JPH03187902A - 高温超伝導物質の製造方法 - Google Patents
高温超伝導物質の製造方法Info
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- JPH03187902A JPH03187902A JP2320535A JP32053590A JPH03187902A JP H03187902 A JPH03187902 A JP H03187902A JP 2320535 A JP2320535 A JP 2320535A JP 32053590 A JP32053590 A JP 32053590A JP H03187902 A JPH03187902 A JP H03187902A
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
、このような超伝導物質を含む製品を製造する方法、お
よび、その方法によって製造される製品に関する。
G、ベドノルツ(J、 G、 Bednorz)とK
。
ysik B−Condensed Matters第
64巻、189〜193ページ、1986年)は、まも
なく他のクラスの酸化物超伝導体の発見につながった世
界的な活動を促進した。(例えば、M、に、ウー(M、
K、 Mu)他、Phys、 Rev、 Lette
rss第58巻第9号、908〜910ページ(198
7年) ;R,J、キャヴア(R。
ersq第58巻第16号、1676〜1679ページ
(1987年);D、W、v−フィー(D、 W、 M
urphy)他、Phys、 ReV、 L8118r
Ss第58巻第16号、1888〜1890ページ(1
987年);Z、Z、ジエン(z。
5〜58ページ(1988年);H,vエダ(H,Ma
eda)他、Japanese Journal of
’ Applied Physics s第27巻第2
号、L209〜L210ページ(1988年);および
米国特許筒4,880,771号参照。) 新たに発見された酸化物超伝導体の多くは液体窒素温度
(77K)より高い転移温度(T )をもつため、広
範囲の技術的使用の見込みがあるが、これらの新しい物
質が商業的に広く応用される前に、いくつかの重要な問
題点が克服されなければならない。特に、この物質のバ
ルクのサンプルは、−船釣に、比較的低い臨界電流密度
(J )をもC つことかわかった。例えば、従来の YBa2Cu3O7のバルクΦサンプルは、−船釣に、
77K、外部磁場0で10”A/cm2のオーダーのJ
。をもち、外部磁場が存在する場合にはさらにずっと低
い値になる。このようなJ。
と考えられる。
T ≧30に1望ましくはT>77KC を意味する。T はここでは、実験的限界内でり。
導体のバルク・サンプルにおいて、J の低い観測値に
影響する、少なくとも2つの問題点が存在する。(バル
ク・サンプルは、相対的に稠密な物体を形成するように
充填された多くの超伝導の粒子や微結晶からなるという
ことが認識される。)2つの問題点のうちの第1は、い
わゆる「弱結合」問題である。これは、1つの超伝導体
粒子から隣接する超伝導体粒子に抵抗なしで流れること
ができる電流値が比較的に低いということに関するもの
である。この電流は「粒子間」電流と呼ばれる。第2の
問題点は、いわゆる「磁束フロー」問題である。これは
、弱い磁束ピン止め効果のために、与えられた超伝導体
粒子内を実質的に抵抗なしで流れることができる電流が
比較的に低いことに関するものである。関係する臨界電
流密度は「粒子内」臨界電流密度と呼ばれ、ここではJ
′で表す。臨界電流密度の低い値は高温酸化物超伝導
体に本来的な性質ではないということが認識される。
0 A/Cm2のオーダーの電流密度が観測されている
からである。
。(S、 ジン(S、 Jjn)他、Applied
Physjcs Letters %第52巻第24
号、2074〜2076ページ、1988年;S、ジン
(S、 Jin)他、Appljed Physics
Letters 、第54巻第6号、584〜586
ページ、1989年;および、台湾特許第033,35
7号参照。)この進展は、いわゆる[溶融組織成長法J
(MTG)の発見に由来する。MTGは、超伝導物
質の溶融および配向固化からなるプロセス技術であって
、従来製造されているバルク物質よりも非常に高い電流
密度に耐え得る高度に緻密な物質を生成する。
、MTGを使用して製造された場合、1テスラの外部磁
場下において77にで約10 A/cm2に達する臨
界電流密度を示す。
B a 2 Cu a O7単結晶の高速中性子照射が
、この単結晶のJ を、77に、0.9テスラにおいて
約6×10 A/Cm2まで上昇させることができると
いうことが示された(R,B、つ゛アン・ドーヴア−(
R,B、 van Dover)他、Nature。
号)。しかし、超伝導体のバルク・サンプルの中性子照
射は比較的高価であり、商業的応用における高いJc’
を実現するためには不便な技術である。従って改善さ
れた粒子内臨界電流J。
、すなわち、改善された磁束ピン止め効果をもつ物質を
生成できる方法を発見する必要か今もなお存在する。本
出願はこのような方法を開示している。
体はいわゆる「第2種」超伝導体である。
場(H)に対し、磁束線は部分的に超伝導体を貫通する
が、超伝導状態を破壊しない(Ho1およびH82はそ
れぞれ最小および最大臨界磁場である)。磁束線の運動
はエネルギー散逸および電気抵抗を生じるので、磁束線
はH<H<H,に対して1 物質内に強く 「ピン止め」されるのが望ましい。
は、物質内に強い磁束ピン止め効果が必要となる。
細な欠陥がピン止め位置としての役割を0 果たし、特に、その欠陥の大きさスケールが物質の超伝
導コヒーレンス長のオーダーの場合に有効であることが
知られている。有効ビン止め位置を高温(酸化物)超伝
導体内に導入する技術は、(おそらく、高速中性子照射
以外には)当業者に知られていない。
臨界電流密度はいわゆる「ビーン・モデル」によって評
価することができる(C,P、 ビーン(C,P、
Bean)、Reviews of’ Modern
Physics 。
ルは、粒子的臨界電流密度J °を次のように表現する
。
ヒステリシス測定において、増加および減少する外部磁
場の測定磁化の差(emu/cm3単位)であり、dは
cm単位での平均粒子サイズで1 ある。粒子サイズは、一般的に、光学顕微鏡または走査
電子顕微鏡を使用した標準的な金属組織学的技術によっ
て決定される。
されているように、改善された粒子間臨界電流密度を含
む、改善された性質をもつ超伝導酸化物からなる製品を
製造する方法である。
酸化物の組成と高々酸素含有量に関して異なるような物
質からなり、さらに、多数相の全体、または、少なくと
も大部分に細かく分散沈殿相からなる多相物質を形成す
ることからなる。
給すること、多相物質が形成されるようにその前駆物質
を熱処理すること、および、分散相をもつ望ましい超伝
導酸化物が生じるような多相物質からなり、オプション
として、その製品の完成へのさらに1つ以上のステップ
を実行することからなる。一般的に、すべての前駆物質
が、所2 望の超伝導体および沈殿相に変換される必要はない。し
ばしば、多相物質は、いくらかの残留前駆物質からなる
ことがある。
・・は金属元素であり、x、 y、・・・・・・、2
は適当な整数である(すべてが整数である必要はない)
。例えば、所望の超伝導物質は、公称化学式 4式% だし、REは希土類、すなわち、Y、Dy、Gd。
たはLuのうちの1つ以上の元素である。
1金属元素に関して、化学量論的に異なる。この第1金
属元素は、一般的に、前駆物質において、所望の超伝導
酸化物よりも大きな割合で存在する。さらに、前駆物質
は、本質的に化合物に対応した平均組成をもつ。例えば
、前駆物質は(RE)Ba2 Cu40z (z 〜
8) 、または3 (RE)Ba2Cu、502 (z 〜7.5)である
。前者はrl−2−4J物質、後者は「1−2−3.5
J物質と呼ばれる。
、沈殿相が第1金属元素からなり、および、少なくとも
ほとんどの沈殿(および残留前駆物質)が第1相物質の
結晶粒子内に存在するように実行される。例えば、沈殿
は第1金属の酸化物(例えば、CuOまたは他の酸化銅
)であり、残留前駆物質は1−2−3.5または1−2
−4である。
、多数第1相の融点(T )よりも低い口 分解温度(Td)をもつように選択される。本方法は、
多相物質が生じるように、Tdよりも高い(しかしT
よりは低い)温度に、ある有効な時用 間、前駆物質を維持して分散沈殿相を形成する。
しくは、Tdより高い、少なくとも約30℃である。一
般的に、時間は0. 1分から100時4 間の範囲にあり、望ましくは1分から10時間であり、
この時間は、当業者には認識されるように、温度に依存
して決められる。上記の一般的な範囲は、工業的プロセ
スにおける都合によって選択されているものであり、必
ずしも基本的重要性はない。
の温度をTd以下に低下させ、少なくともほとんどの分
散沈殿用を保持することからなる。
範囲にある。一般的に、望ましい実施例はまた、所望の
超伝導酸化物が多数第1相から生成するように、酸素含
有雰囲気内での低速冷却(中間温度における1回以上の
水浸を排除するものではない)からなる。理解されるこ
とは、ある場合には、第1相は、所望の超伝導酸化物と
本質的に同一の酸素含有量をもち、従って所望の超伝導
体と同等であることである。これは、例えば、所望の超
伝導体が、関連するプロセス温度で酸素をあまり失わな
い場合である。このような超伝導体の例5 は、1−2−4である。
ク・サンプルで実現可能なものよりも非常に高い(一般
的に、少なくとも2.5倍、さらには10倍もの)粒子
的臨界電流密度(J °)をもつバルク高温酸化物超伝
導体を製造するために使用することができる。
つの前駆化合物の例は1−2−3.5である)からなり
、第1相は、公称組成 YBa2Cu307−5をもち、所望の超伝導酸化物は
公称組成YBa Cu Oをもち、Tdは2
3 7 約860℃であり、多相物質は約900℃で形成され、
多相物質はおよそ10から100℃/分の範囲の速度で
Td以下の温度に冷却される。本発明の実施例のバルク
・サンプルは、77にで、0.9テスラの外部磁場下に
おいて、105A/Cm2のオーダーのJ °を示した
。これは、同一条件下でYBa2Cu3O7の従来のバ
ルク・サンプルで観測されたJe’ の値の10倍以上
で6 ある。
される。本発明の実施は、第1相および、その中に微細
に分散する沈殿相からなる多相物質に分解されることが
できる適当な前駆化合物の存在のみを実質的に必要とす
る。この第1相は所望の超伝導体であるか、または、適
当な熱処理によって所望の超伝導体に変換されるもので
ある。しかし、説明の簡明さと容易さのために、以下の
説明は、所望の酸化物超伝導体として1−2−3物質に
適用可能な言葉で主として行われる。最も一般的に使用
されている1−2−3物質では、REはYである。他の
1−2−3物質は、 YBa2Cu302 (z〜7)に非常に類似のふるま
いをすることが知られているので、Y B a 2 C
u 302で得られた結果は一般的にその他の1−2−
3物質に直接適用することができる。
それぞれ70〜80におよび約50 KのT。で、いず
れも超伝導になり得る。しかし、不十分に酸化された場
合、1−2−4物質および1−2−3.5物質は、より
低いT をもつが、または非超伝導になることがあるが
、それでもなお前駆物質として有用である。さらに、原
理的に、まったく超伝導体でない前駆物質もまた本発明
の実施に有用になり得る。認識されることは、1−2−
4(特にCa置換1−2−4)のような超伝導体は、1
−2−3物質に対する可能な前駆物質であるとともに、
潜在的に、所望の超伝導体であり得る。
多相物質に分解する(おそらく酸素に関しては除外して
)化学量論的化合物からなる。
異なる組成をもつ多数第1相からなる。多相物質はさら
に微細な分散沈殿用からなる。
4以上のある温度範囲にわたってほとんど安定である必
要がある。さらに明かなことは、ここで参照されている
一般の温度の多くは正確に(化合物の融点が定義される
ような意味で)定義された5ものではなく、動的に決定
されるものである。例えば、ここでのTdは、前駆化合
物の分解が工業的に受容できる速度、例えば、前駆物質
の約90%が24時間以内に分解するような速度で起こ
るような温度である。
合、YBa2Cu3O7(z〜8)が好ましい前駆物質
の例である。周知のように、1−2−4相は、1−2−
3相と比較して、各単位格子内に付加的なCuO層を含
むものと見ることができ、約70〜80にのT をもつ
。すでに開示されティるように(D、 E、モリス(D
、 E、 MorriS)他、Physica C、第
159巻、287〜294ページ、1989年参照)
、1−2−4の合成は比較的高い酸素圧力(例えば、約
35ati+)を必9 要とするが、われわれは、高品質1−2−4物質は1
ateの酸素圧力においても合成できることを発見した
。例えば、このことは、適量のCu0(または酸に溶解
したCub)を1−2−3粉末と混合し、その混合物を
すりつぶし、塊を形成し、約810℃で(途中の粉砕お
よび圧着とともに)全部で約12日間酸素中で焼結する
。第1図は、このようにして製造されたYBa2Cu4
O8のA、 C,磁化率のデータ(曲線11)を示し
、第2図は、このようなY B a 2 Cu 40
gに対する熱重量分析的な重量損失のデータ(曲線21
)を示している。第2図は、約850℃以上の温度で1
−2−4物質が分解していることを示している。
Cu4O8の分解によって製造されたYBa2Cus
o2 (z 〜7)に対する対応するデータ(それぞれ
曲線12および22)も示している。
て1−2−3型の超伝導体を製造するために使用す0 ることかできる唯一の前駆化合物ではない。
化合物である。他の前駆化合物も、関係する相図が作成
されつつあるので、まもなく発見されるであろう。さら
に、他の化合物は、 (RE ) B a 2 Cu s o2以外の高温超
伝導物質の製造に有用であろう。
、および、従来の方法で製造されたY B a 2 C
u a o y (曲線30)に対する従来の磁化デ
ータを示している。本発明の物質内の所望される超伝導
体もまたYBa2Cu3O7である。
テリシスの量(磁化曲線の低いほうの分枝(H増大)と
高いほうの分枝(H減少)の磁化の絶対差で表現可能:
この差はΔMと表される)は曲線31のほうが非常に大
きい。このことの結果として、両物質が類似した粒子サ
イズをもつと仮定すれば(この類似性は実際に観測され
ている)、本発明の物質において非常に大きなJc’が
実現1 される。
)バルク超伝導体が使用されるか、または、使用される
ことが提案されていたすべての応用分野において使用可
能であることが期待される。
概観については、例えば、B、 B、 シュワルツ(
B、 B、 Schwartz)、S、フオーナー(S
、 P。
uperconductor Application
s: 5QLIIDs and Maehines)J
、、ブレナムφブレス(Plenum Press)
、1977年;およびS、フォーナー(S、 Pone
r)、B。
「超伝導体の材料科学、冶金学、製造法、応用(3Bp
erconduetor Material 5cie
nce、 Metallurgy、 Fabricat
4゜ns、 and App!1eations) J
、ブレナム・プレス、1981年参照。応用の中には
、送電線、回転機械、および超伝導磁石があり、超伝導
磁石は、核融合発電機、MHD発電機、粒子加速器、空
中浮上車、磁力選鉱、エネルギー貯蔵に使用される。
テープまたはシート(金属被覆または金属芯超伝導ワイ
ヤ、テープまたはシートを含む)のような比較的大きな
塊や、細長い塊だけでなく、シルク書スクリーン法また
は類似のプロセスによって製造された型の「厚い」膜を
も意味する。本発明はまた、スパッタリング、蒸着、ま
たはレーザ・アブレーションのような堆積技術によって
製造された薄膜に対しても有用に適用される。この場合
、本発明の方法は、磁束ピン止め効果をさらに高めるこ
とができる。
び分散沈殿相(およびおそらく残留前駆物質)に加えて
、本発明のプロセスと両立し、はとんど超伝導体に悪影
響を及ぼさない他の物質を含むことがある。このような
物質の例は、粒子の形でのAgおよび酸化銀である。周
知のように、銀粒子の存在は、1−2−3物質の力学的
および熱的性質によい影響を与え、物質内への酸素の拡
3 散を促進し、接触抵抗が小さくなることがある。
d Physics Letters s第54巻、2
605ページ(1989年)参照。) さらに、所望の超伝導体と共存することができる関連す
る物質系の他の相も存在することがある。
ような相はY2BaCuO5、Y2O3、BaCuO3
である。所望の超伝導体よりも多量に存在する物質はな
く、−船釣に、所望の超伝導体は、体積で、本発明によ
る物質の少なくとも50%である。
る応用例を示している。第4図に示された構造は、B、
B、 シュワルツ(B、 B、 Schwartz)
、S、フォーナ−(S、 Poner)編、「超伝導体
の応用;5QUIDと機械(Superconduct
or Applications: 5QIJIDs
and Machines)J、(プレナム・プレス(
Plenum Press)、ニューヨーク、1977
年)の、G、ボグナー(G、 Bogner)著、「超
伝導の大規模4 な応用(Large 5cale Applicati
ons of 5uperconductivity)
Jに詳細に説明されている。簡単に説明すると、図示
されている構造は、外部被覆51、熱絶縁層52aおよ
び52b1真空環状領域53aおよび53b5スペーサ
54、窒素充填環状領域55、熱シールド56、および
冷却剤領域57aおよび57bである。構成要素58は
本発明による超伝導物質である。第5図は、超伝導磁石
を示しており、これは、適当な極低温液体で満たされ、
本発明による超伝導物質の巻線62を含む環状クライオ
スタットからなる。端子線63および64は、コイルか
ら出ているように示されている。
、B。
「超伝導体の材料科学、冶金学、製造法、応用(Sup
erconductor Material 5cie
nce、 Metallurgy、 PabrJeat
jOns、 and Applications) J
、(プレナム・プレス、ニューヨーク、1981年)の
、R,A、バイン(R,A、 tlein)、D、 U
、グブサー(D、 U、 Gubser)著[米国にお
ける応用(Applications in the
Uni5 ted 5tates) Jに説明されている。第6図
に巻線71として示されている超伝導要素は、本発明の
物質で製造されている。第6図の構造は、核融合反応の
閉じ込めに対して広範囲の使用法が見つかることが期待
されるものの例と考えられる。
れ、Y B a 2 CLJ 408に対応する平均組
成の混合物を生じた。さらにすりつぶした後、この混合
物はベレット(2X3X30mm)に押し固められ、こ
のベレットは空気中で810 ’Cに加熱された。これ
らの条件は、途中に数回の粉砕およびペレット化のステ
ップをはさんで、全12日間維持された。後に、1つの
ベレットの粉末X線解析では、この物質が本質的に純粋
な1−2−4相であることが示された。この物質は約7
5にのToをもっていた。このように製造された数個の
ベレットが810℃に加熱され、15分間この温度に維
持され、5分間で920℃に加熱され、この温度に1.
5分間維持され、つづいて750 ’C6 に急冷(全冷却時間は10分間)され、以上はすべて酸
素流中で行われた。この処理の結果、12−4前駆物質
が他成分物質(1−2−3物、質および微細に分散した
酸化銅)へとほとんど完全に分解し、分散した酸化銅の
少なくとも大部分が急冷中に保持された。750℃への
急冷後、ベレットは酸素流中で380℃以下まで25℃
/時でゆっくりと冷却され、1−2−3物質の酸素の化
学量を調節した。、透過型電子顕微鏡によって、多くの
微細な酸化銅粒子の存在(一般的に直径100〜400
nm)と、粒子をとりま< 1−2−3相内の高密度の
欠陥が明らかにされた。
が約90にのT をもつことが示され、X線回折解析に
よって、本質的に YBa2Cu3O7ピークおよびCuOピークのみの存
在が示された。77にでの磁化測定の結果は、第3図の
曲線31として示されたデータである。従来のYBa2
Cu3O7ベレット(上記参照の混合物において使用さ
れる1−2−3粉末の7 同一のバッチから製造され、920℃で8時間焼結され
、25℃/時で380℃以下に冷却され、すべて酸素流
中で行われる)もまた測定され、その結果は第3図の曲
線30として示されている。
によって決定された。いくつかの結果が表Iに与えられ
ている。ここで、「A」は従来技術の対照サンプルを表
し、rBJは本発明による物質を表す。
aO)のベレットが、ベレットが920℃で4時間保
持されることを除いては例1で説明されたの8 とほとんど同様にして製造された。生成した物質は、7
7’KSH−0,9テスラにおいて、ΔM = 0 、
46 e m u / c m 3d〜1.7X10−
’cm、 J ’ 〜7.7X10’ A/cm2であツタ。
とを除いては例2で説明されたのとほとんど同様にして
製造された。生成した物質は、H−0,9テスラにおい
て、ΔM= 0. 13 e m u 7cm8、d〜
4.3X10−’cm、およびJ0〜0.9X10’
A/cm2であった。
分解時間の結果J °が低くなることがわかる。一般的
に、最適分解時間は温度の関数である。Tdに比較的近
い温度に対しては、最適分解時間は比較的長いことが期
待され、Tdと比較してずっと高い温度に対しては、最
適分解時間は比較的短いことが期待される。多相物質の
最低融解槽の融点T は確かに分解温度の上限であるが
、如 ある物質系では多相物質の1つ以上の相がT11以9 下の温度で分解することがある。このような系では、前
駆物質の分解温度は、多相物質に付随するどの分解温度
よりも低く選択される。所望される超伝導体が1−2−
3型物質の場合、分解は一般的に約860℃以上、望ま
しくは約900℃以上で、0.1分から10時間、さら
に望ましくは1分から4時間の範囲の時間実行される。
分解が不十分になることがあり、あまりに長い時間やあ
まりに高い温度では、望ましくない焼き鈍しや磁束ピン
止め欠陥の空疎化を引き起こすことがある。
た物質は、類似した組成の従来の高温超伝導物質におい
て観測されたものよりも非常に高い(1桁以上)J ′
をもつことがある。この改善の原因は、本発明の物質に
おける強化された磁束ピン止め効果に帰せられる。ビン
止め中心の正確な性質はまだ完全には理解されていない
。可能なピン止め中心は、微細に分散したCuO(また
0 は他の酸化銅)沈殿、または沈殿の形成、または分解プ
ロセス、または残留前駆物質に付随した欠陥を含む。
向した構造をもつように、予備的にMTGプロセス(お
そらく比較的高い酸素圧力で)を受ける。これによって
、弱結合の有害効果を減少することができる。前駆物質
の粒子配向はまた他の手段、例えば、力学的または磁場
配列によって、または溶液、融解、または蒸気相から基
板上へのエピタキシャル成長によっても実現することが
でき、すべてのこのような手段が考慮される。
発明による分解および酸素中熱処理後の同一のペレット
の、A、 C,磁化率の温度依存性に関するデータの
例を示す図、 第2図は、1−2−4物質および1−2−3物質に対す
る重量損失データの例を示す図、第3図は、本発明に従
って製造された物質、お1 よび、従来の方法で製造された1−2−3物質に対する
磁化データの例を示す図、 第4図〜第6図は、本発明に従って製造された高温超伝
導体に対する潜在的応用例を示す図である。 出 願 人:アメリカン テレフォン アンド2 H(koe) 特開平3−187902 (10)
Claims (11)
- (1)公称組成M_xM′_y……O_z(ここで、M
、M′、……は金属元素、x、y、……、zは正数)の
超伝導酸化物からなる製品を製造する方法において、 前記超伝導酸化物が粒子内臨界電流密度J_cをもち、
前記方法が、 a)前記超伝導酸化物と化学組成が異なる前駆物質を準
備するステップと、 b)前記前駆物質を酸素含有雰囲気内で熱処理し、前記
超伝導酸化物を生成するステップと、c)前記製品の完
成までのさらに1つ以上のステップを実行するステップ
、 からなり、 d)前記前駆物質が、少なくとも第1金属元素に関して
、本質的に化学量論的化合物に対応し、前記超伝導酸化
物の組成とは異なる平均組成をもち、前記第1金属元素
は、前記超伝導酸化物内より前記化学量論的化合物内に
大きい割合で存在し、e)ステップb)が、多相物質が
形成されるように前記前駆物質を熱処理するステップを
含み、前記多相物質は、公称組成が前記超伝導酸化物の
組成と高々酸素に関して異なる第1相からなり、さらに
、前記多相物質は、沈殿相からなり、この沈殿相は前記
第1金属元素からなり、前記第1相の少なくとも大部分
に分散し、さらに、それによって前記超伝導酸化物が比
較的に高いJ_c′の値をもつことが可能となることを
特徴とする高温超伝導物質の製造方法。 - (2)前記前駆物質が、平均組成M_x′M′_y……
O_z′をもち、Mは前記第1金属元素であり、x′は
xよりも大きく、z′はzと異なってもよいことを特徴
とする請求項1記載の方法。 - (3)前記前駆物質が、 平均組成(RE)Ba_2Cu_4O_z′をもち、C
uが前記第1金属元素であり、REはY、Dy、Gd、
Yb、Eu、Nd、Sm、Ho、Er、Tm、La、L
uからなる群のうちの1つ、またはそれらの組合せであ
り、 前記超伝導酸化物が、 公称組成(RE)Ba_2Cu_3O_zをもち、zは
約7であり、 前記沈殿相が酸化銅からなる ことを特徴とする請求項2記載の方法。 - (4)前記前駆物質がさらに分散したAg粒子および/
または分散した酸化銀粒子からなり、選択的に、M、M
′、……の1つ以上の酸化物からなることを特徴とする
請求項1記載の方法。 - (5)前記前駆物質が本質的に化学量論的化合物からな
ることを特徴とする請求項2記載の方法。 - (6)前記前駆物質が 本質的に(RE)Ba_2Cu_4O_z′、または(
RE)Ba_2Cu_3_._5O_z′、に等しい平
均組成をもつことを特徴とする請求項3記載の方法。 - (7)a)ステップが、結晶粒子からなる前駆物質を準
備するステップからなり、少なくともいくつかの前記粒
子がランダムには配向していないことを特徴とする請求
項1記載の方法。 - (8)緻密な前駆物質が生成するように、少なくとも開
始物質の一部を融解し再固化するステップを含むことを
特徴とする請求項7記載の方法。 - (9)前記前駆物質が分解温度T_dをもち、前記方法
が、前記多相物質が生成するように、前記前駆物質をT
_d以上の温度にある有効な時間維持して前記分散沈殿
相を形成するステップと、前記多相物質の温度をT_d
以下間である有効な速度で低下して、前記分散相の少な
くとも大部分を保持するステップとを有する ことを特徴とする請求項1記載の方法。 - (10)前記化学量論的化合物が、 組成(RE)Ba_2Cu_4O_z′または(RE)
Ba_2Cu_3_._5O_z″をもち、REは、Y
、Dy、Gd、Yb、Eu、Nd、Sm、Ho、Er、
Tm、La、Luからなる群のうちの1つ、または、そ
れらの組合せであり、ステップb)がさらに、前記第1
相物質から(RE)Ba_2Cu_3O_z(z〜7)
を形成するのに有効な時間、前記多相物質をT_dより
低く約380℃より高い温度に維持するステップを含む
ことを特徴とする請求項9記載の方法。 - (11)T_dより高い前記温度が少なくとも約900
℃であり、T_dより低い前記温度が約800℃以下で
あることを特徴とする請求項10記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US44228589A | 1989-11-28 | 1989-11-28 | |
| US442285 | 1989-11-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JPH07108772B2 JPH07108772B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=23756233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2320535A Expired - Lifetime JPH07108772B2 (ja) | 1989-11-28 | 1990-11-22 | 高温超伝導物質の製造方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JPH07108772B2 (ja) |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0280323A (ja) * | 1988-05-13 | 1990-03-20 | W R Grace & Co | 組成物 |
Family Cites Families (2)
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1990
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- 1990-11-22 JP JP2320535A patent/JPH07108772B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280323A (ja) * | 1988-05-13 | 1990-03-20 | W R Grace & Co | 組成物 |
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| Publication number | Publication date |
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| EP0430568B1 (en) | 1997-09-03 |
| JPH07108772B2 (ja) | 1995-11-22 |
| EP0430568A2 (en) | 1991-06-05 |
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| EP0430568A3 (en) | 1991-06-26 |
| DE69031375T2 (de) | 1998-03-26 |
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