JPH03188419A

JPH03188419A - 液晶表示装置およびその製造法

Info

Publication number: JPH03188419A
Application number: JP1327899A
Authority: JP
Inventors: Keisuke Tsuda; 津田　圭介; Chikako Kawasaki; 川崎　千芽子; Isako Kikuchi; 菊池　伊佐子; Katsuhiko Kumakawa; 克彦熊川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-12-18
Filing date: 1989-12-18
Publication date: 1991-08-16
Anticipated expiration: 2014-09-27
Also published as: JP2953720B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、映像表示を行う液晶表示装置およびその製造
法に関し、特に表示品位の高い液晶表示装置およびその
製造法を提供するものである。

従来の技術現在、表示画素の各々に薄膜トランジスタ素子（ＴＰＴ
）を設けた構成の、アクティブマトリクス型液晶表示装
置において、最も広く用いられているものにＴＮ　（Ｔ
ｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　）型がある。

ＴＮ型は、基板間で液晶分子が９０°捻れた構成をもつ
液晶パネルを、２枚の偏光板により、挟んだものである
。この２枚の偏光板の偏光軸方向は、互いに平行（ノー
マリ−ブラックモード）か、直交（ノーマリ−ホワイト
モード）させており、又、一方の偏光板の偏光軸は、一
方の基板に接している液晶分子の長袖方向と平行か垂直
になるように（ライトガイドモード）、貼り合わせてい
る。このようなＴＮ型液晶表示装置の、液晶にかかる電
圧を制御すると、白、黒の表示を出すことができる。ノ
ーマリ−ホワイトモードの場合、液晶パネルを通過して
くる光の透過率Ｔと、液晶層にかかる実効電圧Ｖ　ｒｍ
ｓとの間には、第８図のような関係（Ｔ　−Ｖ特性）が
あり、電圧無印加あるいはｖｔｈ以下の電圧で白表示、
Ｖｍａｘで黒表示が得られる。

一方、ノーマリ−ブラックモードの場合、液晶パネルを
通過してくる光の透過率Ｔと、液晶層にかかる実効電圧
Ｖ　ｒｍｓとの関係は、ノーマリ−ホワイトモードと反
対に、電圧無印加あるいはｖｔｈ以下の電圧で黒表示、
Ｖｍａｘで白表示が得られる。

（例えば、プロシーデインダス　オブ　ザ　９スインタ
ーナシヨナル　デイスプレィ　リサーチコンフエレンス
、ジャパン　デイスプレィ　’８９ピーピー、　２８６
　　（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　Ｔｈｅ　９ｔｈ
　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｒｅ
５ｅａｒｃｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、　ＪａｐａｎＤ
ｉｓｐｌａｙ　’８９　　ｐｐ、２８６））ところで、
ＴＰＴ素子を用いた液晶表示装置の場合、ＴＰＴのスイ
ッチング機能により、選択時に信号線から供給される電
圧Ｖｓが、基本的には次の選択時まで画素内で保持され
るため、その画素内での液晶に印加される実効電圧は、
やはりＶｓとなる。従ってて、Ｖｓがｖｔｈ〜Ｖ　ｔａ
ａｘの任意の値を取ることにより、白から黒までのさま
ざまな明るさの階調表示を行うことができる。このこと
は、ｖｔｈとＶ　ｍａｘの電圧差が大きい程、つまりＴ
−Ｖ特性のカーブがなだらかな程、多階調表示が容易と
なる。

発明が解決しようとする課題従来のようなアクティブマトリクス方式によるＴＮ型液
晶表示装置では、以下のような課題が生じる。従来の技
術では、多階調表示を実現するためには、Ｔ−Ｖカーブ
のゆるやかな液晶材料を用いればよいと述べたが、実際
にはゆるやかな液晶材料を用いても、第８図で透過率Ｔ
が９０％となる電圧■９゜と１０％となる電圧■、。と
の比■１゜／　ｖ　ｑ。

の値は、１．４〜１．５程度である。従って、８階調、
１６階階調度の階調表示は比較的簡単に実現できるが、
今後映像表示としてＣＲＴを凌駕し、さらにはハイビジ
ョンを液晶で実現するために、１２８、２５６階調表示
が要求されるに当たっては、現状の駆動ＩＣの電圧偏差
や、各画素毎のＴＰＴ素子特性のバラツキ等を考慮に入
れると、もはや現在の■１゜／Ｖ、。の値では、実現不
可能となる。さらに、一方の基板の液晶層と接する面に
、金属等で反射面を形成し、もう一方の基板側にのみ偏
光素子を配置したような、反射型の液晶表示装置の場合
、透過型と比較して、液晶、液晶層の厚み、液晶分子軸
の捻れ角のいずれもが等しくても、■１゜／Ｖ、。

の値は小さくなる傾向にある。従って、このような構成
の反射型液晶表示装置では、なお−層多階調表示は難し
くなる。

一般にＴＮモードでは、電圧無印加時に入射線偏光に対
して、液晶層を通過した後の出射光は、偏光軸の直交し
た直線偏光となるように液晶パネルを設計する。このと
きの条件は、通常、光学的な位相差Δｎ−ｄ／λ（Δｎ
−液晶の屈折率異方性、ｄ＝液晶層の厚み、λ＝光の波
長）がほぼ１である。ところで、このとき表示モードが
ノーマリ−ブラックモードの場合、以下のような課題が
付加される。ノーマリ−ブラックモードでは、電圧無印
加時に黒表示となるので、黒付近の表示は光学的位相差
が１付近という比較的大きい領域を用いることになる。

従って、波長依存性が大きく、黒付近の中間調では色度
変化の激しい表示品位の非常に悪いものになってしまう
。

一方、ノーマリ−ホワイト表示では、光学的位相差が大
きい領域で白表示となるが、このときは波長依存が生じ
ていても、色度変化は少ない。又、黒付近では、光学的
位相差が小さくなり、従って波長依存性そのものも小さ
くなるので、やはり色度変化のない均一で、良好な表示
かえられる。ところが、ノーマリ−ホワイト表示にも次
のような欠点が残される。コントラスト比の高い表示を
得ようとすると、黒表示での光の透過率をできるだけ低
くする必要があるが、ノーマリ−ホワイト表示は、電圧
を印加して、液晶分子が基板面に対して垂直に立ち上が
った状態で黒となるものである。

これは液晶分子は、分子の長袖方向が光の進行方向に平
行なときには、光学的な位相差は生じず、光は偏光成分
を変化することなく液晶層を通過するためである。実際
には、電圧をある程度印加しても、基板界面付近の液晶
分子は、基板との相互作用が強く、完全には立ち上がら
ない。従って、光学的な位相差は若干存在し、そのため
に光の偏光状態は変化し、真の黒にはなりにくい。従っ
てコントラスト比を上げるためには、ＩＯＶ以上という
大きな電圧が必要となり、駆動ＩＣの耐圧の課題から、
この表示モードも高品位な画像表示としては最適なもの
ではない。

本発明は、上記課題に鑑み、ＴＰＴの形成された液晶表
示装置において、新規な表示モードを考案することによ
り（たとえば電界制御複屈折効果のノーマリ−ホワイト
モードに光学位相差板を積層させた構成）、液晶層に印
加される最大の電圧を高くすることなく、かつ■１゜／
Ｖ、。の値を大きくすることにより、多階調表示を容易
とするとともに、色度変化の小さい良好な映像表示が実
現できる液晶表示装置その製造法を提供することを目的
としたものである。

課題を解決するための手段前記課題を解決するために、本発明の液晶表示装置は、
バス・バー電極層と画素電極層とが、所定の形状の薄膜
トランジスタ素子を介して接続されてなる一方の基板と
、電極を有したもう一方の基板とを、電極のある側を対
向させて所定の間隙部を設けて貼り合わせ、前記間隙部
に液晶を充填し、かつ電圧を印加した状態で所望の光学
的異方性を有する液晶パネルと、前記光学的異方性を相
殺するような光学位相差板とを積層していることを特徴
としたものである。

液晶パネルは、液晶の分子長軸方向が、基板に対して平
行に配列されているような、ホモジニアス配向したもの
でも、これに液晶分子に捻れ構造を有したツイスト配向
をしたものでもよい。又、液晶分子長軸方向が、基板の
一方に対しては平行に配列されており、もう一方の基板
に対しては垂直に配列されているような、ハイブリッド
配向のものでもよい。さらに、液晶パネルは、一方の基
板上に光を反射させる反射板を設けたような反射型のパ
ネルであっても同様な効果が得られる。

一方、光学位相差板は、対向する２枚の基板間に液晶を
充填し、所望の光学的異方性を有する第２の液晶パネル
であってもよい。この第２の液晶パネルの製造法として
、第１の基板上に、物質を所望の厚さに形成し、所望の
形状にパターニングする工程を経た後、第１の基板の物
質のある側と、第２の基板とを向かい合わせて貼り合わ
せ、前記物質の厚みにより、前記第１の基板と前記第２
の基板が所望の間隙を保つようにして、前記間隙に液晶
を充填し、光学位相差板を作成する工程を有するような
ものも可能である。この物質はクロムであり、真空蒸着
法あるいはスパッタ法により形成されたものであっても
よい。

又、この第２の液晶パネルは、ホモジニアス配向や、ツ
イスト配向、ハイブリッド配向したものでもよい。そし
て、これらの配列をした第２の液晶パネルは電極を有し
ており、電圧を印加した状態で所望の光学的異方性を有
するものでもよい。

さらには、この光学位相差板は、所望の光学的異方性を
有したフィルムである場合もある。

作用本発明は、前記のような構成にしたことにより、液晶パ
ネルに所望の電圧を印加したときに、液晶分子が完全に
基板に対して垂直に立ち上がらない場合でも、このとき
に生じている液晶パネルでの光学的異方性を相殺するよ
うな、光学的異方性を有する光学位相差板を液晶パネル
に積層することで、完全な黒表示を実現できるので、そ
れほど高くない電圧でも、コントラスト比の高い表示を
行うことができる。つまり、液晶分子が完全に基板に対
して垂直に立ち上がらない場合、液晶パネルに光学的異
方性が生じるので、入射直線偏光のうち一方の振動成分
は進み、これに直交するもう一方の振動成分は遅れて偏
光状態を変える。この状態で液晶パネルを出射した光の
うち、遅れた方の振動成分と、光学位相差板の進相軸と
が平行になるように光学位相差板が積層されていると、
光は進んだ振動成分は今度は遅れ、遅れた振動成分は進
ようになる。光学位相差板の光学的異方性が、液晶パネ
ルのそれと同じになったとき、互いに直交する振動成分
の間で、位相差を生じることがなくなり、このとき、全
く入射直線偏光と同じ直線偏光で出射される。ノーマリ
−ホワイトモードの場合、出射側の偏光板は、この光を
全く遮断するため、真の黒表示を得ることができるので
ある。

従って、液晶パネルに所望の電圧を印加した状態で生じ
る光学的異方性の値と、光学位相差板の光学的異方性の
値が、等しくなるように設定することで、その電圧の値
で真の黒を出すことができ、この電圧は、如何なる値で
も設定できるので、駆動ＩＣの耐圧に見合った電圧とす
ることもでき、駆動電圧に関する課題が解決されるので
ある。

さらに、少なくとも一方の基板に接している液晶分子の
長軸方向が基板に対して平行に配向し、かつ液晶分子が
基板間で捩れずに配向している液晶パネルにおいて、基
板に平行に配向している液晶分子の長袖に対して、所定
の角度αを持つように偏光素子の偏光軸を配置して、光
を入射させると、電界制御複屈折項により、液晶層に印
加される電圧に伴い、液晶パネルを通過する光の透過率
が変化する。α＝４５°とし、かつ電圧無印加時の液晶
パネルの光学位相差板Δｎ−ｄをλ／２に設定した場合
、透過率−電圧曲線は第３図のように緩やかな勾配を持
った特性を示し、多階調表示が容易となる。

一方、光学位相差板のΔｎ−ｄは１０ｎｍ程度と非常に
小さいので、光学位相差板を電圧を印加しない液晶パネ
ルで作成する場合、従来のような液晶パネルの製造法で
は製造できない。なぜならば、液晶のΔｎは０゜１程度
であるので、パネルの厚みｄが１１（１０ｎ程度にする
必要があるからである。

このような、薄さのパネルを作る手法としては、クロム
などの物質を、蒸着などの手段において基板上に１１（
１０ｎ形成した後、適当な形状にパターニングしたもの
の上に、もう一方の基板を重ね、物質の厚みと同じ間隙
部を設け、この間隙部にΔｎ＝０．１の液晶を封入すれ
ば、容易に光学位相差板を液晶パネルで作成することが
できる。

実施例以下、本発明の１実施例の液晶表示装置について図面を
参照しながら説明する。

第１図は本発明の第１の実施例における液晶表示装置の
構成断面図であり、第２図は本発明の第１の実施例にお
ける液晶表示装置の動作原理を示すものである。第１図
において、１は液晶パネル、２は光学位相差板である第
２の液晶パネル、３は基板、４はゲート電極、５はゲー
ト絶縁層とアモルファスシリコン層の積層、６は画素電
極、７はドレイン電極、８はソース電極、９はＩＴＯ層
、１０は垂直配向処理層、１１は水平配向処理層、１２
は液晶分子、１３は偏光板である。以上のように構成さ
れた液晶表示装置について、以下第１図および第２図を
用いてその動作を説明する。

まず、第２図において、１４は第１の偏光板、１５は偏
光軸、１６は液晶パネル、１７は液晶分子の長袖方向、
１８は光学位相差板、１９は光学位相差板の遅相軸、２
０は第２の偏光板である。

まず、ガラスを用いた絶縁性基板３の上に、金属膜を電
子ビーム蒸着により形成した後、フォトエツチングによ
りゲート電極４を形成した。次にプラズマＣＶＤ法によ
り、ゲート絶縁膜として窒化シリコン層を約４（１００
人の厚さに形成した後、同じくプラズマＣＶＤ法により
アモルファスシリコン層５を約６（１０人の厚さに形成
した。このアモルファスシリコン層をフォトエツチング
により、第１図の５の形状にパターン化した。

次にアルミニウム、クロム、チタン等をスパッター法で
前面に設けた後、フォトエツチングにより、ドレイン電
極７、ソース電極８、を形成した。

さらに、ＤＣスパッター法によりＩ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｇｉ
ｕｍＴｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）を前面に設けた後、フォトエ
ツチングにより透明電極層を形成し、画素電極６とした
。

このようにしてＴＰＴ素子の形成された基板の上に、垂
直配向剤１０としてチッソ社製の０ＤＳＥをエタノール
で０．８％に希釈した溶液を２５０Ｏｒｐｍでスピンコ
ードし、１３０°Ｃで３０分加熱乾燥した。

一方、透明な共通電極のパターニングされた対向基板上
に、ポリイミド配向膜を印刷法により約１（１００人形
成し、３（１０°Ｃ１１時間加熱硬化させた後、レーヨ
ン布によりラビング処理を施して、水平配向膜１１を形
成した。

この垂直配向処理の施されたＴＰＴ素子の形成された基
板と、水平配向処理の施された共通電極の形成された対
向基板とを、電極側が向かい合うように対向して貼り合
わせ、液晶を注入して、−方の基板からもう一方の基板
にかけて液晶分子１２が垂直から水平に徐々に傾斜して
行くような配向を得、これを液晶パネル１とした。つぎ
に、光学位相差板としての第２の液晶パネル２を作成し
た。

作成に当たっては、透明電極の形成された２枚の基板３
のうち、一方の基板の上には、上記液晶パネルの配向手
法と同様に垂直配向処理を、もう−方の基板の上には水
平配向処理を施し、上記液晶パネルと全く配向、液晶層
の厚みの等しい第２の液晶パネル２を得、光学位相差板
とした。

以上のようにして得られた、液晶パネルの水平配向され
た側の液晶分子１２の長軸方向１７と、第２の液晶パネ
ル２の水平配向された側の液晶分子長軸方向（遅相軸１
９）とが互いに直交するようにして重ね、これを液晶表
示装置とした。この液晶表示装置の外側の一方の面に、
水平配向された液晶分子の長袖方向と４５°の角度をな
すように、偏光軸１５を設定した第１の偏光板１４を設
け、もう一方の面には、偏光軸が第１の偏光体１４の偏
光軸１５と直交するように第２の偏光体２０を設けた。

この構成において、第２の液晶パネル２に５Ｖの実効電
圧を印−１液晶パネル１の印加電圧を変えていったとこ
ろ、この液晶表示装置の透過率−電圧特性は、第３図の
ようになり、液晶パネルに印加されている実効電圧が５
ｖの状態で良好な黒表示が得られ、かつ勾配の緩やかな
多階調表示に適した映像表示が実現された。

また、液晶の配向処理が、いずれの基板に対しても上記
水平配向処理を施したものであり、これら基板の電極側
が向かい合い、かつ互いに施されたラビング方向とが平
行となるようにして貼り合わせ、液晶を注入して、液晶
分子の長袖方向が基板間で涙れずかつ基板面に対して平
行な配向をしているような、液晶パネルと第２の液晶パ
ネルを用い、上記偏光板配置と同様な構成の液晶表示装
置を作成しても、やはり透過率−電圧特性が緩やかな勾
配を持ち、黒の沈み込みも良い、良好な表示を得ること
ができた。

以下、本発明の第２の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。

第４図は本発明の第２の実施例における液晶表示装置の
構成断面図である。第４図において、２１は液晶パネル
、２２は光学位相差板である第２の液晶パネル、２３は
基板、２４はゲート電極、２５はゲート絶縁層とアモル
ファスシリコン層の積層、２６は画素電極、２７はドレ
イン電極、２８はソー、２．を極、２９はＩＴＯ層、３
０は垂直配向処理層、３１は水平配向処理層、３２は液
晶分子、３３は偏光ビームスプリッタ−である。以上の
ように構成された液晶表示装置について、以下第４図を
用いてその動作を説明する。

第１の実施例とほぼ同様な手法であるが、第１の実施例
の液晶パネルと異なり、液晶パネル２１はドレイン電極
形成前にアルミニウムをスパッタ法により約１μｍ形成
し、これを反射板であると同時に、ドレイン電極と接続
された画素電極２６としている反射型となっている。こ
の液晶パネル２１に第１の実施例と全く同し構成の光学
位相差板である第２の液晶パネル２２を積層させ、さら
にその上に偏光ビームスプリッタ−３３を設けた。偏光
ビームスプリッタ−３３の偏光軸と、第２の液晶パネル
２２の基板２３に対して平行に配向させた側の液晶の分
子長軸方向とは４５°の角度をなして配置させた。

以上のような反射型の液晶表示装置において、その反射
率−電圧特性は、第５図のようになり、黒表示となる実
効電圧は、第１の実施例のような透過型の液晶表示装置
に比較すると、大きなものとなるが、それでも約ｌＯ■
の状態で良好な黒表示が得られ、かつ勾配の緩やかな多
階調表示に適した映像表示が実現された。

以下、本発明の第３の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。

第６図は本発明の液晶表示装置の構成断面図を示すもの
である。第６図において、３４は液晶パネル、３５はフ
ィルム位相差板、３６は基板、３７はゲート電極、３８
はゲート絶縁層とアモルファスシリコン層の積層、３９
は画素電極、４０はドレイン電極、４１はソース電極、
４２はＩＴＯ層、４３は垂直配向処理層、４４は水平配
向処理層、４５は液晶分子、４６は偏光板である。以上
のように構成された液晶表示装置について、以下筒６を
用いてその動作を説明する。

まず、液晶パネル３４については、第１の実施例とまっ
たく同し手法により、作成した。

つぎに、ポリカーボ２−トでできた樹脂を、延伸機によ
り１方向に引き延ばし、約１５ｎｍの光学的な位相差を
有するフィルムを作成し、光学位相差（反３５とした。

以上のようにして得られた、液晶パネルの水平配向され
た側の液晶分子４５の長袖方向と、光学位相差板の遅相
軸とが互いに直交するようにして重ね、これを液晶表示
装置とした。この液晶表示装置と、その外側の両面に偏
光体４６を第１の実施例と全く配置が同様な構成にした
ところ、やはり透過率−電圧特性が第３図と全く同様に
なり、緩やかな勾配を持ち、黒の沈み込みも良い、良好
な表示を得ることができた。

以下、本発明の第４の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。

第７図は本発明の第４の実施例を示す液晶表示装置の製
造法を用いて作成した、液晶表示装置の構成断面図であ
る。

第７図において、４７は液晶パネル、４８は光学位相差
板である第２の液晶パネル、４９は基板、５０はゲート
電極、５１はゲート絶縁層とアモルファスシリコン層の
積層、５２は画素電極、５３はドレイン電極、５４はソ
ース電極、５５はＩＴＯ層、５６は垂直配向処理層、５
７は水平配向処理層、５８は液晶分子、５９はクロム層
、６０は偏光板である。

以上のように構成された液晶表示装置について、以下第
７図を用いてその製造法を説明する。

まず、ガラスを用いた絶縁性基板４９に電子ビーム蒸着
法により、クロムを１１（１０ｎ、基板全面に形成した
。次にこのクロム層５９の上に、ポジレイストを塗布し
た後、フォトリソグラフィー法により所定の形状を有し
たマスクを用いて、バターニングを行った。

このようにして所望の位置にクロム層５９が形成された
基板の上に、ポリイミド配向膜を印刷法により約１１（
１０ｎ形成し、３（１０°Ｃ１１時間加熱硬化させた後
、レーヨン布によりラビング処理を施して、水平配向処
理層５７を形成した。

次に、ガラスを用いた絶縁性のもう一方の基板上にも、
上記水平配向処理層５７を設け、クロム層５９の形成さ
れた基板と配向膜のある側を対向して貼り合わせ、クロ
ム層５９の厚みにより設けられた基板の間隙部にΔｎ−
ｄが０゜１の液晶を注入して、液晶分子５８の長軸方向
が基板間で捩れずかつ基板面に対して平行な配向をして
いるような第２の液晶パネルを作成した。得られた第２
の液晶パネルの持つΔｎ・ｄはｌｏｎｍであった。

以上により製造された第２の液晶パネルを光学位相差板
４８とし、第１の実施例で述べた液晶パネル４７と、積
層の仕方を同様にして、これを液晶表示装置とし、偏光
板６０の配置も同様な構成としたところ、液晶表示装置
の透過率−電圧特性が緩やかな勾配を持ち、黒の沈み込
みも良い、良好な表示を得ることができた。

発明の効果以上のように本発明は、前記のような構成または製造法
にしたことで、透過率（反射率）−電圧特性曲線の勾配
を緩やかにすることが可能となり、多階調表示が容易と
なるととにも、所望の実効電圧において、透過率（反射
率）の極めて低い良好な黒表示が実現されるにいたり、
コントラスト比の高い、非常に高画質な映像表示を提供
できる液晶表示装置を実現できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における液晶表示装置の構成
断面図、第２図は本発明の一実施例における液晶表示装
置の動作原理図、第３図は本発明の一実施例における液
晶表示装置の透過率Ｔと実効電圧■との関係を表したグ
ラフ、第４図は本発明の一実施例における液晶表示装置
の構成断面図、第５図は本発明の一実施例における液晶
表示装置の反射率Ｒと実効電圧Ｖとの関係を表したグラ
フ、第６図は本発明の一実施例における液晶表示装置の
構成断面図、第７図は本発明の一実施例における液晶表
示装置の構成断面図、第８図はＴＮ型ノーマリ−ホワイ
ト方式の液晶表示装置の透過率Ｔと実効電圧■との関係
を表したグラフである。１、１６．２１．３４．４７・・・・・・液晶パネル、
２，２２゜４８・・・・・・光学位相差板である第２の
液晶パネル、３゜２３、３６．４９・・・・・・基板、
４．２４．３７．５０・・・・・・ゲート電極、５．２
５．３８．５１・・・・・・ゲート絶縁層とアモルファ
スシリコン層の積層、６．２６．３９．５２・・・・・
・画素電極、７．２７．４０．５３・・・・・・ドレイ
ン電極、８゜２Ｂ、　４Ｌ　５４・・・・・・ソース電
極、９．２９．４２．５５・・・・・・ＩＴＯ層、１０
．３０．４３．５６・・・・・・垂直配向処理層、ＩＬ
　３１．４４．５７・・・・・・水平配向処理層、１２
．３２．４５゜５８・・・・・・液晶分子、１３．４６
．６０・・・・・・偏光板、１４・・・・・・第１の偏
光板、１５・・・・・・偏光軸、１７・・・・・・液晶
分子の長軸方向、１８・・・・・・光学位相差板、１９
・・・・・・光学位相差板の遅相軸、２０・・・・・・
第２の偏光板、３３・・・・・・偏光ビームスプリンタ
ー、３５・・・・・・フィルム位相差板、５９・・・・
・・クロム層。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）バス・バー電極層と画素電極層とが、所定の形状
の薄膜トランジスタ素子を介して接続されてなる一方の
基板と、電極を有したもう一方の基板とを、電極のある
側を対向させて所定の間隙部を設けて貼り合わせ、前記
間隙部に液晶を充填し、かつ電圧印加手段により光学的
異方性を制御する液晶パネルと、所定の電圧における前
記光学的異方性を相殺するような光学位相差板とを積層
していることを特徴とする液晶表示装置。
（２）液晶の分子長軸方向が、基板に対して平行に配列
されていることを特徴とする請求項（１）記載の液晶表
示装置。
（３）液晶の分子長軸方向が、基板の一方に対しては平
行に配列されており、もう一方の基板に対しては垂直に
配列されていることを特徴とする請求項（１）記載の液
晶表示装置。
（４）液晶分子が、一方の基板ともう一方の基板との間
で螺旋構造をとっていることを特徴とする請求項（２）
又は（３）記載の液晶表示装置。
（５）液晶パネルは、一方の基板上に光の反射板を形成
した反射型であることを特徴とする請求項（１）記載の
液晶表示装置。
（６）光学位相差板は、対向する２枚の基板間に液晶を
充填し、所望の光学的異方性を有する第２の液晶パネル
であることを特徴とする請求項（１）記載の液晶表示装
置。
（７）第１の基板上に、物質を所望の厚さに形成し、所
望の形状にパターニングする工程を経た後、第１の基板
の物質のある側と、第２の基板とを向かい合わせて貼り
合わせ、前記物質の厚みにより、前記第１の基板と前記
第２の基板が所望の間隙を保つようにして、前記間隙に
液晶を充填し、光学位相差板を作成する工程を有するこ
とを特徴とする請求項（１）記載の液晶表示装置の製造
法。
（８）物質はクロムであり、真空蒸着法あるいはスパッ
タ法により形成されたものであることを特徴とする請求
項（７）記載の液晶表示装置の製造法。
（９）光学位相差板は、電極を有した２枚の基板を、電
極のある側を対向させて所定の間隙部を設けて貼り合わ
せ、前記間隙部に液晶を充填し、かつ電圧を印加した状
態で所望の光学的異方性を有する第２の液晶パネルであ
ることを特徴とする請求項（６）記載の液晶表示装置。
（１０）第２の液晶パネルの液晶の分子長軸方向が、基
板に対して平行に配列されていることを特徴とする請求
項（６）記載の液晶表示装置。
（１１）第２の液晶パネルの液晶の分子長軸方向が、基
板の一方に対して平行に配列されており、もう一方の基
板に対しては垂直に配列されていることを特徴とする請
求項（６）記載の液晶表示装置。
（１２）第２の液晶パネルの液晶分子が、一方の基板と
もう一方の基板との間で螺旋構造をとっていることを特
徴とする請求項（１０）又は（１１）記載の液晶表示装
置。
（１３）光学位相差板は、所望の光学的異方性を有した
フィルムであることを特徴とする請求項（１）記載の液
晶表示装置。