の空間
に冷却用流体を通流する吹込管が軸心方向に挿入されて
おり、この吹込管により冷却用流体をヒータと断熱材と
の間の空間に通流させることにより、プロセスチューブ
を強制冷却させる技術が提案されている。

なお、これ以外に、プロセスチューブを強制的に冷却さ
せる技術を述べである例として、実開昭５３−９８７０
１号公報、実開昭５４−１３１２８２号公報、実開昭５
７−５４１２２号公報、実開昭５５−１４７９１号公報
、実開昭５６−４９５００号公報、実開昭５８−１５８
４４２号公黴がある。

〔発明が解決しようとする！１１１１ しかし、特開昭５８−３３０８３号公報に記載されてい
る熱処理装置においては、ヒータと断熱材との間の空間
が冷却されるため、冷却速度が低く、また、吹込管の吹
出口付近のみが局所的に冷却されてしまうため、プロセ
スチューブ内の温度のばらつきが大きくなるというＢ照
点があることが、本発明者によって明らかにされた。

本発明の目的は、プロセスチューブ内の温度のばらつき
を防止しつつ炉熱炉冷プロセスにおける降温速度を高め
ることができる熱処理装置を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、半導体ウェハ群が搬入搬出される処理室を備
えているプロセスチューブと、プロセスチューブに外装
され、均熱管を介して、または、介さずに前記処理室内
を加熱するヒータとを備えている熱処理装置において、
前記プロセスチューブ、前記均熱管、および、前記処理
室に搬入される治具のうち、少なくとも一つの壁体内部
に流通路が開設されており、この流通路に冷却用流体が
流通されるように構成されていることを特徴とする。

〔作用〕

前記した手段によれば、炉熱炉冷プロセスにおいて、炉
冷開始と同時にプロセスチューブ、均熱管、治具に開設
された流通路に冷却用流体を流通させることにより、プ
ロセスチューブ等を直接的に強制冷却させることができ
るため、降温速度を高めることができ、その結果、プロ
セス全体としての所要時間を短縮させることができる。

このとき、冷却用流体はプロセスチューブ、または、均
熱管、または、治具に全長にわたって洟通されるため、
均一に冷却されることになり、しかも、その冷却効果は
きわめて効率的に実行されることになる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である拡散装置を示す［断面
図、第２図は第１図のト」線に沿う一部省略拡大断面図
、第３図は流通路部を示す分解斜視図、第４ｒＡは炉熱
炉冷プロセスのシーケンスを示す線図、第５図ばウェハ
の搬入工程を示す縦断面図、第６図はその作用を説明す
るための部分断面図、第７図は熱処理工程を示す縦断面
図、第８図ｔよ冷却用治具の搬入工程を示す縦断面図で
ある。

本実施例において、本発明に係る熱処理装置としての拡
散装置は石英ガラス等を用いて略円筒形状に形成されて
いるプロセスチューブ１を備えており、このプロセスチ
ューブ１には炉口１ａおよび処理ガス供給Ｂｔｂがそれ
ぞれ両端に配されて開設されているとともに、その筒中
空部には処理室２が実質的に形成されている。プロセス
チューブ１の外方にはヒータ３がこれを取り巻くように
配設されており、ヒータ３は後記する均熱管６およびプ
ロセスチューブｌを遥して処理室２を均一に加熱するよ
うになっている。ヒータ３はヒータ素１１４を所定のピ
ッチが設定されている円筒形のコイル状に巻かれること
により構成されており、ヒータ素１１４は通電されるこ
とによって発熱する電気抵抗体により構成されている。

と−タ３の外側は石英ウール等からなる断熱材５によっ
て被覆されており、ヒータ３はこの断熱材５により支持
されるようになっている。

プロセスチューブｌの外部にはヒータ３との間に、炭化
シリコン（Ｓ　ｉ　Ｃ）等を用いられてプロセスチュー
ブｌよりも大径の円筒形状に形成されている均熱管６が
配設されており、この均熱管６の中空部内底面上にプロ
セスチューブ１が１！置され、また、この均熱管６はヒ
ータ３の中空部内底面上にｉｌ置されている。

プロセスチューブｌの処理室２内底部には一対のガイド
レール１１％　１２が周方向に間隔を置いた互いに左右
対称位置において軸線方向に延在するように配されて、
全長にわたってそれぞれ敷設されており、両ガイドレー
ル１１．１２の内部には上流側流通＆Ｗ１３および下流
側流通′ｌｌ１１４が、プロセスチューブ１の処理ガス
供給路１ｂ側から軸線方向にそれぞれ開設されている。

上流側流通！ｓ１３には給気管１５が接続されており、
この給気管１５には冷却用流体としてのエア１６を供給
するためのエア供給源としての送風１１１７が接続され
ている。他方、下流側流通路１４には排気管１８が接続
されており、この排気管１８にはエア１６を冷却するた
めの冷却袋２１９が接続されている。

また、両ガイドレール１１％　１２上には連絡孔２０が
？３［数侭、軸線方向に所定のピッチをもってそれぞれ
１列に配されて、その両ガイドレールの上面と両流通路
１３．１４とをそれぞれ連通させるようにＩＳｉ設され
ている。さらに、両ガイドレール１１．１２上の処理ガ
ス供給路］ｂｆ１１＠部には一対のストツバ２１．２１
がそれぞれ突設されている。

両方イドレール１１１２上間には冷却用治具２２が摺動
自在に跨設されるようになっており、この治具２２は石
英ガラス等を用いられて、断面形状が略ｓ霧形状箇状に
形成されており、後記するウェハ群を包囲し得るように
なっている。二〇治具２２の壁体内部には中間流通路２
３が複数本帖心方向に所定のピッチをもって互いに平行
に配されて、それぞれＳ蹄形状に開設されており、各中
間流通路２３０両端は治具２２における両方の下面にお
いてそれぞれ開口することにより、一対の連絡口２４．
２４を実質的にそれぞれ構成するようになっている。こ
の連絡口２４が前記ガイドレール１３．１４の連絡孔２
０群に整合するように、中間流道路２３群は治具２２に
整列されて開設されている。

そして、このように構成されている冷却用治具２２は、
プロセスチューブｌの炉口１ａからガイドレール１１．
１２上間に乗せられて処理ガス供給路１ｂｌｌに押され
、プロセスチューブ１の処理室２へ搬入される。治具２
２はその実側端がガイドレール１１，１２上のストッパ
２１．２１に突き当たると位置決めされる。この状態に
おいて、治具２２における中間流道路２３の各連絡口２
４群がガイドレール１１，１２０連絡孔２０Ｍ＃にそれ
ぞれ整合されるため、上流側連通路１３、中間連通路２
３および下流側連通路１４が流体的に接続され、これら
により、プロセスチューブｌおよび治具２２にわたる連
通路２５が実質的に構成されることになる。

次に作用を説明する。

被処理物としてのウェハ７を拡散処理する場合、ウェハ
７を複数枚立てたボート８はプロセスチューブ１に炉口
１ａから略中央部に搬入され、炉熱炉冷プロセスについ
てのシーケンス＠Ｉｌ装ｆｆｉ　（図示せず）により第
４図に示すような処理シーケンスで処理が実施される。

すなわち、ウェハ７およびボート８ば低温時にプロセス
チューブｌの炉口１ａから搬入される。

この搬入時、第５図に示されているように、ウェハ７が
複数枚立てられているボート８は冷却用治具２２内の中
央部に設置される。この状態で、ウェハ７およびボート
８は冷却用治具２２と一緒に処理室２に搬入される。

ウェハ７およびボート８が冷却用治具２２によりカバー
された状態で炉口１ａから処理室２に搬入される時、ヒ
ータ３からの輻射熱によりプロセスチューブｌを１ｊ１
１熱ないしはこれを通して冷却用治具２２全体が加熱さ
れる。そして、冷却用治具２２が全体的、かつ均一に加
熱された後、ウェハ７およびボート８全体が均一に加熱
されることになる。

ここで、ウェハ７群およびボート８がプロセスチューブ
１に対して搬入されて行く際、ボート８の進行方向前側
領域におけるウェハ７群と、後側ｗｉ域におけるウェハ
１８との間において温度差が発生するのを防止するため
に、ボート８は雄やかな速度をもって徐々に移動される
。また、同様な理由で、搬入時におけるプロセスチュー
ブｌのヒータ３による加熱温度は所定の処理温度よりも
一時的に降下される０例えば、処理温度が約１２００℃
とした場合、搬入搬出時には温度が約８００℃に降下さ
れる。

このようにして、搬入時において、ヒータ３による加熱
温度が下げられ、かつ、ボート８が徐々に移動されて行
くことにより、ボートＢ上におけるウェハ７群の前後部
における温度差の発生が抑制される。その結果、ボート
Ｂ上におけるウェハ７群内（ｌバッチ内）の熱処理レー
ト（程度）についての差がｔｆＩＩ＠されることになる
。

ところで、第６図に示されているようにウェハ７＃およ
びこれを保持するボート８が冷却用治具２２により包囲
されない状態で、プロセスチューブ１に対して搬入され
る従来例の場合、プロセスチューブ】の輻射熱がウェハ
７群に対して斜め前方から照射した状態になることによ
り、ウェハ７内に隣りに位置するウェハによる熱的な影
（第６図の斜線部を参照）が形成されるため、ウェハ内
の周辺部と中、央部とで熱応力による転位欠陥やウェハ
変形が発生するという問題点がある。

しかし、本実施例においては、ウェハ７群およびこれを
保持するボート８が冷却用治具２２により包囲された状
態で、搬入されて行くため、プロセスチューブｌの輻射
熱による熟的な影はウェハ７に発生しない。

すなわち、ウェハ７群およびボート８が冷却用治具２２
により包囲された状態で、プロセスチューブｌにその炉
口１ａから緩やかな速度をもって徐々に搬入されて行く
際、第５図に示されているように、進行方向に対して斜
め前方からＩＩＷＩＩするプロセスチューブ１の輻射熱
により、まず、冷却用治具２２が加熱される。したがっ
て、この冷却用治具２２に包囲されているウェハ７群は
プロセスチューブ１の斜め前方からの輻射熱を遮られる
ため、斜め前方からの輻射熱の照射による熱的な影がウ
ェハ７内に発生するのを回避することかできる。

そして、ウェハ７群およびボートＢが冷却用治具２２に
より包囲された状態で、プロセスチューブｌに緩やかな
速度をもって徐々に搬入されて行く間、冷却用治具２２
がプロセスチューブｌの輻ｔｔ熱により全体的かつ均一
に加熱される。このとき、冷却用治具２２が肉淳に設定
されているため、冷却用治具２２の前後部における加熱
時間差により発生する局部的な温度差が抑制され、冷却
用治具２２は全体的に略均−な温度分布になる。

このようにして、冷却用治具２２が全体的かつ均一に加
熱されると、ウェハ７群およびボート８が冷却用治具２
２の輻射熱および冷却用治具２２を通してのプロセスチ
ューブｌの輻射熱により加熱される。このとき、これら
の輻射熱はウェハ７群に対してその外周方から径方向に
照射する状態になるため、隣り合うウェハ７内士による
熱的な影は発生しないことになる。

したがって、ウェハ７内において周辺部と中央部とで温
度差は発生せず温度分布が均一になるため、温度差によ
る熱応力の発生が抑制され、その結果、熱応力に伴う転
位欠陥やウェハの変形の発生が防止されることになる。

そして、ウェハ７群を保持したボート８がプロセスチュ
ーブエの処理室２内へ搬入されると、冷却用治具２２ば
プロセスチューブＬの炉口１ａから引き出される 続いて、第７図に示されているように、炉口Ｉａがキャ
ップ２６により閉塞されるとともに、炉温か８℃／分で
昇温するようにヒータ３により加熱されて行（０次いで
、１０００℃（高温）が所定時間維持されるとともに、
処理ガス供給口ｔｂから所定の処理ガスが供給され、所
定の処理条件で熱処理が実施される。

所定の処理終了後、炉冷ステップに入るが、この隙、−
度搬出された冷却用治具２２が高温になっているプロセ
スチューブ１の処理室２番こ再び搬入されることにより
、プロセスチューブｌの処理室２が強制冷却される。

すなわち、炉口１ａからキャップ２６が外されると、第
８図に示されているように、冷却用治具２２がガイドレ
ールｔｉ％　１２上間に乗せられてプロセスチューブ１
の炉口１ａから、その奥信端がストツバ２１に突き当た
るまで、処理室２の奥へ搬入されて行く、奥１１Ｊ端が
ストツバ２１に突き当たると、冷却用治具２２はボート
８上のウェハ７群を包囲した状態になるとともに、前述
したように、各中間流通路２３の連絡口２４が上流側流
通８１３および下流側流通！１４の各連絡孔２０に流体
連結した状態になる。

冷却用治具２２が処理室２に搬入されると、この冷却用
治具２２は大きな熱容量を有しているため、処理室２の
熱が冷却用治具２２に奪われ、処理室２が強制的に冷却
されることになる。したがって、炉冷ステップに入ると
同時に強制冷却が開始されることになる。

次いで、冷却用治具２２が所定位置に停止されると同時
に、第１図に示されているように、送風＠１７が運転さ
れてプロセスチューブｌおよび冷却用治具２２にわたる
流通′ｔ１１２５に冷却用流体としてのエア１６が、給
気管１５→上流便通路１３→連絡孔２０→中間流通路２
３→連絡孔２０→下流側流通１３１４→排気管１８→冷
却装Ｎ１９、を通じて送給される。このエア１６により
プロセスチューブ１が強制的に冷却され、低温（例えば
、８００℃）まで、５〜ｂ される。

ところで、強制冷却が実施されない場合には、冷却速度
は２〜ｂ での炉冷時間は杓６７〜１００分かかる０本実施例によ
れば、冷却速度は５〜ｂ 炉冷時間は２０〜４０分に短縮することができる。

冷却速度は炉熱炉冷プロセスのシーケンス制御装置によ
る＠御に基づく送風機からのエアの供給量により自由に
設定することができる。

処理シーケンスが高温一定の方式、すなわち、高温でウ
ェハ７をＲ’ｌｌ保持したボート８を搬入搬出する方式
を熱応力転位対策のために、第４図に示すような処理シ
ーケンスに変更する場合であって、元の処理条件が比較
的短時間処理の場合（例えば、１０００℃で５〜２０分
処理する場合〉、従来のように冷却速度が遅い時には、
この炉冷ステップで熱処理が進行するため、第４図に示
されているような高温ステップが充分とれず、炉熱炉冷
処理シーケンスの設定が難しい、しかし、本実施例によ
れば、前述したように、炉熱炉冷処理シーケンスの設定
が可能となる。

ここで、冷却用流体としてのエア１６はプロセスチュー
ブｌおよび冷却用治具２２にわたる連通路２５によって
、プロセスチューブｌの処理室２内２こおいて直接的に
送られて流通するため、流通するエア１６による冷却効
果はきわめて高く、降温速度はきわめて早くなる。

なお、処理開始時の低温（例えば、８００℃）と、処理
終了時の低温（例えば、９４０℃）が異なる場合には、
次の処理までに低温をさらに低下させる必要があるが、
本実施例によれば、この準備時間を短縮することもでき
る。

このようにして、プロセスチューブ１の処理室２が所定
の低温（８００℃）まで冷却されると、ボート８に保持
されているウェハ７群は冷却用治１４２２でカバーされ
た状態で一緒に、処理室２から炉口１ａに搬送される。

ウェハ７群が冷却用治具２２によりカバーされた状態で
、処理室２の炉口１ａから外部へ搬出される時、冷却用
治具２２が全体的、かつ、均一に冷却された後に、ウェ
ハ７群が全体的に冷却される。また、この搬出時にも、
ウェハ７群は冷Ｗ用治具２２により包囲された状態で、
炉口１ａを移動して行くため、プロセスチューブｌの輻
射熱による熱的な影はウェハ７に発生しないことになる
。したがって、搬入時と同様、ウェハ７群内およびウェ
ハ７内において温度差は発生せず、温度分布が均一にな
り、温度差による熱応力の発生が抑制され、その結果、
熱応力に伴う転位欠陥やウェハの変形が防止されるこ乙
になる。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）　　プロセスチューブおよび冷却用治具の壁体内
部に冷却用流体流通路を開設し、この冷却用流体流通路
に冷却用流体を供給することにより、冷却用流体をプロ
セスチューブの処理室に直接的に供給することができる
ため、プロセスチューブの処理室を強制的に、かつ、直
接的に冷却させることができ、その結果、プロセスチュ
ーブの処理室の降温速度を高めることができ、処理時間
としての所要時間を短縮することができる。

Ｃ）　冷却用流体流通路を冷却用治具に形成することに
より、冷却用流体を所望の箇所に適正に供給することが
できるため、前記（１）の効果をより一層高めることが
できる。

（３）プロセスチューブの処理室に熱容量の大きい冷却
用治具を絞入することにより、プロセスチューブの処理
室内の熱を冷却用治具に吸収させることができるため、
プロセスチューブの処理室をきわめて簡単に強制冷却す
ることができる。

（４）　　ウェハ群を冷却用治具により包囲した状態で
プロセスチューブに対して搬入搬出すること番こより、
ウェハ群に対するプロセスチューブの斜めからの輻射熱
の照射を冷却用治具により遮ることができるため、隣り
合うウェハ同士による熱的な影の発生を抑制することに
より、ウェハをその径方向から均等に加熱することがで
き、その結果、ウェハ内の周辺部と中央部との温度差の
発生を防止することができる。

（５）　　ウェハ内の温度分布を均一化することにより
、熱応力の発生を抑制することができるため、過度の熱
応力の発生に伴う転位欠陥やウェハの変形の発生を防止
することができるとともに、熱処理レートをウェハ内に
おいて全体的に均一化させることができる。

（ω　ウェハの熱応力転位欠陥や変形等のようなウェハ
欠陥の発生を防止するとともに、熱処理レートをウェハ
内全体にわたって均一化させることにより、製品歩留り
、並びに製品の品質および信頼性を高めることができる
。

（７）　ウェハ群のプロセスチューブに対する搬入搬出
時におけるウェハ群に対するプロセスチューブの斜めか
らの輻射熱照射によるウェハ内温度分布の不均一化の回
避を実現することにより、搬入搬出時にウェハ群を徐々
に進行させることができるため、ウェハ群の進行方向前
後部における温度差の発生を抑制させることができ、そ
の結果、熱処理レートをウェハ群内（１バフチ内）にお
いて全体的に均一化させることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、冷却用流体流通路は、プロセスチューブおよび
冷却用、治具に配設する、に限らず、第９図および第１
０図に示されている流通路２５Ａのように、均熱管６Ａ
の壁体内部に螺旋形状に配設してもよい。

また、冷却用流体流通路は、プロセスチューブの壁体内
部に配設してもよく、均熱管の無い熱処理ａｍについて
も適用することができる。

冷却用流体としてはエアを使用するに限らず、窒素ガス
等を使用することができ、また、Ｉｉ！使用するように
構成してもよい。

さらに、プロセスチューブの処理室の強制冷却は、冷却
用流体を流通させることにより実行されるように構成す
るに限らず、冷却用治具をプロセスチューブの処理室に
搬入させることにより、この冷却用治具の熱容量により
プロセスチューブの処理室における熱を吸収させて強制
的に冷却するように構成してもよい、この場合、冷却用
治具区第１１図および第１２図に示されている冷却用治
具２２Ａおよび２２Ｂの如く大きな熱容量を有するよう
に構成してもよい、また、冷却用治具はプロセスチュー
ブ処理室に何回も出し入れしてもよ（、新旧のものを交
換して出し入れするようにしてもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である拡散装置に適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、低圧ＣＶＤ装置、アニーリング装置、その他の熱処
理装置全般に適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

プロセスチューブ、冷却用治具、均熱管の壁体内部に冷
却用流体流通路を開設するとともに、この冷却用流体流
通路に冷却用流体を流通させることにより、冷却用流体
によってプロセスチューブを強制的に、かつ、直接的に
冷却させることができるため、プロセスチューブの降温
速度を高めることができ、処理時間としての所要時間を
短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である拡散装置を示す縦断面
図、 第２図は第１図のト」線に沿う一部省略拡大断面図、 第３＆！１は冷却用流体流通路の部分を示す分解斜視図
、 第４図は炉熱炉冷プロセスのシーケンスを示すｗＡ居、 第５図はウニへの搬入工程を示す縦断面図、第６図はそ
の作用を説明するための部分断面は第７図は熱処理工程
を示す縦断面図、 第８図は冷却用治具搬入工程を示す縦断面図である。 第９図は本発明の他の実施例である熱処理装置を示すｗ
ＩＷｉ面図、 第１０図はその冷却用流体流通路の部分を示す均熱管の
部分斜視図である。 第１１図は本発明の他の実施例に使用される冷却用治具
を示す斜視図、 第１２図は同じ（別の冷却用治具を示す斜視図である。 ｌ・・・プロセスチューブ、２−・・処理室、３・・・
ヒータ、４・・・ヒータ素線、５・・・断熱材、６．６
　Ａ−・・均熱管、７・・・ウェハ（被処理物）、８・
・・ボート（処理治具〉、１１．１２・・・ガイドレー
ル、１３・・・上流側流通路、１４・・−下流側流通路
、１５・・・給気管、１６・・・エア（冷却用流体）、
１７・・・送１Ｒ１１，１８−・排気管、１９−冷却ｉ
ｔ、２０−・・連絡孔、２１・・・ストッパ、２２．２
２Ａ、２２Ｂ−・・冷却用治苑２３−・・中間流通路、
２４−・・連絡口、２５．２５Ａ・・・冷却用流体流通
路、２６−・・キャップ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハ群がプロセスチューブの処理室に搬入
   され、プロセスチューブに外装されたヒータにより半導
   体ウェハ群が加熱され、熱処理後、半導体ウェハ群がプ
   ロセスチューブの処理室から搬出される熱処理方法であ
   って、前記プロセスチューブの処理室に冷却用治具が搬
   入されることにより、プロセスチューブが強制的に冷却
   されることを特徴とする熱処理方法。 ２、半導体ウェハ群が搬入搬出される処理室を備えてい
   るプロセスチューブと、プロセスチューブに外装され、
   均熱管を介して、または、介さずに前記処理室内を加熱
   するヒータとを備えている熱処理装置であって、前記プ
   ロセスチューブ、前記均熱管、および、前記処理室に搬
   入される治具のうち、少なくとも一つの壁体内部に流通
   路が開設されており、この流通路に冷却用流体が流通さ
   れるように構成されていることを特徴とする熱処理装置
   。 ３、前記流通路がプロセスチューブの壁体内部、および
   、このプロセスチューブ処理室に前記半導体ウェハ群を
   包囲するように搬入される治具の壁体内部にそれぞれ形
   成されており、前記冷却用流体がプロセスチューブの流
   通路を介して治具の流通路に流通されるように構成され
   ていることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の熱
   処理装置。 ４、前記流通路が均熱管の壁体内部に環状に配設されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の熱処
   理装置。