JPH05251609A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05251609A JPH05251609A JP4083259A JP8325992A JPH05251609A JP H05251609 A JPH05251609 A JP H05251609A JP 4083259 A JP4083259 A JP 4083259A JP 8325992 A JP8325992 A JP 8325992A JP H05251609 A JPH05251609 A JP H05251609A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- semiconductor element
- resin
- substance
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子をリードフレームで支持し樹脂封
止してなる半導体装置において、半導体素子が発生する
熱の放散特性を向上させる。 【構成】 アイランド１と内部リード４先端との一定の
間隔に高熱伝導性物質８を配置してある。半導体素子５
が発生する熱はこの高熱伝導性物質８を介して内部リー
ド４に伝達し、熱放散特性を向上できる。
止してなる半導体装置において、半導体素子が発生する
熱の放散特性を向上させる。 【構成】 アイランド１と内部リード４先端との一定の
間隔に高熱伝導性物質８を配置してある。半導体素子５
が発生する熱はこの高熱伝導性物質８を介して内部リー
ド４に伝達し、熱放散特性を向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子をリードフレ
ームで支持し樹脂封止してなる半導体装置、さらに詳し
くいえば、半導体素子から発する熱を放熱させる構造を
考慮した半導体装置に関する。
ームで支持し樹脂封止してなる半導体装置、さらに詳し
くいえば、半導体素子から発する熱を放熱させる構造を
考慮した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、その大容量化に伴い半導
体素子から発生する熱量が多くなり、その熱を逃がすた
め半導体を収容するパッケージ構造の改善の努力がなさ
れている。図４は従来の半導体装置の構造の例を示す図
で、（ａ）は１つの例の平面図，（ｂ）はその断面図で
ある。（ｃ）は他の従来例を示す断面図である。半導体
素子５はリードフレームのアイランド１に固着されてお
り、素子の電極パッドとリードフレーム３の内部リード
４の先端は細線７で結線された構造になっている。これ
ら半導体素子５と内部リード４の部分は点線で示すよう
に樹脂部６で封止されている。
体素子から発生する熱量が多くなり、その熱を逃がすた
め半導体を収容するパッケージ構造の改善の努力がなさ
れている。図４は従来の半導体装置の構造の例を示す図
で、（ａ）は１つの例の平面図，（ｂ）はその断面図で
ある。（ｃ）は他の従来例を示す断面図である。半導体
素子５はリードフレームのアイランド１に固着されてお
り、素子の電極パッドとリードフレーム３の内部リード
４の先端は細線７で結線された構造になっている。これ
ら半導体素子５と内部リード４の部分は点線で示すよう
に樹脂部６で封止されている。
【０００３】この半導体装置の発熱は主に素子表面で起
こり、その熱は樹脂を介し内部リード４を通り外部に放
散される。さらにこの熱の流れを促進するために図４
（ｃ）に示すように非導電シート９を挟んで導電性の良
好な金属片１１を接着する構造のものも存在する。
こり、その熱は樹脂を介し内部リード４を通り外部に放
散される。さらにこの熱の流れを促進するために図４
（ｃ）に示すように非導電シート９を挟んで導電性の良
好な金属片１１を接着する構造のものも存在する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置はリードフレームの材質を銅系のものを使用して放
熱性を向上させるようにしている。しかしながら、１ワ
ット程度の発熱量までしか放散できないのが現状であ
る。この原因は主に樹脂の熱伝導性の悪さにあり、半導
体素子と内部リードの間にある樹脂が適切な熱の流れを
阻害していると考えられる。そこで、図４（ｃ）のよう
な構造にして対策を講じた結果、放熱性はいくらか改善
されたものの、熱放散のシミュレイトでも推測されるよ
うに、素子表面の熱のほとんどは素子表面の各片から各
内部リード先端に逃げる割合が多いため高熱伝導性の金
属片１１の効果はあまり大きくなかった。本発明の目的
は上述の熱放熱性を大幅に改善した半導体装置を提供す
ることにある。
装置はリードフレームの材質を銅系のものを使用して放
熱性を向上させるようにしている。しかしながら、１ワ
ット程度の発熱量までしか放散できないのが現状であ
る。この原因は主に樹脂の熱伝導性の悪さにあり、半導
体素子と内部リードの間にある樹脂が適切な熱の流れを
阻害していると考えられる。そこで、図４（ｃ）のよう
な構造にして対策を講じた結果、放熱性はいくらか改善
されたものの、熱放散のシミュレイトでも推測されるよ
うに、素子表面の熱のほとんどは素子表面の各片から各
内部リード先端に逃げる割合が多いため高熱伝導性の金
属片１１の効果はあまり大きくなかった。本発明の目的
は上述の熱放熱性を大幅に改善した半導体装置を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明による半導体装置は半導体素子搭載用アイラン
ドを吊りリードで支持し、前記アイランドの側端と一定
の間隔をとって多数の内部リードを対面配置させ、前記
アイランドに搭載した半導体素子の電極パッドと前記内
部リードとの間をワイヤでボンディッグして電気接続
し、前記半導体素子および内部リード部分を樹脂封止し
てなる樹脂封止形半導体装置において、前記アイランド
と前記内部リードとの間の一定の間隔部分に前記封止樹
脂より熱伝導率の高い物質を配置して構成されている。
に本発明による半導体装置は半導体素子搭載用アイラン
ドを吊りリードで支持し、前記アイランドの側端と一定
の間隔をとって多数の内部リードを対面配置させ、前記
アイランドに搭載した半導体素子の電極パッドと前記内
部リードとの間をワイヤでボンディッグして電気接続
し、前記半導体素子および内部リード部分を樹脂封止し
てなる樹脂封止形半導体装置において、前記アイランド
と前記内部リードとの間の一定の間隔部分に前記封止樹
脂より熱伝導率の高い物質を配置して構成されている。
【０００６】また、本発明は半導体素子搭載用アイラン
ドを吊りリードで支持し、前記アイランドの側端と一定
の間隔をとって多数の内部リードを対面配置させ、前記
アイランドに搭載した半導体素子の電極パッドと前記内
部リードとの間をワイヤでボンディッグして電気接続
し、前記半導体素子および内部リード部分を樹脂封止し
てなる樹脂封止形半導体装置において、前記内部リード
またはアイランドの裏面に非導電シートを接着させ、前
記アイランドと前記内部リードとの間の一定の間隔部分
であって前記非導電シートの上に、前記封止樹脂より熱
伝導率の高い物質を接着させて構成されている。
ドを吊りリードで支持し、前記アイランドの側端と一定
の間隔をとって多数の内部リードを対面配置させ、前記
アイランドに搭載した半導体素子の電極パッドと前記内
部リードとの間をワイヤでボンディッグして電気接続
し、前記半導体素子および内部リード部分を樹脂封止し
てなる樹脂封止形半導体装置において、前記内部リード
またはアイランドの裏面に非導電シートを接着させ、前
記アイランドと前記内部リードとの間の一定の間隔部分
であって前記非導電シートの上に、前記封止樹脂より熱
伝導率の高い物質を接着させて構成されている。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。図１は本発明による半導体装置の第１の実施
例を示す図で、（ａ）は平面図，（ｂ）はその断面図で
ある。図中、従来例で用いた符号と同じ符号を付してあ
る部分は同じ構成部分である。アイランド１の側端と、
一定の間隔をおいて対面させられている内部リード４と
の間に高熱伝導性物質８が配置されている。この高熱伝
導性物質８はアルミナが安価で適している。この他にチ
ッ化ホウ素，ダイヤモンド等、樹脂６より熱伝導率が高
ければ用いることができる。この高熱伝導性物質８は図
１（ｂ）から明らかなようにリードフレーム３の厚さと
同じ厚さにして面を揃えているが、高熱伝導性物質８は
細線７に触れない限り厚めにすることができアイランド
の上面から飛び出していても構わない。
説明する。図１は本発明による半導体装置の第１の実施
例を示す図で、（ａ）は平面図，（ｂ）はその断面図で
ある。図中、従来例で用いた符号と同じ符号を付してあ
る部分は同じ構成部分である。アイランド１の側端と、
一定の間隔をおいて対面させられている内部リード４と
の間に高熱伝導性物質８が配置されている。この高熱伝
導性物質８はアルミナが安価で適している。この他にチ
ッ化ホウ素，ダイヤモンド等、樹脂６より熱伝導率が高
ければ用いることができる。この高熱伝導性物質８は図
１（ｂ）から明らかなようにリードフレーム３の厚さと
同じ厚さにして面を揃えているが、高熱伝導性物質８は
細線７に触れない限り厚めにすることができアイランド
の上面から飛び出していても構わない。
【０００８】図２は本発明による半導体装置の第２の実
施例を示す図で、（ａ）は平面図，（ｂ）はその断面図
である。用いている符号は図１の場合と同じである。こ
の実施例はリードフレーム３のアイランド１の裏面と内
部リード４の裏面に接着されている非導電性シート９の
上に高熱伝導性物質８が固着されている。高熱伝導性物
質８の配置されている位置は図１の実施例と同じ位置で
アイランド１の側端と、一定の間隔をおいて対面させら
れている内部リード４との間に配置されている。このよ
うな構造にすることにより半導体装置の組み立てはさら
に容易になる。
施例を示す図で、（ａ）は平面図，（ｂ）はその断面図
である。用いている符号は図１の場合と同じである。こ
の実施例はリードフレーム３のアイランド１の裏面と内
部リード４の裏面に接着されている非導電性シート９の
上に高熱伝導性物質８が固着されている。高熱伝導性物
質８の配置されている位置は図１の実施例と同じ位置で
アイランド１の側端と、一定の間隔をおいて対面させら
れている内部リード４との間に配置されている。このよ
うな構造にすることにより半導体装置の組み立てはさら
に容易になる。
【０００９】図３は本発明による半導体装置の第３の実
施例を示す図で、（ａ）は平面図，（ｂ）はその断面図
である。用いている符号は図１の場合と同じである。こ
の実施例はリードフレーム３の内部リード４の裏面に接
着されている非導電性シート９の上に高熱伝導性物質８
が固着されている。高熱伝導性物質８の配置されている
位置は図１の実施例と同じ位置でアイランド１の側端
と、一定の間隔をおいて対面させられている内部リード
４との間に配置されている。さらに半導体素子５を搭載
したアイランド１がデプレス部１０から下部にデプレス
されている。この実施例では発熱する半導体素子面と高
熱伝導性物質と内部リードが同一面上に配置された構造
となるため放熱効果は実施例の中で最も大きくなる。
施例を示す図で、（ａ）は平面図，（ｂ）はその断面図
である。用いている符号は図１の場合と同じである。こ
の実施例はリードフレーム３の内部リード４の裏面に接
着されている非導電性シート９の上に高熱伝導性物質８
が固着されている。高熱伝導性物質８の配置されている
位置は図１の実施例と同じ位置でアイランド１の側端
と、一定の間隔をおいて対面させられている内部リード
４との間に配置されている。さらに半導体素子５を搭載
したアイランド１がデプレス部１０から下部にデプレス
されている。この実施例では発熱する半導体素子面と高
熱伝導性物質と内部リードが同一面上に配置された構造
となるため放熱効果は実施例の中で最も大きくなる。
【００１０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明はアイラン
ドと内部リードとの間の一定の間隔に封止樹脂より熱伝
導率の高い物質を配置した構造にしてあるので、半導体
素子から内部リードに伝達する熱の流れを促進すること
ができ、半導体素子の熱放散性を著しく向上させる効果
がある。
ドと内部リードとの間の一定の間隔に封止樹脂より熱伝
導率の高い物質を配置した構造にしてあるので、半導体
素子から内部リードに伝達する熱の流れを促進すること
ができ、半導体素子の熱放散性を著しく向上させる効果
がある。
【図１】本発明による半導体装置の第１の実施例を示す
図で、（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図である。
図で、（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明による半導体装置の第２の実施例を示す
図で、（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図である。
図で、（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明による半導体装置の第３の実施例を示す
図で、（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図である。
図で、（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図である。
【図４】従来の半導体装置の例を示す図で、（ａ）は平
面図，（ｂ）は断面図である。（ｃ）は他の従来例の断
面図である。
面図，（ｂ）は断面図である。（ｃ）は他の従来例の断
面図である。
１…アイランド ２…吊りリード ３…リードフレーム ４…内部リード ５…半導体素子 ６…樹脂封止部 ７…ワイヤ ８…高熱伝導性物質 ９，１９…非導電シート １０…吊りリードデプレス部 １１…高熱伝導金属片
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子搭載用アイランドを吊りリー
ドで支持し、前記アイランドの側端と一定の間隔をとっ
て多数の内部リードを対面配置させ、前記アイランドに
搭載した半導体素子の電極パッドと前記内部リードとの
間をワイヤでボンディッグして電気接続し、前記半導体
素子および内部リード部分を樹脂封止してなる樹脂封止
形半導体装置において、 前記アイランドと前記内部リードとの間の一定の間隔部
分に前記封止樹脂より熱伝導率の高い物質を配置したこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体素子搭載用アイランドを吊りリー
ドで支持し、前記アイランドの側端と一定の間隔をとっ
て多数の内部リードを対面配置させ、前記アイランドに
搭載した半導体素子の電極パッドと前記内部リードとの
間をワイヤでボンディッグして電気接続し、前記半導体
素子および内部リード部分を樹脂封止してなる樹脂封止
形半導体装置において、 前記内部リードまたはアイランドの裏面に非導電シート
を接着させ、前記アイランドと前記内部リードとの間の
一定の間隔部分であって前記非導電シートの上に、前記
封止樹脂より熱伝導率の高い物質を接着させたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083259A JP2912076B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083259A JP2912076B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251609A true JPH05251609A (ja) | 1993-09-28 |
| JP2912076B2 JP2912076B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=13797351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4083259A Expired - Lifetime JP2912076B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2912076B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0690501A3 (en) * | 1994-07-01 | 1997-03-26 | Saint Gobain Norton Ind Cerami | Integrated circuit pack with a diamond heat sink |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914790A (ja) * | 1972-04-10 | 1974-02-08 | ||
| JPH03190264A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4083259A patent/JP2912076B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914790A (ja) * | 1972-04-10 | 1974-02-08 | ||
| JPH03190264A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0690501A3 (en) * | 1994-07-01 | 1997-03-26 | Saint Gobain Norton Ind Cerami | Integrated circuit pack with a diamond heat sink |
| US5696665A (en) * | 1994-07-01 | 1997-12-09 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Integrated circuit package with diamond heat sink |
| US6466446B1 (en) | 1994-07-01 | 2002-10-15 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Integrated circuit package with diamond heat sink |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2912076B2 (ja) | 1999-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980303 |