JPH03185855A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームの製造方法

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JPH03185855A
JPH03185855A JP32535189A JP32535189A JPH03185855A JP H03185855 A JPH03185855 A JP H03185855A JP 32535189 A JP32535189 A JP 32535189A JP 32535189 A JP32535189 A JP 32535189A JP H03185855 A JPH03185855 A JP H03185855A
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plating
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lead
tip
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JP32535189A
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Toshiya Matsubara
松原 俊也
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Mitsui High Tec Inc
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Mitsui High Tec Inc
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、リードフレームの製造方法に係り、特にその
インナーリード先端部の加工方法に関する。
(従来の技術) IC,LSIなどの半導体装置用リードフレームは、フ
ォトエツチング法またはプレス加工のいずれかの方法に
よって、金属帯状材料の形状加工を行い形成される。
ところで、半導体装置の高密度化および高集積化に伴い
、リードビン数は増加するものの、パッケージは従来通
りかもしくは小型化の傾向にある。
同一面積内においてインナーリードの本数が増加すれば
、当然ながらインナーリードの幅および隣接するインナ
ーリードとの間隔は狭くなる。このため、強度の低下に
よるインナーリードの変形およびその変形によるインナ
ーリード間の短絡を生じることがある。
また、ボンディング性の向上をはかるために、インナー
リード先端や半導体素子搭載部には貴金属をめっきした
構造がとられることが多い。
このため、めっき装置への搬送中にインナーリード先端
の変形を生じたり、インナーリード先端部の側面にも銀
(Ag)などのめっき金属が付着し、実装後の半導体装
置においてマイグレーションが発生し、これが信頼性低
下の原因となっていた。
このような問題を角Il決するために、インナーリード
をその先端端面に設けた連結片により連結した状態でめ
っきを行い1、めっき終了後、連結片を切除し、インナ
ーリードを分割する方法が提案されている。
この方法は、第2図に1例を示す如く、半導体素子を搭
載するためのダイパッド2と、先端が該ダイパッドをと
り囲むように延在せしめられ、先端端面が端面連結片3
によって一体的に連結された多数のインナーリード4と
、該インナーリードとほぼ直交する方向に延びこれらイ
ンナーリードを一体的に支持するタイバー7と、該タイ
ツく−の外側に前記各インナーリードに接続するように
配設せしめられたアウターリード8とダイパ・ソド2を
支持するサポートパー9とを含むように形状加工を行い
、めっき工程などの処理工程後に前記、連結片を破線C
に従って切除し、インナーリード相互間を分割するとい
う方法である。第2図中、1はサイドバーである。
しかしながら、この方法では、めっき工程におけるイン
ナーリード先端の変形を防止することはできるが、めっ
き工程においてインナーリード先端部の側面はすでに形
成されており露呈しているため、インナーリード側面へ
のめつき金属の付着は防IEすることができないという
問題があった。
また、この方法では、インナーリード先端の端面のみが
連結片によって連結されているため、支持が不十分であ
るという問題もあった。
そこでまた、帯状材料の所定位置に貴金属めっきを行っ
た後、成形を行うことにより、インナーリード側面への
めっき金属の付着を防止すると共に、めっき工程中のイ
ンナーリード先端の変形を防止するという方法も提案さ
れている。
しかしながら、この方法では、高価な貴金属めっきがな
された後、所定形状にスタンピングがなされるため、ス
タンピング不良が起こった場合、貴金属めっきはまった
く無駄となり、コスト高騰の原因となっていた。
さらに、この方法では、不完全形状の帯状材料に対して
めっきが行われるため、その位置ずれの確認が困難であ
り、不良品が多量に発生するという危険があった。
(発明が解決しようとする課題) このように、半導体装置の高集積化に什い、リード間隔
は小さくなる一方であり、インナーリード先端の側面へ
のめっき金属の付着およびインナーリード先端の位置ず
れが、半導体装置の信頼性低下の原因となっていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、インナー
リード先端側面へのめっき金属の付着を防止すると共に
、インナーリード先端の位置ずれを防止し、半導体装置
の信頼性の向上をはかることを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) そこで本発明では、インナーリード先端部の被めっき領
域付近を除いて他の領域を成形したのち、インナーリー
ド先端部が連結されたままの状態でインナーリード先端
の被めっき領域をはじめ、被めっき領域にめっきをおこ
ない、最後にインナーリード先端部の成形を行うように
している。
(作用) 本発明の方法によれば、インナーリード先端の被めっき
領域付近をそのまま連結した状態で、めっきを行い、め
っき後インナーリード先端部の成形を行うようにしてい
るため、めっき工程においてはインナーリード先端部の
側面は表面に露呈していないためめっき金属が付着する
おそれはない。
また、インナーリード先端の被めっき領域付近をそのま
ま連結した状態で、めっき等の処理を行い、その後イン
ナーリード先端部を成形するようにしているため、イン
ナーリードのリード幅が狭く、十分な強度が得られない
ようなリードフレームにおいても、変形を生じたりする
ことなく、本来の位置を維持することができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
第1図(a)乃至第1図(c)は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図である。
まず、第1図(a)に示すように、スタンピング法によ
り、帯状材料を加工し、ダイパッド2と対峠するインナ
ーリード4の先端部のめっき領域Mとなる領域を含む先
端領域におけるインナーリード間領域を連結片5として
そのまま残し、他の領域のみを打ち抜き、インナーリー
ドの一部、アウターリード、タイバーなどを底型する。
この連結片5を残す領域は、めっき領域Mとなる領域を
十分に含みめっき領域Mよりも大きくなるようにする。
こうすることにより、インナーリード先端部の側面にめ
っき液がもれるのを完全に防ぐことができる。
次いで、コイニング処理を行い、インナーリード先端部
の平坦幅を確保したのち、第1図(b)に示すように、
先端部にめっきを行うめっきを行う。Mはめっき領域を
示す。このとき必要に応じて、インナーリード先端部の
ボンディングエリアを避けるように熱硬化性樹脂を塗布
した絶縁性テープを貼着し、加熱工程を経て硬化させ、
固定するようにしてもよい。
こののち、第1図(C)に示すように、インナーリード
先端部の打ち抜きを行い、連結片5を除去しインナーリ
ード先端を分離する。
このようにして形成されたリードフレームは、インナー
リード4先端の被めっき領域M付近をそのまま連結した
状態で、めっきを行い、めっき後インナーリード先端部
の成形を行うようにしており、めっき工程においてはイ
ンナーリード先端部の側面は表面に露呈していないため
、インナーリード先端部側面はめっき金属の付着しない
状態で、得ることができ、マイグレーションの発生が抑
制される。
また、インナーリード先端の被めっき領域M付近は、め
っき等の処理工程において、そのまま連結した状態であ
り、その後インナーリード先端部を成形するようにして
いるため、インナーリードのリード幅が狭く、十分な強
度が得られないようなリードフレームにおいても、変形
を生じたりすることなく、本来の位置を維持することが
できる。
また、前述したように、インナーリード先端部の成形に
先立ち、絶縁性テープにより補強しておくようにすれば
、さらに互いの位置関係を保持することができるため、
リード同志の短絡が防止されるのみならず、ボンディン
グワイヤとの短絡も防止され、極めて信頼性の高いもの
となる。
〔発明の効果〕
以上説明してきたように、本発明の方法によれば、イン
ナーリード先端の被めっき領域付近をそのまま連結した
状態で、めっきを行い、めっき後インナーリード先端部
の成形を行うようにしているため、インナーリード先端
部の側面に、めっき金属が付着するおそれはなく、また
、高密度化に際してインナーリードのリード幅が狭く、
十分な強度が得られないようなリードフレームにおいて
も、変形を生じたりすることなく、本来の位置を維持す
ることができ、製造歩留まりが大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)乃至第1図(c)は本発明実施例のリード
フレームの製造工程を示す図、第2図は従来のリードフ
レームの製造工程の一部を示す図である。 1・・・サイドパー 2・・・ダイパッド、3・・・端
面連結片、4・・・インナーリード、5・・・連結片、
7・・・タイバー 8・・・アウターリード、9・・・
サポートバーM・・・めっき領域。 0’) 寸 0コ Σ U)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  半導体素子搭載部と 前記半導体素子搭載部の周縁から所定の間隔をおいて伸
    長する複数のインナーリードと、各インナーリードにそ
    れぞれ連設されたアウターリードと、 を具備してなるリードフレームの形状加工を行うリード
    フレーム製造方法において、 前記インナーリード先端部の被めっき領域付近を除く領
    域を成形する第1の成形工程と、前記インナーリード先
    端の被めっき領域をはじめ、被めっき領域にめっきをお
    こなうめっき工程と、 前記インナーリード先端部の成形を行う第2の成形工程
    とを含むようにしたことを特徴とするリードフレームの
    製造方法。
JP1325351A 1989-12-15 1989-12-15 リードフレームの製造方法 Expired - Fee Related JPH0821657B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231322A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60176260A (ja) * 1984-02-23 1985-09-10 Toshiba Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法
JPS61216353A (ja) * 1985-03-20 1986-09-26 Shinko Electric Ind Co Ltd リ−ドフレ−ムの製造方法

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JPH0821657B2 (ja) 1996-03-04

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