JPH0319155A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0319155A JPH0319155A JP15397289A JP15397289A JPH0319155A JP H0319155 A JPH0319155 A JP H0319155A JP 15397289 A JP15397289 A JP 15397289A JP 15397289 A JP15397289 A JP 15397289A JP H0319155 A JPH0319155 A JP H0319155A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、オーバライト可能な光磁気記録媒体に係わる
。
。
(従来の技術)
近年、初期補助磁界と磁性多層膜を用いることにより、
情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目され
ている。この方式は、 a、記録媒体として、垂直異方性を有する第1層を記録
再生層とし、垂直異方性を有する第2層を記録補助層と
する、多層光磁気記録媒体を使用すること、 b、前記、記録媒体を移動させること、C、初期補助磁
界を印加することによって、前記記録補助層の磁化のみ
を記録する前に上向きまたは下向きのいずれかは一方に
揃えておくこと、d、レーザビームを前記記録媒体に照
射すること、e、前記レーザビームの強度を記録すべき
2値化情報に従って、パルス上に変調すること、f、前
記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に記録磁界
を印加すること、 g、前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高レ
ベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有
するビットのいずれか一方のビットを形成させ、ビーム
の強度が低レベルの時に他方のビットを形成させること
、 からなることを特徴とする、重ね書き可能な記録方法で
ある(例えば、特開昭62−175948号公報参照)
。
情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目され
ている。この方式は、 a、記録媒体として、垂直異方性を有する第1層を記録
再生層とし、垂直異方性を有する第2層を記録補助層と
する、多層光磁気記録媒体を使用すること、 b、前記、記録媒体を移動させること、C、初期補助磁
界を印加することによって、前記記録補助層の磁化のみ
を記録する前に上向きまたは下向きのいずれかは一方に
揃えておくこと、d、レーザビームを前記記録媒体に照
射すること、e、前記レーザビームの強度を記録すべき
2値化情報に従って、パルス上に変調すること、f、前
記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に記録磁界
を印加すること、 g、前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高レ
ベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有
するビットのいずれか一方のビットを形成させ、ビーム
の強度が低レベルの時に他方のビットを形成させること
、 からなることを特徴とする、重ね書き可能な記録方法で
ある(例えば、特開昭62−175948号公報参照)
。
この方法において、記録媒体に要求される条件は、記録
再生層(第1層)の保磁力をHcl、記録補助層(第2
層)のそれをHcz、記録再生層が記録補助層に磁気的
に結合される温度をTs1,記録補助層の磁化が記録磁
界Hbで反転する温度をT82、室温をTR、低レベル
のレーザビームを照射したときの温度をTt,、高レベ
ルのレーザビームを照射したときの温度をTo、記録再
生層のキューり温度をTel、記録補助層のキューり温
度をTC2、記録再生層が受ける記録磁界をHDl、記
録補助層が受ける結合磁界をHD2、初期補助磁界をH
ini.とじた場合、式(1)を満足し、がつ室温で式
(2)〜(5)を満足することである。
再生層(第1層)の保磁力をHcl、記録補助層(第2
層)のそれをHcz、記録再生層が記録補助層に磁気的
に結合される温度をTs1,記録補助層の磁化が記録磁
界Hbで反転する温度をT82、室温をTR、低レベル
のレーザビームを照射したときの温度をTt,、高レベ
ルのレーザビームを照射したときの温度をTo、記録再
生層のキューり温度をTel、記録補助層のキューり温
度をTC2、記録再生層が受ける記録磁界をHDl、記
録補助層が受ける結合磁界をHD2、初期補助磁界をH
ini.とじた場合、式(1)を満足し、がつ室温で式
(2)〜(5)を満足することである。
TR<TSI =Tct =TL<TS2=TC2=T
M (1)HCI>HC2+lHD1王HD2
1 (2)MCI>HDI
(3)HC2 > HD2
(4)Hc2+Hn2
<lHini.l<Hct+Hm (5)
ここで、記録再生層の飽和磁化をMSI、記録補助層の
飽和磁化をMS2、記録再生層の膜厚をhx、記録補助
層の膜厚をh2、単位面積当りの界面磁壁エネルギーを
Owとした場合、Hnx=aw/(2Mstht)、H
D2 = ow/(2Ms2h2)である。
M (1)HCI>HC2+lHD1王HD2
1 (2)MCI>HDI
(3)HC2 > HD2
(4)Hc2+Hn2
<lHini.l<Hct+Hm (5)
ここで、記録再生層の飽和磁化をMSI、記録補助層の
飽和磁化をMS2、記録再生層の膜厚をhx、記録補助
層の膜厚をh2、単位面積当りの界面磁壁エネルギーを
Owとした場合、Hnx=aw/(2Mstht)、H
D2 = ow/(2Ms2h2)である。
また、上記式中、複合士、壬については、上段がA(a
ntiparallel)タイプの媒体の場合であり、
下段はP(parallel)タイプの媒体の場合であ
る。
ntiparallel)タイプの媒体の場合であり、
下段はP(parallel)タイプの媒体の場合であ
る。
すなわち、例えばPタイプの媒体の場合には、記録直前
に記録補助層の磁化のみ一様に揃えておき、低レベルの
レーザビームを照射したときに記録再生層の磁化を記録
補助層の磁化に一致させ、高レベルのレーザビームを照
射したときに記録補助層および再生層の両層を先の補助
層の磁化の向きとは反対向きに磁化することで記録して
いた。
に記録補助層の磁化のみ一様に揃えておき、低レベルの
レーザビームを照射したときに記録再生層の磁化を記録
補助層の磁化に一致させ、高レベルのレーザビームを照
射したときに記録補助層および再生層の両層を先の補助
層の磁化の向きとは反対向きに磁化することで記録して
いた。
(発明が解決しようとする課題)
上記オーバライト方式において、2層膜媒体のM.Hル
ーブは環境温度で、第2図に示すような2段階の反転磁
界をもつものでなければならない。たとえば、第1磁性
層の磁化と第2磁性層の磁化が同じ方向の時にエネルギ
ー的に安定なパラレルタイプの2層媒体において、反転
磁界が2段階になる条件は、Hcl− ow/2Mst
h1> HC2 + aw/2Ms2h2を満たすこと
である。ところが、2層間の交換結合力が強すぎると上
式のσいが大きくなりすぎるため、M−Hループは第3
図に示したような反転磁界を1段階しかもたないループ
になってしまう。従来は、多層光磁気記録媒体としてT
b−FeとTb−Fe−Coを組み合わせた2層膜等を
用いていたが、この2層膜では、2層間の交換結合力が
強すぎるため、2段階の反転磁界のM−Hループを持つ
光磁気記録媒体を作戊することが困難であった。
ーブは環境温度で、第2図に示すような2段階の反転磁
界をもつものでなければならない。たとえば、第1磁性
層の磁化と第2磁性層の磁化が同じ方向の時にエネルギ
ー的に安定なパラレルタイプの2層媒体において、反転
磁界が2段階になる条件は、Hcl− ow/2Mst
h1> HC2 + aw/2Ms2h2を満たすこと
である。ところが、2層間の交換結合力が強すぎると上
式のσいが大きくなりすぎるため、M−Hループは第3
図に示したような反転磁界を1段階しかもたないループ
になってしまう。従来は、多層光磁気記録媒体としてT
b−FeとTb−Fe−Coを組み合わせた2層膜等を
用いていたが、この2層膜では、2層間の交換結合力が
強すぎるため、2段階の反転磁界のM−Hループを持つ
光磁気記録媒体を作戊することが困難であった。
本発明の目的は、光磁気記録膜を構或している2磁性層
間の交換結合力が適当な値を持つ、光磁気記録媒体を提
示することにある。
間の交換結合力が適当な値を持つ、光磁気記録媒体を提
示することにある。
(課題を解決するための手段)
記録膜に垂直磁気異方性を有するアモルファスDy−F
e−Co合金からなる第1の磁性層と、該磁性層の上に
形成された垂直磁気異方性を有するアモルファスGd−
Dy−Fe−Co合金からなる第2の磁性層からなる2
層膜を用いることによる。
e−Co合金からなる第1の磁性層と、該磁性層の上に
形成された垂直磁気異方性を有するアモルファスGd−
Dy−Fe−Co合金からなる第2の磁性層からなる2
層膜を用いることによる。
(作用)
界面磁壁エネルギー密度をow、飽和磁化をMs、膜厚
をtとおくと、交換結合力はow/2Mstという値で
与えられる。そこで膜厚を一定とした場合、交換結合力
を小さくするためには、owを小さく、Msを大きくす
ることが必要である。
をtとおくと、交換結合力はow/2Mstという値で
与えられる。そこで膜厚を一定とした場合、交換結合力
を小さくするためには、owを小さく、Msを大きくす
ることが必要である。
一方、ow = (AKu)”’いう関係式が知られて
いる(Y. Mimura他、J. Appl. Ph
ys.第49巻、第1208頁、1978年)。ここで
、Aは交換スティフネス定数、Kuは一軸異方性定数で
ある。したがって、σWを小さくするためにはAまたは
Kuを小さくすればよい。
いる(Y. Mimura他、J. Appl. Ph
ys.第49巻、第1208頁、1978年)。ここで
、Aは交換スティフネス定数、Kuは一軸異方性定数で
ある。したがって、σWを小さくするためにはAまたは
Kuを小さくすればよい。
そこで、Aを小さくするためにDyを、またKuを小さ
くするためにGdを、FeCoに加えた垂直磁化膜を組
み合わせた2層膜を用いることによりOWが適当に小さ
い2層膜を作成することができる。
くするためにGdを、FeCoに加えた垂直磁化膜を組
み合わせた2層膜を用いることによりOWが適当に小さ
い2層膜を作成することができる。
なお、第1の磁性層は記録再生層であり、初期補助磁界
により反転してはいけないので、環境温度における保磁
力が大きい必要がある。そこで比較的ハードな磁気特性
を持つアモルファスDy−Fe−Co膜を用いる。一方
、第2の磁性層は記録補助層であり、先行補助磁界によ
り初期化できる必要性があるので、環境温度における保
磁力が小さくなければならない。そこで、比較的ソフト
な膜であるアモルファスGd−Dy−Fe−Co膜を用
いる。また、第1層は第2層よりキューり温度が低くな
ければならないので、Coの量でキューり温度を調節す
る。
により反転してはいけないので、環境温度における保磁
力が大きい必要がある。そこで比較的ハードな磁気特性
を持つアモルファスDy−Fe−Co膜を用いる。一方
、第2の磁性層は記録補助層であり、先行補助磁界によ
り初期化できる必要性があるので、環境温度における保
磁力が小さくなければならない。そこで、比較的ソフト
な膜であるアモルファスGd−Dy−Fe−Co膜を用
いる。また、第1層は第2層よりキューり温度が低くな
ければならないので、Coの量でキューり温度を調節す
る。
(実施例)
第1図に本発明の1例を現す光磁気記録2層膜媒体の概
略図を示す。媒体は、基板5スベーサ層4Dy−Fe−
Co合金からなる第1の磁性層(記録再生層)3Gd一
Dy−Fe−Co合金からなる第2の磁性層(記録補助
層)2保護層1をこの順に積層して構威される。ここで
、基板5としては、ポリカーボネート樹脂、エボキシ樹
脂、ガラスを用いた基板またはガラスの上に紫外線硬化
樹脂等でグループを形成させた基板等を使用する。スペ
ーサ層4及び保護層1としては、珪素の窒化物、珪素の
酸化物、タンタルの酸化物、アルミの窒化物、アルミの
酸化物等が使用できる。
略図を示す。媒体は、基板5スベーサ層4Dy−Fe−
Co合金からなる第1の磁性層(記録再生層)3Gd一
Dy−Fe−Co合金からなる第2の磁性層(記録補助
層)2保護層1をこの順に積層して構威される。ここで
、基板5としては、ポリカーボネート樹脂、エボキシ樹
脂、ガラスを用いた基板またはガラスの上に紫外線硬化
樹脂等でグループを形成させた基板等を使用する。スペ
ーサ層4及び保護層1としては、珪素の窒化物、珪素の
酸化物、タンタルの酸化物、アルミの窒化物、アルミの
酸化物等が使用できる。
また、Dy−Fe−Co合金からなる第1の磁性層3及
びGd−Dy−Fe−Co合金からなる第2の磁性層2
には、少量のTi, Mo等を添加することも可能であ
る。
びGd−Dy−Fe−Co合金からなる第2の磁性層2
には、少量のTi, Mo等を添加することも可能であ
る。
以下に示した膜構戒および単層での諸特性をもつ光磁気
記録媒体を、RFマグネトロンスパ・ソタ装置による連
続スバツタにより或膜した。
記録媒体を、RFマグネトロンスパ・ソタ装置による連
続スバツタにより或膜した。
膜構戒
ポリカーボネート基板/窒化珪素(800人)/Dy−
Fe−Co合金/Gd−Dy−Fe−Co合金l窒化珪
素(800A)実施例1 単層における諸特性が次表に示されるような2層媒体を
作或した。
Fe−Co合金/Gd−Dy−Fe−Co合金l窒化珪
素(800A)実施例1 単層における諸特性が次表に示されるような2層媒体を
作或した。
その結果、第2図に示すような2段階の反転磁界を持つ
カーループが得られた。この場合、Dy−Fe−Co合
金層およびGd−Dy−Fe−Co合金層の反転磁界は
、それぞれ7.2KOeおよび2.6KOeであった。
カーループが得られた。この場合、Dy−Fe−Co合
金層およびGd−Dy−Fe−Co合金層の反転磁界は
、それぞれ7.2KOeおよび2.6KOeであった。
また、界面磁壁エネルギー密度σ1は1.3erg/c
m2、交換結合力aw/2Mstは6000eであった
。
m2、交換結合力aw/2Mstは6000eであった
。
つぎに、上記媒体を用いて、下記の記録再生条件におい
て光磁気記録再生を実施した。記録再生条件を以下に示
す。
て光磁気記録再生を実施した。記録再生条件を以下に示
す。
線速 11.3 m/s高レベル時
のレーザパワ− 10 mW(ディスク上)低レベル時
のレーザパワ− 7 mW(ディスク上)再生時のレー
ザパワ− 1 mW(ディスク上)まず、ビームを
IMHzで変調させながら上記媒体に照射した。レーザ
照射部の再生信号をスペクトラムアナライザーで解析し
たところ、IMHzの位置にC/N比55dBの信号が
検出され、ビットが記録されていることが確かめられた
。
のレーザパワ− 10 mW(ディスク上)低レベル時
のレーザパワ− 7 mW(ディスク上)再生時のレー
ザパワ− 1 mW(ディスク上)まず、ビームを
IMHzで変調させながら上記媒体に照射した。レーザ
照射部の再生信号をスペクトラムアナライザーで解析し
たところ、IMHzの位置にC/N比55dBの信号が
検出され、ビットが記録されていることが確かめられた
。
次に上記媒体の既に記録した領域に、今度は周波数5M
Hzの信号を新たな情報として記録した。この情報を同
様に解析すると、C/N比=50dBで新たな情報が再
生された。エラー発生率は、1o−5〜1o−6であっ
た。このとき、IMHzの信号(前の情報)は全く現れ
なかった。
Hzの信号を新たな情報として記録した。この情報を同
様に解析すると、C/N比=50dBで新たな情報が再
生された。エラー発生率は、1o−5〜1o−6であっ
た。このとき、IMHzの信号(前の情報)は全く現れ
なかった。
この結果、オーバーライトが可能であることがわかった
。
。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベルのレーザ
照射時に250°C、低レベルのレーザ照射時に170
°Cに達する。
照射時に250°C、低レベルのレーザ照射時に170
°Cに達する。
実施例2
単層における諸特性が次表に示されるような2層媒体を
作威した。
作威した。
その結果、第2図に示すような2段階の反転磁界を持つ
カーループが得られた。この場合、Dy−Fe−Co合
金層およびGd−Dy−Fe−Co合金層の反転磁界は
、それぞれ9.5KOeおよび2.2KOeであった。
カーループが得られた。この場合、Dy−Fe−Co合
金層およびGd−Dy−Fe−Co合金層の反転磁界は
、それぞれ9.5KOeおよび2.2KOeであった。
また、界面磁壁エネルギー密度σ.は1.3erg/c
m 、交換結合力ow/2Mstは7000eであった
。
m 、交換結合力ow/2Mstは7000eであった
。
次に、上記媒体を用いて、下記の記録再生条件において
光磁気記録再生を実施した。記録再生条件を以下に示す
。
光磁気記録再生を実施した。記録再生条件を以下に示す
。
線速 11.3 m/s高レベル時
のレーザパワ− 9 mW(ディスク上)低レベル時の
レーザバワ− 7 mW(ディスク上)再生時のレーザ
パワ− 1 mW(ディスク上)まず、ビームをI
MHzで変調させながら上記媒体に照射した。レーザ照
射部の再生信号をスベクトラムアナライザーで解析した
ところ、IMHzの位置にC/N比56dBの信号が検
出され、ビットが記録されていることか確かめられた。
のレーザパワ− 9 mW(ディスク上)低レベル時の
レーザバワ− 7 mW(ディスク上)再生時のレーザ
パワ− 1 mW(ディスク上)まず、ビームをI
MHzで変調させながら上記媒体に照射した。レーザ照
射部の再生信号をスベクトラムアナライザーで解析した
ところ、IMHzの位置にC/N比56dBの信号が検
出され、ビットが記録されていることか確かめられた。
次に上記媒体の既に記録した領域に、今度は周波数3H
zの信号を新たな情報として記録した。この情報を同様
に解析すると、C/N比= 52dBで新たな情報が再
生された。エラー発生率は、10−5〜10−6であっ
た。このとき、IMHzの信号(前の情報)は全く現れ
なかった。
zの信号を新たな情報として記録した。この情報を同様
に解析すると、C/N比= 52dBで新たな情報が再
生された。エラー発生率は、10−5〜10−6であっ
た。このとき、IMHzの信号(前の情報)は全く現れ
なかった。
この結果、オーバーライトが可能であることがわかった
。
。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベルのレーザ
照射時に230°C、低レベルのレーザ照射時に170
°Cに達する。
照射時に230°C、低レベルのレーザ照射時に170
°Cに達する。
(発明の効果)
実施例の項で示したように、本発明によれば磁性層間の
交換結合力を適当に小さくすることができ、2段階の反
転磁界を持つ光磁気記録媒体を得ることができる。その
結果、オーバライトが可能になる。
交換結合力を適当に小さくすることができ、2段階の反
転磁界を持つ光磁気記録媒体を得ることができる。その
結果、オーバライトが可能になる。
第1図は本発明の光磁気記録媒体の1例を示す概念図、
第2図は本発明の適用により得られたオーバライト用2
層膜媒体のM−Hループを示す概念図、第3図は従来の
2層膜媒体のM−Hループを示す概念図である。
第2図は本発明の適用により得られたオーバライト用2
層膜媒体のM−Hループを示す概念図、第3図は従来の
2層膜媒体のM−Hループを示す概念図である。
Claims (1)
- 光磁気記録媒体において、その記録膜が、垂直磁気異
方性を有するアモルファスDy−Fe−Co合金からな
る第1の磁性層と、該磁性層の上に形成された垂直磁気
異方性を有するアモルファスGd−Dy−Fe−Co合
金からなる第2の磁性層からなることを特徴とする、光
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15397289A JPH0319155A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15397289A JPH0319155A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319155A true JPH0319155A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15574104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15397289A Pending JPH0319155A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319155A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04345938A (ja) * | 1991-05-23 | 1992-12-01 | Sharp Corp | 光磁気記憶素子 |
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1989
- 1989-06-15 JP JP15397289A patent/JPH0319155A/ja active Pending
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