JPH0318697Y2 - - Google Patents

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JPH0318697Y2
JPH0318697Y2 JP13881485U JP13881485U JPH0318697Y2 JP H0318697 Y2 JPH0318697 Y2 JP H0318697Y2 JP 13881485 U JP13881485 U JP 13881485U JP 13881485 U JP13881485 U JP 13881485U JP H0318697 Y2 JPH0318697 Y2 JP H0318697Y2
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voltage
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  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は機関の点火装置に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
従来この種の装置として実開昭50−72821、実
公昭50−18021、実公昭49−4501等に示された従
来の点火装置を第3図に示す。図において、1は
図示しない機関により駆動される磁石発動機の発
電コイル、2は機関の点火時期に点火信号を発生
する信号コイルで、例えば磁石発電機に内蔵され
る。3は発電コイル1の発電出力を整流するダイ
オード、4はこのダイオード3の整流出力により
充電されるコンデンサ、5は発電コイル1の発電
出力のうちコンデンサ4の充電に寄与しない半サ
イクルを短絡するダイオード、6は点火コイル、
7は機関の点火時期に信号コイル2の点火信号を
受けてコンデンサ4の充電々荷を点火コイル6に
放電させる半導体スイツチング素子であるサイリ
スタ、8は点火コイル6の2次電圧を受けて水花
放電する点火プラグ、9は信号コイル2の点火信
号を整流してサイリスタ7のゲートへ供給すると
共にそのゲート・カソード間に逆電圧が加わらぬ
ように阻止するダイオード、10は発電コイル1
の両端に接続され、発電出力を側路することによ
り機関を停止させるストツプスイツチ、11は発
電コイル1の両端に接続され、発電コイル1の出
力端にアノード(入力端)が、発電コイルの他端
(接地側端)がカソード(出力端)が接続されて
いる半導体スイツチング素子であるサイリスタ、
12,13は発電コイル1の両端に直列接続され
た分圧抵抗で、抵抗12と抵抗13の接続点とサ
イリスタ11のゲート(制御極)とには定電圧素
子である定電圧ダイオード14が抵抗12と抵抗
13の接続点にカソードがサイリスタ11のゲー
トにアノードが接続されている。抵抗12、抵抗
13、および定電圧ダイオード14とで電圧検出
回路を構成する。
次に動作について説明する。発電コイル1の発
電出力は、ダイオード3によつて整流されコンデ
ンサ4を充電する。コンデンサ4の充電に寄与し
ない半サイクルは、ダイオード5により短絡され
る。発電コイル1のコンデンサ4の充電に寄与す
る半サイクルの出力は抵抗12、抵抗13によつ
て分圧されこの電圧は、定電圧ダイオード14の
ツエナー電圧と比較される。発電コイル1の発電
出力の抵抗12、抵抗13によつて分圧された分
圧電圧が定電圧ダイオード14のツエナー電圧を
越えると定電圧ダイオード14は導通してサイリ
スタ11のゲートに電圧印加されサイリスタ11
は導通する。発電コイル1の発電出力のうちコン
デンサ4の充電に寄与する半サイクルすなわちこ
の半サイクルの出力電圧が抵抗13とで分圧され
この電圧が定電圧ダイオード14のツエナー電圧
を越えたときにサイリスタ11が導通するので、
発電出力は抵抗12と抵抗13で定まる分圧電圧
と、定電圧ダイオード14で定まるツエナー電圧
とによつて定まる発電出力電圧に制限されるの
で、コンデンサ4の充電電圧は前記発電出力電圧
に制限される。したがつてコンデンサ4の充電電
圧は必要以上に高い電圧となることがない。機関
の点火時期により信号コイル2に発生した点火信
号は、ダイオード9により整流され、サイリスタ
7のゲートに与えられサイリスタ7は導通状態と
なり、コンデンサ4の電荷はサイリスタ7を通じ
て点火コイル6の1次コイルに放電される。する
と、点火コイル6の2次コイルには2次電圧が発
生し、点火プラグ8で火花放電を起す。このよう
に機関は運転される。
また、運転中の機関を停止させるには、ストツ
プスイツチ10を閉成すればよい。即ち、ストツ
プスイツチ10を閉成すると発電コイル1の発電
出力は、ストツプスイツチ10と通じて側路され
るので、コンデンサ4には電荷が蓄積されず従つ
て点火プラグ8には火花放電が起こらにいので、
機関は停止することになる。
〔考案が解決しようとする問題点〕
ところで、このものにあつては、ストツプスイ
ツチ10の開放時、即ち機関の運転中ストツプス
イツチ10の端子間には常時発電コイル1の発電
出力(一般に数百V)が直接印加されている。従
つて、ストツプスイツチ10は絶縁されているも
のの、このストツプスイツチ10の端子間に水や
海水等がかかるとストツプスイツチ10の端子間
の絶縁抵抗が低下するため、端子間に印加する電
圧が高いことによつて、漏洩電流が大きくなり、
その電流によりストツプスイツチ10が不良、例
えば絶縁破壊して、機関の停止または再始動が不
可能となる欠陥がある。また、それに至らなかつ
たとしてもストツプスイツチ10に水や海水がか
かり、ぬれた状態で作業者の手が触れると感電す
る欠陥があつた。
もう一つの手法として特公昭59−45836に示さ
れる第4図に示すものがある。この図に於て、1
5は発電コイル1の出力端にアノードが、ストツ
プスイツチ10の反接地側端子にカソードがそれ
ぞれ接続された半導体スイツチング素子であるサ
イリスタ、16はサイリスタ15のカソード・ゲ
ート間に接続されたダイオード、17は発電コイ
ル1の出力端とサイリスタ15のゲート間に接続
された抵抗、18はサイリスタ15のゲートと接
地間に接続された定電圧手段である定電圧ダイオ
ードでその定電圧ダイオード18のカソードと抵
抗17との接続点にはサイリスタ15のゲートと
ダイオード16のカソードとが接続されいる。こ
のものにあつては、サイリスタ15のゲートと発
電コイル1の他端(第2図では接地側)とに定電
圧ダイオード18を接続して、ストツプスイツチ
10の端子間電圧を常に低い電圧に保持したもの
であるが、ストツプスイツチの破壊や感電は防げ
るが、耐圧の高いサイリスタ12,15の2つが
必要であり、高価になるという欠陥が残るもので
ある。
この考案は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、ストツプスイツチ10の破壊
や感電を防止するとともに、必要以上の充電電圧
が抑制でき、しかも停止回路と電圧抑制回路を構
成する半導体スイツチング素子の両方の素子に耐
圧の高いものが不要で、一方は耐圧が低くできる
安価な機関の点火装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この考案に係わる点火装置は磁石発電機の発電
コイルの一端に接続された第1の半導体スイツチ
ング素子と、この第1の半導体スイツチング素子
の出力端と上記発電コイルの他端とにストツプス
イツチを接続し、上記第1の半導体スイツチング
素子の制御極に印加される電圧を定電圧手段によ
り定電圧化し、上記第1の半導体スイツチング素
子の出力端と上記発電コイルの他端とに第2の半
導体スイツチング素子を接続しこの第2の半導体
スイツチング素子の制御極を発電コイルの電圧検
出回路の出力により制御するようにしたものであ
る。
〔作用〕
この考案においては、第1の半導体スイツチン
グ素子の制御極を定電圧化したのでこの第1の半
導体スイツチング素子に接続されているストツプ
スイツチの両端は常に低い電圧に保持され、さら
に第1の半導体スイツチング素子に接続されてい
る第2の半導体スイツチング素子に低電圧の耐圧
の素子が使用でき、第2の半導体スイツチング素
子を電圧検出回路により制御するので必要な充電
電圧に抑制される。
〔考案の実施例〕
以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。第1図において、19はサイリスタ15のカ
ソードと発電コイル1の他端(接地側端)との間
に接続された第2の半導体スイツチング素子であ
るサイリスタ、このサイリスタのアノード(入力
端)はサイリスタ15のカソードに接続され、カ
ソード(出力端)は発電コイル1の他端(接地側
端)に接続され、ゲート(制御極)は定電圧ダイ
オード14のアノードを接続されている。
次に動作について説明する。まず、ストツプス
イツチ10の開放時には発電コイル1の発電出力
はダイオード3により整流され、コンデンサ4を
充電すると共に抵抗17と定電圧ダイオード18
および抵抗12,13を通電する。ここで抵抗1
7はサイリスタ18をトリガするのに必要な電流
だけ流せばよいので比較的大きな値でよく、ま
た、抵抗12はサイリスタ19をトリガするのに
必要な電流だけ流せばよいので比較的大きな値で
よく、従つて抵抗17、定電圧ダイオード18お
よび抵抗12,13に流れる電流は小さくてよい
ので発電コイルの発電出力の負担は少なくてす
む。抵抗17と定電圧ダイオード18との分圧点
はサイリスタ15のゲートに接続されているの
で、サイリスタ15の接地に対するゲート電圧
(トリガ電圧)は、定電圧ダイオード18の降下
電圧となる。サイリスタ15のカソード電圧は、
ほぼゲート電圧と同じである。従つてストツプス
イツチ10の端子間電圧は定電圧ダイオード18
の降下電圧となる。定電圧ダイオード18の降下
電圧は通常約1.5V以上数十V程度が自由に選択
できるので、低電圧に設定可能である。従つてス
トツプスイツチ10の端子間電圧は低電圧になる
ので、仮に水や海水が付着しても漏洩電流が極め
て少ないため、ストツプスイツチ10が絶縁破壊
したり、また感電することは皆無となる。また発
電コイル1の出力電圧は抵抗12,13により分
圧され、定電圧ダイオード14のツエナー電圧と
比較される。抵抗12,13により分圧された電
圧が定電圧ダイオード14のツエナー電圧を越え
ると抵抗12,13により分圧された電圧は定電
圧ダイオード14を通りサイリスタ19のゲート
に印加されるとサイリスタ19は導通する。サイ
リスタ19が導通するとサイリスタ15のゲート
に定電圧ダイオード18で定まる降下電圧が印加
される。そしてサイリスタ15は導通し、発電コ
イル1の発電出力はサイリスタ15、サイリスタ
19を通じ短絡される。したがつて発電コイル1
の発電出力電圧は、抵抗12,13で定まる分圧
電圧と定電圧ダイオード14のツエナー電圧によ
つて定まる出力電圧となつた時に発電コイル1の
発電出力が短絡される。コンデンサ4の充電電圧
は発電コイル1の発電出力電圧によつて定まるの
で、過度の充電電圧にならぬよう、抵抗12,1
3、定電圧ダイオード14を設定すれば点火コイ
ルの耐圧を必要十分な電圧に抑制でき、過度の電
圧による耐圧不良をなくすことができる。また上
記サイリスタ19はサイリスタ15のカソード電
圧が低電圧であるので、低圧の耐圧を持つものが
使用でき安価なものが使用できる。
次に機関を停止させるに際し、ストツプスイツ
チ10を閉成するとサイリスタ15のゲード・カ
ソード間に定電圧ダイオード18の降下電圧が印
加されサイリスタ15は導通状態となる。その結
果発電コイル1の発電出力はサイリスタ15、ス
トツプスイツチ10を通じて短絡されるので、ス
トツプスイツチ10の閉成後、コンデンサ4は充
電されなくなるのでサイリスタ7が機関点火時期
に導通したとしても点火コイル6には2次電圧が
発生せず、従つて機関は確実に停止することにな
る。
なお、上記実施例では第2の半導体スイツチン
グ素子にサイリスタ19を設けたものを示した
が、第2図に示すとおり第2の半導体スイツチン
グ素子にトランジスタ20を設けてもよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。
〔考案の効果〕
以上のようにこの考案によれば、発電コイルの
出力端と他端とに接続された第1の半導体スイツ
チング素子の制御極を低電圧に定電圧化し、上記
第1の半導体スイツチング素子の出力端と発電コ
イルの他端とにストツプスイツチと第2の半導体
スイツチング素子を接続し、第2の半導体スイツ
チング素子の制御極を発電コイルの出力電圧を検
出する電圧検出回路の出力で制御するように構成
したので、ストツプスイツチの端子間電圧を低圧
化でき、点火装置の点火電圧が過電圧となるのを
防止し、信頼性の高いものが得られ、さらに、第
2の半導体スイツチング素子に低圧の耐圧の素子
が使用できるので、装置が安価にできる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す回路図、第
2図はこの考案の他の実施例を示す回路図、第3
図は従来の点火装置を示す回路図、第4図は従来
の他の実施例を示す回路図である。 図において、1は発電コイル、2は信号コイ
ル、3,5,9,16はダイオード、4はコンデ
ンサ、6は点火コイル、7,11,15,19は
サイリスタ、8は点火プラグ、10はストツプス
イツチ、12,13,17は抵抗、14,18は
定電圧ダイオード、20はトランジスタである。
なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 磁石発電機の発電コイル、この発電コイルの
    出力を受けて点火コイルに機関点火電圧を発生
    する点火回路、上記発電コイルの一他に入力端
    が接続される第1の半導体スイツチング素子、
    この第1の半導体スイツチング素子の出力端と
    上記発電コイルの他端とに接続されるストツプ
    スイツチ、上記第1の半導体スイツチング素子
    の制御極に上記発電コイルの他端とに接続され
    上記第1の半導体スイツチング素子の制御極に
    印加される電圧を定電圧化する定電圧手段、上
    記第1の半導体スイツチング素子の出力端に入
    力端が上記発電コイルの他端に出力端が各々接
    続される第2の半導体スイツチング素子、及び
    上記発電コイルの発電出力を検出し上記第2の
    スイツチング素子の制御極を制御する電圧検出
    回路を備えた機関の点火装置。 (2) 第2の半導体スイツチング素子の耐圧は第1
    のスイツチング素子の耐圧より低いことを特徴
    とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の機
    関の点火装置。 (3) 第2の半導体スイツチング素子はサイリスタ
    である実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の機
    関の点火装置。 (4) 第2の半導体スイツチング素子はトランジス
    タである実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の
    機関の点火装置。
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